GLOBALFOUNDRIES宣布在领先的FDX™ FD-SOI技术平台上提供毫米波和射频/模拟产品

技术解决方案为下一代大批量无线和物联网应用提供 "互联智能",功耗更低,成本大幅降低

加州圣克拉拉,2017年9月20日 -GLOBALFOUNDRIES今天宣布为下一代无线和物联网芯片组提供射频/模拟PDK(22FDX®-rfa)解决方案,为5G、汽车雷达、WiGig、SatComm和无线回程等新兴大批量应用提供mmWave PDK(22FDX®-mmWave)解决方案。

这两种解决方案都是基于公司的22纳米FD-SOI平台,该平台提供了高性能射频和毫米波以及高密度数字的组合,支持集成的单芯片系统解决方案。该技术在低电流密度和高电流密度下都能提供最高的fT和fmax,适用于需要尖端性能和功率效率的应用,如LTE-A、NB-IOT和5G蜂窝收发器、GPS WiFi和WiGig组合芯片、各种物联网和集成eMRAM的汽车雷达应用。

"GF CMOS业务部高级副总裁Gregg Bartlett说:"随着客户在智能互联设备方面的发展,GF正在通过增加FDX系列的差异化产品来推动他们的发展。"快速发展的主流移动和物联网市场需要射频和模拟方面的创新。GF的22FDX-rfa集成了卓越的射频和模拟功能,有助于提供差异化的移动和物联网产品,在功率、性能和成本之间取得最佳平衡。对于新兴的毫米波市场,GF的22FDX-mmWave提供了无与伦比的毫米波性能,可以提供差异化的相控阵波束成形和其他毫米波系统解决方案,具有最低的功耗和最高的性能和集成度。"

GF已经优化了其22FDX射频和毫米波产品,以实现高性能天线开关和功率放大器的集成,用于前沿的连接应用,如单系统芯片NB物联网和5G毫米波波束成形相控阵系统。

作为基于FinFET技术的替代方案,22FDX-rfa不仅能够集成这些前端模块组件,而且与FinFET技术相比,具有更低的热噪声和相当的自增益放大能力,与块状CMOS相比,自增益至少是2倍。与FinFET技术相比,FD-SOI技术基础的固有特性进一步减少了近30%的浸入式光刻层,同时实现了更好的射频性能。

用于先进的射频和模拟、毫米波和嵌入式非易失性存储器解决方案的工艺设计套件现已推出,可供客户进行原型设计。有兴趣了解更多关于GF的22FDX射频和模拟解决方案的客户,请联系您的GLOBALFOUNDRIES销售代表或访问www.globalfoundries.com。

关于GF

GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业,为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹,GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能,并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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