GLOBALFOUNDRIES宣布在领先的22FDX® FD-SOI平台上提供嵌入式MRAM 2017年9月20日先进的嵌入式非易失性存储器解决方案通过在22纳米工艺节点上扩展SoC能力来提供 "连接的智能 加州圣克拉拉，2017年9月20日 -GLOBALFOUNDRIES今天宣布在公司的22nm FD-SOI（22FDX®）平台上推出其可扩展的嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式存储器解决方案，GF的22FDX eMRAM为消费者和工业控制器、数据中心、物联网（IoT）和汽车领域的广泛应用提供了高性能和卓越的可靠性。 正如最近所展示的那样，GF的22FDX eMRAM的特点是能够在260℃的焊接回流中保留数据，同时保持业界领先的eMRAM比特单元尺寸，在125℃时可保留数据10年以上，使该技术可用于通用、工业和汽车微控制器单元（MCU）。FDX™和eMRAM的功率效率，加上可用的射频连接和毫米波IP，使22FDX成为电池供电的物联网和自主车辆雷达系统芯片（SoC）的理想平台。 "随着越来越多的应用需要高性能的非易失性存储器解决方案，客户正在寻求扩大其产品功能，"GF嵌入式存储器副总裁Dave Eggleston说。"我们很高兴发布22FDX eMRAM，这是一种高可靠性的嵌入式存储器技术，为系统设计者提供了多功能性，可以在他们的MCU和SoC中构建更多的功能，同时提高性能和电源效率。" GF的eMRAM具有高可靠性和卓越的可扩展性，使其在先进的工艺节点上成为多个市场的成本效益选择。此外，GF的eMRAM具有多功能性，可实现快速写入性能和高耐用性，使其可用于代码存储和工作存储器。GF的22FDX eMRAM的推出是该公司与Everspin Technologies多年合作的结果。这种合作关系已经展示了1Gb DDR MRAM芯片，并对其进行了采样，还将256Mb DDR MRAM芯片产品化，这些产品由Everspin独家提供。 22FDX eMRAM和射频解决方案的工艺设计套件现在已经推出。22FDX eMRAM在多项目晶圆（MPWs）上的客户原型开发正在按计划进行，将于2018年第一季度进行，并计划于2018年底进行风险生产。今天，GF和我们的设计合作伙伴可以提供定制的eMRAM设计服务，包括从2Mb到32Mb的eMRAM宏，具有易于设计的eFlash和SRAM接口选项。 有兴趣了解GF的22FDX eMRAM解决方案的客户，请联系您的GLOBALFOUNDRIES销售代表或登录www.globalfoundries.com。 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
GLOBALFOUNDRIES为高性能应用推出新的12纳米FinFET技术 2017年9月20日新的12LP技术提供了比当前一代更高的密度和性能 平台的特点是为下一代汽车电子和射频/模拟应用提供增强功能 加州圣克拉拉，2017年9月20日 -GLOBALFOUNDRIES今天宣布，计划推出新的12纳米领先性能（12LP）FinFET半导体制造工艺。与GF目前的14纳米FinFET产品相比，该技术有望提供更好的密度和性能提升，满足从人工智能和虚拟现实到高端智能手机和网络基础设施等最苛刻的计算密集型应用的处理需求。 与目前市场上的16/14纳米FinFET解决方案相比，新的12LP技术在电路密度上提高了15%，在性能上提高了10%以上。这使得12LP在与其他12纳米FinFET代工产品的竞争中处于有利地位。该技术利用了GF在纽约州萨拉托加县8号工厂的专业技术，其14纳米FinFET平台自2016年初以来一直在那里进行大批量生产。 "GF首席执行官Sanjay Jha说："世界正处于向互联智能时代的空前转变之中。"这项新的12LP技术提供了必要的性能和密度改进，以帮助我们的客户继续在系统层面上进行创新，因为他们为从高端图形和汽车到工业应用的各种产品提供实时连接和边缘处理。" "我们很高兴延长与GLOBALFOUNDRIES的长期合作关系，成为其新的12LP技术的主要客户，"AMD首席技术官兼技术和工程高级副总裁Mark Papermaster说。"