GLOBALFOUNDRIES展示面向数据中心、网络和云应用的2.5D高带宽内存解决方案 2017年8月10日解决方案利用2.5D封装，在FX-14™ASIC设计系统上构建低延迟、高带宽的内存PHY 加州圣克拉拉，2017年8月9日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，其高性能14纳米FinFET FX-14™集成设计系统的2.5D封装解决方案的硅功能已经展示，用于特定应用集成电路（ASIC）。 2.5D ASIC解决方案包括一个缝合的插板能力，以克服光刻技术的限制，以及与Rambus公司合作开发的每秒2兆比特（2Tbps）的多通道HBM2物理层。在14纳米FinFET演示的基础上，该解决方案将被集成到该公司基于GF7纳米FinFET工艺技术的下一代FX-7™ ASIC设计系统上。 "随着近年来互连和封装技术的巨大进步，晶圆加工和封装之间的界限已经模糊，"GF的ASIC产品开发副总裁Kevin O'Buckley说。"将2.5D封装纳入ASIC设计，可以提高性能，超越规模，是我们能力的自然发展。它使我们能够以一站式的端到端方式支持我们的客户，从产品设计一直到制造和测试。" Rambus内存PHY面向高端网络和数据中心应用，在需要低延迟和高带宽的系统中执行最密集的数据任务。该PHY符合JEDEC JESD235 HBM2标准，支持每个数据引脚高达2Gbps的数据速率，使总带宽达到2Tbps。 "我们努力提供全面的HBM PHY技术，使数据中心和网络解决方案供应商能够满足当今最苛刻的工作负载，并利用引人注目的市场机会，"Rambus内存和接口部门高级副总裁兼总经理Luc Seraphin说。"我们与GF的合作将我们的HBM2 PHY与他们的2.5D封装和FX-14 ASIC设计系统相结合，为业界增长最快的应用提供了一个完全集成的解决方案。" FX-14和FX-7是完整的ASIC设计解决方案，利用了GF在FinFET工艺技术上的批量生产经验。它们由基于业界最广泛和最深入的知识产权（IP）组合的功能模块组成，从而为下一代有线/5G无线网络、云/数据中心服务器、机器学习/深度神经网络、汽车和航空航天/国防应用提供了独特的解决方案。GF是世界上仅有的两家能够提供一流的IP和先进的存储器和封装解决方案的公司之一。 关于GF。 GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-4250[email protected]
格芯携手Silicon Mobility,打造业内首款汽车FPCU, 进一步推进混合动力与电动力车辆性能 August 3, 2017Silicon Mobility通过格芯的 55nm LPx平台, 配备 SST高可靠性 SuperFlash®内存技术, 增强了汽车性能、能源效率与安全等级 加州圣克拉拉，2017年8月3日 – 格芯与Silicon Mobility在今天宣布已成功制造出业内第一款汽车可编程场控制器单元 (FPCU)设计方案, 并将其命名为 OLEA® T222。FPCU 使用了格芯的55nm低功耗拓展 (55LPx) 技术平台, 此平台通过了汽车等级验证, 包括了硅存储技术 (SST) SuperFlash® 内存技术, 在单芯片内集成了多个功能, 增强了混合动力和电动力车的性能。 Silicon Mobility 的 OLEA® T222让汽车自动化处理能力更加强力，通过在控制处理器结构中嵌入灵活逻辑单元 (FLU), 带来了高达40倍的处理加速和更好的实时控制能力。通过FLU的加速能力， OLEA® T222 提高了节能控制的质量，劲儿提高了安全性，并且在超快安全应用上满足了ASIL-D级标准。此外，汽车制造商可以增强DC/DC 和AC/DC控制的能源效率, 提高电池使用范围, 耐用性和电动机的充电速度。 “电动机、功率转换器和电池充电器的效率是混合和电动力汽车控制系统的关键因素,” Silicon Mobility 运营部副部长Vincent Cruvellier说道。 “格芯的 55LPx 平台配备了快速和低功耗的逻辑和汽车1级认证，结合了SST的高可靠性 SuperFlash 内存技术，让我们可以在一块芯片上集成多种功能，打造出OLEA® T222 产品。格芯是全球性的专业汽车类市场代工厂，我们与格芯的合作使客户确保获得最高的产品质量、最高的可靠性和对于制造汽车类产品的支持。” 格芯的 55nm LPx可用于射频，经汽车等级验证的平台提供了通向生产的快速方案，其中包括了硅验证的射频IP以及SST的高度可靠SuperFlash内存，主要特点有： · 超快读取速度(<10ns) · 比特单元小尺寸 · 超强数据维持能力 (> 20 years) · 超强耐久力 (> 200K cycles) · 完全通过汽车1级认证 (AEC-Q100) “我们的平台结合了 Silicon Mobility的设计，提供55nm的高度集成的汽车自动化设计, 推出了业内第一款FPCU,” 格芯嵌入式内存部副部长 David Eggleston说道， “这是格芯55LPx平台受到广大市场欢迎的又一例证，特别是对于汽车应用这种对可靠性要求极高的市场。” 