Wi-Fi FEMs Wi-Fi 5为消费者提供了真正的有线补充，有助于解决对更多速度的不懈需求，并实现用户愉悦的体验，如无缓冲的高清晰度视频流。 Wi-Fi 6和6E准备将这些进展提升到新的水平，通过为日益拥挤的室内网络提供超快的性能，补充5G给室外网络带来的优势。Wi-Fi的下一次进化将提供更低的延迟、更长的电池寿命和更高的数据吞吐量，以获得更好的用户体验--这些优势将随着本十年晚些时候Wi-Fi 7的推出而得到加强，这使得选择正确的半导体解决方案更加关键。 Wi-Fi 6、6E 和 7 的推出将提供更快、无忧的无线接入和增强的用户体验，但这些优势伴随着日益严格的 FEM 性能规格，特别是与非线性有关的规格。要满足并超越这些要求，就必须做出正确的半导体选择。GlobalFoundries 为您提供差异化的 Wi-Fi 解决方案 使用130RFSOI的集成Wi-Fi FEM与性能优化的PA 使用8SW和SiGe PA解决方案的Wi-Fi FEM开关、LNA和PA 使用22FDX® RF和22FDX® RF的集成Wi-Fi FEM SoCs 使用12LP射频的集成Wi-Fi FEM SoCs 3倍的速度 来自移动设备的Wi-Fi速度 到2023年将增加两倍，达到90Mbps以上 * 4倍的吞吐量 Wi-Fi 6将使每个用户的吞吐量在密集的环境中提高4倍*。 *思科年度互联网报告（2018-2023），2020年3月 使用130RFSOI的集成Wi-Fi FEM与性能优化的PA130RFSOI平衡了集成度、面积、性能和价值，适用于智能手机、平板电脑和无线接入点的集成Wi-Fi FEM应用。#integrated-Wi-fi-fems-with-performance-optimized-pa-using-130rfsoi 130RFSOI采用创新的EDNMOS器件，具有出色的功率放大器（PA）性能，并具有高功率处理（Pmax）、低Ron*Coff和噪声系数性能，可在开关和低噪声放大器（LNA）中提供强劲可靠的信号。芯片设计人员可以利用这种优势组合，在单片 Wi-Fi FEM 中集成开关、低噪声放大器、功率放大器和逻辑器件，这些器件经过优化，外形尺寸小，电池寿命长，同时降低了整个系统的材料成本。 差异化的EDNMOS功率器件为集成的下一代Wi-Fi FEM中的PA提供了必须的低Rdson和高BVdss及ft/fmax 。 提高功率放大器的性能具有高线性发射性能的新型EDNMOS功率放大器器件与全铜互连和提高功率处理能力的超厚铜层相结合，使消费者能够享受到更广泛的无线覆盖和强信号。 是空间和电源限制应用的理想选择通过提供低漏电、高集成度和出色的射频性能优势，130RFSOI使设计人员能够开发出面积和功率优化的解决方案，为其他先进功能节省空间，提高电池寿命，同时控制系统成本。 你可以信赖的硬件，在你准备好的时候就可以使用。130RFSOI是一个经过硅验证的成熟解决方案，由GF的300毫米大批量新加坡制造厂制造，以其准时交货和卓越制造的记录而闻名。通过全方位的射频交钥匙服务和设计演示包，使您的产品更快地进入市场，获得第一时间的正确结果。 使用8SW和SiGe PA解决方案的Wi-Fi FEM开关、LNA和PAGlobalFoundries的8SW RF SOI和SiGe PA解决方案系列（SiGe 5PAe、1KW5PAe、5PAx和1K5PAx）经过优化，可帮助设计工程师在未来就绪的Wi-Fi前端模块开关、低噪声放大器和功率放大器（PA）中满足上述要求。这些解决方案结合起来，可以为高端到中端智能手机、平板电脑、笔记本电脑、接入点和物联网设备实现高性能、高功率和高面积效率的双芯片Wi-Fi FEM设计。#wi-fi-fem-switches,-lnas-and-pas-using-8sw-and-sig-pa-solutions 8SW为设计工程师提供了经济高效、低功率和高度灵活的Wi-Fi开关和LNA解决方案。基于8SW的开关具有卓越的Ron*Coff和插入损耗(IL)以及高Pmax，有助于扩展Wi-Fi信号覆盖范围和电池寿命，而基于8SW的LNA旨在提供不间断、更远的Wi-Fi连接所需的低噪声系数和高增益。