Dream Chip Technologies公司展示了其首个应用了22纳米FD-SOI硅芯片的汽车辅助驾驶系统SoC。 2017年2月27日梦幻芯片技术公司今天宣布，在巴塞罗那举行的世界移动通信大会上，推出了业界首个用于汽车计算机视觉应用的新型ADAS系统级芯片（SoC）的22纳米FD-SOI芯片。该SoC是与ARM、Arteris、Cadence、GLOBALFOUNDRIES和INVECAS密切合作开发的，是欧盟委员会ENIAC THINGS2DO参考开发平台的一部分。
梦芯科技推出首款22纳米FD-SOI芯片的新型汽车驾驶辅助系统芯片 2017年2月27日为欧洲THINGS2DO项目开发的高级驾驶辅助系统（ADAS）计算机视觉SoC，在GLOBALFOUNDRIES的22纳米工艺上制作了第一个工作硅片
2017 年美国消费电子展：漫步会场的感想和五大趋势 2017 年 2 月 23 日 作者：Nitin Kulkarni尼廷-库尔卡尼 在业界的注意力转移到下一个大型国际科技会议 MWC 之前，我想与大家分享一些关于 CES 的见解。今年的展会创下了历史新高，有 3,800 多家公司参展，展出面积超过 260 万平方英尺。此外，展会还在尤里卡公园市场（Eureka Park Marketplace）迎来了 600 多家初创公司--所有这些公司都展示了互联科技的未来。 以下是我在 2017 年美国消费电子展（CES 2017）上的一些主要趋势和收获： 1.互联家庭变得更智能、更专注 与往年的 CES 相比，今年的家电产品变得更加智能，因为电子产品公司都希望消费者能够接受联网家庭的智能个人助理技术，如语音激活家电和通过手机界面改变颜色/环境/强度的智能 LED 灯泡。有几家公司推出了 "智能家居套件"，展出的几款产品包括智能扬声器、智能照明、智能家电（白色家电）、家用机器人，甚至还有一款能扫描面部皱纹的智能镜子！亚马逊的 Alexa 在几种电器中非常普遍。 多节点 WiFi 系统也被称为 "全屋 WiFi"，正在成为 "智能 "家庭基础设施的一部分，因为这种系统只需在必要的地方添加一个节点，而无需额外的网关或路由器，就能将 WiFi 网络覆盖到大面积区域。随着蓝牙 5.0 的推出，再加上蓝牙 Mesh 技术，室内无线信号的覆盖范围可以翻两番（与蓝牙 4.x 相比），达到近 120 英尺，基本上可以通过多个蓝牙设备覆盖整个家庭。 2.虚拟现实成为现实 AR/VR/MR 无处不在！CES 是亲身体验一些最新 AR/VR 设备的最佳场所。我们看到了从能让你感受数字世界的靴子到能让你闻到气味的蜡烛等各种设备。 高通公司（Qualcomm®）的骁龙™820/835走在了移动AR/VR的前沿。835被推广用于移动娱乐和计算的AR智能眼镜。VR 也是需要基于更快、更先进架构的极高性能 PC 设计的关键领域之一。 3.更智能、更小巧的无人机 无人机技术现在可以支持更先进的技术功能，如飞行过程中的实时障碍物探测和规避。 许多无人机支持 4K 摄像头、10-30 分钟飞行时间、2.4GHz WiFi、定位精度更高的高精度 GPS 模块（有些支持 Follow-Me 模式），有些支持 360 度视角。通过电池管理设计和无人机架构中软件算法实施的进步，电池寿命也在不断提高。展出的一些无人机具有更先进的功能，如实时三维地形/地表测绘，可用于农业、土地/资源管理和建筑/建筑可视化等行业。 如今，用于娱乐/业余爱好的玩具无人机价格不到 100 美元，而高端和功能先进的无人机（飞行时间和操作范围更长）价格则超过 2500 美元。 4.电子技术与汽车技术的融合 今年，汽车行业和电子行业实现了真正的融合，数百家汽车公司展示了从自动驾驶系统、电动汽车到新型用户界面等各种新型汽车技术。 实现自动驾驶现在需要数字技术。新平台的亮点包括将千兆级 LTE 连接与通过 WiFi、以太网、BT 和 BLE 实现的高带宽车载连接集成到汽车中。其他展会 "驱动力 "包括顶级汽车制造商宣布整合新的用户界面概念，即通过手指手势控制的虚拟自由悬浮显示屏，以及到 2018 年实现人工智能驱动汽车的新合作伙伴关系。 