格芯的55LPx eFlash 平台正在新加坡300mm产品线进行批量生产。无论是对于穿戴式设备还是汽车的微控制器单元,55LPx eFlash平台是大量产品的最高成本效率方案。 设计工具包现已可用。用户已可使用该工具包对芯片设计进行优化，开发独特的SuperFlash方案，满足成本性能要求，低功耗和极限环境中的高可靠性。 了解更多关于格芯主流CMOS设计方案的信息，请与格芯销售代表联系或登录网址www.globalfoundries.com 关于Silicon Mobility: Silicon Mobility是更环保、更安全更智能移动应用的技术领先者。该公司设计开发并销售灵活、实时、安全而开房的半导体方案，供应追求能源效率、减少污染排放、保证乘客安全的汽车行业。 Silicon Mobility的产品控制电动机、电池和能源管理系统，应用于混合动力和电动力车辆。使用Silicon Mobility 的技术，制造商可以提高效率，减小尺寸、重量和电动机的成本，增加电池的使用范围和耐用性。Silicon Mobility的技术和产品加速了汽车动力系统的电子化，也推动了OEM无人车的开发。Silicon Mobility总部位于法国索菲亚科技园。了解更多详情请登录www.silicon-mobility.com 关于格芯 格芯是提供设计开发和制造间独特组合的领先全方面服务代工厂，为全世界的先进技术公司提供服务。格芯铸造厂遍布全球三大洲，提供了改造行业的能力，为客户带来重塑市场的能力。格芯隶属Mubadala发展公司。了解更多详情，请登录网址https://www.globalfoundries.com 联系方式: Erica McGill 格芯 (518) 795-5240 [email protected] David Fresneau Silicon Mobility +33 (0)487 791 020 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES和Silicon Mobility推出业内首个汽车FPCU，以提升混合动力和电动汽车的性能 2017年8月3日Silicon Mobility和GF的55纳米LPx支持平台，采用SST的高可靠性SuperFlash®内存技术，提高了汽车性能、能源效率和安全水平。 2017年8月3日，加利福尼亚州圣克拉拉市--全球方正集团（GLOBALFOUNDRIES）和Silicon Mobility今天宣布，他们已成功生产出业界首个汽车现场可编程控制器单元（FPCU）解决方案，名为OLEA® T222。该FPCU解决方案采用了GF的55纳米低功耗扩展（55LPx）汽车合格技术平台，其中包括Silicon Storage Technology（SST）的SuperFlash®存储器技术，将多种功能集成到一个芯片上，提升了混合动力和电动汽车的性能。 Silicon Mobility的OLEA® T222通过在控制处理器架构中嵌入具有高达40倍加速度的灵活逻辑单元（FLU）来加速实时事件的处理和控制，使汽车处理成为完全确定性的。通过FLU加速，OLEA® T222提高了能量转换控制的质量，以提高安全性，并实现ASIL-D的超快速安全应用。此外，汽车制造商可以提高DC/DC和AC/DC控制的能源效率，以及提高电池的续航能力、耐用性和电动马达的充电速度。 "电动机、功率转换器和电池充电器的效率是混合动力和电动汽车控制系统的关键因素，"Silicon Mobility公司运营副总裁Vincent Cruvellier说。"GF的55LPx平台具有快速、低功耗逻辑和汽车1级资质，与SST的高可靠性SuperFlash存储器技术相结合，使我们能够将多种功能集成到一个芯片中，创造出OLEA® T222产品。我们与致力于汽车市场的全球代工厂GF合作，有助于确保我们的客户在制造汽车产品时拥有最高的质量、可靠性和支持"。 GF的55纳米LPx射频支持的汽车认证平台提供了一个快速的产品解决方案，其中包括硅认证的射频IP、SST的高可靠性SuperFlash存储器技术，其特点是。 Very fast read speed (<10ns) 小的比特单元尺寸 卓越的数据保留（>20年） 优异的耐久性（>200K循环）。 完全合格的自动1级操作（AEC-Q100）。 "GF嵌入式存储器副总裁David Eggleston说："我们的平台与Silicon Mobility的设计相结合，在55纳米工艺下提供了高度集成的汽车解决方案，实现了业内首个FPCU。"这又是一个例子，说明GF的55LPx平台正在成为广泛市场的首选，包括需要在极端环境下具有卓越可靠性的汽车应用。" GF的55LPx eFlash平台正在新加坡的代工厂300mm生产线上进行批量生产。55LPx eFlash平台是一个具有成本效益的解决方案，适用于从可穿戴设备到汽车MCU的广泛产品。 