我们与GF的深度合作，帮助AMD在2017年利用14纳米FinFET技术向市场推出了一系列领先的高性能产品。我们计划在2018年推出基于GF 12纳米工艺技术的新客户和图形产品，这是我们专注于加速产品和技术势头的一部分。" 除了晶体管级的改进外，12LP平台还将包括专门为汽车电子和射频/模拟应用设计的以市场为重点的新功能--这是行业中增长最快的两个领域。 车辆安全和自动驾驶方面的新兴汽车应用需要处理能力和极端可靠性的结合。12LP平台提供了这两点，并计划在2017年第四季度前在8号工厂进行汽车2级认证。 一种新的射频产品将12LP平台扩展到射频/模拟应用，如6GHz以下无线网络中的高级收发器。12LP在逻辑和存储器方面都提供了最佳的扩展性，适用于以数字为主、射频/模拟内容较少的射频芯片架构。 GF新的12nm FinFET技术是对其现有12nm FD-SOI产品12FDXTM的补充。虽然有些应用需要FinFET晶体管无可比拟的性能，但许多互联设备需要高水平的集成，以及在性能和功耗方面更多的灵活性，而FinFET的成本却无法实现。12FDX为下一代互联智能系统提供了另一种途径，使10纳米FinFET的性能与当前代工的FinFET产品相比具有更好的功耗、更低的成本和更好的射频集成。 关于GF。 GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Erica McGillGF(518) 795-4250[email protected]
Synopsys和格芯合作开发用于22FDX®工艺的DesignWare IP 2017年9月20日Synopsys, Inc.(纳斯达克：SNPS）今天宣布与GLOBALFOUNDRIES（GF）合作，开发 DesignWare® IP。
Synopsys设计平台获得格芯的22FDX工艺技术认证 2017年9月20日Synopsys, Inc.(Nasdaq: SNPS)今天宣布，GLOBALFOUNDRIES (GF)已认证Synopsys设计平台适用于GF 22nm FD-SOI (22FDX™)工艺，确保设计人员实现优化的设计。
来自Menta的嵌入式FPGA符合GLOBALFOUNDRIES®先进的14nm FinFET和32nm SOI工艺技术的要求 2017年9月19日法国蒙彼利埃--2017年9月19日--Menta今天宣布，其嵌入式FPGA（eFPGA）IP完全符合GLOBALFOUNDRIES（GF）先进的14nm FinFET和32nm SOI工艺技术。
来自Menta的嵌入式FPGA获得格芯先进的14纳米FinFET和32纳米SOI工艺技术认证。 2017年9月19日Menta的嵌入式FPGA符合GLOBALFOUNDRIES®先进的14纳米FinFET和32纳米SOI工艺技术的要求 eFPGA实现了针对国防、航空航天、ADAS、物联网和数据中心应用的SoC的内置可编程性
GLOBALFOUNDRIES宣布推出用于CWS SiPEX™设计解决方案的增强型射频SOI工艺设计套件 2017年9月18日增强型PDK纳入了设计生产力工具，以进一步提高高性能射频SOI开关的性能 加州圣克拉拉，2017年9月18日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布推出一套新的增强型射频SOI工艺设计套件（PDK），以帮助设计人员改进其射频开关的设计，并为广泛的市场提供差异化的射频前端解决方案，包括移动设备、毫米波、5G和其他高频应用的前端模块。 GF的先进射频技术平台7SW SOI针对下一代智能手机的多频段射频开关进行了优化，并准备推动物联网（IoT）应用的创新。GF的7SW SOI PDK设计用于Coupling Wave Solutions（CWS）的仿真工具SiPEX™，允许设计人员将射频开关与其他关键的射频模块集成在一起，这些模块对于未来射频通信芯片的复杂电子系统的设计至关重要。