GLOBALFOUNDRIES demonstriert 2,5D-Speicherlösung mit hoher Bandbreite für Rechenzentren, Netzwerke und Cloud-Anwendungen August 10, 2017Die Lösung nutzt das 2,5D-Packaging mit einem Speicher-PHY mit niedriger Latenz und hoher Bandbreite, der auf dem FX-14™ ASIC-Designsystem basiert Santa Clara, Kalifornien, 9. August 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass das Unternehmen die Siliziumfunktionalität einer 2,5D-Packaging-Lösung für sein hochleistungsfähiges 14-nm-FinFET-FX-14™-Designsystem für anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASICs) demonstriert hat. Die 2,5D-ASIC-Lösung umfasst eine Stitched-Interposer-Fähigkeit zur Überwindung lithografischer Beschränkungen und einen Multi-Lane-HBM2-PHY mit zwei Terabit pro Sekunde (2Tbps), der in Zusammenarbeit mit Rambus, Inc. entwickelt wurde. Aufbauend auf der 14-nm-FinFET-Demonstration wird die Lösung in das FX-7™ ASIC-Designsystem der nächsten Generation integriert, das auf der 7-nm-FinFET-Prozesstechnologie von GF basiert. "Mit den enormen Fortschritten in der Verbindungs- und Gehäusetechnologie der letzten Jahre ist die Grenze zwischen Wafer-Verarbeitung und Gehäuse verschwommen", sagt Kevin O'Buckley, Vice President ASIC Product Development bei GF. "Die Integration von 2,5D-Packaging in das ASIC-Design steigert die Leistung über die Skalierung hinaus und ist eine natürliche Weiterentwicklung unserer Fähigkeiten. Damit können wir unsere Kunden aus einer Hand unterstützen, vom Produktdesign bis hin zur Fertigung und Prüfung." Der Rambus-Speicher-PHY ist für High-End-Netzwerk- und Rechenzentrumsanwendungen gedacht, die die datenintensivsten Aufgaben in Systemen mit niedriger Latenz und hoher Bandbreite ausführen. Der PHY entspricht dem JEDEC JESD235 HBM2-Standard und unterstützt Datenraten von bis zu 2 Gbps pro Datenpin, was eine Gesamtbandbreite von 2Tbps ermöglicht. "Wir sind bestrebt, umfassende HBM-PHY-Technologien zu liefern, die es Anbietern von Rechenzentrums- und Netzwerklösungen ermöglichen, die anspruchsvollsten Arbeitslasten von heute zu bewältigen und überzeugende Marktchancen zu nutzen", sagte Luc Seraphin, Senior Vice President und General Manager, Memory and Interfaces Division bei Rambus. "Unsere Zusammenarbeit mit GF kombiniert unseren HBM2-PHY mit dem 2,5D-Gehäuse und dem FX-14-ASIC-Designsystem des Unternehmens und bietet eine vollständig integrierte Lösung für die am schnellsten wachsenden Anwendungen der Branche." FX-14 und FX-7 sind komplette ASIC-Designlösungen, die von der Erfahrung von GF in der Volumenproduktion mit FinFET-Prozesstechnologie profitieren. Sie umfassen funktionale Module, die auf dem branchenweit breitesten und tiefsten Portfolio an geistigem Eigentum (IP) basieren, das einzigartige Lösungen für drahtgebundene/5G-Wireless-Netzwerke der nächsten Generation, Cloud-/Datencenter-Server, maschinelles Lernen/tiefe neuronale Netze, Automobil- sowie Luft- und Raumfahrt-/Verteidigungsanwendungen ermöglicht. GF ist eines von nur zwei Unternehmen weltweit, das erstklassiges IP sowie fortschrittliche Speicher- und Verpackungslösungen anbietet. Über GF: GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-4250[email protected]
格芯携手Silicon Mobility,打造业内首款汽车FPCU, 进一步推进混合动力与电动力车辆性能 August 3, 2017Silicon Mobility通过格芯的 55nm LPx平台, 配备 SST高可靠性 SuperFlash®内存技术, 增强了汽车性能、能源效率与安全等级 加州圣克拉拉，2017年8月3日 – 格芯与Silicon Mobility在今天宣布已成功制造出业内第一款汽车可编程场控制器单元 (FPCU)设计方案, 并将其命名为 OLEA® T222。FPCU 使用了格芯的55nm低功耗拓展 (55LPx) 技术平台, 此平台通过了汽车等级验证, 包括了硅存储技术 (SST) SuperFlash® 内存技术, 在单芯片内集成了多个功能, 增强了混合动力和电动力车的性能。 Silicon Mobility 的 OLEA® T222让汽车自动化处理能力更加强力，通过在控制处理器结构中嵌入灵活逻辑单元 (FLU), 带来了高达40倍的处理加速和更好的实时控制能力。通过FLU的加速能力， OLEA® T222 提高了节能控制的质量，劲儿提高了安全性，并且在超快安全应用上满足了ASIL-D级标准。此外，汽车制造商可以增强DC/DC 和AC/DC控制的能源效率, 提高电池使用范围, 耐用性和电动机的充电速度。 “电动机、功率转换器和电池充电器的效率是混合和电动力汽车控制系统的关键因素,” Silicon Mobility 运营部副部长Vincent Cruvellier说道。 “格芯的 55LPx 平台配备了快速和低功耗的逻辑和汽车1级认证，结合了SST的高可靠性 SuperFlash 内存技术，让我们可以在一块芯片上集成多种功能，打造出OLEA® T222 产品。格芯是全球性的专业汽车类市场代工厂，我们与格芯的合作使客户确保获得最高的产品质量、最高的可靠性和对于制造汽车类产品的支持。” 格芯的 55nm LPx可用于射频，经汽车等级验证的平台提供了通向生产的快速方案，其中包括了硅验证的射频IP以及SST的高度可靠SuperFlash内存，主要特点有： · 超快读取速度(<10ns) · 比特单元小尺寸 · 超强数据维持能力 (> 20 years) · 超强耐久力 (> 200K cycles) · 完全通过汽车1级认证 (AEC-Q100) “我们的平台结合了 Silicon Mobility的设计，提供55nm的高度集成的汽车自动化设计, 推出了业内第一款FPCU,” 格芯嵌入式内存部副部长 David Eggleston说道， “这是格芯55LPx平台受到广大市场欢迎的又一例证，特别是对于汽车应用这种对可靠性要求极高的市场。” 