基于成熟制造工艺的RF SOI技术达到新的里程碑，芯片出货量超过400亿

加利福尼亚州圣克拉拉，2018年9月25日 – 格芯今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布，针对移动应用优化的8SW 300mm RF SOI技术平台已通过认证并投入量产。这项RF SOI工艺引起了多位客户的关注和兴趣，它专为满足前端模块(FEM)应用更高的LTE和6 GHz以下标准要求量身定制，包括5G IoT、移动设备和无线通信。

借助300mm RF SOI工艺，8SW具有显著的性能、集成度和尺寸优势，与上一代工艺相比，功耗降低高达70％，整体裸片尺寸缩小20％。该技术可提供更出色的LNA（低噪声放大器）开关和调谐器，具有更高的电压处理能力和同类最佳的导通电阻(Ron)与关断电容（Coff）性能，可降低插入损耗，提供高隔离性能。优化的RF FEM平台可帮助设计人员开发解决方案，为当今先进的4G/LTE工作频率和未来6GHz以下的5G移动和无线通信应用提供极快的下载速度、更高质量的互连和更可靠的数据连接。

 

格芯射频业务部副总裁Christine Dunbar表示：“格芯现已为全球智能设备提供了超过400亿颗RF SOI芯片，这项最新一代RF SOI工艺进一步证明，我们已经为满足全球日益增加的随时随地提供无缝可靠的数据连接需求做好准备。移动市场继续倾向于选择RF SOI，而格芯行业领先的8SW 300mm制造工艺有助于客户充分利用更多频段，在高频LTE和未来5G应用中实现超稳定的通信”。

Soitec执行副总裁Bernard Aspar博士表示；“我们非常荣幸能够支持格芯在300mm RF SOI基板上实现先进、独特的8SW新工艺，并在工程与制造方面继续我们的长期战略协作，共同打造下一代连接解决方案。我们已准备好300mm RF SOI基板的大批量供货，以满足格芯客户不断增长的市场需求。”

SEH的SOI部门总经理Nobuhiko Noto表示：“SEH祝贺格芯发布8SW平台。SEH相信300mm RF SOI产品是一项重要技术，现在推出恰逢良机。SEH长期以来一直是格芯的RF技术合作伙伴，并期待继续合作以支持未来的RF技术。随着市场的发展，我们将继续担当300mm RF SOI市场的供应商。”   

格芯在RF SOI工艺领域拥有成熟的制造工艺技术并积累了丰富的经验，针对下一代RF设备的RF SOI芯片出货量超过了400亿颗。

 

8SW在格芯位于纽约州东菲茨基尔的Fab 10的300mm生产线上生产，有助于客户充分利用先进的工具和工艺，通过业界领先的RF SOI加快产品上市速度。 经过认证的工艺设计套件现已上市。

 
 

如需了解更多有关格芯RF SOI解决方案的信息，请联系您的格芯销售代表或访问www.globalfoundries.com。

Imagination将Ensigma超低功耗连接IP应用于GLOBALFOUNDRIES的22FDX®工艺

英国伦敦和美国圣克拉拉，2018年9月25日 – Imagination Technologies与格芯(GF)在GTC 2018大会上宣布合作，利用Imagination的Ensigma连接IP和格芯的22nm FD-SOI (22FDX®)平台，提供用于Bluetooth Low Energy® (BLE)和IEEE 802.15.4技术的超低功耗基带和射频(RF)解决方案。此外，Imagination已加入格芯的FDXcelerator™合作伙伴计划。

22FDX技术与Imagination Ensigma IP的组合实现了兼具功耗和成本效率的解决方案，客户可以轻松地将其集成到片上系统(SoC)设计中。此次合作将Imagination通过芯片验证的超低功耗Ensigma连接引擎与格芯的超高效22FDX工艺相结合，允许双方的客户为物联网打造创新性、差异化联网设备。

Imagination销售与市场营销执行副总裁David McBrien表示：“与格芯这样的合作伙伴携手，让我们的IP可以不断融合最新工艺。对于正在设计成本敏感型设备的客户，22FDX是很有吸引力的选择。此次合作使Ensigma连接IP的功耗和面积效率进一步提高；借助通过芯片验证的基带和射频，客户可以快速地推出仅需单个外部天线的单芯片无线设备。”

