2018年3月14日集成光子技术使下一代光互连的带宽和能源效率得到改善 加州圣克拉拉，2018年3月14日 - GLOBALFOUNDRIES今天透露了其硅光子学路线图的新细节，以实现数据中心和云应用的下一代光互连。该公司目前已经通过了业界首个使用300毫米晶圆的90纳米制造工艺，同时还公布了其即将推出的45纳米技术，以提供更高的带宽和能源效率。 GF的硅光子学技术旨在支持当今全球通信基础设施中传输数据的大规模增长。与传统的在铜线上使用电信号传输数据的互连方式不同，硅光子技术通过光纤使用光脉冲，以更高的速度和更远的距离传输更多的数据，同时也将能量损耗降到最低。 "GF公司ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan说："对带宽的爆炸性需求正在推动对新一代光互连的需求。"我们的硅光子技术使客户能够为传输大量数据提供前所未有的连接水平，无论是在数据中心内的芯片之间还是在相隔数百甚至数千英里的云服务器之间。 GF的硅光子学技术能够在单个硅芯片上将微小的光学元件与电路并排集成。这种 "单片 "方法利用标准的硅制造技术，为部署光互联系统的客户提高生产效率并降低成本。 今天有300毫米的产品 GF目前提供的硅光子学产品是建立在其90纳米射频SOI工艺上的，它利用了公司在制造高性能射频（RF）芯片方面的世界级经验。该平台可以实现提供30GHz带宽的解决方案，支持高达800Gbps的客户端数据速率，以及高达120公里的长距离传输能力。 该技术以前是用200毫米晶圆加工制造的，现在已经在GF位于纽约州东菲什基尔的Fab 10工厂的更大直径的300毫米晶圆上得到了认证。向300毫米的迁移使客户的产能更大，制造效率更高，光子损失减少了2倍，从而提高了覆盖范围，实现了更有效的光学系统。 90纳米技术得到了Cadence Design Systems提供的用于E/O/E协同设计、偏振、温度和波长参数化的完整PDK的支持，以及差异化的光子测试能力，包括从技术验证和建模到MCM产品测试的五个测试部门。 明天的路线图 GF的下一代单片硅光子学产品将在其45纳米射频SOI工艺上制造，预计在2019年投产。通过利用更先进的45纳米节点，该技术将实现更低的功率、更小的外形尺寸和更高的带宽的光收发器产品，以解决下一代太比特应用。 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问www.globalfoundries.com。 联系。 Jason Gorss(518) 698-7765[email protected]
