nvNITRO正在加速推进业务

通过。Pat Patla

由于数字化转型和其他商业趋势正在创造对更多实时决策的需求，信息需求正在急剧增加。收集、传输和存储有助于推动业务洞察力的数据正在给企业带来压力，因为他们正在努力优化日益增长的数据流。这种情况对传统系统的影响莫过于存储，信息的数量和关键性质正在推动数据处理和分层方式的快速变化。存储既是大多数环境的瓶颈，同时也是任何应用程序最关键的组成部分。

Everspin创建了nvNITRO™技术，以帮助解决对更快、更持久的存储的日益增长的需求。nvNITRO建立在由GLOBALFOUNDRIES制造的磁阻随机存取存储器（MRAM）上，为数据存储带来了高性能和持久性，实现了新一代的应用性能。

我们最近在第17届超级计算大会上展示了nvNITRO的威力，这是全球高性能计算的盛会。

在与SMART模块化技术公司的演示中，SMART的NVMe加速器卡能够以超低的延迟驱动高性能。该演示显示了一个NVMe加速器作为企业固态硬盘的前端缓冲器。虽然固态硬盘今天正在改变企业，而且所有的闪存阵列由于其相对于旋转介质的性能优势而越来越受欢迎，但NAND存储器仍然无法与MRAM的高速和低延迟相提并论。

交易处理只是我们看到MRAM机会的领域之一。在这些环境中，为了保证交易的完整性和合规性，许多系统要求在开始下一个新的交易之前对每一个交易进行记录或记账。这些应用--如银行、支付处理、股票交易、电子商务、供应链或ERP/CRM--都可以从nvNITRO技术中受益。随着信息流量的增加，如果不快速有效地处理，额外的日志记录会成为一个瓶颈。

通过MRAM存储加速器作为固态硬盘的前端，交易日志可以在固态硬盘所需时间的一小部分内实现。MRAM的低延迟意味着这些日志可以更快地写入，使系统可以毫不延迟地开始下一个交易。通过使用MRAM，nvNITRO的延迟降低了9倍，这意味着每秒钟可以记录更多的交易，从而带来更大的整体应用吞吐量。

MRAM带来的另一个关键好处是它能够在不需要电池或超级电容器的情况下维持数据的状态。对于这些企业来说，写入大量的交易也带来了速度之外的第二个挑战--无论底层系统的状态如何，都要保持数据。通常情况下，当系统断电或电源中断时，"飞行中 "的事务，无论是正在写入还是正在写入日志，都会丢失，因为标准的DRAM存储器不是持久性的，而SSD中的NAND存储器的写入速度不足以在断电前捕获所有的飞行数据。有了MRAM的持久性，这些数据可以更快地被写出来，减少存储在缓冲区的数据。如果系统确实需要重新启动，这些数据在初始化时仍会在MRAM中持久存在。在一个监管实体仔细检查每一笔交易并可能需要金融公司 "重放 "其交易的世界里，确保第一次就正确记录一切是无价的。这种保护不仅仅是保护数据；在这一点上，它实际上是在保护公司。

超级计算会议的人流量很大，我们很高兴看到我们的演示所产生的兴奋程度。像MRAM这样的技术可以成为许多未来平台的一个伟大基础。通过各种接口将nvNITRO技术集成到存储解决方案中的能力--直接作为PCIe或U.2设备，集成到机箱中或直接集成到系统板中--意味着有各种各样的实现方式来满足特定需求。关于nvNITRO的讨论总是从所展示的具体使用案例开始，但最终会变成 "嘿，你能不能......"？而这正是它变得有趣的地方。

除了我们在nvNITRO演示中展示的STT-MRAM外，STT-MRAM还可以通过GF作为嵌入式MRAM（eMRAM）提供给那些需要嵌入式闪存（eFlash）无法提供的持久性、耐久性和写入性能的应用。随着我们看到无人机、物联网和自动驾驶汽车等领域的增长，将MRAM直接嵌入到设计中的价值会越来越大。今天的nvNITRO解决方案是基于我们的合作伙伴GF生产的Everspin 40纳米STT-MRAM技术。此外，GF现在正在提供22FDX eMRAM的工艺设计套件。GF预计客户将在2018年第一季度开始在多项目晶圆（MPW）上进行MRAM原型开发。

我们今天看到了加速存储大量数据流的直接机会。这些大量的遥测数据需要以一种确保快速捕获和长期保留的方式进行有效处理。但是，随着MRAM和eMRAM继续获得市场动力（将传统的内存和存储产品移到一边）以及外形尺寸的缩小，我们将看到更大的机会出现。今天，我们正在加速后端存储和处理部分，但看到MRAM和eMRAM有可能整合到创造这些数据的前端和边缘设备中并不夸张，而这正是事情开始变得更加有趣的地方。

如果第17届超级计算会议有任何迹象表明，MRAM的前景是光明的。