借助 GF 的 12 纳米 FinFET 平台，您可获得所需的独特功能和高性能 您要求最佳性能，因为您知道创新永不止步。GF 的 FinFET 工艺技术专为汽车、消费和工业市场要求苛刻的大批量应用中的高性能 SoC 而设计。GF 的 FinFET 平台具备射频、汽车认证和低功耗存储器与逻辑等功能，可在不牺牲设计所需性能的前提下提供您所需的高级功能。 可靠的电源 和性能 对于要求苛刻的 应用 高性能 汽车 消费者和 工业 广泛 模拟和射频 能力 12LP+ 平台为要求苛刻的大批量应用提供可靠的动力和性能 12nm FinFET 技术是一个成熟的平台，从 GF 位于纽约的先进晶圆厂出货的晶圆已超过 200 万片，具备了高要求、大批量应用所需的功能和性能。 与 12LP 逻辑电路相比，性能提高 15%，功耗降低 20 高性能晶体管和新架构元件优化了逻辑设计的性能、有功功率和无功功率，并改善了错配情况，从而实现更高的 SRAM Vmin 值和低功耗 低功耗、高性能，频率大于 1.5GHz，适用于多核处理，Tj 150°C 时泄漏量低 提供多种器件功能，包括薄氧化物和厚氧化物 FET 以及无源器件，包括先进的高密度 MIM 电容器 适用于汽车、消费、工业和航空航天与国防应用的单一平台 与前代产品相比，GF 的 12LP+ 技术具有更高的功率和密度，为日益复杂的汽车、消费、工业以及航空航天和国防应用所需的高性能提供了一站式解决方案。 采用智能分区架构和先进的自动处理技术，具有 Auto G1 鉴定和 eNVM 功能，是未来汽车设计的理想之选 业界领先的汽车和工业 MCU 功能，包括 AutoPro150、超低漏电 (ULL) 和 eMRAM 可靠、值得信赖的美国汽车、消费品、工业、航空航天与国防供应产品 用于普遍嵌入式智能的模拟和射频功能 对于射频收发器、WiFi SoC、数据转换器和电压调节，GF 的 12 纳米 FinFET 技术可提供现代应用所需的高性能模拟和射频功能。 本质上非常适合射频和模拟设计的器件，具有高自增益、高 fT、低失配和低 Ron-Qg 等优势 针对薄氧化物和厚氧化物器件、用于集成功率放大器和输入/输出的 LDMOS 以及集成 MIM 电容器和电感器等无源器件的射频和模拟设计功能 实现了 FinFET 从数字到模拟的演进，从而提供更多的电源轨、更快的集成稳压器 (IVR) 开关速度和更低的 Rdson-Qg 通信基础设施和数据中心 面向未来的数据处理和移动 工业物联网 当前和未来工业应用的安全性和可靠性 汽车 推动软件定义未来的创新 联系我们