SiGe PA产品组合是对8SW解决方案的补充，使芯片设计人员能够通过利用高Psat、高PAE和卓越的误差矢量幅度(EVM)性能来满足苛刻的下一代Wi-Fi规范，从而实现更广泛的Wi-Fi覆盖、更长的电池寿命和更强大的Wi-Fi连接。 8SW是业界第一个完全合格的300毫米晶圆上的大批量RF SOI代工解决方案。 GF已经在全球范围内交付了超过80亿颗SiGe PA芯片。 功能强大，但功率和面积都很节俭8SW一流的Ron*Coff、全铜互连和高堆叠能力提升了电源处理能力，可以帮助实现Wi-Fi无缝连接，提高电池效率。它的开关性能效率提高了50%，芯片面积缩小了50%，同时功耗降低了70%。† 稳健、无忧的连接使用8SW开发的LNA具有10%以上的增益和7%以下的噪声系数，以及>5倍的优点系数*，为企业、消费者和组织现在所依赖的增强型移动宽带提供可靠、稳健的Wi-Fi连接。 充满冲击力的PA利用我们的SiGe功率放大器解决方案中广泛的射频功能，平衡性能和价值。这些解决方案具有经过生产验证的硅通孔（TSV），因此设计人员可以利用低成本的封装，同时提供出色的EVM和高Psat及PAE，以提高电池寿命、覆盖范围和信号强度。 特色资源 SiGe功率放大器平台 †与GF 7SW解决方案相比；效益会因设计而异。 使用22FDX® RF和22FDX® RF的集成Wi-Fi FEM SoCs22FDX® RF使设计人员能够利用数字扩展优势，结合高功率处理、高性能功率放大器（PA）和开关，开发具有集成蓝牙和Wi-Fi功能的单芯片Wi-Fi SoC。22FDX® RF+以我们的22FDX® RF解决方案为基础，具有性能和功率优势以及Wi-Fi特定功能。#integrated-Wi-fi-fem-socs-using-22fdx®-rf和22fdx®-rf 22FDX® RF+的设计提供了30%的Ron*Coff和插入损耗性能，使连接更牢固、更可靠。 一个你可以信赖的成熟平台8SW一流的Ron*Coff、全铜互连和高堆叠能力提升了电源处理能力，可以帮助实现Wi-Fi无缝连接，提高电池效率。它的开关性能效率提高了50%，芯片面积缩小了50%，同时功耗降低了70%。† 支持Wi-Fi的设备设计工程师可以利用Wi-Fi优化的RF开关和PA功能，满足下一代Wi-Fi电源处理和性能规范。22FDX® RF和RF+中的差异化3.3 V LDMOS器件已被定制用于Wi-Fi SoC中的集成PA应用。 更少的面积意味着更多的空间用于其他功能22FDX®射频和射频+使设计者能够将多种无线连接功能集成到一个芯片中，以提高封装和成本效率--与双芯片GaAs/RF SOI解决方案相比，可节省25%的成本†，同时使供应商能够利用节省的空间来实现其他消费者喜爱的功能。 *与22FDX®射频相比。†结果将随芯片/系统设计而变化。 使用12LP射频的集成Wi-Fi FEM SoCsGlobalFoundries®(GF®)12LP射频解决方案基于成熟的12LP和14LPP GF FinFET解决方案，具有出色的数字性能、功耗和面积优势，并具有强大的射频性能，是具有集成蓝牙和Wi-Fi功能的单芯片SoC的最佳选择。 #integrated-Wi-fi-fem-socs-using-12lp-rf 与16纳米FinFET解决方案相比，比特单元面积减少10%，逻辑面积减少>20%。 在GF已经建立的14纳米和12纳米平台的基础上，GF已经交付了超过100万片晶圆。 无忧无虑的电池寿命12LP RF的高功率处理PA能力，与可大幅节电的低电压设备相搭配，有助于设计者延长电池寿命，使消费者在担心充电之前可以更长时间地享受Wi-Fi连接。 由FinFET驱动的性能通过将低LNA噪声系数和高LNA增益与高PAE功率放大器性能相结合，12LP RF使设计人员能够开发集成的Wi-Fi FEM芯片，在很远的距离上提供强大的信号覆盖，以获得消费者信赖的增强型无线体验。 在更小的空间内实现更多的功能凭借用于广泛数字集成的12纳米FinFET平台、高密度SRAM和先进的设计库，12LP RF使设计人员能够开发占用空间更少的小尺寸Wi-Fi SoC，或者在相同的SoC尺寸内集成更多的功能，以提高材料清单的效率。
