蜂窝无线电FEMs | GlobalFoundries

22FDX®RF &AMP; 22FDX®RF+

为优质5G毫米波智能手机提供最高级别的集成度和高达20 dBm的Psat（带功率合路器）的卓越性能

#22fdx®rf-&-22fdx®rf+

使用22FDX® RF和22FDX® RF+的集成5G毫米波蜂窝FEM和TRXs

22FDX® RF和22FDX® RF+实现了低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和开关与收发器（TRX）的集成。设计师可以利用高度集成的或单芯片的毫米波无线电架构，该架构集成了5G毫米波移动设备的关键射频元件，提供了他们的应用所需要的卓越的射频性能和功率效率，其精简的尺寸可以帮助降低系统的材料成本。

前三大5G毫米波FEM设计公司中的两家正在使用22FDX®RF进行设计*。
22FDX® RF和22FDX® RF+是业界唯一能在单芯片5G mmWave FEM SoC中实现世界级功率和性能优势的解决方案。
22FDX® RF+通过提供30%的_Ron*_Coff和插入损耗性能来扩展GF在5G领域的领先地位，实现更强大、更可靠的连接。^†

使用22FDX® RF和22FDX® RF+的集成5G毫米波蜂窝FEM和TRXs

下一个层次的设计

22FDX® RF和RF+具有高达40%的逻辑扩展优势^‡，是业界唯一能够实现完全集成的5G mmWave SoC的解决方案，具有同类最佳的性能和功耗优势，因此您可以利用节省的空间来增加其他高级功能。

有权有势，但不贪恋权势

22FDX® RF和RF+支持长达10%的电池寿命^‡，其功率放大器可提供性能、功率和热效率的综合优势。

显著的影响力

22FDX® RF和RF+提供噪声系数和开关插入损耗的优势，有助于提高信号质量，并将信号覆盖范围扩大到6%，以减少掉线和更好听的通话。^◊

特色资源

使用22FDX® RF和22FDX RF+的集成5G毫米波移动FEM/TRXs

* 基于设计赢取流水线的电流估计。
‡ 与GF 28纳米散装CMOS相比。效益将随芯片/系统设计而变化。
† 与22FDX®射频相比。
假设28 GHz频段，TX和RX天线增益为20 dB，视线通信。效益将随芯片/系统设计而变化。

45RFSOI

为优质5G毫米波智能手机提供卓越的性能和高Psat（高达23 dBm）。

#45rfsoi

使用45RFSOI的5G毫米波蜂窝型FEMs

45RFSOI将高传输功率能力与业界领先的毫米波性能和可靠性结合起来，用于波束形成器和可集成的低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）以及5G毫米波蜂窝前端模块（FEM）应用中的开关。

迄今为止，在45个RFSOI设计中赢得了超过10亿美元。
业界唯一拥有内部毫米波测试能力的代工厂，该能力建立在二十年的射频领导力和专业知识之上。

使用45RFSOI的5G毫米波蜂窝型FEMs

力量，有持久力

基于45RFSOI的功率放大器提供了高功率增益和效率--在大于40%的PAE^‡下可达23 dBm_Psat，以延长电池寿命，并提供长达10年的运行可靠性。

设计的灵活性

45RSOI 让你可以将多个射频元件集成到具有卓越传输功率的 mmWave FEM 中，或者开发使用较少芯片的波束成形器，以实现更小、更经济的阵列。

为毫米波而生

45RFSOI提供了一个优化的BEOL和高电阻率基板，结合了器件堆叠和低_Ron的优势，可在毫米波频率下实现高质量的连接。

特色资源

使用45RFSOI的5G毫米波移动FEM

*用于移动和无线基础设施应用。
‡ 在26GHz时

7SW RF SOI

对于入门级和中级的4G LTE和5G sub-6 GHz智能手机、智能手表和其他连接的移动设备具有出色的性能。

#7sw-rf-soi

使用7SW RF SOI的5G sub-6 GHz & 4G LTE手机FEMs

7SW RF SOI是GF RF SOI产品组合中的一个成熟的解决方案，并在全球分布的多个晶圆厂中获得认证，有助于确保无忧供应。它针对5G-6GHz以下和4G LTE FEM开关和低噪声放大器（LNA）应用进行了优化。7SW已经向业界领先的FEM IC公司交付了数十亿颗芯片，为入门和中端智能手机、智能手表和其他联网移动设备提供了出色的性能。