格芯的55LPx eFlash 平台正在新加坡300mm产品线进行批量生产。无论是对于穿戴式设备还是汽车的微控制器单元,55LPx eFlash平台是大量产品的最高成本效率方案。 设计工具包现已可用。用户已可使用该工具包对芯片设计进行优化，开发独特的SuperFlash方案，满足成本性能要求，低功耗和极限环境中的高可靠性。 了解更多关于格芯主流CMOS设计方案的信息，请与格芯销售代表联系或登录网址www.globalfoundries.com 关于Silicon Mobility: Silicon Mobility是更环保、更安全更智能移动应用的技术领先者。该公司设计开发并销售灵活、实时、安全而开房的半导体方案，供应追求能源效率、减少污染排放、保证乘客安全的汽车行业。 Silicon Mobility的产品控制电动机、电池和能源管理系统，应用于混合动力和电动力车辆。使用Silicon Mobility 的技术，制造商可以提高效率，减小尺寸、重量和电动机的成本，增加电池的使用范围和耐用性。Silicon Mobility的技术和产品加速了汽车动力系统的电子化，也推动了OEM无人车的开发。Silicon Mobility总部位于法国索菲亚科技园。了解更多详情请登录www.silicon-mobility.com 关于格芯 格芯是提供设计开发和制造间独特组合的领先全方面服务代工厂，为全世界的先进技术公司提供服务。格芯铸造厂遍布全球三大洲，提供了改造行业的能力，为客户带来重塑市场的能力。格芯隶属Mubadala发展公司。了解更多详情，请登录网址https://www.globalfoundries.com 联系方式: Erica McGill 格芯 (518) 795-5240 [email protected] David Fresneau Silicon Mobility +33 (0)487 791 020 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES und Silicon Mobility liefern die branchenweit erste Automobil-FPCU zur Leistungssteigerung von Hybrid- und Elektrofahrzeugen August 3, 2017Die 55nm LPx-fähige Plattform von Silicon Mobility und GF mit der hochzuverlässigen SuperFlash®-Speichertechnologie von SST steigert die Leistung, Energieeffizienz und Sicherheit im Automobilbereich Santa Clara, Kalifornien, 3. August 2017 - GLOBALFOUNDRIES und Silicon Mobility haben heute bekannt gegeben, dass sie die branchenweit erste Field Programmable Controller Unit (FPCU) Lösung für den Automobilbereich mit dem Namen OLEA® T222 erfolgreich produziert haben. Die FPCU-Lösung nutzt die 55nm Low Power Extended (55LPx) Automotive-qualifizierte Technologieplattform von GF, die die SuperFlash®-Speichertechnologie von Silicon Storage Technology (SST) umfasst, um mehrere Funktionen auf einem einzigen Chip zu integrieren und die Leistung für Hybrid- und Elektrofahrzeuge zu steigern. Der OLEA® T222 von Silicon Mobility ermöglicht eine vollständig deterministische Verarbeitung im Automobil durch die Einbettung einer flexiblen Logikeinheit (FLU) mit bis zu 40-facher Beschleunigung in die Steuerprozessorarchitektur, um die Verarbeitung und Steuerung von Echtzeitereignissen zu beschleunigen. Mit der FLU-Beschleunigung erhöht OLEA® T222 die Qualität der Energieumwandlungssteuerungen, um die Sicherheit zu erhöhen und ASIL-D für ultraschnelle Sicherheitsanwendungen zu erreichen. Darüber hinaus können Automobilhersteller die Energieeffizienz von DC/DC- und AC/DC-Steuerungen verbessern sowie die Batteriereichweite, Lebensdauer und Ladegeschwindigkeit von Elektromotoren erhöhen. "Die Effizienz von Elektromotoren, Stromrichtern und Batterieladegeräten sind Schlüsselfaktoren für Steuersysteme von Hybrid- und Elektrofahrzeugen", so Vincent Cruvellier, Vice President of Operation bei Silicon Mobility. "Die 55LPx-Plattform von GF mit ihrer schnellen, stromsparenden Logik und Automotive-Grade-1-Qualifizierung in Kombination mit der hochzuverlässigen SuperFlash-Speichertechnologie von SST hat es uns ermöglicht, mehrere Funktionen in einen einzigen Chip zu integrieren und das Produkt OLEA® T222 zu entwickeln. Unsere Zusammenarbeit mit GF, einem globalen Unternehmen ( foundry ), das sich dem Automobilmarkt verschrieben hat, trägt dazu bei, unseren Kunden höchste Qualität, Zuverlässigkeit und Unterstützung bei der Herstellung unserer Automobilprodukte zu bieten." Die 55-nm-LPx-Plattform von GF, die RF-fähig und für den Einsatz im Automobilbereich qualifiziert ist, bietet eine schnelle Produktlösung, die RF-IP auf Siliziumbasis sowie die hochzuverlässige SuperFlash-Speichertechnologie von SST umfasst: Very fast read speed (<10ns) Kleine Bit-Zellengröße Hervorragende Datenaufbewahrung (> 20 Jahre) Hervorragende Ausdauer (> 200K Zyklen) Vollständige Qualifizierung für Auto Grade 1 Betrieb (AEC-Q100) "Unsere Plattform in Kombination mit dem Design von Silicon Mobility hat eine hochintegrierte Lösung für den Automobilbereich in 55nm geliefert, die die erste FPCU in der Branche darstellt", so David Eggleston, Vice President Embedded Memory bei GF. "Dies ist ein weiteres Beispiel dafür, dass sich die 55LPx-Plattform von GF zur bevorzugten Wahl für ein breites Spektrum von Märkten entwickelt, darunter auch für Automobilanwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit in extremen Umgebungen erfordern". Die 55LPx eFlash-Plattform von