音频和语音识别技术将在未来发挥巨大的作用--亚马逊的 Alexa 和微软的 Cortana 数字助理被众多汽车制造商整合在一起就证明了这一点。此外，汽车是用户数字和社交连接的延伸，车载信息娱乐（IVI）b 系统需要额外的存储空间来存储丰富的多媒体数据以及高级软件和应用程序。GF 的FDX 技术平台增强了汽车IVI系统的功能。 5.可穿戴设备的成长 可穿戴设备市场已经远远超出了手腕技术的范围。我们看到，智能发刷可以指导你成为一个更好的梳头者，新的服装系列旨在提高睡眠质量，耳机则声称可以让你的大脑更快地适应运动--许多很酷的数字健康工具即将问世。 可穿戴设备和其他电子设备是物联网的重要组成部分，它们将扮演数据生产者的角色。可穿戴健康设备就是一个例子。由于网络边缘设备收集的物理数据通常是私人数据，因此在边缘处理数据比将原始数据上传到云端更能保护用户隐私。 消费类电子产品在推动整个全球科技产业的发展中变得越来越重要，而 CES 则是一个指向更加互联的未来的地方。随着数量的不断增加，各种设备正在上网并相互联网，用户也在以新的方式与他们的设备互动。 承载数据流量的网络和利用原始数据并将其转化为更快的决策洞察力和成果的数据中心，推动着物联网节点对高能效、优化和高成本效益半导体的新要求。我们开始看到向领先的 28 纳米、22 纳米和 14 纳米（及更高）工艺技术的转变，以及边缘节点计算的增长。GF 的 CMOS、射频和专用集成电路（ASIC）技术可应对这一前沿转变。具体而言，我们的 FD-SOI (FDX) 和 FinFET 平台面向高端和中端市场。 这其中最关键的是能够以高能耗、高成本效益的方式进行感测、处理、控制和通信。物联网设备的一些基本要求包括低功耗、高性价比、射频连接、卓越的模拟/电源集成和更小的封装。所有这些物联网趋势都与 GF 的技术产品方向--低成本、高效、可扩展和可靠的解决方案--不谋而合。我们独特的 FDX 产品组合支持多种有线和无线产品的广泛应用，其中包括业界功耗最低的射频解决方案，GF 在射频 SOI 领域是公认的市场领导者，可满足物联网的苛刻需求。 半导体在实现我们每年在 CES 上看到的这些很酷的新设备方面发挥着巨大作用，这是一个千载难逢的技术机遇。 GLOBALFOUNDRIES、GF 徽标及其组合是 GF 公司在美国和/或其他司法管辖区的商标。其他产品或服务名称仅供识别之用，可能是其各自所有者的商标或服务标志。使用这些名称、徽标和品牌并不意味着认可。 所有图片均由 Nitin Kulkarni, GF 提供。 关于作者 尼廷-库尔卡尼 Nitin 是 GLOBALFOUNDRIES 的首席高级营销经理。他负责 GLOBALFOUNDRIES CMOS 产品组合的产品和技术营销，重点关注物联网和工业 4.0 细分市场。 在加入 GLOBALFOUNDRIES 之前，Nitin 是 Cypress Semiconductor（前身为 Spansion, Inc.）的部门营销经理，负责启动和领导公司串行闪存 (SPI) 产品线的营销活动。 Nitin 在 x86 微处理器、通信/网络和闪存等半导体产品的工程、产品管理和营销方面拥有 20 多年的经验。他拥有北卡罗来纳大学夏洛特分校电气工程理学硕士学位和印度浦那大学工程学院电气工程学士学位。
关于2017 CES展会上的5大前沿趋势的思考 February 23, 2017 作者: Nitin Kulkarni 在整个行业的注意力转移到下一格大型国际科技大会（也就是MWC）之前，我想分享一些我关于CES的见解。 今年的CES展会创下历史纪录，超过3800家公司参展，展会面积达到260多万平方英尺。 此外，该展会欢迎在尤里卡公园市场上的600多家初创公司，所有这些公司都展示了它们和未来相关的技术。 2017: 以下是我对2017年CES展会上的几个热门趋势的总结： 连接让家变得更智能，更加专注 与过去几年的CES展会相比，今年CES展会上的电器已经变得更加智能了，因为电子公司正在投入消费者接受连接家庭的智能个人助理技术，例如：语音激活应用；通过手机界面改变颜色/氛围/强度的智能LED灯泡。几家公司已经开始提供“智能家居套件”，并且展出了很多相关产品，包括：智能扬声器，智能照明，智能家电（白色家电），家用机器人，以及可以扫描脸部皱纹的智能镜子。