现在可以提供工艺设计套件。客户可以开始优化他们的芯片设计，开发差异化的支持SuperFlash的解决方案，这些解决方案要求在极端环境下具有成本效益的性能、低功耗和卓越的可靠性。 有关GF主流CMOS解决方案的更多信息，请联系您的GF销售代表或访问www.globalfoundries.com。 关于Silicon Mobility。 Silicon Mobility公司是一个促进更清洁、更安全和更智能的交通的技术领导者。该公司为汽车行业设计、开发和销售灵活、实时、安全和开放的半导体解决方案，用于提高能源效率和减少污染物排放，同时保证乘客安全。 Silicon Mobility的产品控制着混合动力车和电动车的电动马达、电池和能源管理系统。通过使用Silicon Mobility的技术，制造商提高了效率，减少了电动马达的尺寸、重量和成本，增加了电池的续航能力和耐用性。Silicon Mobility的技术和产品加速了汽车动力系统的电气化，并为原始设备制造商部署无人驾驶汽车。硅谷移动公司的总部设在法国索菲亚-安提波利斯。欲了解更多信息，请访问：www.silicon-mobility.com 关于GF GF是一家领先的提供全方位服务的半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。在全球范围内，GF的制造足迹遍布三大洲，使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected] David FresneauSilicon Mobility+33 (0)487 791 020[email protected]
半导体迎来黄金时代 2017 年 8 月 1 日作者：加里-达加斯丁作者：加里-达加斯丁 自晶体管发明以来，半导体技术取得了令人惊叹的进步，推动着计算和通信技术的发展，从集中式大型机和微型计算机到联网个人电脑，再到可随时随地连接网络的先进移动设备。 尽管这些成就令人印象深刻，但它们只是半导体对社会贡献的开始。它们的真正影响还在后面，因为尽管全球已经有数十亿台与互联网连接的设备，但在未来几年，全球将有更多的设备因自动驾驶汽车、物联网（IoT）等应用而联网。 它们需要大量的基础设施来连接、传输、处理、执行和存储所有产生的数据。建立能够实现这种 "互联智能 "的基础设施是一项巨大的持续性任务，它需要大量半导体，依赖于大量技术，因此可以说，该行业的黄金时代即将到来。 这是 GLOBALFOUNDRIES 首席执行官Sanjay Jha和 Fab 8 高级副总裁兼总经理Tom Caulfield 最近分别在上海世界移动通信大会和SEMICON West展会上发表主题演讲时提出的观点。 他们的演讲重点描述了这个互联智能的新时代，它如何改变代工领域的成功要求和条件，以及 GF 如何使之成为可能。 Jha谈到了数据爆炸如何导致数据中心、网络和客户端设备（即智能手机、物联网设备等）之间的互联智能相互关系。他介绍了 GF 在实现这一目标方面的领先地位，既包括 GF 的一系列尖端技术，也包括公司的业务战略，例如在中国成都为基于 22FDX® 的产品新建一座300mm 晶圆厂。 "他说："这个行业过去的 10 年可能是我们生活中变革最大的 10 年。"一个例子是，我们的手机已经成为我们思想的延伸。另一个例子是从社交角度来看，Facebook 现在拥有近 20 亿月活用户。考虑到中国约有 14 亿人口，Facebook 社区现在比任何其他社区都要大。 在 MWC 上海大会上，首席执行官 Sanjay Jha 作为主题发言人和小组成员就 "工业与人的因素 "这一主题发表了演讲。 "他说："我相信，未来 10 年将是代工业务的黄金时代。"据业内人士估计，到 2025 年，我们将使用 163 兆字节的数据（1 兆字节=2500 亿张 DVD）。我们正在收集、传输和分析所有这些信息--既包括在边缘使用客户端设备进行实时决策，也包括在数据中心进行长期洞察力收集。半导体是使能技术"。 Jha 认为，这种转型正在改变半导体行业的成功条件，包括技术和客户参与模式。 在技术方面，他介绍了 GF 的双重路线图，即用于电池供电设备的 FDX™ 技术和用于数据中心和高端计算设备高性能处理的 FinFET 技术是如何独一无二，并使公司能够将正确的技术与正确的应用相匹配。 结合公司在射频领域的领先传统、用于连接的新型硅光子技术以及差异化的专用集成电路和模拟/电源技术，GF 在未来数年内将处于独特的地位，推动各种新应用的发展。 关于参与模式，贾跃亭以中国为例，他说："中国正从'中国制造'的产业阶段转向'中国创新'的定位，我们的成都晶圆厂就是在这种背景下与成都政府建立的战略性长期合资伙伴关系。它将是我们物联网和 5G 技术的核心，建成后将是中国最大的晶圆厂，厂房长达半公里。单击此处查看 Sanjay Jha 的演讲。 