具体而言，这项新功能允许设计人员通过模拟整个设计中的高阻性基材寄生效应来提高射频仿真输出。 "GF在RFSOI技术方面处于行业领先地位，我们致力于为我们的客户提供RF工艺的设计生产力解决方案，"GF的RF高级副总裁Bami Bastani说。"CWS的SiPEX™工具为我们的客户提供了模拟结果和实际测量之间的最佳相关性，进一步优化了设计布局，实现了效率，提供了差异化的射频前端解决方案"。 "这对射频设计界来说是个好消息，"CWS董事会主席兼首席执行官Brieuc Turluche说。"将SiPEX集成到GF的RF SOI PDK中是一个重要的里程碑，可以为高性能的蜂窝、物联网、5G和Wi-Fi通信芯片实现首次正确的复杂和优化的RF SOI设计。" GF的RF SOI技术在移动设备的前端射频解决方案和高频、高带宽无线基础设施应用的射频芯片方面具有显著的性能、集成度和面积优势。CWS的SiPEX通过提高线性模拟精度，加速了射频SOI开关的设计。它还可以有效地用于低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA）的设计，使设计者能够缩小其尺寸以降低成本。 SiPEX™可用于当前发布的GF的7SW SOI PDK中。关于公司的射频SOI解决方案的更多信息，请联系您的GF销售代表或访问www.globalfoundries.com。 关于CWS CWS是对包含射频和模拟块的复杂设计进行系统级干扰分析的领导者。目前，CWS提供两种产品。WaveIntegrity™ 和 SiPEX™。基于独特的谐波分析方法，WaveIntegrity™被芯片架构师和设计师用来推动芯片设计的平面规划。它还被封装和PCB设计者用来在最终的芯片运行环境中整合与噪声相关的设计约束。SiPEX™已经包含在TowerJazz的CS18和STM的H9 SOI FEM工艺设计套件中，它提高了RF SOI设计的线性度，并为5G和IoT通信的关键RF功能准确建模和仿真。CWS成立于2005年，其办公室位于法国巴黎、格勒诺布尔和美国加州圣何塞。有关该公司、其产品和服务的更多信息，请访问www.cwseda.com。 关于GF。 GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 305-5978[email protected]
网络应用的2.5D到来 August 30, 2017作者: Dave Lammers 面对带宽问题,网络公司正在转向转接板、HBM2 DRAM和先进ASIC技术。 当大网络公司开始开发新一级别的兆兆位路由器时，他们都来到了一个“临界点”，“临界点”概念是由The Linley Group的网络分析师Bob Wheeler提出的。 Cisco, Juniper, Nokia, 以及其他大公司在努力从层叠印制电路板DR DRAM中取得足够带宽的同时, 已经发现了针脚数目爆炸式的增长。 网络客户现已可使用由格芯提供的全新14纳米ASIC (FX-14™) 方案，此方案提供载于硅转接板上的高带宽内存(HBM2)链接。Rambus Inc. 公司(位于森尼维尔) 与格芯工程师合作，将 Rambus PHY 整合至 FX-14 ASIC 平台，提供了令人叹为观止的 每秒2 (Tb/s) 的带宽。 “外置内存无法跟上ASIC缓冲的带宽需求，这是已预见的问题，而这就是本问题的解决办法，” Wheeler 说道。 “人们尝试尽可能地使用通用型 DRAM，但是由于针脚数目的爆发式增长，现在我们正面临着一个临界点。” 通讯类ASIC的市场大概为十亿美元，Wheeler 提到, 而路由器是十分昂贵的系统，足以支持转接板 (2.5D) 方案满足高速数据缓冲的成本。 对于层叠PCB上的DDR型DRAM来说，Wheeler 声称 “ASIC的主要问题来自针脚数。设备的针脚数甚至可高达2000。HBM的魅力在于它具备通用的接口，并且包括在封装内一体化提供，无需寻求额外的接口。” 网络以外的市场? 取决于成本是否可以降低， 2.5D (转接板)方案可用于其他应用例如数据处理、高端图像、自动驾驶车辆、人工智能和其他高带宽类方案，格芯封装研发部、业务技术营运部副总裁 Dave McCann如此说道。 