2019年8月7日Arm在GF的12LP工艺上的互连技术实现了高性能和低延迟，同时为人工智能、云计算和移动SoC中的高核心设计增加了带宽。 加州圣克拉拉和英国剑桥，2019年8月7日-- 全球领先的专业代工企业GLOBALFOUNDRIES今天宣布，它已推出基于Arm®的3D高密度测试芯片，将使AI/ML和高端消费者移动和无线解决方案等计算应用的系统性能和功率效率达到新的水平。这款新芯片采用GF的12纳米领先性能（12LP）FinFET工艺制造，具有Arm的3D网状互连技术，允许数据采取更直接的路径到达其他核心，最大限度地减少延迟，同时提高数据中心、边缘计算和高端消费应用所要求的数据传输速率。 这款芯片的交付表明，Arm和GF在研究和开发差异化解决方案方面取得了快速进展，这些解决方案能够为可扩展的高性能计算提高设备密度和性能。此外，两家公司还验证了一种3D测试设计（DFT）方法，使用GF的混合晶圆到晶圆键合，可以实现每平方毫米100万个3D连接，将扩展12纳米设计的能力延长到未来。 "Arm研究部副总裁Eric Hennenhoefer表示："Arm的3D互连技术使半导体行业能够增强摩尔定律，以解决更多的计算应用问题。"GF在制造和先进封装能力方面的专长与Arm技术相结合，为我们共同的合作伙伴提供了更多的差异化优势，使其能够冒险进入下一代高性能计算的新模式。" "在大数据和认知计算的时代，先进的封装正在发挥比过去更大的作用。人工智能的使用以及对高功率、高吞吐量互连的需求，正在通过先进封装推动加速器的发展，"GF公司平台部首席技术专家John Pellerin说。 "我们很高兴能与Arm这样的创新伙伴合作，提供先进的封装解决方案，从而进一步实现在小尺寸中集成各种节点技术，并对逻辑扩展、内存带宽和射频性能进行优化。这项工作将使我们能够发现先进封装方面的新见解，使我们共同的客户能够更有效地创建完整的、差异化的解决方案。" GF的业务模式已经转型，使其客户能够开发新的以市场和应用为重点的解决方案，专门用于满足当今苛刻市场的要求。GF的3D面对面（F2F）封装解决方案不仅为设计者提供了一条实现异构逻辑和逻辑/内存集成的途径，而且可以使用最佳生产节点进行生产，实现更低的延迟、更高的带宽和更小的特征尺寸。这种方法，加上与Arm等合作伙伴的早期接触，为客户提供了最大的选择和灵活性，同时为他们的下一代产品节省了成本并加快了量产时间。 欲了解更多信息，请访问globalfoundries.com。 关于GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES（GF）是世界领先的特种铸造厂。我们提供差异化的功能丰富的解决方案，使我们的客户能够为高增长的细分市场开发创新产品。GF通过独特的设计、开发和制造服务组合，提供广泛的平台和功能。凭借跨越美国、欧洲和亚洲的规模化生产基地，GF具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息，请访问globalfoundries.com。 关于手臂 Arm技术是计算和连接革命的核心，正在改变人们的生活和商业运作方式。我们先进、节能的处理器设计已经在超过1450亿颗芯片中实现了智能计算，我们的技术现在为从传感器到智能手机和超级计算机的产品提供安全动力。结合我们的物联网设备、连接和数据管理平台，我们也正在使客户获得强大的、可操作的商业洞察力，从他们的连接设备和数据中产生新的价值。我们与1000多个技术合作伙伴一起，在设计、保障和管理从芯片到云的所有计算领域方面处于领先地位。 所有信息都是 "按原样 "提供的，没有任何保证或陈述。本文件可以自由分享，并注明出处和不作修改。Arm是Arm有限公司（或其子公司）的注册商标。所有品牌或产品名称都是其各自持有人的财产。© 1995-2019年Arm集团。 联系。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected] Kristen LisaArm(512) 939-9877[email protected]