亚马逊的Alexa出现在这这几个家用电子产品中。 多节点WiFi也被称为“全家庭WiFi”。该系统正在成为“智能”家庭基础设施的一部分，因为他们可以通过简单的步骤就可以在必要的地方添加一个节点来扩展WiFi网络，而不需要额外的网关或路由器。随着蓝牙5.0的发展，加上蓝牙网状技术，室内无线信号范围可以增加四倍（相比蓝牙4.x）到接近120英尺，基本上可以通过多个蓝牙设备来覆盖整个家庭的面积。 虚拟（AR）现实变得真实 AR / VR / MR无处不在！ CES是获得最新AR / VR设备实践经验的最佳场所。我们可以一揽全局，同时让你全方位的触摸到这个数字世界。 在移动AR / VR的最前沿是Qualcomm®的Snapdragon™820/835。 835是正在被推广用于AR智能眼镜以实现移动娱乐和移动计算。 VR也是需要极好的微计算的表现的领域之一，这种微计算设计需要更快和更加先进的架构。 更聪明，更小的无人机 无人机技术现在可以支持更先进的功能，比如：障碍物实施探测和规避障碍物。 许多无人机都支持多种功能，包括支持4K摄像机，10-30分钟飞行时间，2.4GHz WiFi，高精度GPS模块，位置精度提高（一些支持“Follow-Me”模式），其中一些具有360度视图。随着电池管理设计的进步，以及无人机架构中的软件算法实现，电池寿命不断得到改善。一些无人机拥有很多高级的功能，例如可用于农业土地和资源管理，建筑可视化，以及实时的3D地形/地面绘图。 今天，娱乐级的玩具无人机的售价低于100美元，高端的高级功能无人机（更长的飞行时间和运行范围）超过2500美元。 电子与汽车和电子设备的融合 今年，汽车和电子行业已经有了一个真正的融合，数以百计的汽车制造商展示了他们的新型汽车技术，这些技术包括自动驾驶系统，电动汽车，和新用户界面。 自动驾驶需要利用更多的新型技术。新的平台亮点包括通过WiFi，以太网，BT和BLE将千兆级LTE连接集成到车载高速宽带系统上。其他展示的“自动驾驶司机”包括顶级汽车制造商宣布整合的一个新的UI概念，这是通过手指手势控制的虚拟自由浮动显示器，以及在2018年的AI动力汽车的新合作伙伴关系。 音频和语音识别技术将在未来发挥巨大的作用 – 正如由各种汽车制造展示的亚马逊的Alexa和微软的Cortana电子助理系统的整合。此外，该车是用户数字系统和社交系统的延伸，车载信息娱乐（IVI）系统需要额外的存储空间用于丰富的多媒体数据和先进的软件和应用。 格芯的FDX技术平台为车载信息系统(IVI)提供授权。 可穿戴设备市场的增长 目前的可穿戴市场已经远远超出了手腕相关产品的范畴。我们可以看聪明的梳子—可以帮助你成为一个更好的梳子使用者；新的用于制造衣服的线；提高睡眠质量同时帮助大脑更快适应锻炼的耳机；很多酷炫的的数字健康工具。 可穿戴设备以及其他电子设备是物联网的重要组成部分，它们将起到数据生产者的作用。一个很好的例子是穿戴式健康器材。由于网络边缘处理的物理数据通常是私有的，处理边缘的数据可能比将原始数据上传到云端更好地保护用户的隐私。 消费电子在推动整个全球科技行业变得越来越重要，而CES则向我们展示了一个根据“”“联接性”的未来。随着数量的增加，各种设备正在被连接到互联网，网络和各种用户将会以更多的新的方式进行互联。 承载大量数据流的网络，以及利用并转换大量原始数据并作出快速决策的数据中心将对半导体行业提供新的需求。要求半导体具有为物联网节点提供更高的功效效率，优化能力和性价比。我们开始看到转向领先的28纳米，22纳米和14纳米（及以上）工艺制程，以及边缘节点计算的增长。格芯的CMOS，RF和ASIC技术解决了这一领先的转变。具体来说，我们的FD-SOI（FDX）和FinFET平台可以同时面向高端市场和中端市场。 对这一点至关重要的是以高能耗和成本效益的方式感知，处理，控制和沟通的能力。 物联网设备的一些基本要求包括低功耗，高性价比的性能，射频连接，卓越的模拟/功率集成和更小的封装。所有这些物联网的趋势在格芯的技术产品— 低成本，高效，可扩展和可靠的解决方案方面发挥了良好的作用。我们独特的FDX产品组合支持多种应用的有线和无线产品，其中包括业界最低功耗的射频解决方案。格芯是RF SOI领域的领先厂商，可满足物联网的苛刻需求。 在每年的CES展会上，半导体在这些酷炫的新设备上发挥着至关重要的作用。对于半导体制造商，这也是千载难逢的机会。 GLOBALFOUNDRIES，格芯的徽标及其组合是格芯公司在美国和/或其他司法管辖区的商标。其他产品或服务名称仅被用于供识别目的，可能是其各自所有者的商标或服务标记。使用这些名称，标志和品牌并不意味着被认可。 所有摄影图像由格芯公司的Nitin Kulkarni提供。
