GF的FinFET工艺技术是专门为高性能、高功率的片上系统（SoC）而设计的，适用于高要求、大批量的应用。三维FinFET晶体管技术提供了业界领先的性能和功率，并具有12纳米面积扩展的显著面积优势。GF的FinFET平台配备了先进的功能，如射频、汽车认证、超低功耗存储器和逻辑，提供了同类产品中最佳的（12纳米至16纳米）性能、功率和面积组合。因此，它们非常适用于计算和人工智能、移动/消费和汽车处理器、高端物联网应用、高性能收发器和有线/无线网络应用。 最小的HD SRAM：0.064 µ2 汽车二级资质 与平面28纳米相比，性能提高65%，功率降低60%，面积减少55%。