GF wird in der 300-mm-Produktionslinie von foundryin Singapur in Serie gefertigt. Die 55LPx eFlash-Plattform ist eine kosteneffiziente Lösung für eine breite Palette von Produkten, die von tragbaren Geräten bis hin zu MCUs für die Automobilindustrie reichen. Prozessdesign-Kits sind ab sofort erhältlich. Kunden können damit beginnen, ihre Chipdesigns zu optimieren, um differenzierte SuperFlash-fähige Lösungen zu entwickeln, die kosteneffiziente Leistung, geringen Stromverbrauch und überlegene Zuverlässigkeit in extremen Umgebungen erfordern. Weitere Informationen zu den Mainstream-CMOS-Lösungen von GF erhalten Sie von Ihrem GF-Vertriebsmitarbeiter oder unter www.globalfoundries.com. Über Silicon Mobility: Silicon Mobility ist ein Technologieführer für eine sauberere, sicherere und intelligentere Mobilität. Das Unternehmen entwirft, entwickelt und vertreibt flexible, sichere und offene Echtzeit-Halbleiterlösungen für die Automobilindustrie, die zur Steigerung der Energieeffizienz und zur Reduzierung von Schadstoffemissionen eingesetzt werden und gleichzeitig die Sicherheit der Fahrgäste gewährleisten. Die Produkte von Silicon Mobility steuern Elektromotoren, Batterien und Energiemanagementsysteme von Hybrid- und Elektrofahrzeugen. Durch den Einsatz der Technologien von Silicon Mobility können die Hersteller die Effizienz verbessern, die Größe, das Gewicht und die Kosten von Elektromotoren reduzieren und die Reichweite und Haltbarkeit der Batterien erhöhen. Die Technologien und Produkte von Silicon Mobility beschleunigen die Elektrifizierung des Antriebsstrangs und den Einsatz von fahrerlosen Fahrzeugen für OEMs. Der Hauptsitz von Silicon Mobility befindet sich in Sophia-Antipolis, Frankreich. Weitere Informationen finden Sie unter: www.silicon-mobility.com Über GF GF ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GF die Technologien und Systeme, die die Industrie verändern und den Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected] David FresneauSilicon Mobility+33 (0)487 791 020[email protected]
Halbleiter an der Schwelle zu einer goldenen Ära August 1, 2017von: Gary Dagastine Seit der Erfindung des Transistors haben atemberaubende Fortschritte in der Halbleitertechnologie die Entwicklung der Computer- und Kommunikationstechnik vorangetrieben - von zentralisierten Großrechnern und Minicomputern über vernetzte PCs bis hin zu hochentwickelten mobilen Geräten, die sich jederzeit und überall mit Netzen verbinden können. Doch so beeindruckend diese Errungenschaften auch sind, sie stellen nur den Anfang der Beiträge dar, die Halbleiter für die Gesellschaft leisten werden. Ihr wirklicher Einfluss steht noch bevor, denn während es weltweit bereits Milliarden von Geräten mit Internetanschluss gibt, wird in den nächsten Jahren eine noch viel größere Anzahl von Geräten für Anwendungen wie autonome Fahrzeuge, das Internet der Dinge (IoT) und viele andere weltweit verbunden sein. Sie werden eine umfangreiche Infrastruktur benötigen, um alle anfallenden Daten zu verbinden, zu übertragen, zu verarbeiten, zu verarbeiten und zu speichern. Der Aufbau einer Infrastruktur, die eine solche "vernetzte Intelligenz" ermöglicht, ist eine gewaltige Aufgabe, für die so viele Halbleiter benötigt werden, die auf so viele Technologien angewiesen sind, dass man mit Fug und Recht sagen kann, dass für die Branche ein goldenes Zeitalter anbricht. Diese Sichtweise vertraten kürzlich der CEO von GLOBALFOUNDRIES , Sanjay Jha, und der Senior Vice President und General Manager von Fab 8 , Tom Caulfield, in ihren Keynote-Vorträgen auf dem Mobile World Congress Shanghai bzw. der SEMICON West. Ihre Vorträge konzentrierten sich darauf, diese neue Ära der vernetzten Intelligenz zu beschreiben, wie sie die Anforderungen und Bedingungen für den Erfolg im Segment foundry verändert und wie GF dies möglich macht. Jha sprach darüber, wie die Datenexplosion zu einer vernetzten, intelligenten Beziehung zwischen Rechenzentren, Netzwerken und Client-Geräten (z. B. Smartphones, IoT-Geräte usw.) führt. Er beschrieb, wie GF eine führende Position einnimmt, um dies zu ermöglichen, sowohl im Hinblick auf die Spitzentechnologien von GF als auch auf die Geschäftsstrategien des Unternehmens, wie z. B. den Bau einer neuen 300-mm-Fabrik in Chengdu, China, für 22FDX®-basierte Produkte. "Die