格芯宣布推出45nm射频SOI技术来推动5G移动通信 February 21, 20172017年2月21日 优化后的射频特色功能为5G智能手机及基站毫波的波束赋形提供高性能方案 加利福尼亚州圣何塞2017年2月21日 — 今天，格芯宣布了其45纳米射频SOI(45RFSOI)产品的正式投放，使得格芯成为第一家为未来5G基站与智能手机，以及下一代毫米波波束赋形提供300毫米射频硅设计方案的晶圆制造商。 格芯的45RFSOI产品是公司最先进的射频SOI技术。包括了厚铜层和增强LNA、交换器和功率放大器在射频上性能的电介质，后端线（BEOL）特殊功能为波束赋形的前端模块（FEM）特别优化了此项技术。SOI的本质特征结合射频为核心的功能，为下一代射频与毫米波应用提供了可能性，也为网络宽带近地（LEO）卫星和5G FEM推开了大门。 快速崛起的5G和毫米波市场将寻求在无线电技术、低功率集成毫米波无线电前端、天线相位阵列子系统以及高性能无线收发器方面的创新。正当原始设备制造商向自己的智能手机植入更多射频功能的时候，新的高速网络标准诞生了，最先进的设备仪器将为新运行模式提供更多的射频电路支持。这包括了支持低延迟和高全方位有效辐射功率的芯片、支持全方位覆盖和持续连接性强的高分辨率天线。 为获取GHz下设备运行的先进的功率处理，45RFSOI利用了大于40欧姆-厘米的基底阻值来增加无源器件的品质因素，降低了寄生电容、最小化相位与电压振幅的不一致。此技术支持24GHz到100GHz带宽波谱下的毫米波操作，比4G操作频率高5倍。 “Skyworks很高兴能与格芯合作推动毫米波方案的创新。”Skyworks Solution.Inc首席技术官Peter Gammel说道，“以45RFSOI制程为例，格芯在先进晶圆制造厂技术上的领先优势，使Skyworks可以为5G市场带来革命性的射频方案，同时也更加推动高度 集成射频前端在进化的毫米波应用中的使用。” “5G有望在下一个十年能成为世界统治级的移动通讯标准，为移动、数十亿字节数据传输率、安全、低延迟、网络遍及性和高服务品质（QoS）树立新的模范。”视频业务部高级副总裁Bami Bastani说道，“利用长久的SOI领先技术和大批量制造优势，我们对于发布最先进的射频SOI技术非常兴奋，这将在5G设备和网络的崛起中扮演重要角色。” 格芯的45RFSOI技术利用了部分耗尽式SOI技术基础，此技术从2008年始已投入大批量生产。先进的45RFSOI技术由位于纽约州东费什基尔的300毫米生产线制造，将为该行业内如此高速发展的市场提供足够的空间。 制程设计工具（PDK）现已发售。客户现可优化自己的芯片设计，开发独特方案，并能追求5G射频前端和毫米波相位阵列应用的高性能。 了解更多关于格芯RFSOI方案，请联系格芯销售代表或登录： www.globalfoundries.com. 关于格芯 格芯是提供全方位服务的领先半导体晶圆制造商，为世界上最具创新意识的科技公司提供独特的设计，开发和制造服务。格芯的生产制造业务遍布全球三大洲。格芯使技术和系统转型成为可能，并且帮助客户拥有塑造市场的力量。 格芯是Mubadala Development Company旗下公司。欲了解更多信息，请访问公司官方网站 https://www.globalfoundries.com。