在 SEMICON West 上，Caulfield 说，自从约 50 年前戈登-摩尔（Gordon Moore）提出著名的摩尔定律（Moore's Law）以来，业界实际上一直在为下一步做准备。"我们已经制造出了智能产品，这很好，但现在我们要利用'智能'做些特别的事情。我们正在超越智能物联网，向'互联智能'的框架迈进，其运作和功能在很多方面都在模仿大脑的工作方式。" Fab 8 高级副总裁兼总经理汤姆-考尔菲德（Tom Caulfield）在 SEMICON West 2017 的开幕式上发表主题演讲并参与其中 Caulfield 指出，半导体创新是推动这一发展的引擎，但为了继续实现摩尔定律所预言的技术进步，该行业必须以不同的方式运作，因为事物已经变得如此复杂和相互交织。规模化仍然至关重要，但仅靠规模化已不再是有效的战略。 "50年后的今天，游戏仍然摆在我们面前。我们必须重新定义创新，以不同的方式开展合作，并转变参与行为，从而推动数据分析、带宽、存储密度和电源管理方面所需的创新。他以 GF 的双技术路线图为例，说明了创新是如何被重新定义的，FinFET 代表了高性能计算的一条前进道路，而 FDX 则代表了无线、电池供电设备的另一条前进道路。 关于以不同方式开展合作，考菲尔德指出，随着世界的发展和行业的壮大以及变得更加复杂，旧的经营方式已不再适用。他说，今天的合作战略需要建立在三个要素之上：与主要供应商建立战略伙伴关系；与行业对手 "合作竞争"，即在某些领域与他们合作，在另一些领域与他们竞争；以及公私伙伴关系。 他以奥尔巴尼纳米技术研究机构为例，说明了合作竞争的好处，他说："对行业来说，它抵消了我们开发尖端技术的集体开支，并让我们在虚拟的基础上形成关键技术的规模。 关于参与行为，他说："现在的行业如此复杂，以至于当你看到一个项目团队时，很难知道谁是供应商，谁是客户。 当然，每个人都有一个老板，但他们真正致力于项目。 考尔菲德说，这只是参与行为需要演变的一个例子。"他说："在全球团队中分享想法、以跨学科的方式工作以及鼓励想法的多样性，对于当今世界的技术创新绝对是至关重要的。点击这里查看 Tom Caulfield 的演讲。 关于作者 加里-达加斯丁 Gary Dagastine 是一位作家，曾为《EE Times》、《Electronics Weekly》和许多专业媒体报道半导体行业。他是《Nanochip Fab Solutions》杂志的特约编辑，也是全球最具影响力的半导体技术会议 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 的媒体关系总监。他最初就职于通用电气公司，为通用电气的电源、模拟和定制集成电路业务提供通信支持。Gary 毕业于纽约州斯克内克塔迪联合学院（Union College）、
格芯与芯原联袂实现适合次世代物联网的单芯片解决方案 July 13, 2017采用格芯的22FDX® 技术的集成解决方案将减少NB-IoT及LTE-M应用的功耗、面积及成本 美国加利福尼亚圣克拉拉，及中国上海（2017年7月13日）——今日，格芯（GLOBALFOUNDRIES，原名格罗方德）与芯原微电子（VeriSilicon）共同宣布，将携手为下一代低功耗广域网（LPWA）推出业界首款单芯片物联网解决方案。双方计划采用格芯的22FDX® FD-SOI 技术开发可支持完整蜂巢式调制解调器模块的单芯片专利，包括集成基带、电源管理、射频以及结合窄带物联网（NB-IoT）与LTE-M 功能的前端模块。相较于现有产品，该全新方案可望大幅改善功耗、面积及成本。 随着智慧城市、家居与工业应用中互联设备的数量日益增加，网络供应商也着手开发全新的通讯协议，以期更加符合新兴物联网标准的需求。LPWA 技术利用现有的LTE频谱及移动通信基础设施，但更着重于为例如联网水表和煤气表等传输少量低频数据的设备提供超低功耗、扩大传输范围以及降低数据传输率。 两大领先的LPWA连接标准包括在美国前景看好的LTE-M，以及逐渐在欧洲、亚洲取得一席之地的NB-IoT。举例而言，中国政府已将NB-IoT定为明年全国部署的对象。根据美国市场研究公司 ABI Research 的研究，该两大技术的结合将推动蜂窝M2M模块的出货量到2021年可能逼近5亿。 格芯与芯原微电子目前已着手开发IP套件，以双模运营商等级的基调制解调器带搭配集成的射频前端模组，旨在让客户开发出成本及功耗优化的单芯片解决方案，以供全球部署。该款设计将采用格芯的22FDX工艺，运用22nm FD-SOI技术平台为物联网应用提供成本优化的微缩能力并降低功耗。22FDX是唯一能够以单芯片高效整合射频、收发器、基带、处理器和电源管理元件的技术。相较于现有的40nm技术，这款集成方案预计在功耗和裸片尺寸方面，将达到80%以上的提升。 格芯产品管理高级副总裁Alain Mutricy表示：“低功耗、电池供电的物联网设备正处于爆发性增长态势，22FDX技术完美契合了其需求。对中国市场带来的机会，我们尤为兴奋。中国正以领先姿态在全国范围大力发展物联网与智慧城市。芯原微电子是我们重要的合作伙伴，他们协助我们在成都建设以全新300mm晶圆厂为中心的FD-SOI生态系统。