IMS 2023

Die IMS widmet sich allen Themen rund um Mikrowellen und RF, darunter zahlreiche Sitzungen zu Technologien und Lösungen von GF, die von GF Labs entwickelt wurden.

KonferenzSitzungTechnologieProfessor/AutorUniversitätTitelAbstrakt
IMSTu3E-622FDXWeigel, IssakowFAU Erlangen-Nürnberg
Technische Univ Branschweig
Ein 21Gb/s Arbitrary Binary Sequence Generator für PMCW Radar basierend auf einem TSPC Serializer in 22nm FDSOI1528
IMSTu1E-4SiGeCresslerGeorgia TechEin V-Band LC-VCO und Verdoppler mit weitem Abstimmbereich und geringem Phasenrauschen unter Verwendung von Series-Shunt Anti-Parallel SiGe HBT-Schaltern1335
IMSWSF-6SiGeBardinUMass AmherstSiGe- und CMOS-Kryo-Verstärker für supraleitende Qubit-Auslesung73
IMSIF2-16SiGeSenguptaUniversität PrincetonEin 30-88-GHz-Phasenschieber mit breitbandigem 90°-Hybrid-Marchand-Balun-Netzwerk und Common-Base-Puffer, der 1,34-3,1° RMS-Phasenfehler in 90-nm-SiGe erreicht1776
IMSWe1B-445nm Jose Luis Gonzalez-JimenezCEA-LETIEin 28dBm-EIRP Low-Profile D-Band-Sendemodul mit gefalteter Sendeantenne334
IMSTu3A-345nm  Carleton Univ; IIT JodhpurEffiziente Schätzung des stochastischen, durch Stromversorgungsrauschen induzierten Jitters in CMOS-Wechselrichtern mittels wissensbasierter neuronaler Netze262
IMSWSE-5:22FDXGF-AutorenGF22FDX-Plattform und Funktionen optimiert für anspruchsvolle RF-Anwendungen von WiFi-Konnektivität und mm-Wellen-Mobilfunk bis zu Auto-Radar30
RFICRTu3C-122FDXLorenzo TomasinUniversità di PadovaEin reaktiver passiver Mischer für kartesische 16-QAM IoT-Sender in 22nm FD-SOI CMOS1210
RFICRTu3B-245RFSOIWooram LeePenn State UniversitätEin kalibrierungsfreier passiver 360°-Phasenschieber für das D-Band mit einem RMS-Phasenfehler von 1,2° in 45nm RFSOI939
RFICRTu3B-322FDXTaiyun ChiRice-Universität / SamsungEin 140GHz RF Beamforming Phased-Array-Empfänger, der >20dB IRR mit 8GHz Kanalbandbreite bei niedriger IF in 22nm FDSOI CMOS unterstützt940
RFICRMo3B-122FDXKamran EntesariTexas A&MEin mm-Wellen-Breitband/Rekonfigurierbarer LNA mit einer 3-Wicklungs-Transformatorlast in 22-nm-CMOS-FDSOI903
RFICRMo3B-58HP/XPUllrich PfeifferUniversität WuppertalEin rauscharmer D-Band-zu-J-Band-Verstärker mit hoher Verstärkungsbandbreite in einer fortschrittlichen 130nm SiGe BiCMOS-Technologie907
RFICRTu4C-322FDXShafi SyedGF22 FDSOI-Technologie-Lösungen für 5G mmWave1216
RFICRTu1A-345RFSOIVadim IssakovTechnische Universität BraunschweigEin induktionsloser 2-20GHz Frequenzverdoppler mit 4,4mW in 45nm RFSOI CMOS Technologie (Single-Ended to Differential)927
RFICRTu1A-49HPAydin BabakhaniUCLAEin effizienter 0,4THz-Strahler mit 20,6dBm EIRP und 0,2% DC-zu-THz-Wirkungsgrad in 90nm SiGe BiCMOS928
RFICRMo1A-145SPCLOJames F. BuckwalterUCSBEin 112-Gbps, 0,73-pJ/Bit voll integrierter optischer O-Band I-Q-Empfänger in einem 45-nm-CMOS-SOI-Photonenprozess870
RFICRMo2C-345RFSOIAlexandre SiligarisCEA-LETIEine drahtlose Verbindung mit 57,6 Gb/s basierend auf einem D-Band-Sendemodul mit 26,4 dBm EIRP und einem Kanalbonding-Chipsatz auf CMOS 45nm894
RFICRMo4C-145RFSOIHua WangETH ZürichEin 26-40GHz 4-Wege Hybrid Parallel-Series Role-Exchange Doherty PA mit breitbandiger Deep Power Back-Off Effizienzverbesserung921
RFICRMo4A-145RFSOIJesse MoodySandia Nationale LaboratorienEin doppelter symmetrischer Frequenzverdoppler, der einen Abflusswirkungsgrad von 70% und einen Gesamtwirkungsgrad von 25% erreicht913
IMSWSC-345RFSOIJose Luis Gonzalez-JimenezCEA-LETIEine Kanalaggregationsarchitektur TX-RX im D-Band mit 84Gbps Datenrate im RFSOI-Prozess56
RFICRMo2C-245RFSOIAmr AhmedUCSDEin skalierbares On-Grid 8×8-Element-Sende-Empfangs-Phased-Array mit Aufwärts-/Abwärtswandlern und 64QAM/24Gbps-Datenraten für 140GHz 
RFICRTu2B-245RFSOIMohammadreza AbbasiPennsylvania State Univ.Ein kalibrierungsfreier passiver 360°-Phasenschieber für das D-Band mit einem RMS-Phasenfehler von 1,2° in 45nm RFSOI