letzten 10 Jahre in dieser Branche waren wahrscheinlich die umwälzendsten in unserem Leben", sagte er. "Ein Beispiel ist, dass unsere Telefone zu einer Erweiterung unseres Verstandes geworden sind. Ein weiteres Beispiel aus sozialer Sicht ist die Tatsache, dass Facebook heute fast 2 Milliarden monatliche Nutzer hat. Wenn man bedenkt, dass es in China etwa 1,4 Milliarden Menschen gibt, ist die Facebook-Gemeinschaft jetzt größer als jede andere. Auf dem MWC Shanghai war CEO Sanjay Jha Hauptredner und Teil einer Podiumsdiskussion zum Thema "Industry & The Human Element". "Ich glaube, dass die nächsten 10 Jahre eine goldene Ära für das foundry Geschäft sein werden", sagte er. "Branchenschätzungen gehen davon aus, dass wir bis 2025 163 Zettabytes an Daten nutzen werden (ein Zettabyte = 250 Milliarden DVDs). Wir sammeln, transportieren und analysieren all diese Informationen - sowohl in den Endgeräten, um Entscheidungen in Echtzeit zu treffen, als auch im Rechenzentrum, um längerfristige Erkenntnisse zu gewinnen. Halbleiter sind die Grundlagentechnologie". Jha ist davon überzeugt, dass dieser Wandel die Bedingungen für den Erfolg in der Halbleiterindustrie verändert - sowohl in Bezug auf die Technologien als auch auf die Kundenbindungsmodelle. In Bezug auf die Technologien beschrieb er, dass die duale Roadmap von GF mit der FDX™-Technologie für batteriebetriebene Geräte und der FinFET-Technologie für Hochleistungsprozessoren in Rechenzentren und High-End-Computing-Geräten einzigartig ist und es dem Unternehmen ermöglicht, die richtige Technologie für die richtige Anwendung zu finden. In Verbindung mit der führenden Position des Unternehmens im HF-Bereich, den neuen Silizium-Photonik-Technologien für die Konnektivität und den differenzierten ASIC- und Analog-/Stromversorgungs-Technologien befindet sich GF in einer einzigartigen Position, um in den kommenden Jahren Fortschritte in der gesamten Bandbreite neuer Anwendungen zu erzielen. In Bezug auf Engagementmodelle führte Jha China als Beispiel an: "Das Land bewegt sich von einer 'Made in China'-Stufe der Industrie zu einer 'Innovated in China'-Position, und unsere Fabrik in Chengdu ist eine strategische, langfristige Joint-Venture-Partnerschaft mit der Regierung von Chengdu, die in diesem Sinne konzipiert ist. Sie wird für unsere IoT- und 5G-Technologien von zentraler Bedeutung sein, und nach ihrer Fertigstellung wird sie mit einer Gebäudelänge von einem halben Kilometer die größte Fab in China sein." Klicken Sie hier, um die Präsentation von Sanjay Jha zu sehen. Auf der SEMICON West sagte Caulfield, dass die Branche seit den berühmten Beobachtungen von Gordon Moore, die als Moore's Law bekannt sind, vor etwa 50 Jahren die Weichen für das Kommende gestellt hat. Wir haben Produkte hergestellt, die intelligent sind, und das ist großartig, aber jetzt werden wir "intelligent" nehmen und etwas Besonderes damit machen. Wir bewegen uns über ein Internet der intelligenten Dinge hinaus, hin zu einem Rahmen der 'vernetzten Intelligenz', dessen Funktionsweise und Fähigkeiten in vielerlei Hinsicht die Arbeitsweise des Geistes nachahmen." Tom Caulfield, SVP & GM von Fab 8, war einer der Hauptredner und Teil der Eröffnungszeremonie der SEMICON West 2017 Caulfield wies darauf hin, dass der Motor dieser Entwicklung die Halbleiterinnovation ist, dass aber die Branche anders arbeiten muss, um den vom Mooreschen Gesetz vorhergesagten technologischen Fortschritt zu erreichen, weil die Dinge so komplex und verflochten geworden sind. Skalierung ist immer noch wichtig, aber Skalierung allein ist keine effektive Strategie mehr. "Nach 50 Jahren liegt das Spiel noch vor uns. Wir müssen Innovation neu definieren, anders zusammenarbeiten und unser Verhalten ändern, um die notwendigen Innovationen in den Bereichen Datenanalyse, Bandbreite, Speicherdichte und Energiemanagement voranzutreiben", sagte er. Er verwies auf die duale Technologie-Roadmap von GF als Beispiel für die Neudefinition von Innovation, wobei FinFETs einen Weg in die Zukunft für High-Performance-Computing und FDX einen anderen Weg in die Zukunft für drahtlose, batteriebetriebene Geräte darstellen. Im Hinblick auf eine andere Art der Zusammenarbeit stellte Caulfield fest, dass mit der Entwicklung der Welt und der wachsenden und komplexer gewordenen