September 20, 2017Technologielösung liefert "vernetzte Intelligenz" für die nächste Generation hochvolumiger drahtloser und IoT-Anwendungen bei geringerem Stromverbrauch und deutlich reduzierten Kosten Santa Clara, Kalifornien, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Verfügbarkeit seiner Hochfrequenz-/Analog-PDK-Lösung (22FDX®-rfa) für Wireless- und IoT-Chipsätze der nächsten Generation sowie seiner mmWave-PDK-Lösung (22FDX®-mmWave) für aufkommende Massenanwendungen wie 5G, Automotive Radar, WiGig, SatComm und Wireless Backhaul bekannt. Beide Lösungen basieren auf der 22-nm-FD-SOI-Plattform des Unternehmens, die eine Kombination aus hochleistungsfähigen HF- und mmWave- sowie hochdichten digitalen Komponenten bietet, um integrierte Single-Chip-Systemlösungen zu unterstützen. Die Technologie bietet höchste fT- und fmax-Werte sowohl bei niedrigen als auch bei hohen Stromdichten für Anwendungen, die modernste Leistung und Energieeffizienz erfordern, wie z. B. LTE-A-, NB-IOT- und 5G-Mobilfunk-Transceiver, GPS-WiFi- und WiGig-Combo-Chips, verschiedene IoT- und Kfz-Radaranwendungen mit integriertem eMRAM. "Kunden, die mit intelligenten, vernetzten Geräten neue Maßstäbe setzen, unterstützt GF mit der Erweiterung der FDX-Produktfamilie", sagt Gregg Bartlett, Senior Vice President der CMOS Business Unit bei GF. "Die sich schnell entwickelnden Mainstream-Mobil- und IoT-Märkte erfordern Innovationen in den Bereichen RF und Analog. Der 22FDX-rfa von GF integriert überlegene RF- und Analog-Funktionen, die dazu beitragen, differenzierte Mobil- und IoT-Produkte mit einem optimalen Gleichgewicht zwischen Energie, Leistung und Kosten zu liefern. Für die aufstrebenden mmWave-Märkte bietet der 22FDX-mmWave von GF eine beispiellose mmWave-Performance, um differenzierte Phased-Array-Beamforming- und andere mmWave-Systemlösungen mit geringstem Stromverbrauch und höchster Leistung und Integration zu liefern." GF hat sein 22FDX RF- und mmWave-Angebot optimiert, um die Integration von Hochleistungs-Antennenschaltern und Leistungsverstärkern für modernste Konnektivitätsanwendungen wie Single System on Chip NB IoT und 5G mmWave Beamforming Phased Array-Systeme zu ermöglichen. Als Alternative zu FinFET-basierten Technologien bietet 22FDX-rfa nicht nur die Möglichkeit, diese Front-End-Modulkomponenten zu integrieren, sondern auch den Vorteil eines geringeren thermischen Rauschens und einer vergleichbaren Verstärkung der Eigenverstärkung im Vergleich zu FinFET-Technologien sowie einer mindestens zweifachen Eigenverstärkung im Vergleich zu Bulk-CMOS. Die intrinsischen Eigenschaften einer FD-SOI-Technologiebasis führen zu einer weiteren Reduzierung der Immersionslithographieschichten um fast 30 Prozent im Vergleich zu FinFET-Technologien, während gleichzeitig eine bessere HF-Leistung erzielt wird. Prozessdesign-Kits für fortschrittliche RF- und Analog-, mmWave- und eingebettete nichtflüchtige Speicherlösungen sind ab sofort verfügbar und stehen für Kundenprototyp-Designs bereit. Kunden, die mehr über die 22FDX-HF- und -Analoglösungen von GF erfahren möchten, wenden sich bitte an ihren GLOBALFOUNDRIES-Vertriebsmitarbeiter oder besuchen Sie www.globalfoundries.com. ÜBER GF GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Erica McGillGF(518) 795-5240[email protected]
