IMS 2023

IMS致力于讨论所有关于微波和射频的问题,包括许多专注于GF技术和解决方案的会议,这些技术和解决方案由GF实验室开发。

会议会议技术教授/作者大学标题摘要
IMSTu3E-622FDX魏格尔、伊萨科夫埃尔兰根-纽伦堡大学
布兰希魏格工 业大学
基于 22 纳米 FDSOI TSPC 串行器的 PMCW 雷达 21Gb/s 任意二进制序列发生器1528
IMSTu1E-4硅锗克雷斯勒佐治亚理工学院使用串并联反并联 SiGe HBT 开关的具有宽调谐范围和低相位噪声的 V 波段 LC-VCO 和倍频器1335
IMSWSF-6硅锗巴丁阿默斯特大学用于超导质子读出的 SiGe 和 CMOS 低温放大器73
IMSIF2-16硅锗森古普塔普林斯顿大学一种 30-88GHz 移相器,采用宽带 90° 混合马钱德平衡网络和共基缓冲器,在 90 纳米硅锗中实现 1.34-3.1° RMS 相位误差1776
IMSWe1B-445纳米 何塞-路易斯-冈萨雷斯-希门尼斯CEA-LETI带有折叠式发射阵列天线的 28dBm-EIRP 扁平 D 波段发射模块334
IMSTu3A-345纳米  卡尔顿大学;焦特布尔理工学院通过基于知识的神经网络高效估计 CMOS 逆变器中随机电源噪声引起的抖动262
IMSWSE-5:22FDXGF 作者基金会22FDX 平台和功能经过优化,可满足从 WiFi 连接、毫米波蜂窝电话到汽车雷达等各种射频应用的需求30
射频集成电路RTu3C-122FDX洛伦佐-托马森帕多瓦大学用于 22 纳米 FD-SOI CMOS 16-QAM 笛卡尔物联网发射机的反应式无源混频器1210
射频集成电路RTu3B-245RFSOI伍拉姆-李宾夕法尼亚州立大学45 纳米 RFSOI 中具有 1.2° RMS 相位误差的 D 波段免校准无源 360° 移相器939
射频集成电路RTu3B-322FDXTaiyun Chi莱斯大学/三星采用 22nm FDSOI CMOS 的 140GHz 射频波束成形相控阵接收器,在低中频时支持 >20dB IRR 和 8GHz 信道带宽940
射频集成电路RMo3B-122FDX卡姆兰-恩特萨里德克萨斯农机大学在 22 纳米 CMOS FDSOI 中使用 3 绕组变压器负载的毫米波宽带/可重构低噪声放大器903
射频集成电路RMo3B-58HP/XP乌尔里希-菲弗伍珀塔尔大学采用先进的 130 纳米 SiGe BiCMOS 技术制造的具有高增益带宽产品的 D 波段至 J 波段低噪声放大器907
射频集成电路RTu4C-322FDX沙菲-赛义德基金会22 面向 5G 毫米波的 FDSOI 技术解决方案1216
射频集成电路RTu1A-345RFSOI瓦迪姆-伊萨科夫布伦瑞克技术大学采用 45 纳米 RFSOI CMOS 技术的 4.4mW 无电感器 2-20GHz 单端至差分倍频器927
射频集成电路RTu1A-49HP艾登-巴巴哈尼加利福尼亚大学洛杉矶分校在 90nm SiGe BiCMOS 中实现 20.6dBm EIRP 和 0.2% DC-THz 效率的高效 0.4THz 辐射器928
射频集成电路RMo1A-145SPCLO詹姆斯-巴克沃尔特UCSB采用 45 纳米 CMOS SOI 光子工艺制造的 112-Gbps、0.73-pJ/位全集成 O 波段 I-Q 光接收器870
射频集成电路RMo2C-345RFSOI亚历山大-西里加里斯CEA-LETI基于 26.4dBm EIRP D 波段发射器模块和 CMOS 45 纳米信道绑定芯片组的 57.6Gb/s 无线链路894
射频集成电路RMo4C-145RFSOI王华苏黎世联邦理工学院一种 26-40GHz 4 路混合并联系列角色互换多赫蒂功率放大器,可提高宽带深功率衰减效率921
射频集成电路RMo4A-145RFSOI杰西-穆迪桑迪亚国家实验室双平衡倍频器可实现 70% 的泄放效率和 25% 的总效率913
IMSWSC-345RFSOI何塞-路易斯-冈萨雷斯-希门尼斯CEA-LETIRFSOI 工艺中数据速率为 84Gbps 的 D 波段 TX-RX 信道聚合架构56
射频集成电路RMo2C-245RFSOI阿姆尔-艾哈迈德加州大学旧金山分校140GHz 可扩展网内 8×8 元发射-接收相控阵,带上下变换器和 64QAM/24Gbps 数据速率 
射频集成电路RTu2B-245RFSOIMohammadreza Abbasi宾夕法尼亚州立大学45 纳米 RFSOI 中具有 1.2° RMS 相位误差的 D 波段免校准无源 360° 移相器