Industrie die alten Methoden der Geschäftsabwicklung nicht mehr ausreichen. Eine Strategie der Zusammenarbeit müsse heute auf drei Elementen aufbauen: strategische Partnerschaften mit wichtigen Zulieferern, "Ko-Wettbewerb" mit Branchenkonkurrenten, d. h. Zusammenarbeit mit ihnen in einigen Bereichen und Wettbewerb mit ihnen in anderen, und öffentlich-private Partnerschaften. Er führte die Albany Nanotech-Forschungseinrichtung als Beispiel für die Vorteile der Zusammenarbeit an: "Für die Industrie kompensiert dies unsere kollektiven Kosten für die Entwicklung von Spitzentechnologie und ermöglicht es uns, Schlüsseltechnologien auf virtueller Basis zu entwickeln." In Bezug auf das Engagementverhalten sagte er: "Die Branche ist inzwischen so komplex, dass wir einen Punkt erreicht haben, an dem es schwierig ist, in einem Projektteam zu erkennen, wer der Anbieter und wer der Kunde ist. Sicher, jeder hat einen Chef, aber sie engagieren sich wirklich für das Projekt." Das ist nur ein Beispiel dafür, wie sich das Engagementverhalten entwickeln muss, so Caulfield. "Der Austausch von Ideen in globalen Teams, interdisziplinäres Arbeiten und die Förderung einer Vielfalt von Ideen sind für die technische Innovation in der heutigen Welt absolut unerlässlich", sagte er. Klicken Sie hier, um die Präsentation von Tom Caulfield anzusehen. Über den Autor Gary Dagastine Gary Dagastine ist Autor, der über die Halbleiterindustrie für EE Times, Electronics Weekly und viele spezialisierte Medien berichtet hat. Er ist mitwirkender Redakteur der Zeitschrift Nanochip Fab Solutions und Direktor für Medienbeziehungen für das IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), die weltweit einflussreichste Technologiekonferenz für Halbleiter. Er begann seine Laufbahn in der Branche bei General Electric Co., wo er die Kommunikationsabteilung von GE in den Bereichen Stromversorgung, Analogtechnik und kundenspezifische ICs unterstützte. Gary ist ein Absolvent des Union College in Schenectady, New York,
格芯与芯原联袂实现适合次世代物联网的单芯片解决方案 July 13, 2017采用格芯的22FDX® 技术的集成解决方案将减少NB-IoT及LTE-M应用的功耗、面积及成本 美国加利福尼亚圣克拉拉，及中国上海（2017年7月13日）——今日，格芯（GLOBALFOUNDRIES，原名格罗方德）与芯原微电子（VeriSilicon）共同宣布，将携手为下一代低功耗广域网（LPWA）推出业界首款单芯片物联网解决方案。双方计划采用格芯的22FDX® FD-SOI 技术开发可支持完整蜂巢式调制解调器模块的单芯片专利，包括集成基带、电源管理、射频以及结合窄带物联网（NB-IoT）与LTE-M 功能的前端模块。相较于现有产品，该全新方案可望大幅改善功耗、面积及成本。 随着智慧城市、家居与工业应用中互联设备的数量日益增加，网络供应商也着手开发全新的通讯协议，以期更加符合新兴物联网标准的需求。LPWA 技术利用现有的LTE频谱及移动通信基础设施，但更着重于为例如联网水表和煤气表等传输少量低频数据的设备提供超低功耗、扩大传输范围以及降低数据传输率。 两大领先的LPWA连接标准包括在美国前景看好的LTE-M，以及逐渐在欧洲、亚洲取得一席之地的NB-IoT。举例而言，中国政府已将NB-IoT定为明年全国部署的对象。根据美国市场研究公司 ABI Research 的研究，该两大技术的结合将推动蜂窝M2M模块的出货量到2021年可能逼近5亿。 格芯与芯原微电子目前已着手开发IP套件，以双模运营商等级的基调制解调器带搭配集成的射频前端模组，旨在让客户开发出成本及功耗优化的单芯片解决方案，以供全球部署。该款设计将采用格芯的22FDX工艺，运用22nm FD-SOI技术平台为物联网应用提供成本优化的微缩能力并降低功耗。22FDX是唯一能够以单芯片高效整合射频、收发器、基带、处理器和电源管理元件的技术。相较于现有的40nm技术，这款集成方案预计在功耗和裸片尺寸方面，将达到80%以上的提升。 格芯产品管理高级副总裁Alain Mutricy表示：“低功耗、电池供电的物联网设备正处于爆发性增长态势，22FDX技术完美契合了其需求。对中国市场带来的机会，我们尤为兴奋。中国正以领先姿态在全国范围大力发展物联网与智慧城市。芯原微电子是我们重要的合作伙伴，他们协助我们在成都建设以全新300mm晶圆厂为中心的FD-SOI生态系统。此次新的合作计划也将进一步深化我们的长期合作关系。” 芯原股份有限公司创始人、董事长兼总裁戴伟民表示：“自五年前开始，作为芯片平台即服务 (SiPaaS) 的设计代工公司，芯原即开始开发 FD-SOIIP，并基于FD-SOI 技术一次流片成功了多款芯片产品。就物联网应用而言，除了成本优势之外，集成式射频、体偏压以及嵌入式内存如MRAM，都是28mm CMOS 工艺节点往后，FD-SOI 技术所具备的重要优势。在格芯22FDX上集成射频与功率放大器后，基带和协议栈可在高能效且可编程的ZSPnano 上得以实现，ZSPnano 专为控制和具有低延迟的数据流、单周期指令的信号处理而优化。格芯位于成都的全新FDX 300 mm 晶圆厂，以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M单芯片解决方案等 IP 平台，都将对中国的物联网和 AIoT(物联人工智能) 产业带来重大的影响。” 格芯与芯原微电子预计将于2017年第四季度对基于此集成方案的测试芯片进行流片，并完成验证。双方计划于2018年年中获得运营商许可。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉发展公司（Mubadala Development Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 关于芯原微电子 芯原股份有限公司（芯原）是一家芯片设计平台即服务（Silicon Platform as a Service，SiPaaS®）提供商，为包含移动互联设备、数据中心、物联网(IoT)、汽车、工业和医疗设备在内的广泛终端市场提供全面的系统级芯片(SoC)和系统级封装(SiP)解决方案。芯原的机器学习和人工智能技术已经全面布局智慧设备的未来发展。基于SiPaaS服务理念，芯原助力客户在设计和研发阶段领先一步，从而专注于差异化等核心竞争优势。芯原一站式端到端的解决方案则能够在短时间内打造出从定义到测试封装完成的半导体产品。宽泛灵活的SiPaaS解决方案为包含新兴和成熟半导体厂商、原始设备制造商（OEMs）、原始设计制造商 （ODMs），以及大型互联网和云平台提供商在内的各种客户提供高效经济的半导体产品替代解决方案。芯原的从摄像头输入到显示/视频输出的像素处理平台由高保真 ISP，支持机器学习加速的嵌入式视觉图像处理器（VIP），Vivante®低功耗GPU和高性能GPGPU，Hantro™ 极清视频编解码器，以及支持多种接口标准的显示控制器组成，以上产品可无缝协同工作以提供最优的PPA（性能、功耗和面积）。此外，基于芯原ZSP®（数字信号处理器核）技术的高清音频/语音平台和支持低功耗蓝牙（BLE）、Wi-Fi、NB-IoT和5G技术的多频多模无线基带平台为极低功耗和极高性能应用提供了可伸缩的架构。芯原增值的混合信号IP组合则可打造支持语音、手势和触摸界面的高能效自然用户界面(NUI)平台。