向转接板技术转移在排线密度上带来了巨大的进步。对于层叠PCB方案来说，连接线和线之间的空隙为12微米，可是由于垂直过孔50微米是不可取的，大量的空间被浪费在绕过或避免垂直过孔，通常连线密度无法达到理想值。有了硅转接板的帮助，连接线及空隙可达到逻辑芯片背板的级别，约为0.8微米，格芯技术开发高级经理Walter Kocon说道。 要在PHY和HBM2内存间使用逻辑级别的排线，需要依靠包括了光刻在内的晶元级工具。由于转接板比传统芯片更大，多处区域需被拼接在一起。但是 Kocon声称现下的分档器在刻线切换能力上非常出色，在创造更大转接板的道路上也取得了长足进展。 晶元长的工具比传统层叠制程工具要更昂贵，但是回报也同样巨大-芯片上的I/O可高达约1700个。正如McCann提到的，缩小单段排线的距离可将功耗保持在可控制范围，而这是目前仍在使用的层叠序列接口无法做到的。 全方位应用无死角 “由于晶元制造技术(小于1微米)在转接板中的应用,过孔技术得以实现,0.8微米排线和间隙可以在多个层面得到实现,而从根本上来说,并没有过孔无法应用的死角。对于传统PCB来说,排线必须从ASIC引入再回到DIMM卡上,浪费了能源与时间,”McCann说道。而基于转接板的内连接在数量级上更小，设备间的距离只有数百微米，大量的平行排线密度足以支持多兆兆位级别的带宽。 可是在转接板技术上存在制造难题。 “转接板和ASIC本身的尺寸很大。首先，我们必须创造ASIC和转接板之间的接口。拓展属性的匹配是创造合适接口的关键之一。控制扭曲的设计和集成处理尤为重要。将压力均匀散布于转接板和位于其下的叠层也十分重要，否则接口将存在巨大误差。” McCann 说道。 转接板和ASIC之间十分靠近，而焊锡凸块大约为70微米，在这个前提下，控制扭曲是增加2.5D技术产量的关键因素。 “这意味着产品对于扭曲的容忍性将极为有限，” McCann 说道。被推向一起的焊锡或被向反方向拉扯的焊锡将带来链接上的问题。 “我们要求制造加工保证所有分层都为平面，但我们相信在OSAT合作伙伴的帮助下，我们可以满足这个要求。” McCann 说道。 PHY合作 PHY是另一个技术难题，这个难题已被 Rambus和格芯一同克服。 Frank Ferro是Rambus产品市场部高级主管，他解释说，HBM2 PHY是一个混合信号功能，必须针对每个制程节点进行精确设计。 “我们进行了大量的信道建模，并设计了满足各种要求的PHY。而这些都是通过合作开发完成的。我们对于整个制程进行了许多讨论，以确保设计的稳定。项目伊始，让设计成功实现，就是Rambus的（建模和信号完整性）工具和参与到设计这些PHY的所有工程师的目标。” DDR DRAM支持72数位的带宽，而HBM2支持1024位。1024数位的信号完整性控制极具挑战性，Ferro向格芯工程师们寻求帮助，指望于他们从IBM微电子部门带来的高速信号经验。 当被问及2.5D方案是否将占领整个行业的高速部分，Ferro称这将取决于制造的产量以及HBM2 DRAM的成本减少。 “2.5D 必须经由大批量制造的考验。这是硅技术中极大的一部分，扭曲必须得到控制。” Tad Wilder是格芯技术员工的高级成员, 他声称2兆兆位每秒的带宽“对于单一核心来说是令人叹为观止的。而总共可放置4块HBM2 PHY的芯片，将为ASIC设计者带来前所未有的8兆兆位每秒的带宽，并具备低功耗低延迟DRAM。”他补充道14纳米 HBM PHY “是我们为ASIC生产过最大的核心，其包含15000外置针脚可接至内存控制器、1700外置针脚可接至转接板各层DRAM的基本晶体。” 每一层DRAM都包含一个基础晶体，与ASIC的HBM2 PHY以及另外高达8个不同叠层的基础晶体进行沟通，链接通过数千个垂直硅过孔（TSV）实现。每层HBM DRAM的总内存可高达32GB。为了减少1000个输入输出开关的噪音信号，ASIC HBM2 PHY可以利用8个128数位信号通道的完全独立性，并通过对每个信号通道的相应时序控制调整来实现。 