此次新的合作计划也将进一步深化我们的长期合作关系。” 芯原股份有限公司创始人、董事长兼总裁戴伟民表示：“自五年前开始，作为芯片平台即服务 (SiPaaS) 的设计代工公司，芯原即开始开发 FD-SOIIP，并基于FD-SOI 技术一次流片成功了多款芯片产品。就物联网应用而言，除了成本优势之外，集成式射频、体偏压以及嵌入式内存如MRAM，都是28mm CMOS 工艺节点往后，FD-SOI 技术所具备的重要优势。在格芯22FDX上集成射频与功率放大器后，基带和协议栈可在高能效且可编程的ZSPnano 上得以实现，ZSPnano 专为控制和具有低延迟的数据流、单周期指令的信号处理而优化。格芯位于成都的全新FDX 300 mm 晶圆厂，以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M单芯片解决方案等 IP 平台，都将对中国的物联网和 AIoT(物联人工智能) 产业带来重大的影响。” 格芯与芯原微电子预计将于2017年第四季度对基于此集成方案的测试芯片进行流片，并完成验证。双方计划于2018年年中获得运营商许可。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉发展公司（Mubadala Development Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 关于芯原微电子 芯原股份有限公司（芯原）是一家芯片设计平台即服务（Silicon Platform as a Service，SiPaaS®）提供商，为包含移动互联设备、数据中心、物联网(IoT)、汽车、工业和医疗设备在内的广泛终端市场提供全面的系统级芯片(SoC)和系统级封装(SiP)解决方案。芯原的机器学习和人工智能技术已经全面布局智慧设备的未来发展。基于SiPaaS服务理念，芯原助力客户在设计和研发阶段领先一步，从而专注于差异化等核心竞争优势。芯原一站式端到端的解决方案则能够在短时间内打造出从定义到测试封装完成的半导体产品。宽泛灵活的SiPaaS解决方案为包含新兴和成熟半导体厂商、原始设备制造商（OEMs）、原始设计制造商 （ODMs），以及大型互联网和云平台提供商在内的各种客户提供高效经济的半导体产品替代解决方案。芯原的从摄像头输入到显示/视频输出的像素处理平台由高保真 ISP，支持机器学习加速的嵌入式视觉图像处理器（VIP），Vivante®低功耗GPU和高性能GPGPU，Hantro™ 极清视频编解码器，以及支持多种接口标准的显示控制器组成，以上产品可无缝协同工作以提供最优的PPA（性能、功耗和面积）。此外，基于芯原ZSP®（数字信号处理器核）技术的高清音频/语音平台和支持低功耗蓝牙（BLE）、Wi-Fi、NB-IoT和5G技术的多频多模无线基带平台为极低功耗和极高性能应用提供了可伸缩的架构。芯原增值的混合信号IP组合则可打造支持语音、手势和触摸界面的高能效自然用户界面(NUI)平台。芯原成立于2001年，总部位于中国上海，目前在全球已有超过600名员工。芯原在全球共设有5个设计研发中心和9个销售和客户支持办事处。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 石燕 （Sherry Shi） 86 15900477699 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES和芯原将为下一代物联网网络提供单芯片解决方案 2017年7月13日集成解决方案利用GF的22FDX® 技术，为NB-IoT和LTE-M应用降低功耗、面积和成本 加州圣克拉拉和中国上海，2017年7月13日-GlobalFOUNDRIES和芯原今天宣布合作，为下一代低功耗广域（LPWA）网络提供业界首个单芯片物联网解决方案。利用GF的22FDX® FD-SOI技术，两家公司计划开发知识产权，在单个芯片上实现完整的蜂窝调制解调器模块，包括集成基带、电源管理、射频无线电和前端模块，同时结合窄带物联网（NB-IoT）和LTE-M功能。与目前的产品相比，这种新方法有望在功率、面积和成本方面实现重大改进。 随着用于智能城市、家庭和工业应用的联网设备的激增，网络供应商正在开发新的通信协议，以更好地满足新兴物联网标准的需要。LPWA技术利用了现有的LTE频谱和移动基础设施，但重点是为传输少量非经常性数据的设备提供超低功率、扩大范围和低得多的数据速率，如连接的水表和煤气表。 两个领先的LPWA连接标准是LTE-M和NB-IoT，前者有望在美国市场上获得牵引力，后者在欧洲和亚洲的地位越来越高。例如，中国政府已将NB-IoT列为明年全国性部署的目标。据ABI研究公司称，这两种技术的结合预计将在2021年将蜂窝M2M模块的出货量推向近5亿个。 GF和芯原正在开发一套IP，使客户能够创建单芯片成本和功率优化的解决方案，并在全球范围内部署，该方案基于集成了射频前端模块的双模电信级基带调制器。