格芯生态系统合作部门副总裁Mark Ireland表示：“Imagination的IP与BLE解决方案是对格芯22FDX FD-SOI功能的补充，可帮助客户充分利用针对物联网和联网应用的低功耗、低成本设计。我们欢迎Imagination加入FDXcelerator计划，进一步扩展IP和设计服务的选择范围和灵活性，满足各种客户需求。”

用于22FDX的Ensigma IP提供了完整的IP解决方案，包括作为硬宏的模拟射频/AFE，以及配套的完全可合成基带IP，适用于可穿戴计算、医疗保健和家居控制等应用。面向超低功耗Bluetooth Low Energy和IEEE 802.15.4的解决方案正在与领先客户一起开发，2018年四季度推出芯片。

Imagination将加入格芯FDXcelerator计划，该组织由行业领军者组成，成员数量正在快速增加，致力于提供多样化资源，包括特定于22FDX技术的EDA工具、IP、芯片平台、参考设计、设计服务、封装和测试解决方案。该计划的开放性框架可以最大限度地减少开发时间和成本，同时充分发挥FDX技术固有的功耗和性能优势。

Ensigma Bluetooth Low Energy/IEEE 802.15.4基带与射频IP可直接授权。如需销售及授权信息，请联系[email protected]。

关于Imagination Technologies
作为全球技术领导者，Imagination的产品深入全球数十亿人的生活。公司拥有广泛的硅IP（知识产权），包括打造SoC（片上系统）所需的关键处理模块，SoC是移动、消费和嵌入式电子器件的基础。凭借独一无二的软件IP、基础设施技术和系统解决方案，Imagination完整、高度差异化的SoC平台可以帮助客户快速上市。Imagination的被许可方包括许多全球领先的半导体制造商、网络运营商和OEM/ODM，一些全球最成功的产品均出自这些厂商。参见：www.imgtec.com。

通过Twitter、YouTube、LinkedIn、RSS、Facebook和博客关注Imagination。

Imagination Technologies、Ensigma和Imagination Technologies徽标是Imagination Technologies Limited和/或其附属集团公司在英国和/或其他国家/地区的商标。22FDX是GLOBALFOUNDRIES的注册商标。Wi-Fi®是Wi-Fi Alliance的注册商标。Bluetooth®文字商标和徽标是Bluetooth SIG, Inc拥有的注册商标。所有其他徽标、产品、商标和注册商标均为各自所有者的财产。
 

Imagination Technologies媒体联系人：
David Harold [email protected]   +44 (0)1923 260 511

Jo Ashford [email protected] +44 (0)1923 260 511

功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性

 

加利福尼亚州圣克拉拉，2018年9月25日 – 格芯 今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术，这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一。新工艺技术旨在为快速增长市场（如超大规模数据中心和自动驾驶汽车）应用提供更好的可扩展性和性能。

在当今数据密集的世界，对高性能芯片的需求永无止境，以处理和分析互连设备产生的信息流。格芯的FinFET产品是为最严苛的计算应用提供高性能、高功效的片上系统(SoC)设计的理想平台。


通过提供针对超高性能和增强型射频连接进行了优化的晶体管改进以及采用针对新兴企业和云安全需求的新型高速、高密度存储器，新平台将改善功耗、性能和可扩展性等性能。

格芯业务部高级副总裁Bami Bastani博士表示：“我们致力于增强发展差异化产品，帮助客户从每一代技术投资中获得更多价值。通过在FinFET产品中引入这些新特性，我们将提供强大的技术改进，使客户能够为下一代智能系统扩展性能并创造创新产品。”

格芯的14/12nm FinFET平台提供先进的性能和低功耗，具有显著的成本优势。平台添加了丰富的增强功能包括：

• 超高密度：通过持续改进12LP设计库(7.5T)，并结合SRAM和先进的模拟技术，在更小的芯片区域内提供更高的晶体管密度，以支持客户的内核计算、连接和存储应用，以及移动和消费电子终端。

• 性能提升：通过将SRAM Vmin降低100mV、待机漏电流降低约50％以提高性能，从而为现有应用和新兴应用（如机器学习和人工智能）提升性能。

• 射频/模拟：提供全套无源器件、超厚金属和LDMOS选项，可面向含有较高数字内容的6GHz以下的RF SoC实现先进的射频性能（Ft/Fmax可达340GHz）。  

