格芯新闻发布

档案

当前发布

阿布扎比王储穆罕默德访问格芯新加坡厂

穆巴达拉投资公司CEO强调  会一如既往支持格芯发展全新策略 [中国上海,2019年2月28日] – 日前,阿布扎比王储穆罕默德(Sheikh Mohamed bin Zayed)与新加坡国防部兼外交部高级政务部长孟理齐(Maliki Osman)博士在新加坡进行国事访问,期间亲自到访格芯(GLOBALFOUNDRIES)在新加坡的先进半导体制造厂。此次访问是阿布扎比王储亚洲访问的其中一站,旨在促进阿拉伯联合酋长国与亚洲各国的经济与技术合作。 位于新加坡兀兰工业区(Woodlands Industrial Park)的格芯新加坡厂,是阿拉伯联合酋长国在新加坡最大的投资项目。该厂总计超过5,500名员工,每年生产数百万片半导体晶元,产品应用范围广泛。目前,格芯新加坡厂在实施格芯的最新战略方针中,针对全球最具创新能力的芯片设计商的需求,为其开发并提供量身打造的差异化半导体解决方案。 阿布扎比王储穆罕默德(右一)及访问团参观格芯新加坡厂,格芯高级副总裁兼亚洲、欧洲晶圆厂运营总经理洪啟财(右二) 陪同介绍与交流 穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)是阿布扎比领先的战略投资公司,也是格芯的全资股东,阿布扎比王储穆罕默德担任穆巴达拉投资公司的董事局主席。随同阿拉伯联合酋长国访问团一同访问的还有其他政府和企业领导人,包括穆巴达拉投资公司的执行董事会主席兼首席执行官Khaldoon Khalifa Al Mubarak。 […]

Read Press Release

格芯设计中标逾10亿美元 8SW RF SOI技术功不可没

移动市场持续青睐RF SOI,同时8SW日益成为业界领先的低功耗芯片平台 加利福尼亚州圣克拉拉,2019年2月20日  – 格芯今天宣布,公司自2017年9月推出针对移动应用优化的8SW RF SOI技术平台以来,客户端设计中标收入已逾10亿美元。8SW的良率与性能均超过客户期望,可帮助设计人员开发解决方案,为当今先进的4G/LTE工作频率和未来6GHz以下的5G移动和无线通信应用提供极快的下载速度、更高质量的互连和更可靠的数据连接。 8SW是业内首款300 mm RF SOI代工解决方案,具有显著的性能、集成度和尺寸优势,以及出色的低噪声放大器(LNA)和开关性能,这些均有助于改进前端模块(FEM)中的集成解决方案。优化的RF FEM平台专为满足前端模块应用更高的LTE和6 GHz以下标准而量身定制,包括5G 物联网、移动设备和无线通信。 Qorvo首席技术官Todd Gillenwater表示:“Qorvo持续扩展业内领先的射频产品组合,以支持所有Pre-5G和5G架构,因此我们需要适当的可行技术,以便为客户提供6 GHz以下及5G毫米波等方面连接范围广泛的出色解决方案。格芯8SW技术使前端模块开关和LNA同时具有性能、集成度和尺寸优势,为我们的优质产品提供了一个很好的平台。” 格芯业务部高级副总裁Bami Bastani表示:“随着包括4G LTE和5G在内的新高速标准复杂程度日益增加,射频前端无线电设计的创新性能必须不断满足日益增长的网络、数据和应用需求。格芯不断增强广泛的RF […]

Read Press Release

格芯和Dolphin Integration推出适用于5G、物联网和汽车级应用的差异化FD-SOI自适应体偏置解决方案

IP加快节能型SoC设计,推动单芯片集成界限 加利福尼亚州圣克拉拉、法国格勒诺布尔,2019年2月19日 – 格芯(GF)和领先的半导体IP提供商Dolphin Integration今日宣布,双方正在合作研发自适应体偏置(ABB)系列解决方案,提升格芯22nm FD-SOI (22FDX®)工艺技术芯片上系统(SoC)的能效和可靠性,支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。 作为合作事宜的一部分,Dolphin Integration与格芯正在共同研发ABB系列解决方案,加速并简化SoC设计的体偏置实施方案。ABB具备特有的22FDX功能,可以让设计师利用正向及反向体偏置技术,动态地补偿工艺、电源电压、温度(PVT)变化以及老化影响,在扩展之外实现其他性能、功率、面积和成本优势。 研发阶段的ABB解决方案包括独立IP,嵌入体偏置电压调节、PVT、老化监视器和控制环,以及完整的设计方法论,充分利用工艺角紧固优势。格芯的22FDX技术实现了业内最低的静态及动态功耗。借助自动化晶体管体偏置调整,Dolphin Integration在22FDX设计中可实现7倍能效,以及低至0.4V的电源电压。 Dolphin Integration首席执行官Philippe Berger表示:“我们与格芯从事合作已有两年多,针对低功耗和节能应用提供先进的可配置电源管理IP。与格芯的现有合作中,我们的重点是创建统包IP解决方案,帮助设计者在22FDX技术中为所有SoC设计实现完整的FD-SOI优势。” 格芯生态系统合作伙伴关系副总裁Mark Ireland表示:“为了简化我们的客户设计并缩短上市时间,格芯和我们的生态系统合作伙伴正在为树立5G、物联网和汽车的未来性能标准铺平道路。在Dolphin Integration等芯片IP提供商的支持下,客户将获得新的功率、性能和可靠性管理基础设施,充分利用格芯22FDX技术的优势。” 基于格芯22FDX技术的统包自适应体偏置解决方案设计套件将于2019年第2季度推出。 关于Dolphin Integration […]