芯原成立于2001年，总部位于中国上海，目前在全球已有超过600名员工。芯原在全球共设有5个设计研发中心和9个销售和客户支持办事处。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 石燕 （Sherry Shi） 86 15900477699 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES und VeriSilicon ermöglichen Single-Chip-Lösung für IoT-Netzwerke der nächsten Generation Juli 13, 2017Integrierte Lösung nutzt die 22FDX®-Technologievon GF zur Reduzierung von Stromverbrauch, Fläche und Kosten für NB-IoT- und LTE-M-Anwendungen Santa Clara, Kalifornien und Shanghai, China, 13. Juli 2017 - GLOBALFOUNDRIESund VeriSilicon gaben heute eine Zusammenarbeit bekannt, um die branchenweit erste Single-Chip-IoT-Lösung für Low Power Wide Area (LPWA)-Netzwerke der nächsten Generation zu entwickeln. Auf Basis der 22FDX® FD-SOI-Technologie von GF wollen die Unternehmen geistiges Eigentum entwickeln, das ein komplettes Mobilfunkmodem-Modul auf einem einzigen Chip ermöglicht, einschließlich integriertem Basisband, Power Management, RF-Funk und Front-End-Modul, das sowohl Narrowband IoT (NB-IoT) als auch LTE-M-Fähigkeiten kombiniert. Es wird erwartet, dass der neue Ansatz im Vergleich zu aktuellen Angeboten erhebliche Verbesserungen bei Leistung, Fläche und Kosten bringt. Mit der zunehmenden Verbreitung von vernetzten Geräten für intelligente Städte, Haushalte und industrielle Anwendungen entwickeln die Netzbetreiber neue Kommunikationsprotokolle, die den Anforderungen der neuen IoT-Standards besser entsprechen. Die LPWA-Technologie nutzt das vorhandene LTE-Spektrum und die Mobilfunkinfrastruktur, konzentriert sich aber auf die Bereitstellung eines extrem niedrigen Stromverbrauchs, einer erweiterten Reichweite und viel niedrigerer Datenraten für Geräte, die kleine Mengen seltener Daten übertragen, wie beispielsweise angeschlossene Wasser- und Gaszähler. Die beiden führenden LPWA-Konnektivitätsstandards sind LTE-M, von dem erwartet wird, dass er sich auf dem US-Markt durchsetzen wird, und NB-IoT, das in Europa und Asien auf dem Vormarsch ist. Die chinesische Regierung hat beispielsweise NB-IoT für eine landesweite Einführung im kommenden Jahr vorgesehen. Laut ABI Research wird die Kombination dieser beiden Technologien den Absatz von zellularen M2M-Modulen bis 2021 auf fast eine halbe Milliarde erhöhen. GF und VeriSilicon entwickeln eine IP-Suite, mit der Kunden kosten- und energieoptimierte Single-Chip-Lösungen für den weltweiten Einsatz entwickeln können, die auf einem Dual-Mode-Carrier-Grade-Basisband-Modem mit integriertem RF-Frontend-Modul basieren. Das Design wird mit dem 22FDX-Prozess von GF gefertigt, der eine 22-nm-FD-SOI-Technologieplattform nutzt, um eine kostengünstige Skalierung und Leistungsreduzierung für IoT-Anwendungen zu ermöglichen. 22FDX ist die einzige Technologie, die eine effiziente Single-Chip-Integration von RF-, Transceiver-, Basisband-, Prozessor- und Power-Management-Komponenten ermöglicht. Es wird erwartet, dass diese Integration im Vergleich zu den heutigen 40-nm-Technologien zu einer 80-prozentigen Verbesserung bei Stromverbrauch und Chipgröße führen wird. "Unsere 22FDX-Technologie ist perfekt positioniert, um das explosive Wachstum von batteriebetriebenen IoT-Geräten mit geringem Stromverbrauch zu unterstützen", sagte Alain Mutricy, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Wir freuen uns besonders über die Möglichkeiten, die der chinesische Markt bietet, der mit seinem landesweiten Engagement für IoT und intelligente Städte eine Vorreiterrolle einnimmt. Diese neue Initiative baut auf unserer langjährigen Beziehung zu VeriSilic auf - ein wichtiger Partner, der uns beim Aufbau eines FD-SOI-Ökosystems rund um unsere neue 300mm-Fabrik in Chengdu unterstützt." "Als Silicon Platform as a Service (SiPaaS)-Unternehmen, das vor mehr als fünf Jahren gegründet wurde, hat VeriSilicon FD-SOI-IPs entwickelt und erste Siliziumerfolge bei vielen Chips auf Basis von FD-SOI-Technologien erzielt. Für IoT-Anwendungen sind neben den Kostenvorteilen integrierte RF, Body Bias und eingebettete Speicher wie MRAM die Hauptvorteile von FD-SOI-Technologien jenseits von 28 nm Bulk-CMOS", so Wayne Dai, Chairman, President und CEO von VeriSilicon. "Integriert mit RF und PA auf GF 22FDX, werden das Basisband und der Protokollstack auf unserem energieeffizienten und programmierbaren ZSPnano implementiert, der für die Steuerung und