• 嵌入式存储器：为新兴企业、云和通信应用提供超高安全性以及一次性可编程(OTP)和多次可编程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)内存。使用物理上无法检测的电荷捕获技术(CTT)实现安全解决方案，包括“物理上不可克隆的器件”功能和高效的非易失性存储器，以实现更高的SoC集成度。格芯的CTT解决方案无需额外的处理或屏蔽步骤，与基于介电熔丝技术的类似OTP解决方案相比，可提供双倍密度。 

与28nm技术相比，格芯的14LPP技术可将器件性能提高55％，总功耗降低60％；而与当今市场上的16/14nm FinFET解决方案相比，格芯的12LP技术可将电路密度提高15％，性能提升10％以上。格芯前沿的FinFET平台自2016年初起已投入大规模生产，并符合汽车2级标准。

半导体制造商格芯重新部署具备领先优势的发展路线图以满足客户需求， 并建立设计客户定制ASICs全资子公司

加利福尼亚，圣克拉拉 2018年8月28日——格芯（GLOBALFOUNDRIES）今天宣布其转型的重要一步，继今年初汤姆·嘉菲尔德（Tom Caulfield）接任首席执行官后，格芯正在重塑其技术组合，依照嘉菲尔德所阐述的战略方向，重点关注为高增长市场中的客户提供真正的差异化产品。

格芯正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图，以服务未来几年采用该技术的下一波客户。公司将相应优化开发资源，让14/12纳米 FinFET平台更为这些客户所用，提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP及功能。为支持此次战略调整，格芯将搁置7纳米 FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。在裁减相关人员的同时，一大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。

“客户对半导体的需求从未如此高涨，并要求我们在实现未来技术创新方面发挥越来越大的作用”。嘉菲尔德表示，“今天，绝大多数无晶圆厂客户都希望从每一代技术中获得更多价值，以充分利用设计每个技术节点所需的大量投资。从本质上讲，这些节点正在向为多个应用领域提供服务的设计平台过渡，从而为每个节点提供更长的使用寿命。这一行业动态导致设计范围到达摩尔定律外部界限的无晶圆厂客户越来越少。我们正重组我们的资源来转变业务重心，加倍投资整个产品组合中的差异化技术，有针对性的服务不断增长的细分市场中的客户。”

此外，为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资，公司正在建立独立于晶圆代工业务外的ASIC业务全资子公司。相关的ASIC业务需要持续使用最先进的技术。该独立ASIC实体将为客户提供7纳米及以下的晶圆代工替代选项，让ASIC业务部与更广泛的客户展开合作，特别是日益增多的系统公司，他们需要ASIC服务同时生产规模需求无法仅由格芯提供。

格芯正在加强投资具有明显差异化、为客户增加真正价值的领域，着重投资能在其产品组合中提供丰富功能的产品。这包括继续侧重于FDX™平台、领先的射频产品（包括RF SOI和高性能锗硅）和模拟/混合信号，以及满足越来越多低功耗、实时连接、车载设计需求的其他技术。随着自动驾驶、物联网和全球过渡至5G等新领域的强劲需求，格芯被赋予与众不同的定位——服务“智能互联”这一新兴市场。

“减轻前沿技术领域的投资负担将使格芯能够对物联网、IoT、5G行业和汽车等快速增长市场中对大多数芯片设计人员真正重要的技术进行更有针对性的投资，” Gartner研发副总裁Samuel Wang,先生表示，“虽然最先进技术往往会占据大多数的热搜头条位置，但鲜少有客户能够承担为实现7纳米及更高精度所需的成本和代价。14纳米及以上技术将在未来许多年继续成为芯片代工业务的重要需求及驱动因素。这些领域将有极大的创新空间，可以助力下一轮科技发展狂潮。”

格芯中国区总经理白农评论道，“对我们中国的客户及生产合作伙伴而言这是一个积极的变化，因为我们强化了聚焦差异化的技术比如FDX (FD-SOI)及其他。这些差异化技术在中国市场的需求不断增加，对格芯而言一直相当重要。我们对FD-SOI以及与成都政府合作的承诺从未改变。”

关于格芯
格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。

媒体垂询：

杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected]

邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]