Linley Group分析师 Wheeler见证了HBM2标准建立所带来的趋势。Hynix是最初的发起者，可是 Wheeler说 Samsung已具备自己的HBM2并愈发强势。由于方案的成本大部分来自于HBM2内存，多个HBM2供应商间将展开激烈竞争，提高产量、降低成本并优化性能。 当被问及是否认为2.5D方案将进一步普及，McCann说 “这是本时代一个非常伟大的技术，并能带来巨大的回报。问题是，我们是否能降低成本并提高产量？” 关于作者 Dave Lammers是固态技术特约撰稿人，也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章，彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times，定居东京，在之后的14年内，足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年，Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁，为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学，获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。
2.5D 开始用于网络应用 2017 年 8 月 22 日作者： Dave Lammers戴夫-拉默斯 面对带宽问题，网络公司正在转向内插器、HBM2 DRAM 和领先的 ASIC 技术。 当大型网络公司开始开发新的太比特路由器时，他们达到了林利集团网络分析师鲍勃-惠勒（Bob Wheeler）所说的 "爆发点"。 思科（Cisco）、瞻博网络（Juniper）、诺基亚（Nokia）等公司一直在关注路由器专用集成电路（ASIC）引脚数的 "爆炸性增长"，因为它们要从安装在层压印刷电路板上的商品 DDR DRAM 中获得足够的带宽。 网络客户现在可以使用 GLOBALFOUNDRIES® 的新型 14nm ASIC(FX-14™) 解决方案，该解决方案提供与安装在硅内插件上的高带宽内存(HBM2) 的连接。Rambus Inc.(Sunnyvale) 和 GF 工程师合作，为 FX-14 ASIC 平台提供了 Rambus PHY，可提供每秒 2 太比特 (Tb/s) 的惊人带宽。 "Wheeler 说："这是针对我们已经看到的一个问题的解决方案，即外部存储器无法满足这些 ASIC 缓冲区的带宽要求。"人们试图尽可能地使用商品 DRAM，但由于引脚数激增，这已经到了极限。 惠勒说，通信专用集成电路的市场规模约为十亿美元，他指出，路由器是一种昂贵的系统，可以支持基于内插件（2.5D）解决方案的成本，以获得高速数据包缓冲所需的带宽。 对于在层压印刷电路板上运行的现有 DDR 型 DRAM，Wheeler 说："从 ASIC 的角度来看，最大的问题是引脚数。最终可能会出现 2000 多个引脚的设备。HBM 的优点在于它有一个宽接口，并保持在封装内，因此你不必使用串行接口。 网络之外的市场？ GLOBALFOUNDRIES 公司封装研发和业务技术运营副总裁Dave McCann 表示，2.5D（基于内插件）解决方案还可应用于数据处理、高端图形、自动驾驶汽车、人工智能和其他对带宽要求较高的解决方案，但这取决于成本的改善程度。 采用中间件可以极大地提高布线密度。对于基于层压印刷电路板的解决方案，线路和空间为 12 微米，但往往无法达到这种布线密度，因为必须避开或绕开层间 50 微米的垂直通孔，从而浪费了大量空间。GF 公司技术开发高级经理 Walter Kocon 说，硅内插层的线路和空间与逻辑芯片的后端基本相同，目前约为 0.8 微米。 在互插板上的物理层和 HBM2 存储器之间使用类似逻辑的布线，需要使用包括光刻在内的工厂级工具。由于中间件比传统芯片大得多，因此必须将多个区域拼接在一起。但 Kocon 说，如今的步进机在网罩之间的切换能力非常强，而且在制造更大的内插器方面也取得了进展。 