den Datenfluss mit leistungsstarken Einzelzyklusbefehlen mit geringer Latenz für die Signalverarbeitung optimiert ist. Die neue 300-mm-Fertigung von GF für FDX in Chengdu und IP-Plattformen wie diese Single-Chip-Lösung für integriertes NB-IoT und LTE-M werden einen bedeutenden Einfluss auf die chinesische IoT- und AIoT-Industrie (AI of Things) haben." GF und VeriSilicon werden voraussichtlich im vierten Quartal 2017 einen Testchip auf Basis der integrierten Lösung mit einer Silizium-Validierung auf den Markt bringen. Die Unternehmen planen, Mitte 2018 die Trägerzertifizierung anzustreben. Über GF: GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Über VeriSilicon VeriSilicon Holdings Co., Ltd. (VeriSilicon) ist ein Silicon Platform as a Service (SiPaaS®)-Unternehmen, das umfassende System on a Chip (SoC)- und System in a Package (SiP)-Lösungen für eine Vielzahl von Endmärkten anbietet, darunter mobile Internetgeräte, Rechenzentren, das Internet der Dinge (IoT), Automobil-, Industrie- und Medizinelektronik. Unsere Technologien für maschinelles Lernen und künstliche Intelligenz sind gut positioniert, um die Entwicklung hin zu "intelligenten" Geräten anzugehen. SiPaaS verschafft unseren Kunden einen beträchtlichen Vorsprung im Halbleiterdesign- und -entwicklungsprozess und ermöglicht es ihnen, sich auf ihre Kernkompetenzen mit differenzierenden Merkmalen zu konzentrieren. Unsere schlüsselfertigen End-to-End-Halbleiterdienste können ein Design in Rekordzeit vom Konzept zu einem fertigen, getesteten und verpackten Halbleiterchip führen. Der Umfang und die Flexibilität unserer SiPaaS-Lösungen machen sie zu leistungsfähigen und kosteneffizienten Alternativen für eine Vielzahl von Kundentypen, darunter aufstrebende und etablierte Halbleiterunternehmen, Original Equipment Manufacturers (OEMs), Original Design Manufacturers (ODMs) und große Internet-/Cloud-Plattform-Unternehmen. Die Pixelverarbeitungsplattform von VeriSilicon für Kamera, Display und Video umfasst einen High-Fidelity-ISP, einen eingebetteten Vision Image Processor (VIP) mit Beschleunigung des maschinellen Lernens, eine stromsparende Vivante®-GPU und eine leistungsstarke GPGPU, einen ultrahochauflösenden Hantro®-Videocodec und einen reichhaltig ausgestatteten Display-Controller, die nahtlos zusammenarbeiten, um die beste PPA (Performance, Power, Area) zu erzielen. Darüber hinaus bieten die auf unseren ZSP®-Technologien (digitaler Signalprozessor) basierenden HD-Audio-/Voice-Plattformen und Multiband-/Multimode-Wireless-Basisband-Plattformen, einschließlich BLE, Wi-Fi, NB-IoT und 5G, skalierbare Architekturen für Anwendungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch und extrem hoher Leistung. Unser wertschöpfendes IP-Portfolio für gemischte Signale ermöglicht energieeffiziente Natural User Interface (NUI)-Plattformen für Sprache, Gesten und Berührung. VeriSilicon wurde 2001 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Shanghai, China. Das Unternehmen beschäftigt über 600 Mitarbeiter in fünf Forschungs- und Entwicklungszentren und neun Vertriebsbüros weltweit. Kontakte: Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected] Miya KongVeriSilicon+86 21 51311118[email protected]
22FDX 技术获得主流接受和热烈欢迎 July 13, 2017作者: Gary Dagastine 世界首创2Xnm用于GP-MCU的嵌入式MRAM, 以及5G应用毫米波能力的简介,引起了强烈关注 22FDX® 技术在近来的两大主流国际论坛的亮相引起了波澜,昭示着在如今快速增长的半导体市场,消费者们又出现了新的选择和平台。 在位于日本京都举办的VLSI技术座谈会上, 约500人出席了格芯员工Danny Shum的演讲,他描述了22FDX制造是如何在嵌入式STT-MRAM非易失性内存 (eMRAM)上取得突破进展的。实际上出席的听众在他的演讲结束后对他不断提出了深刻的问题，在耗尽了5分钟问答环节的所有时间后，听众们仍持续发问，占用了下一环节前20分钟的所有休息时间。这些问题中有的包含了关于具体技术的细节,如材料堆叠、制程技术、测试结果及测试工具；问题同样包含了更广大的领域，例如产品规划路线、商业策略、合作商机和PDK的可用性。 观众所体现出的强烈兴趣来自于eMRAM技术极有可能在代码存储以及工作内存上替代eFLASH 非易失性内存,满足需求量极大的一般用途微控制器和物联网设备。格芯以及合作伙伴 Everspin技术, 展现了在高可靠性要求的严苛环境，例如汽车SoC等应用中，eMRAM的能力。 完整的VLSI文章, CMOS嵌入式 STT-MRAM阵列用于 2x 纳米节点及GPMCU应用 , 现已可在格芯官网下载。 同时, 在夏威夷檀香山举办的 IEEE国际微波论坛中, 格芯高级员工以及射频首席技术工程师 David Harame概括了部分及全面耗尽式绝缘体上硅（SOI）在射频毫米波应用以及即将到来的5G设备上可带来的收益，SOI是22FDX的基础。 他的演讲是22FDX专题讨论会的其中一个环节，本讨论会由他及同事Ned Cahoon和Baljit Chandhoke、 Anirban Bandyopadhyay组织，重点在于讨论硅技术，特别是22FDX技术现在对于毫米波应用开发的成熟程度，与更局限更高成本的旧技术比较所拥有的优势。 总体上，演讲阐述了22FDX的技术多样性，满足持续增长的汽车、移动、射频链接、物联网、网络和其他应用市场。 嵌入式STT-MRAM 现在越来越多的应用需要包含了非易失性内存（eNVM）的芯片，可是当设备尺寸缩小，低功耗操作愈发重要，传统eFlash NVM所面对的挑战越来越多。这都是因为eFlahs的高电压要求以及在调整渠氧化层这一个关键参数时必须做出性能和可靠性的折中。 