GLOBALFOUNDRIES宣布推出45纳米RF SOI，推动5G移动通信的发展 2017年2月21日优化的射频功能为5G智能手机和基站中的毫米波波束形成应用提供高性能解决方案 2016年2月21日，加州圣克拉拉- GLOBALFOUNDRIES今天宣布推出其45纳米射频SOI（45RFSOI）技术产品，使GF成为首家宣布推出先进的300毫米射频硅解决方案的代工厂，以支持未来5G基站和智能手机的下一代毫米波（mmWave）波束形成应用。 GF的45RFSOI产品是公司最先进的射频SOI技术。该技术针对波束形成前端模块（FEM）进行了优化，其后端（BEOL）特性包括厚铜和电介质，使LNA、开关和功率放大器的射频性能得到改善。SOI的固有特性与以射频为中心的特征相结合，使下一代射频和毫米波应用成为可能，包括互联网宽带低地球轨道（LEO）卫星和5G FEM。 快速崛起的5G和毫米波市场将需要无线电技术的创新，包括低功耗、集成的毫米波无线电前端、天线相控阵子系统和高性能无线电收发器。随着OEM厂商将更多的射频内容整合到他们的智能手机中，以及新的高速网络标准的推出，最先进的设备将需要额外的射频电路来支持更新的操作模式。这包括支持低延迟、更高的EIRP和高分辨率天线扫描的芯片，以实现无处不在的覆盖和持续连接。 为了提高在GHz频率范围内工作的器件的功率处理效益，45RFSOI采用了大于40欧姆-厘米的基底电阻率，最大限度地提高了无源器件的质量系数，减少了寄生电容，并将相位和电压摆动的差异降到最低。该技术支持在24GHz至100GHz频段的毫米波频谱中工作，比4G工作频率多5倍。 "Skyworks Solutions, Inc.首席技术官Peter Gammel表示："Skyworks很高兴能与GF合作，推动毫米波解决方案的创新。"以45RFSOI工艺为例，GF在先进代工技术方面的领导地位使Skyworks能够创造出射频解决方案，这些解决方案将为新兴的5G市场带来变革，并进一步推动高度集成的射频前端在不断发展的毫米波应用中的部署。" "GF射频业务部高级副总裁Bami Bastani说："5G预计将成为未来十年全球移动通信的主导标准，并将在移动性、多GBps数据速率、安全性、低延迟、网络可用性和高服务质量（QoS）方面迎来新的模式。"利用我们长期以来在SOI方面的领导地位和大批量生产，我们很高兴发布我们最先进的射频SOI技术，这将有助于在实现5G设备和网络方面发挥关键作用。" GF的45RFSOI技术利用了自2008年以来一直在大批量生产的部分耗尽的SOI技术基础。先进的45RFSOI技术在GF位于纽约州东菲什基尔的300毫米生产线上生产，将为业界提供充足的产能以应对这一高增长市场。 工艺设计套件现在已经推出。客户现在可以开始优化他们的芯片设计，为在5G和毫米波相控阵应用的射频前端寻求高性能的客户开发与众不同的解决方案。 如需了解更多关于GF射频SOI解决方案的信息，请联系您的GF销售代表或登录www.globalfoundries.com。 关于GF GF是一家领先的提供全方位服务的半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。在全球范围内，GF的制造足迹遍布三大洲，使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系。 Erica McGillGF(518) 795-5240[email protected]
格芯继续扩大产能以满足全球客户需求 February 9, 20172017年2月9日 格芯公司在美国，德国，中国和新加坡增加投资，用于提高其产能。 加利福尼亚州圣克拉拉市， 2017年2月9日 格芯公司今天宣布计划扩张其在全球的制造基地，以满足日益增长的客户对全面和差异化技术组合的需求。该公司将继续对其现有的美国和德国最先进的晶圆厂投入资金。同时，公司计划扩大在中国的业务（在成都新建立一座晶圆厂），并增加新加坡方面在主流技术上的产能。 “我们将继续投资于扩大产能和技术提升，用以满足全球客户的需求”，格芯的 CEO Sanjay Jha说。 “我们看到客户对我们的主流和前沿技术的有着巨大需求，这些需求包括从我们世界级连接设备的RF-SOI平台，到我们在最前沿领域的FD-SOI和FinFET产品规划。这些新增的投资将使我们能够扩大现有的晶圆生产，并通过在成都方面建立的伙伴合作关系来扩大格芯在中国的业务。” 