该设计将采用GF的22FDX工艺制造，该工艺利用22纳米FD-SOI技术平台，为物联网应用提供经济有效的扩展和功率降低。22FDX是唯一能够实现射频、收发器、基带、处理器和电源管理组件高效单芯片集成的技术。与目前的40纳米技术相比，这种集成有望在功率和芯片尺寸方面实现80%以上的改进。 "GF产品管理高级副总裁Alain Mutricy说："我们的22FDX技术完全可以支持低功耗、电池操作的物联网设备的爆炸性增长。"我们对中国市场带来的机会感到特别兴奋，中国正在全国范围内致力于物联网和智能城市的发展，处于领先地位。这项新举措扩大了我们与芯原的长期合作关系，芯原是帮助我们在成都的新300毫米晶圆厂周围建立FD-SOI生态系统的重要合作伙伴。" "从五年多前开始，作为一家硅平台服务（SiPaaS）公司，芯原已经开发了FD-SOI IPs，并取得了许多基于FD-SOI技术的芯片的首次硅成功。芯原董事长、总裁兼首席执行官Wayne Dai说："对于物联网应用，除了成本优势，集成射频、体外偏压和嵌入式存储器，如MRAM，是FD-SOI技术超越28纳米块状CMOS的主要优势。"在GF 22FDX上集成了射频和PA，基带和协议栈正在我们的节能和可编程的ZSPnano上实现，ZSPnano为控制和数据流进行了优化，具有强大的低延迟、单周期指令的信号处理功能。GF在成都为FDX新建的300毫米晶圆厂和IP平台，如这种集成NB-IoT和LTE-M的单芯片解决方案，将对中国物联网和AIoT（物联网人工智能）产业产生重大影响。" GF和芯原预计将推出基于集成解决方案的测试芯片，并在2017年第四季度进行硅验证。两家公司计划在2018年中期进行运营商认证。 关于GF。 GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 关于芯原 芯原控股有限公司（VeriSilicon）是一家硅平台即服务（SiPaaS®）公司，为各种终端市场提供全面的片上系统（SoC）和封装系统（SiP）解决方案。(芯原股份有限公司（VeriSilicon）是一家硅平台即服务（SiPaaS®）公司，为广泛的终端市场提供全面的片上系统（SoC）和封装系统（SiP）解决方案，包括移动互联网设备、数据中心、物联网（IoT）、汽车、工业和医疗电子。我们的机器学习和人工智能技术在解决向 "智能 "设备发展方面处于有利地位。SiPaaS为我们的客户在半导体设计和开发过程中提供了一个实质性的起点，使客户能够将精力集中在具有差异化特征的核心竞争力上。我们的端到端半导体交钥匙服务可以在创纪录的时间内将设计从概念变成一个完整的、经过测试和包装的半导体芯片。我们的SiPaaS解决方案的广度和灵活性使其成为各种客户类型的性能有效和成本高效的选择，包括新兴和成熟的半导体公司、原始设备制造商（OEM）、原始设计制造商（ODM）和大型互联网/云平台公司。 芯原的相机输入、显示/视频输出像素处理平台包括高保真ISP、具有机器学习加速功能的嵌入式视觉图像处理器（VIP）、Vivante®低功耗GPU和高性能GPGPU、Hantro®超高清视频编解码器以及功能丰富的显示控制器，它们无缝协作，提供最佳的PPA（性能、功耗、面积）。此外，基于我们的ZSP®（数字信号处理器）技术，高清音频/语音平台和多频/多模式无线基带平台，包括BLE、Wi-Fi、NB-IoT和5G，为超低功耗和极高性能应用提供可扩展的架构。我们的增值混合信号IP组合能够为语音、手势和触摸提供节能的自然用户界面（NUI）平台。 芯原成立于2001年，总部设在中国上海，拥有600多名员工，在全球有五个研发中心和九个销售办事处。 联系方式。 Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected] 米亚康芯原+86 21 51311118[email protected]
22FDX 技术获得主流接受和热烈欢迎 July 13, 2017作者: Gary Dagastine 世界首创2Xnm用于GP-MCU的嵌入式MRAM, 以及5G应用毫米波能力的简介,引起了强烈关注 22FDX® 技术在近来的两大主流国际论坛的亮相引起了波澜,昭示着在如今快速增长的半导体市场,消费者们又出现了新的选择和平台。 在位于日本京都举办的VLSI技术座谈会上, 约500人出席了格芯员工Danny Shum的演讲,他描述了22FDX制造是如何在嵌入式STT-MRAM非易失性内存 (eMRAM)上取得突破进展的。实际上出席的听众在他的演讲结束后对他不断提出了深刻的问题，在耗尽了5分钟问答环节的所有时间后，听众们仍持续发问，占用了下一环节前20分钟的所有休息时间。这些问题中有的包含了关于具体技术的细节,如材料堆叠、制程技术、测试结果及测试工具；问题同样包含了更广大的领域，例如产品规划路线、商业策略、合作商机和PDK的可用性。 观众所体现出的强烈兴趣来自于eMRAM技术极有可能在代码存储以及工作内存上替代eFLASH 非易失性内存,满足需求量极大的一般用途微控制器和物联网设备。