2017年9月20日先进的嵌入式非易失性存储器解决方案通过在22纳米工艺节点上扩展SoC能力来提供 "连接的智能 加州圣克拉拉，2017年9月20日 -GLOBALFOUNDRIES今天宣布在公司的22nm FD-SOI（22FDX®）平台上推出其可扩展的嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式存储器解决方案，GF的22FDX eMRAM为消费者和工业控制器、数据中心、物联网（IoT）和汽车领域的广泛应用提供了高性能和卓越的可靠性。 正如最近所展示的那样，GF的22FDX eMRAM的特点是能够在260℃的焊接回流中保留数据，同时保持业界领先的eMRAM比特单元尺寸，在125℃时可保留数据10年以上，使该技术可用于通用、工业和汽车微控制器单元（MCU）。FDX™和eMRAM的功率效率，加上可用的射频连接和毫米波IP，使22FDX成为电池供电的物联网和自主车辆雷达系统芯片（SoC）的理想平台。 "随着越来越多的应用需要高性能的非易失性存储器解决方案，客户正在寻求扩大其产品功能，"GF嵌入式存储器副总裁Dave Eggleston说。"我们很高兴发布22FDX eMRAM，这是一种高可靠性的嵌入式存储器技术，为系统设计者提供了多功能性，可以在他们的MCU和SoC中构建更多的功能，同时提高性能和电源效率。" GF的eMRAM具有高可靠性和卓越的可扩展性，使其在先进的工艺节点上成为多个市场的成本效益选择。此外，GF的eMRAM具有多功能性，可实现快速写入性能和高耐用性，使其可用于代码存储和工作存储器。GF的22FDX eMRAM的推出是该公司与Everspin Technologies多年合作的结果。这种合作关系已经展示了1Gb DDR MRAM芯片，并对其进行了采样，还将256Mb DDR MRAM芯片产品化，这些产品由Everspin独家提供。 22FDX eMRAM和射频解决方案的工艺设计套件现在已经推出。22FDX eMRAM在多项目晶圆（MPWs）上的客户原型开发正在按计划进行，将于2018年第一季度进行，并计划于2018年底进行风险生产。今天，GF和我们的设计合作伙伴可以提供定制的eMRAM设计服务，包括从2Mb到32Mb的eMRAM宏，具有易于设计的eFlash和SRAM接口选项。 有兴趣了解GF的22FDX eMRAM解决方案的客户，请联系您的GLOBALFOUNDRIES销售代表或登录www.globalfoundries.com。 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
