蜂窝式基础设施和SATCOMs

GlobalFoundries® (GF®)正在通过无线网络解决方案使5G不负众望,为客户提供可在未来就绪的蜂窝基站和卫星通信(SATCOM)硬件中利用的延迟、速度和可靠性,这对于实现沉浸式用户体验和行业转型至关重要。 这些GF解决方案正在帮助客户应对5G的复杂性挑战和推广压力,同时最大限度地减少CAPEX和OPEX支出,通过结合应用优化的功能和专门的RF后期制作统包服务,建立在我们几十年的RF专业知识之上。

"......我不知道世界上还有没有其他人能像你们[GF]那样进行大批量的毫米波测试,而且你们能迅速地提出并成功完成测试,并已全面交付生产......GlobalFoundries从未让我们失望...."

罗伯特-多纳霍,Anokiwave首席执行官|2020年3月

使用45RFSOI的5G毫米波蜂窝状基础设施和SATCOM FEMs

移动运营商在确保蜂窝基站的部署和密集化与5G智能手机的推广同步方面有着积极的目标,以便用户能够享受这些设备提供的各种新体验。

GF的45RFSOI可以帮助客户应对这一挑战。凭借超过10亿美元(美国)的设计胜利*,该解决方案已经进入大批量生产。我们的45RFSOI解决方案针对5G毫米波手机前端模块(FEM)和SATCOM应用进行了优化,使您能够利用高传输功率能力和行业领先的毫米波性能。这些优点的结合使45RFSOI成为低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)、开关和结合这些元件的集成FEM,或面积和功率效率高的波束形成器的卓越选择。

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"......毫米波设计是具有挑战性的。如果它很容易,每个人都会去做。我们在GlobalFoundries找到的是一家在射频技术和平台方面已经处于领先地位的公司,但我们发现他们已经进行了改进,使毫米波设计变得更加容易......"

Mike Noonan, Mixcomm首席执行官

45RFSOI

最大限度地提高性能和可靠性
45RFSOI 使你能够优化设计的性能和可靠性,它结合了卓越的ft/fmaxPout、插入损耗、增益和噪声系数等优点,并配以业界首个硅验证的毫米波可靠性模型。

最大限度地降低总拥有成本
45RFSOI功率放大器的性能(在大于40%的PAE时,功率高达23 dBmPsat)使您能够最大限度地减少散热,并使用较少的基站实现更大的覆盖范围,或使用较小的低功率基站实现同等的覆盖范围。

专为毫米波制造
45RFSOI提供优化的BEOL,具有厚铜层和高电阻率陷阱丰富的基底,结合器件堆叠和低Ron的优势,在毫米波频率上实现强大的连接。

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业界第一个经过硅验证的毫米波可靠性模型让你在设计带出之前预测坚固性、老化和寿命。

业界唯一拥有内部毫米波测试能力的代工厂,该能力建立在二十年的射频领导力和专业知识之上。

使用22FDX® RF和22FDX® RF+的综合5G毫米波基础设施和卫星通信FEM

每一代蜂窝技术都超越了前几代技术,提供了更身临其境的用户体验、更高的可靠性和更普遍的连接。

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22FDX® RF和22FDX® RF+

22FDX® RF和22FDX® RF+使设计人员能够利用卓越的功率、性能和面积优势,为蜂窝基础设施和SATCOM前端模块(FEM)开发完全集成的单片式5G毫米波解决方案。这些优势对于实现新的应用和服务--包括从任何地方传输超高清视频、自动驾驶和智能工厂--至关重要。

在更小的空间内集成更多
22FDX® RF和RF+提供高达40%的逻辑扩展优势,是业界唯一能够实现完全集成的5G mmWave SoC的解决方案,具有同类最佳的性能和功率优势。