格芯以及合作伙伴 Everspin技术, 展现了在高可靠性要求的严苛环境，例如汽车SoC等应用中，eMRAM的能力。 完整的VLSI文章, CMOS嵌入式 STT-MRAM阵列用于 2x 纳米节点及GPMCU应用 , 现已可在格芯官网下载。 同时, 在夏威夷檀香山举办的 IEEE国际微波论坛中, 格芯高级员工以及射频首席技术工程师 David Harame概括了部分及全面耗尽式绝缘体上硅（SOI）在射频毫米波应用以及即将到来的5G设备上可带来的收益，SOI是22FDX的基础。 他的演讲是22FDX专题讨论会的其中一个环节，本讨论会由他及同事Ned Cahoon和Baljit Chandhoke、 Anirban Bandyopadhyay组织，重点在于讨论硅技术，特别是22FDX技术现在对于毫米波应用开发的成熟程度，与更局限更高成本的旧技术比较所拥有的优势。 总体上，演讲阐述了22FDX的技术多样性，满足持续增长的汽车、移动、射频链接、物联网、网络和其他应用市场。 嵌入式STT-MRAM 现在越来越多的应用需要包含了非易失性内存（eNVM）的芯片，可是当设备尺寸缩小，低功耗操作愈发重要，传统eFlash NVM所面对的挑战越来越多。这都是因为eFlahs的高电压要求以及在调整渠氧化层这一个关键参数时必须做出性能和可靠性的折中。 市面上也存在eNVM的替代技术，可是由于eMRAM长久以来被认为拥有潜力提供升级性、写入速度、数据维持、长期可靠性和低功耗操作的最佳平衡，至此并没有过STT-MRAM嵌入式内存正式发布的消息。 直到，Shum在VLSI大会上首次发布了STT-MRAM的消息。他描述了格芯与Everspin技术是如何在2x-nm设计法则上联手打造并展示了世界第一款40Mb CMOS 阵列配备集成eMRAM的。 一大关键要素是STT-MRAM可以承受高达260ºC的高温长达5分钟,意味着普通的封装和集成回流步骤并不会影响储存的内容，而且代码储存可在晶元探针测试途中写入。此外，格芯的22FDX eMRAM根据设计可在150°C环境下维持数据长达10年, 让此项技术可被用于汽车SoC。 另外的技术特点包括，内存在线后端进行生产，敏感的逻辑设备和电路因此可以避免在高温的线前端处理流程中遭到损害。这个特点同样让复用型IP得以实现，因为它们使用的是同样的PDK。内存阵列同样脱离了芯片核心的电压能源供应（Vdd 和I/O), 无需电流泵对电压进行调整。 格芯将在明年提供eMRAM技术，并将其作为总体22FDX技术组合中的一部分，而客户产品原型的多晶元项目将在今年年底开始。 22FDX 硅应用于毫米波 在微波论坛活动中, Harame描述了大批量毫米波频率硅基芯片的市场是如何因为5G无线规格而蓬勃发展的。(详情请浏览, 行政视角：一切都将无线，射频芯片将其实现) Harame阐述了拥有低晶体管泄漏电压的部分或全耗尽式SOI技术是如何成为此类应用的最高成本效率的。 他已经提到，由于移动蜂窝网络和WiFi交换器都广泛使用了SOI技术，此技术的经验基础非常深厚。其中一个例子是45纳米PDSOI，此技术已被投入到多个毫米波相位阵列系统应用中。 45纳米PDSOI拥有堆叠晶体管的能力，增加了供能调整能力，哪怕是对于功率放大器和低电压CMOS设备也同样适用。 他的演讲重点在于FDX是如何通过它的高k电介质系数栅极金属堆叠（high-k/MG）来进一步增进它的性能的，high-k/MG, 22纳米栅极长度和薄硅通道,这些技术特点共同打造了适用于即将来到的5G毫米波应用的最佳技术。 关于作者 Gary Dagastine是一位职业撰稿人，主要为EE Times、Electronics Weekly和许多专业媒体撰写关于半导体行业的文章。他是NanocEEhip Fab Solutions杂志的特约编辑，也是IEEE国际电子器件大会(IEDM)（全球最具影响力的半导体技术大会）的媒体关系主管。加入General Electric Co.之后，他开始涉足半导体行业，在该公司工作期间，他负责为GE功率、模拟和定制IC业务提供沟通支持。Gary毕业于纽约斯克内克塔迪联合大学。
22FDX 技术获得主流接受和热烈欢迎 July 13, 2017 作者: Gary Dagastine 2017年7月7日 分类: 市场 世界首创2Xnm用于GP-MCU的嵌入式MRAM, 以及5G应用毫米波能力的简介,引起了强烈关注 22FDX® 技术在近来的两大主流国际论坛的亮相引起了波澜,昭示着在如今快速增长的半导体市场,消费者们又出现了新的选择和平台。 在位于日本京都举办的VLSI技术座谈会上, 约500人出席了格芯员工Danny Shum的演讲,他描述了22FDX制造是如何在嵌入式STT-MRAM非易失性内存 (eMRAM)上取得突破进展的。实际上出席的听众在他的演讲结束后对他不断提出了深刻的问题，在耗尽了5分钟问答环节的所有时间后，听众们仍持续发问，占用了下一环节前20分钟的所有休息时间。这些问题中有的包含了关于具体技术的细节,如材料堆叠、制程技术、测试结果及测试工具；问题同样包含了更广大的领域，例如产品规划路线、商业策略、合作商机和PDK的可用性。 