在美国，格芯计划在纽约的Fab 8晶圆厂将14nm FinFET的产能再增加20％，将于2018年初拥有新的产能。这一扩张的基础是在过去8年中，格芯在美国的四个地区投资了大约130亿美元，并且创造了9000个直接工作岗位和15,000个相关工作岗位。纽约将继续保持其在7nm和极紫外（EUV）光刻领先技术开发的中心地位，并计划在2018年第二季度实现7nm的生产。 在德国，格芯计划在德累斯顿的Fab 1晶圆厂增加22FDX®22nm FD-SOI产能，以满足物联网（IoT），智能手机处理器，汽车电子设备以及其他由电池供电的无线连接应用的需求。到2020年，该晶圆厂的产能将增长40％。德累斯顿将继续其FDX技术开发的中心的地位。格芯在德累斯顿的工程师们正在开发公司的下一代12FDX™技术，第一批产品预计将在2018年中期开始生产。 在中国，格芯和成都市建立了合作伙伴关系，并将和成都方面在当地共同建立一座晶圆厂。该合作计划将会建立一个300mm晶圆厂，以满足高速增长的中国半导体市场需求，和全球客户对22FDX不断增长的需求。晶圆厂将在2018年开始生产主流制程的产品，然后专注于制造格芯的商业化的22FDX制程产品，预计量产将会从2019年开始。 在新加坡，格芯将会在300mm晶圆厂的将40nm的产量增加35％，同时在200mm生产线上实现更多的180nm生产。同时，该公司还将增加新的产能来生产业界领先的RF-SOI技术产品。 高通全球业务部的高级副总裁陈文华表示：“格芯与高通在多个制程节点方面已经有多年的合作关系，”我们很高兴看到格芯在差异化的技术和产能扩大方面进行进一步的投资，用以支持高通在一系列的集成电路领域中实现下一波的创新。” Rockchip首席执行官Min Li表示：“铸造厂合作伙伴关系对于我们从竞争激烈的移动SoC市场中脱颖而出至关重要。” “我们很高兴看到格芯将其创新的22FDX技术带入中国，并进行产量和产能方面的投资用以支持中国的无晶圆半导体产业的增长。” 联发科联合首席运营官Joe Chen说：“随着我们的客户对移动体验越来越强的需求，我们对优秀的生产制造合作伙伴的需求比往任何时候都要大。”“我们很高兴有像格芯这样的合作伙伴投资于我们所需要的全球化产能，用以提供从网络，互联，到物联网的强大而高效的移动技术。” 关于格芯 格芯是提供全方位服务的领先半导体晶圆制造商，为世界上最具创新意识的科技公司提供独特的设计，开发和制造服务。格芯的生产制造业务遍布全球三大洲。格芯使技术和系统转型成为可能，并且帮助客户拥有塑造市场的力量。 格芯是Mubadala Development Company旗下公司。欲了解更多信息，请访问公司官方网站 https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES扩大规模以满足全球客户需求 2017年2月9日公司为美国、德国、中国和新加坡的产能增长进行投资 加州圣克拉拉，2017年2月9日- GLOBALFOUNDRIES今天宣布了扩大其全球生产规模的计划，以应对客户对其全面和差异化技术组合日益增长的需求。公司正在对其位于美国和德国的现有领先晶圆厂进行投资，通过在成都建立晶圆厂扩大其在中国的足迹，并在新加坡增加主流技术的产能。 "GF首席执行官Sanjay Jha表示："我们将继续投资于产能和技术，以满足我们全球客户群的需求。"我们看到对我们的主流技术和先进技术的强劲需求，从我们用于连接设备的世界级RF-SOI平台到我们在前沿的FD-SOI和FinFET路线图。这些新的投资将使我们能够扩大我们现有的晶圆厂，同时通过在成都的合作，扩大我们在中国的影响力。" 在美国，GF计划将其位于纽约的Fab 8工厂的14纳米FinFET产能再扩大20%，新的生产能力将于2018年初投入使用。在过去八年中，GF在美国投资了约130亿美元，在四个地点创造了9,000个直接就业机会，在区域生态系统中创造了15,000个就业机会。纽约将继续成为7纳米和极紫外（EUV）光刻技术的前沿技术发展中心，计划在2018年第二季度进行7纳米生产。 