卓越的性能和范围
22FDX® RF和RF+结合了高Psat和出色的噪声配置和插入损耗性能,帮助你提高信号强度,并将覆盖范围扩大到6%,以实现更广泛的覆盖。

更好的电源效率
凭借高Psat和用于低功耗逻辑(0.4 V)操作的后门控制,22FDX® RF和RF+可以大大节省总功率,同时最大限度地减少热量散失。

22FDX® RF和22FDX® RF+是业界唯一能在单芯片5G mmWave FEM SoC中实现世界级功率和性能优势的解决方案。

GF是业界唯一拥有内部毫米波测试能力的晶圆厂,该能力建立在二十年的射频领导力和专业知识之上。

‡ 与GF 28纳米散装CMOS相比。效益将随芯片/系统设计而变化。
◊ 假设28 GHz频段,TX和RX天线增益为20 dB,视线通信。效益将随芯片/系统设计而变化。
† 与22FDX®射频相比。

使用8SW RF SOI的5G sub-6 GHz蜂窝基础设施FEMs

到2025年,移动网络每月将承载大约164 Exabytes的流量,其中超过75%预计是视频。* 5G网络的部署为更丰富的用户体验打开了大门,从超高清视频流到体育赛事或音乐会的360°直播,并使用户可以在任何时间和全球任何地方获得这些体验,从而推动这一增长。

#5g-sub-6-ghz-cellular-infrastructure-fems-using-8sw-rf-soi

8SW RF SOI

利用我们8SW解决方案的同类最佳开关和低噪声放大器(LNA)性能,开发具有容量、速度和响应性的网络硬件产品,帮助观众感受到他们正在亲自享受这些活动,而不是远程观看。

最大限度地提高性能和范围
利用8SW一流的开关Ron*Coff和LNA噪声系数、增益和线性度的优势,配以厚实的金属铜层,提高信号质量、放大率和覆盖面积。

提高电源效率
通过利用8SW的低电压SC库和更短的LNA栅极长度(Laff)选项,在不影响功耗的情况下实现更好的增益/线性度,从而实现高能效的系统级硬件。

利用您的投资
凭借300毫米的制造工艺和先进的加工和控制,8SW使您能够从您的投资中获得最大收益--为测试场所和客户特定的设计变化利用更多的面积。

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8SW是业界第一个完全合格的300毫米晶圆上的大批量RF SOI代工解决方案。

在全球分布的工厂生产,以帮助满足供应和产能需求。

* 爱立信移动报告,2020年6月。

使用SiGe HP的5G毫米波和6GHz以下蜂窝基础设施分立放大器

GF的高性能SiGe BiCMOS(HP SiGe)解决方案可满足宏基站和小型蜂窝的5G FEM在速度、集成度和可靠性方面的需求。我们的产品组合包括从90纳米到180纳米的平台,因此您可以在设计中平衡性能、面积和价值。

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SiGe HP

先进的SiGe异质结双极晶体管(HBT)实现了高效率的分立功率放大器(PA),具有较高的输出功率和增益(Psat>23dBm),以实现更好的覆盖和信号质量,同时使这些解决方案能够在高结温下运行。

与基于CMOS或SOI的替代方案相比,这些解决方案具有可靠性优势,并具有高电阻率衬底,可降低损耗并进一步增强功率处理能力,从而提高功率放大器、开关、低噪声放大器和移相器的性能。

更小的阵列
利用每个元件出色的Pmax、fmax和NF性能,实现每个阵列更少的芯片和更小的、具有成本效益的天线阵列,其有效各向同性辐射功率(EIRP)相当。

5G就绪
GF的SiGe 9HP为5G FEM波束形成器提供了一流的性能,可以处理调制的5G新无线电波形,这些波形产生的峰值是PA电源电压的2倍,而作为热量释放的功率更少。

设计灵活性
SiGe 9HP、8XP和8HP具有先进的铜金属化功能,使您能够在100°C时利用5倍的电流密度,或在相同的电流密度下利用高达25°C的工作温度。

SiGe 9HP是目前批量生产的最高fmax SiGe BiCMOS工艺,可提供370 GHz fmax。

质量第一