音频和显示 计算 无线连接 音频和显示更加身临其境的AV/VR和混合现实体验。超高分辨率的显示器和先进的成像技术，使令人惊叹的视觉细节和色彩成为可能，在我们的家庭和旅途中都是如此。更加智能的音频、可听设备和可穿戴设备，提供先进的功能和无忧的电池寿命。消费者对这些产品的期望从未如此之高，而GlobalFoundries®(GF®)已准备好提供应用优化的解决方案组合，以帮助芯片设计师满足甚至超越期望。#audio-&-display 使用22FDX®射频与eMRAM的智能音频/可听性SoCBest-in-class leakage and power benefits that can extend battery life up to twofold combined with a rich feature set make 22FDX® RF solutions from GlobalFoundries® (GF®) a superior choice for true wireless stereo (TWS) SoC applications. Designers can take advantage of exceptional RF performance for seamless wireless connectivity, performance and area-optimized digital elements for enhanced AI capability and an optimized eMRAM that can replace embedded flash for area and power savings.Optimized for on-the-go audio22FDX® RF offers superior active power (0.4 V), ultra-low leakage (<1 pA/µm), and excellent area efficiency (> 5M gates/mm2), combined with industry-leading analog capabilities (noise, mismatch, short channel effect).Elevating the audio experience22FDX® is an outstanding choice for single-chip TWS solutions, enabling designers to take advantage of superior RF PA performance, an LDMOS (5 V-6.5 V) for integrating the battery charger and power management features and a qualified eMRAM solution to enhance the user experience.Faster time to marketWith 22FDX®, designers leverage the silicon-validated elements, including low leakage and low power design libraries, adaptive body bias for power-state throttling and a wide range of memory options (OTP/MTP/eMRAM)—along with connectivity and security IP—for differentiation and a time to market advantage. 建立在22FDX®射频上的集成单芯片解决方案使设计者能够将智能音频/听觉设备的BOM减少>10个芯片。 使用22FDX®和55纳米BCDLite®的音频CODECs、前置放大器和麦克风控制器GlobalFoundries® (GF®) 22FDX® (22nm FD-SOI) solutions singularly deliver both high performance and low power, offering best-in-class leakage and dramatically extending battery life. 22FDX® features enhanced noise performance and modeling to minimize unwanted background noise. Low flicker noise device properties enable audio pre-amp integration, and 5 V LDMOS allows for direct battery connect for battery life optimization. Chip designers can also take advantage of magneto resistive non-volatile memory (eMRAM) for simple, high-capacity onboard storage, with high performance and endurance, all in a single device. GF 55 nm BCDLite solutions are optimized for products requiring cost efficient, mixed signal (A/D) capabilities, in space-constrained designs. It supports audio/mic controller applications across a range of voltages, from 0.9 V to 30 V, to meet high dynamic-range requirements. The solution combines low-power logic, low drain-source on resistance, advanced power monitoring and embedded memory features.Power & area-efficient, plusWith superior active power and ultra-low leakage (<1 pA/µm) capabilities, 22FDX® provides significant power advantages, including a 0.4 V Vdd operating voltage, while also delivering