这些晶圆厂加工工具比传统的层压加工工具更昂贵，但其回报是 PHY 和 HBM2 存储器之间大量的片上 I/O（约 1,700 个）。正如 McCann 所说，与迄今为止使用的基于层压板的串行接口相比，通过保持非常短的迹线，功耗得到了控制。 无禁区 “With vias enabled by wafer fab technology (<1 micron) in silicon interposers, multiple layers of 0.8-micron lines and spaces can be utilized, because there is essentially no keep out area for the vias. That compares with the conventional PCBs, where routing had to come down from the ASIC and over to the DIMM card, consuming both power and time,” McCann said. With interposer-based interconnect being orders of magnitude smaller, and devices only hundreds of microns apart, the massively parallel routing density supports multi-terabit levels of bandwidth. 但是，内插板在制造方面也存在挑战。"这些是大型内插器和大型专用集成电路。首先，我们必须在专用集成电路（ASIC）和中间件之间建立一个接口。 ASIC和硅集成电路的膨胀特性相匹配是实现无应力接口的关键之一。 控制翘曲的设计和装配工艺至关重要。McCann说："然后，分散中间膜和下面层压板之间的应力也很关键，因为该界面存在很大的不匹配。 控制翘曲是 2.5D 获得良好互连良率的关键。互联器与 ASIC 之间的间距非常近，凸块高度约为 70 微米。"这意味着对翘曲的容忍度非常低，"McCann 说。焊锡被推到一起或拉向相反的方向，都会产生连接问题。"McCann说："我们需要制造工艺来保持所有这些表面的平整，我们相信，与我们的OSAT合作伙伴一起，我们能够做到这一点。 PHY 合作 PHY 是另一项技术挑战，也是 Rambus 与 GF 共同应对的挑战。Rambus 产品营销高级总监Frank Ferro 解释说，HBM2 PHY是一种混合信号功能，必须根据每个工艺节点进行专门设计。 "我们进行了大量的信道建模，然后设计了物理层来满足这些信道要求。这是一次合作。我们在整个过程中进行了多次讨论，以确保设计的稳健性。从第一天起，它就成功了，这是对 Rambus（建模和信号完整性）工具和具有设计这些 PHY 历史的工程师的有力证明。" DDR DRAM 支持 72 位带宽，而 HBM2 支持 1,024 位。对于 1,024 位的带宽，信号完整性的控制是一项挑战，Ferro 向 GF 的工程师们表示感谢，他们中的许多人都曾在 IBM 的微电子集团工作过，积累了高速信号方面的经验。 当被问及他是否认为 2.5D 解决方案会在整个高性能行业中推广时，Ferro 说这取决于制造产量，以及 HBM2 DRAM 成本的降低。"2.5D 需要通过大批量制造来验证。这是一块相当大的硅片，你必须真正控制翘曲"。 GF 首席技术人员Tad Wilder 说，每秒 2 太比特的带宽 "对于单个内核来说是相当惊人的带宽"。由于在一个芯片上最多可以放置四个 HBM2 PHY，这就为 ASIC 设计人员提供了前所未有的每秒 8 太比特的低功耗、低延迟 DRAM 访问能力"。他补充说，14 纳米 HBM PHY "是我们为 ASIC 生产的最大内核，有 15,000 个内部引脚与内存控制器对话，1,700 个外部引脚与跨间接器的 DRAM 堆栈的基础芯片对话"。 每个 DRAM 堆栈包含一个基础芯片，该芯片通过数千个垂直硅通孔 (TSV) 与 ASIC 的 HBM2 PHY 和上面多达八个堆栈 DRAM 芯片通信。 