September 20, 2017Hochentwickelte eingebettete nichtflüchtige Speicherlösung liefert "vernetzte Intelligenz" durch Erweiterung der SoC-Funktionen auf dem 22-nm-Prozessknoten Santa Clara, Kalifornien, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Verfügbarkeit seiner skalierbaren, eingebetteten magnetoresistiven nichtflüchtigen Speichertechnologie (eMRAM) auf der 22-nm-FD-SOI-Plattform (22FDX®) des Unternehmens bekannt. Als branchenweit fortschrittlichste eingebettete Speicherlösung bietet der 22FDX eMRAM von GF hohe Leistung und überragende Zuverlässigkeit für ein breites Spektrum von Anwendungen in Steuerungen für Verbraucher und Industrie, Rechenzentren, Internet of Things (IoT) und Automotive. Wie kürzlich demonstriert wurde, kann das 22FDX eMRAM von GF Daten bei 260°C Reflow-Lötung speichern und gleichzeitig eine branchenführende eMRAM-Bitzellengröße beibehalten, die Daten bei 125°C mehr als 10 Jahre lang speichert. Dies ermöglicht den Einsatz der Technologie für allgemeine, industrielle und automobile Mikrocontroller-Einheiten (MCUs). Die Energieeffizienz von FDX™ und eMRAM in Verbindung mit der verfügbaren RF-Konnektivität und mmWave-IP macht 22FDX zu einer idealen Plattform für batteriebetriebene IoT- und autonome Fahrzeugradar-System-on-Chips (SoCs). "Kunden wollen ihre Produktmöglichkeiten erweitern, da immer mehr Anwendungen eine leistungsstarke, nichtflüchtige Speicherlösung erfordern", so Dave Eggleston, Vice President Embedded Memory bei GF. "Wir freuen uns, mit 22FDX eMRAM eine hochzuverlässige Embedded-Speichertechnologie auf den Markt bringen zu können, die Systementwicklern die Möglichkeit bietet, ihre MCUs und SoCs mit mehr Funktionen auszustatten und gleichzeitig die Leistung und Energieeffizienz zu verbessern." Die hohe Zuverlässigkeit und überlegene Skalierbarkeit des eMRAM von GF macht es zu einer kosteneffizienten Option bei fortschrittlichen Prozessknoten für zahlreiche Märkte. Darüber hinaus ermöglicht die Vielseitigkeit des eMRAM von GF eine schnelle Schreibleistung und eine hohe Ausdauer, so dass es sowohl als Codespeicher als auch als Arbeitsspeicher verwendet werden kann. Die Verfügbarkeit des 22FDX eMRAM von GF ist das Ergebnis einer mehrjährigen Partnerschaft mit Everspin Technologies. Im Rahmen dieser Partnerschaft wurden bereits 1-Gb-DDR-MRAM-Chips demonstriert und bemustert sowie 256-Mb-DDR-MRAM-Chips produziert, die exklusiv bei Everspin erhältlich sind. Prozessdesign-Kits für 22FDX eMRAM und RF-Lösungen sind ab sofort erhältlich. Das Prototyping von 22FDX eMRAM auf Multiprojekt-Wafern (MPWs) durch Kunden ist für das erste Quartal 2018 geplant, die Risikoproduktion soll bis Ende 2018 erfolgen. Kundenspezifische eMRAM-Designservices sind ab sofort bei GF und unseren Design-Partnern erhältlich, darunter eMRAM-Makros von 2 bis 32 MB mit einfach zu integrierenden eFlash- und SRAM-Schnittstellenoptionen. Kunden, die mehr über die 22FDX eMRAM-Lösung von GF erfahren möchten, wenden sich bitte an ihren GLOBALFOUNDRIES-Vertriebsmitarbeiter oder besuchen Sie www.globalfoundries.com. ÜBER GF GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
