GF的FinFET工艺技术是专门为高性能、高功率的片上系统(SoC)而设计的,适用于高要求、大批量的应用。三维FinFET晶体管技术提供了业界领先的性能和功率,并具有12纳米面积扩展的显著面积优势。GF的FinFET平台配备了先进的功能,如射频、汽车认证、超低功耗存储器和逻辑,提供了同类产品中最佳的(12纳米至16纳米)性能、功率和面积组合。因此,它们非常适用于计算和人工智能、移动/消费和汽车处理器、高端物联网应用、高性能收发器和有线/无线网络应用。

  • 最小的HD SRAM:0.064 µ2  
  • 汽车二级资质
  • 与平面28纳米相比,性能提高65%,功率降低60%,面积减少55%。