每个 HBM DRAM 堆栈的总内存高达 32GB。为了降低 1,000 多个 I/O 可能切换时产生的噪音，ASIC HBM2 PHY 可以通过倾斜每个通道的时序来利用八个 128 位通道的完全独立性。 Linley Group 分析师 Wheeler 认为 HBM2 标准的发展势头良好。Wheeler 说，虽然海力士是最初的支持者，但三星已经强势推出了自己的 HBM2 部件。由于 HBM2 存储器的成本占整个解决方案成本的很大一部分，因此多家 HBM2 供应商之间的竞争将有助于提高产量、降低成本和改善性能。 当被问及他是否认为 2.5D 解决方案将得到推广时，McCann 说："这是一项真正伟大的技术，已经进入成熟期，收入可观。问题是：我们能否降低成本，使其达到更高的产量水平？ 关于作者 戴夫-拉默斯 Dave Lammers 是 Solid State Technology 的特约撰稿人，也是 GF's Foundry Files 的特约博主。Dave 于 20 世纪 80 年代初在美联社东京分社工作时开始撰写有关半导体行业的文章，当时正值该行业快速发展时期。1985 年，他加入了《电子时报》，在东京工作的 14 年中，他报道了日本、韩国和台湾的情况。1998 年，戴夫和妻子美惠子以及四个孩子搬到奥斯汀，成立了《电子时报》德克萨斯分社。戴夫毕业于圣母大学，并在密苏里大学新闻学院获得新闻学硕士学位。
格芯展示应用于数据中心、网络和云应用的2.5D高带宽内存设计方案 August 10, 2017本方案利用2.5D封装技术,低延迟、高带宽内存PHY，使用FX-14™ ASIC设计系统搭建 加州圣克拉拉，2017年，8月9日- 格芯在今天公布，已为ASIC的14纳米高性能FinFET FX-14™集成设计平台展示了2.5D封装方案。 2.5D ASIC方案与Rambus，Inc.协作开发,包括了一个内置的插入转接板设计以克服光刻局限，也包括了每秒2T的多通道HBM2 PHY. 本方案在14纳米FinFET技术平台搭建,将集成于在7纳米 FinFET制程技术打造的下一世FX-7™ ASIC设计系统。 “由于近年来内连接和封装技术的巨大进步，制程与封装之间的分界线愈发模糊，”格芯ASIC产品发展部副总裁Kevin O’Buckley说道。“将2.5D封装应用于ASIC设计以增强性能是能力的自然进化。这让我们得以为客户提供一站式端到端的技术支持：从产品设计一直到生产和测试。” Rambus的内存PHY目标在于高端网络和数据中心应用，提供对数据要求最高的任务，满足低延迟和高带宽的系统要求。PHY技术与JEDEC JESD235 HBM2标准吻合，每个数据接口可支持高达2G的数据传输率，总带宽可达2Tbps。 “我们努力提供完善的HBM PHY技术，帮助数据中心和网络连接方案供应商达成如今最高要求的工作量，并把握住市场机会，”Rambus内存和接口分部高级副总裁、总经理Luc Seraphin说道。“我们与格芯合作，结合了我们的HBM2 PHY和格芯的2.5D封装、FX-14ASIC 设计系统，为业内告诉增长的应用提供了高度集成的设计方案。” FX-14和FX-7是完整的ASIC设计方案，利用了格芯使用FinFET制程大批量生产的经验，包含了业内应用最广泛、最具备深度的IP组合，提供了为下一代连线/5G无线网络连接、云/数据中心服务器、机器学习或深度学习、汽车和航空航天或国家防御应用的独特方案。格芯是世界上唯一两家提供最优IP和高级内存及封装方案的公司之一。 关于格芯： 格芯是提供设计开发和制造间独特组合的领先全方面服务代工厂，为全世界的先进技术公司提供服务。格芯铸造厂遍布全球三大洲，提供了改造行业的能力，为客户带来重塑市场的能力。格芯隶属Mubadala发展公司。了解更多详情，请登录网址https://www.globalfoundries.com 联系方式: Erica McGill GLOBALFOUNDRIES (518) 795-4250 [email protected]