市面上也存在eNVM的替代技术，可是由于eMRAM长久以来被认为拥有潜力提供升级性、写入速度、数据维持、长期可靠性和低功耗操作的最佳平衡，至此并没有过STT-MRAM嵌入式内存正式发布的消息。 直到，Shum在VLSI大会上首次发布了STT-MRAM的消息。他描述了格芯与Everspin技术是如何在2x-nm设计法则上联手打造并展示了世界第一款40Mb CMOS 阵列配备集成eMRAM的。 一大关键要素是STT-MRAM可以承受高达260ºC的高温长达5分钟,意味着普通的封装和集成回流步骤并不会影响储存的内容，而且代码储存可在晶元探针测试途中写入。此外，格芯的22FDX eMRAM根据设计可在150°C环境下维持数据长达10年, 让此项技术可被用于汽车SoC。 另外的技术特点包括，内存在线后端进行生产，敏感的逻辑设备和电路因此可以避免在高温的线前端处理流程中遭到损害。这个特点同样让复用型IP得以实现，因为它们使用的是同样的PDK。内存阵列同样脱离了芯片核心的电压能源供应（Vdd 和I/O), 无需电流泵对电压进行调整。 格芯将在明年提供eMRAM技术，并将其作为总体22FDX技术组合中的一部分，而客户产品原型的多晶元项目将在今年年底开始。 22FDX 硅应用于毫米波 在微波论坛活动中, Harame描述了大批量毫米波频率硅基芯片的市场是如何因为5G无线规格而蓬勃发展的。(详情请浏览, 行政视角：一切都将无线，射频芯片将其实现) Harame阐述了拥有低晶体管泄漏电压的部分或全耗尽式SOI技术是如何成为此类应用的最高成本效率的。 他已经提到，由于移动蜂窝网络和WiFi交换器都广泛使用了SOI技术，此技术的经验基础非常深厚。其中一个例子是45纳米PDSOI，此技术已被投入到多个毫米波相位阵列系统应用中。 45纳米PDSOI拥有堆叠晶体管的能力，增加了供能调整能力，哪怕是对于功率放大器和低电压CMOS设备也同样适用。 他的演讲重点在于FDX是如何通过它的高k电介质系数栅极金属堆叠（high-k/MG）来进一步增进它的性能的，high-k/MG, 22纳米栅极长度和薄硅通道,这些技术特点共同打造了适用于即将来到的5G毫米波应用的最佳技术。 关于作者 Gary Dagastine是一位职业撰稿人，主要为EE Times、Electronics Weekly和许多专业媒体撰写关于半导体行业的文章。他是NanocEEhip Fab Solutions杂志的特约编辑，也是IEEE国际电子器件大会(IEDM)（全球最具影响力的半导体技术大会）的媒体关系主管。加入General Electric Co.之后，他开始涉足半导体行业，在该公司工作期间，他负责为GE功率、模拟和定制IC业务提供沟通支持。Gary毕业于纽约斯克内克塔迪联合大学。
22FDX 技术获得主流接受和热烈欢迎 July 13, 2017 作者: Gary Dagastine 2017年7月7日 分类: 市场 世界首创2Xnm用于GP-MCU的嵌入式MRAM, 以及5G应用毫米波能力的简介,引起了强烈关注 22FDX® 技术在近来的两大主流国际论坛的亮相引起了波澜,昭示着在如今快速增长的半导体市场,消费者们又出现了新的选择和平台。 在位于日本京都举办的VLSI技术座谈会上, 约500人出席了格芯员工Danny Shum的演讲,他描述了22FDX制造是如何在嵌入式STT-MRAM非易失性内存 (eMRAM)上取得突破进展的。实际上出席的听众在他的演讲结束后对他不断提出了深刻的问题，在耗尽了5分钟问答环节的所有时间后，听众们仍持续发问，占用了下一环节前20分钟的所有休息时间。这些问题中有的包含了关于具体技术的细节,如材料堆叠、制程技术、测试结果及测试工具；问题同样包含了更广大的领域，例如产品规划路线、商业策略、合作商机和PDK的可用性。 观众所体现出的强烈兴趣来自于eMRAM技术极有可能在代码存储以及工作内存上替代eFLASH 非易失性内存,满足需求量极大的一般用途微控制器和物联网设备。格芯以及合作伙伴 Everspin技术, 展现了在高可靠性要求的严苛环境，例如汽车SoC等应用中，eMRAM的能力。 完整的VLSI文章, CMOS嵌入式 STT-MRAM阵列用于 2x 纳米节点及GPMCU应用 , 现已可在格芯官网下载。 同时, 在夏威夷檀香山举办的 IEEE国际微波论坛中, 格芯高级员工以及射频首席技术工程师 David Harame概括了部分及全面耗尽式绝缘体上硅（SOI）在射频毫米波应用以及即将到来的5G设备上可带来的收益，SOI是22FDX的基础。 他的演讲是22FDX专题讨论会的其中一个环节，本讨论会由他及同事Ned Cahoon和Baljit Chandhoke、 Anirban Bandyopadhyay组织，重点在于讨论硅技术，特别是22FDX技术现在对于毫米波应用开发的成熟程度，与更局限更高成本的旧技术比较所拥有的优势。 总体上，演讲阐述了22FDX的技术多样性，满足持续增长的汽车、移动、射频链接、物联网、网络和其他应用市场。 嵌入式STT-MRAM 现在越来越多的应用需要包含了非易失性内存（eNVM）的芯片，可是当设备尺寸缩小，低功耗操作愈发重要，传统eFlash NVM所面对的挑战越来越多。这都是因为eFlahs的高电压要求以及在调整渠氧化层这一个关键参数时必须做出性能和可靠性的折中。 市面上也存在eNVM的替代技术，可是由于eMRAM长久以来被认为拥有潜力提供升级性、写入速度、数据维持、长期可靠性和低功耗操作的最佳平衡，至此并没有过STT-MRAM嵌入式内存正式发布的消息。 直到，Shum在VLSI大会上首次发布了STT-MRAM的消息。他描述了格芯与Everspin技术是如何在2x-nm设计法则上联手打造并展示了世界第一款40Mb CMOS 阵列配备集成eMRAM的。 一大关键要素是STT-MRAM可以承受高达260ºC的高温长达5分钟,意味着普通的封装和集成回流步骤并不会影响储存的内容，而且代码储存可在晶元探针测试途中写入。此外，格芯的22FDX eMRAM根据设计可在150°C环境下维持数据长达10年, 让此项技术可被用于汽车SoC。 另外的技术特点包括，内存在线后端进行生产，敏感的逻辑设备和电路因此可以避免在高温的线前端处理流程中遭到损害。这个特点同样让复用型IP得以实现，因为它们使用的是同样的PDK。内存阵列同样脱离了芯片核心的电压能源供应（Vdd 和I/O), 无需电流泵对电压进行调整。 格芯将在明年提供eMRAM技术，并将其作为总体22FDX技术组合中的一部分，而客户产品原型的多晶元项目将在今年年底开始。 22FDX 硅应用于毫米波 在微波论坛活动中, Harame描述了大批量毫米波频率硅基芯片的市场是如何因为5G无线规格而蓬勃发展的。(详情请浏览, 行政视角：一切都将无线，射频芯片将其实现) Harame阐述了拥有低晶体管泄漏电压的部分或全耗尽式SOI技术是如何成为此类应用的最高成本效率的。 他已经提到，由于移动蜂窝网络和WiFi交换器都广泛使用了SOI技术，此技术的经验基础非常深厚。其中一个例子是45纳米PDSOI，此技术已被投入到多个毫米波相位阵列系统应用中。 45纳米PDSOI拥有堆叠晶体管的能力，增加了供能调整能力，哪怕是对于功率放大器和低电压CMOS设备也同样适用。 他的演讲重点在于FDX是如何通过它的高k电介质系数栅极金属堆叠（high-k/MG）来进一步增进它的性能的，high-k/MG, 22纳米栅极长度和薄硅通道,这些技术特点共同打造了适用于即将来到的5G毫米波应用的最佳技术。
Einzigartig 加入FDXcelerator计划,向格芯22FDX®技术平台提供DDR内存 IP Juli 11, 2017SAN JOSE, KALIFORNIEN - 11. Juli 2017 - Uniquify, ein führender Hersteller von System-on-Chip (SoC) ohne Fertigung und Anbieter von geistigem Eigentum (IP) für DDR-Speichersysteme, gab heute bekannt, dass das Unternehmen dem FDXcelerator™-Partnerprogramm von GLOBALFOUNDRIES beigetreten ist.
Almotive发布 aiWare: 首创人工智能优化的无人驾驶硬件加速器 Juli 11, 2017MOUNTAIN VIEW und SANTA CLARA, Kalifornien, 29. Juni 2017 - AImotive (www.aimotive.com) gab heute bekannt, dass seine mit Spannung erwartete, KI-optimierte Hardware-IP globalen Chipherstellern zur Lizenzierung zur Verfügung steht. aiWare wurde von Grund auf für die Ausführung neuronaler Netze entwickelt und ist bis zu 20-mal energieeffizienter als andere führende KI-Beschleunigungs-Hardwarelösungen auf dem Markt. VeriSilicon Holdings Co., Ltd. (www.verisilicon.com), ein Silicon Platform as a Service (SiPaaS®)-Unternehmen, wird als erstes Unternehmen aiWare in ein Chipdesign integrieren, und die aiWare-basierten Testchips werden auf dem GLOBALFOUNDRIES (GF) 22FDX®-Halbleiterprozess (www.globalfoundries.com) hergestellt.
