22FDX®RF & 22FDX®RF+为优质5G毫米波智能手机提供最高级别的集成度和高达20 dBm的Psat（带功率合路器）的卓越性能#22fdx®rf-&-22fdx®rf+ 使用22FDX® RF和22FDX® RF+的集成5G毫米波蜂窝FEM和TRXs22FDX® RF和22FDX® RF+实现了低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和开关与收发器（TRX）的集成。设计师可以利用高度集成的或单芯片的毫米波无线电架构，该架构集成了5G毫米波移动设备的关键射频元件，提供了他们的应用所需要的卓越的射频性能和功率效率，其精简的尺寸可以帮助降低系统的材料成本。 前三大5G毫米波FEM设计公司中的两家正在使用22FDX®RF进行设计*。 22FDX® RF和22FDX® RF+是业界唯一能在单芯片5G mmWave FEM SoC中实现世界级功率和性能优势的解决方案。 22FDX® RF+通过提供30%的Ron*Coff和插入损耗性能来扩展GF在5G领域的领先地位，实现更强大、更可靠的连接。† 使用22FDX® RF和22FDX® RF+的集成5G毫米波蜂窝FEM和TRXs 下一个层次的设计22FDX® RF和RF+具有高达40%的逻辑扩展优势‡，是业界唯一能够实现完全集成的5G mmWave SoC的解决方案，具有同类最佳的性能和功耗优势，因此您可以利用节省的空间来增加其他高级功能。 有权有势，但不贪恋权势22FDX® RF和RF+支持长达10%的电池寿命‡，其功率放大器可提供性能、功率和热效率的综合优势。 显著的影响力22FDX® RF和RF+提供噪声系数和开关插入损耗的优势，有助于提高信号质量，并将信号覆盖范围扩大到6%，以减少掉线和更好听的通话。◊ 特色资源 使用22FDX® RF和22FDX RF+的集成5G毫米波移动FEM/TRXs * 基于设计赢取流水线的电流估计。‡ 与GF 28纳米散装CMOS相比。效益将随芯片/系统设计而变化。† 与22FDX®射频相比。假设28 GHz频段，TX和RX天线增益为20 dB，视线通信。效益将随芯片/系统设计而变化。 45RFSOI为优质5G毫米波智能手机提供卓越的性能和高Psat（高达23 dBm）。#45rfsoi 使用45RFSOI的5G毫米波蜂窝型FEMs45RFSOI将高传输功率能力与业界领先的毫米波性能和可靠性结合起来，用于波束形成器和可集成的低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）以及5G毫米波蜂窝前端模块（FEM）应用中的开关。 迄今为止，在45个RFSOI设计中赢得了超过10亿美元。 业界唯一拥有内部毫米波测试能力的代工厂，该能力建立在二十年的射频领导力和专业知识之上。 使用45RFSOI的5G毫米波蜂窝型FEMs 力量，有持久力基于45RFSOI的功率放大器提供了高功率增益和效率--在大于40%的PAE‡下可达23 dBmPsat，以延长电池寿命，并提供长达10年的运行可靠性。 设计的灵活性45RSOI 让你可以将多个射频元件集成到具有卓越传输功率的 mmWave FEM 中，或者开发使用较少芯片的波束成形器，以实现更小、更经济的阵列。 为毫米波而生45RFSOI提供了一个优化的BEOL和高电阻率基板，结合了器件堆叠和低Ron的优势，可在毫米波频率下实现高质量的连接。 7SW RF SOI对于入门级和中级的4G LTE和5G sub-6 GHz智能手机、智能手表和其他连接的移动设备具有出色的性能。#7sw-rf-soi 使用7SW RF SOI的5G sub-6 GHz & 4G LTE手机FEMs7SW RF SOI是GF RF SOI产品组合中的一个成熟的解决方案，并在全球分布的多个晶圆厂中获得认证，有助于确保无忧供应。它针对5G-6GHz以下和4G LTE FEM开关和低噪声放大器（LNA）应用进行了优化。7SW已经向业界领先的FEM IC公司交付了数十亿颗芯片，为入门和中端智能手机、智能手表和其他联网移动设备提供了出色的性能。 使用7SW RF SOI的5G sub-6 GHz & 4G LTE手机FEMs 续篇 设计的灵活性7SW提供了出色的线性，并结合了一些选项，使设计者能够进行关键的Ron*Coff与功率处理的权衡，以满足设计性能目标。 让你的电池保持活力7SW具有低漏电逻辑库和高VtFET，可最大限度地减少待机功耗，旨在帮助您从每次电池充电中获得最大收益。 可靠的连接7SW具有LNA优化的晶体管和双氧化层及富陷阱衬底选项，提供了LNA性能和噪声抑制的优势，以最大限度地减少断线和扩大接收范围。 * 基于收入TAM。 8SW RF SOI为高端和高阶5G亚6GHz智能手机提供出色的性能#8sw-rf-soi 使用8SW RF SOI的5G毫米波蜂窝式5G亚6GHz蜂窝式FEMs8SW是GF射频产品组合中最先进的射频SOI解决方案。利用其高线性度和增益、低噪声系数以及业界领先的开关和低噪声放大器（LNA）功能，在高端和高层次的5G-6GHz以下移动前端模块（FEM）中发挥出色的性能。 为流动性而生8SW将低插入损耗和高射频电压/功率处理能力与世界一流的NF和Ron*Coff指标相结合，有助于支持任何地方的高性能连接。 没有充电器？没问题。8SW卓越的Ron*Coff性能和1.8V/1.2V标准电池库有助于延长电池充电之间所需的时间。 你可以依赖的清晰性8SW具有高增益、厚实的顶层金属和全铜互连，经过优化，可以最大限度地提高信号强度，实现更高质量的连接。 特色资源 使用8SW RF SOI的5G亚6GHz移动FEMs