在德国，GF计划在位于德累斯顿的Fab 1工厂建立22FDX® 22纳米FD-SOI产能，以满足物联网（IoT）、智能手机处理器、汽车电子和其他电池供电的无线连接应用的需求，到2020年工厂的整体产能将增长40%。德累斯顿将继续成为FDX技术发展的中心。德累斯顿的GF工程师已经在开发公司的下一代12FDX™技术，预计客户产品将在2018年中期开始分装。 在中国，GF和成都市政府建立了合作关系，在成都建立了一座工厂。合作伙伴计划建立一座300毫米晶圆厂，以支持中国半导体市场的增长，并满足全球客户对22FDX的加速需求。该工厂将在2018年开始生产主流工艺技术，然后重点生产GF的商用22FDX工艺技术，预计将在2019年开始批量生产。 在新加坡，GF将把其300毫米工厂的40纳米产能提高35%，同时在其200毫米生产线上实现更多的180纳米生产。该公司还将增加新的能力来生产其行业领先的RF-SOI技术。 "高通技术公司QCT全球运营高级副总裁Roawen Chen表示："多年来，GF与高通技术公司在广泛的工艺节点上建立了牢固的代工关系。"我们很高兴看到GF在差异化技术方面进行这些新的投资，并扩大全球产能，以支持高通技术公司在支持我们业务的一系列集成电路方面提供下一波创新。" "合作的晶圆厂伙伴关系对于我们在竞争激烈的移动SoC市场中脱颖而出至关重要，"Rockchip的首席执行官李敏说。"我们很高兴看到GF将其创新的22FDX技术带到中国，并对必要的产能进行投资，以支持中国不断发展的无晶圆厂半导体产业。" "联发科联合首席运营官Joe Chen表示："随着我们的客户对移动体验的要求越来越高，对强大的制造合作伙伴的需求比以往任何时候都要大。"我们很高兴有GF这样的合作伙伴，投资于我们所需的全球产能，为从网络和连接到物联网等市场提供强大而高效的移动技术。" 关于GF GF是一家领先的提供全方位服务的半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。在全球范围内，GF的制造足迹遍布三大洲，使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
Rambus利用14纳米LPP工艺技术在GLOBALFOUNDRIES FX-14™ ASIC平台上推出高带宽内存PHY 2017年2月8日加州桑尼维尔 - 2017年2月7日 -Rambus Inc.(NASDAQ: RMBS)今天宣布为GLOBALFOUNDRIES高性能FX-14TMASIC平台开发的高带宽内存(HBM)Gen2 PHY上市。基于GLOBALFOUNDRIES 14纳米FinFET（14LPP）工艺技术，Rambus HBM PHY面向网络和数据中心应用，为需要低延迟和高带宽内存的系统而设计。该PHY完全符合JEDEC HBM2标准，支持每个数据引脚高达2000 Mbps的数据速率，使总带宽达到256 GB/s，以满足当今最密集数据任务的需要。 "Rambus内存和接口部门高级副总裁兼总经理Luc Seraphin说："数据中心的需求在不断变化，我们在提供内存接口技术方面处于领先地位，该技术旨在满足当今最苛刻的工作负载。"通过与GLOBALFOUNDRIES的合作，我们正在为高性能数据中心和网络应用提供全面和强大的解决方案。我们的HBM产品将使数据中心解决方案开发人员能够使高性能内存更接近CPU，从而减少延迟并提高系统吞吐量。"
Rambus公司在格芯FX-14™ASIC平台上使用14nm LPP制程技术推出高带宽内存PHY 2017年2月7日加州桑尼维尔 - 2017年2月7日- Rambus公司.(NASDAQ: RMBS) 今天宣布推出其 高带宽内存（HBM）Gen2 PHY为GLOBALFOUNDRIES高性能FX-14开发的高带宽内存(HBM)Gen2物理层。TMASIC平台开发。基于GLOBALFOUNDRIES 14纳米FinFET（14LPP）工艺技术，Rambus HBM PHY面向网络和数据中心应用，为需要低延迟和高带宽内存的系统而设计。该PHY完全符合JEDEC HBM2标准，支持每个数据引脚高达2000 Mbps的数据速率，使总带宽达到256 GB/s，以满足当今最密集数据任务的需要。