excellent area efficiency (> 5M gates/mm2).Balance performance & costLow and ultra-low RDSon power FETs on 55 nm BCDLite provide a 30% to 47% reduction in on-resistance compared to previous GF BCDLite processes for die-cost and conversion efficiency advantages.Differentiation & reliability22FDX® enables designers to leverage silicon-validated elements, including adaptive body bias for power-state throttling and a wide range of memory options (OTP/MTP/eMRAM)—along with connectivity and security IP—for differentiation and a time-to-market advantage. GF 55 nm BCDLite solutions are in high-volume production and feature world-class D0 (< 0.04 def/in2) defect density. 处理一个带有主动降噪功能的音乐流，只需消耗不到10%的GAP9[Greenwaves的可听平台]资源，为大幅提高音频舒适度或其他新的尖端功能留下了充足的空间，同时也简化了它们的开发。GF的22FDX®平台具有令人难以置信的性能、超低功率能力、低漏电率和灵活性，对我们实现性能目标至关重要。 - Loic Lietar，GreenWaves Technologies首席执行官 计算今天的物联网设备通过新层次的智能得到了加强。而且，随着对人脸、语音和物体识别等智能功能的需求增长，以及处理和智能反应向边缘转移，这些设备的复杂性继续急剧增加。与此同时，保护用户的数字身份仍然是一个关键问题。GlobalFoundries®(GF®)了解到，相关的超低功耗、高性能和安全要求对实现这些价值优化、更智能的消费物联网设备至关重要，是半导体芯片设计者最关心的问题，并准备了一系列特定的处理方案供其选择。#计算 "我们的目标是为边缘推理处理器中固有的一些关键挑战带来设计创新。这就是我们选择GF作为我们的代工厂的原因。" - 史蒂夫-泰格，感知公司首席执行官 物联网MCUGlobalFoundries®(GF®)提供一系列目的优化的消费类物联网MCU解决方案，使设计人员能够满足其硬件的面积、性能、功耗和成本目标。满足竞争要求GF的40纳米、110纳米和150纳米解决方案建立在块状CMOS平台上，为开发对成本敏感的消费物联网MCU提供了高价值、功能丰富、功率优化和低掩模数的选择。设计师可以利用供应商的完整性来获得上市时间上的优势。专门设计的22FDX®提供了完整的SoC集成（eMRAM、模拟电源和射频元件在一个芯片上）、逻辑扩展（用于人工智能和安全功能）的组合，占地面积>20%，*BOM成本更低。独特的22FDX® SOI架构为设计者提供了额外的电源模式节流能力，并提供了易于使用的背栅偏置解决方案，可降低功率>50%*，以延长电池寿命而不影响性能。差异化的信心丰富的MCU优化IP和参考设计组合帮助客户在竞争中脱颖而出，并更快地进入市场。 基于22FDX的物联网MCU的出货量已超过1亿个。 27个MCU新产品的推出使用了22FDX®，100%的首次原型成功。 *与22纳米散装CMOS相比。 使用12LP/12LP+和22FDX®的边缘AI加速器GlobalFoundries®(GF®)的12LP/12LP+ FinFET和22FDX® FD-SOI边缘人工智能加速器解决方案经过优化，可以减少延迟和可操作的响应时间，通过在边缘管理数据，可以增强安全性和数据隐私。这些特制的解决方案结合了一系列的功率、性能和面积优势，使芯片设计师能够选择最适合他们的独立或嵌入式人工智能SoC。在边缘加速人工智能GF 12LP/12LP+和22FDX®解决方案经过优化，可提供您所需的性能马力，在边缘而不是在数据中心处理人工智能推理的需求。解决功率挑战利用22FDX®的低动态功率和同类最佳的漏电功率、12LP/12LP+的出色散热性能以及12LP+和22FDX®提供的低压SRAM，最大限度地降低交流有线或电池供电设备的功耗。有信心实现差异化利用人工智能调整功能的组合，包括12LP/12LP+提供的人工智能参考封装和汽车级1级认证的22FDX®提供的eMRAM人工智能存储内核，在竞争中脱颖而出。 22FDX®比目前的行业边缘AI加速器产品的功率效率高达1000倍*。 12LP/12LP+提供AI优化的性能，具有与7纳米相同的全局路由能力，因此你可以设计得更聪明，而不是更小。 *假设边缘设备的典型功耗为十到数百瓦。22FDX®可以达到20毫瓦的功耗。 无线连接虽然无线连接正变得无处不在，但蓝牙、GPS、Wi-Fi和Zigbee的标准不断发展，加上5G硬件的加速推出，增加了复杂性。要跟上在不断缩小的外形尺寸中处理多种标准的挑战--电池寿命是以天而不是以小时计算的--就需要在无线SoC架构中开辟新的创新途径。#无线连接 >超过400亿 到2025年，将有超过400亿台联网的物联网设备*。 *IDC，2020年6月 使用22FDX®射频进行无线连接消费者物联网硬件对性能、功率、面积和成本都很敏感。所有这些都要有足够的可靠性，以经得起持续使用。GlobalFoundries®(GF®)的22FDX®射频解决方案建立在22纳米FD-SOI平台上，使设计人员能够利用卓越的电源效率和性能，同时将多种功能集成到单个芯片中，从而获得显著的面积和物料成本优势。由于22FDX®符合汽车一级标准，这些解决方案提供了消费者物联网应用所依赖的高可靠性。空间和功率吝啬鬼22FDX®射频实现了业界唯一的单芯片调制解调器，可节省20%以上的面积，而自适应体偏压使设计人员能够将动态功率减少30%，漏电功率减少60%。*针对消费物联网进行优化利用22FDX®射频提供的物联网特定功能和特性，包括一流的射频灵敏度、eMRAM和直接电池连接PMIC整合。注入创新利用FDXcelerator™生态系统、全面的、经过硅验证的IP组合和参考设计来实现今天的差异化，并利用强大的FDX™路线图到12纳米来规划下一代、未来就绪的芯片。 *与22纳米块状CMOS相比，面积减少。与12纳米FinFET相比，动态和漏电功率降低。 质量第一GlobalFoundries致力于在我们所有的半导体解决方案中提供高质量和可靠性，与我们的客户紧密合作，提供一个更多的新时代。 现在阅读我们的质量政策