观众所体现出的强烈兴趣来自于eMRAM技术极有可能在代码存储以及工作内存上替代eFLASH 非易失性内存,满足需求量极大的一般用途微控制器和物联网设备。格芯以及合作伙伴 Everspin技术, 展现了在高可靠性要求的严苛环境，例如汽车SoC等应用中，eMRAM的能力。 完整的VLSI文章, CMOS嵌入式 STT-MRAM阵列用于 2x 纳米节点及GPMCU应用 , 现已可在格芯官网下载。 同时, 在夏威夷檀香山举办的 IEEE国际微波论坛中, 格芯高级员工以及射频首席技术工程师 David Harame概括了部分及全面耗尽式绝缘体上硅（SOI）在射频毫米波应用以及即将到来的5G设备上可带来的收益，SOI是22FDX的基础。 他的演讲是22FDX专题讨论会的其中一个环节，本讨论会由他及同事Ned Cahoon和Baljit Chandhoke、 Anirban Bandyopadhyay组织，重点在于讨论硅技术，特别是22FDX技术现在对于毫米波应用开发的成熟程度，与更局限更高成本的旧技术比较所拥有的优势。 总体上，演讲阐述了22FDX的技术多样性，满足持续增长的汽车、移动、射频链接、物联网、网络和其他应用市场。 嵌入式STT-MRAM 现在越来越多的应用需要包含了非易失性内存（eNVM）的芯片，可是当设备尺寸缩小，低功耗操作愈发重要，传统eFlash NVM所面对的挑战越来越多。这都是因为eFlahs的高电压要求以及在调整渠氧化层这一个关键参数时必须做出性能和可靠性的折中。 市面上也存在eNVM的替代技术，可是由于eMRAM长久以来被认为拥有潜力提供升级性、写入速度、数据维持、长期可靠性和低功耗操作的最佳平衡，至此并没有过STT-MRAM嵌入式内存正式发布的消息。 直到，Shum在VLSI大会上首次发布了STT-MRAM的消息。他描述了格芯与Everspin技术是如何在2x-nm设计法则上联手打造并展示了世界第一款40Mb CMOS 阵列配备集成eMRAM的。 一大关键要素是STT-MRAM可以承受高达260ºC的高温长达5分钟,意味着普通的封装和集成回流步骤并不会影响储存的内容，而且代码储存可在晶元探针测试途中写入。此外，格芯的22FDX eMRAM根据设计可在150°C环境下维持数据长达10年, 让此项技术可被用于汽车SoC。 另外的技术特点包括，内存在线后端进行生产，敏感的逻辑设备和电路因此可以避免在高温的线前端处理流程中遭到损害。这个特点同样让复用型IP得以实现，因为它们使用的是同样的PDK。内存阵列同样脱离了芯片核心的电压能源供应（Vdd 和I/O), 无需电流泵对电压进行调整。 格芯将在明年提供eMRAM技术，并将其作为总体22FDX技术组合中的一部分，而客户产品原型的多晶元项目将在今年年底开始。 22FDX 硅应用于毫米波 在微波论坛活动中, Harame描述了大批量毫米波频率硅基芯片的市场是如何因为5G无线规格而蓬勃发展的。(详情请浏览, 行政视角：一切都将无线，射频芯片将其实现) Harame阐述了拥有低晶体管泄漏电压的部分或全耗尽式SOI技术是如何成为此类应用的最高成本效率的。 他已经提到，由于移动蜂窝网络和WiFi交换器都广泛使用了SOI技术，此技术的经验基础非常深厚。其中一个例子是45纳米PDSOI，此技术已被投入到多个毫米波相位阵列系统应用中。 45纳米PDSOI拥有堆叠晶体管的能力，增加了供能调整能力，哪怕是对于功率放大器和低电压CMOS设备也同样适用。 他的演讲重点在于FDX是如何通过它的高k电介质系数栅极金属堆叠（high-k/MG）来进一步增进它的性能的，high-k/MG, 22纳米栅极长度和薄硅通道,这些技术特点共同打造了适用于即将来到的5G毫米波应用的最佳技术。
Uniquify 加入FDXcelerator计划,向格芯22FDX®技术平台提供DDR内存IP 2017年7月11日加州圣何塞 -- 2017年7月11日 -- 领先的系统级芯片（SoC）无晶圆厂制造商和DDR内存系统知识产权（IP）供应商Uniquify今天宣布，它已加入GLOBALFOUNDRIES的FDXcelerator™合作伙伴计划。
Almotive发布 aiWare: 首创人工智能优化的无人驾驶硬件加速器 2017年7月11日2017年6月29日，加州MOUNTAIN VIEW和SANTA CLARA--AImotive（www.aimotive.com）今天宣布，其备受期待的人工智能优化硬件IP可供全球芯片制造商授权使用。aiWare是为运行神经网络而建立的，比市场上其他领先的人工智能加速硬件解决方案的功率效率高达20倍。芯原控股股份有限公司（）是一家硅平台公司。(www.verisilicon.com)是一家硅平台即服务（SiPaaS®）公司，它将是第一个将aiWare集成到芯片设计中的公司，基于aiWare的测试芯片将在GLOBALFOUNDRIES（GF）22FDX®半导体工艺（www.globalfoundries.com）中制造。