Read Press Release

世界先進公司購買格芯公司新加坡Fab 3E廠

發佈單位:世界先進積體電路股份有限公司 發佈日期:108年1月31日 【新聞稿】 世界先進積體電路股份有限公司(5347)與格芯公司(GLOBALFOUNDRIES)今(31)日宣佈,世界先進公司將購買格芯公司位於新加坡Tampines的Fab 3E八吋晶圓廠廠房、廠務設施、機器設備以及MEMS智財權與業務。格芯公司會繼續提供該廠房設施至今年底,以方便世界先進公司與該晶圓廠之既有客戶技術移轉與交接。Fab 3E現有月產能約3萬5,000片八吋晶圓,此交易金額總計為美金2.36億元,交割日為民國2019年12月31日。 日前,雙方已就格芯公司Fab 3E晶圓廠的員工與客戶之交接達成共識。世界先進公司與格芯公司均認為,員工是公司重要的資產,應優先予以妥善安排;而雙方也會共同確保在該晶圓廠生產的所有客戶,其產品生產不會因此次交易而受影響。以此為前提,世界先進公司將承接該晶圓廠的所有員工,同時也將持續提供晶圓代工服務,接手在該晶圓廠生產的客戶產品,包括MEMS客戶。 世界先進公司董事長方略表示:「感謝格芯公司董事會與經營團隊的支持,讓此次交易圓滿成功,也讓世界先進公司得以經由這次交易,取得持續擴充產能的機會,確保公司未來的成長動能。世界先進公司自創立以來,已有三次豐富的經驗,將晶圓一廠、二廠與三廠分別由DRAM廠成功轉型為專業晶圓代工廠。我們相信,這是一個為雙方公司均帶來雙贏的交易;對世界先進公司而言,也是一個為客戶、員工、與股東創造三贏的決定。世界先進公司會秉持一貫的態度與堅持,滿足客戶在產能及技術上的需求、持續獲利與成長,並回饋股東。」 格芯公司執行長Tom Caulfield表示:「此次交易是格芯公司全球製造藍圖優化策略的一部分,未來我們在新加坡會更專注於射頻、嵌入式記憶體、與先進類比等差異化技術發展;同時,將格芯公司位於新加坡Woodlands的八吋晶圓廠整合為一具規模效益的超大晶圓廠,亦有助於降低我們的營運成本。而世界先進公司則是能將Fab 3E資產發揮最大效益的最適夥伴。」 由於世界先進公司自2018年起,產能已達滿載,客戶皆期待公司能擴充產能,以因應其需求。此次資產購置預計能為世界先進公司增加每年超過40萬片八吋晶圓產能,展現世界先進公司對於擴充產能的決心與承諾。  #  # # 公司發言人:曾棟樑財務副總經理Tel:03-5770355Email:[email protected] 新聞聯絡人:蔡卓芳公共暨法人投資關係處 經理Tel:03-5770355 ext. […]

Read Press Release

格芯推出业界首个300mm 硅锗晶圆工艺技术,以满足不断增长的数据中心 和高速无线应用需求

业界最先进的高速硅锗技术目前可用于TB通信和汽车雷达应用的300mm生产线   加利福尼亚州圣克拉拉,2018年11月29日 – 格芯今天宣布其先进的硅锗(SiGe)产品9HP目前可用于其300mm晶圆制造平台的原型设计。这表明300mm生产线将形成规模优势,进而促进数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长。借助格芯的300mm专业生产技术,客户可以充分提高光纤网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达等高速应用产品的生产效率和再现性能。   格芯是高性能硅锗解决方案的行业领导者,在佛蒙特州伯灵顿工厂用200mm生产线进行生产。将9Hp(一种90nm 硅锗工艺)迁移至纽约州东菲什基尔的格芯Fab 10工厂实现300mm晶圆生产技术,将会保持这一行业领先地位,并奠定300mm晶圆工艺基础,有助于进一步发展产品线,确保工艺性能持续增强和微缩。   “高带宽通信系统日益复杂,性能需求也随之水涨船高,这些都需要更高性能的芯片解决方案,”格芯的RF业务部副总裁 Christine Dunbar表示。“格芯的9HP旨在提供出色的性能,其300mm生产工艺将能够满足客户的高速有线和无线组件需求,助力未来的数据通信发展。”   格芯的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势,支持微波和毫米波频率应用高数据速率的大幅增长,适用于下一代无线网络和通信基础设施,如 TB级光纤网络、5G毫米波和卫星通信(SATCOM)以及仪器仪表和防御系统。该技术提供出色的低电流/高频率性能,改善了异质结双极晶体管(HBT)性能,与之前的硅锗 8XP和8HP相比,最大振荡频率(Fmax)提高了35%,达到370GHz。   在纽约东菲什基尔的Fab 10工厂,正在进行基于多项目晶圆(MPW)的9HP […]

Read Press Release