2014年10月27日与领先晶圆厂的合作将支持Everspin从40纳米和28纳米技术开始的ST-RAM市场增长 亚利桑那州钱德勒市，2014年10月27日 -世界领先的分立和嵌入式MRAM开发商和制造商Everspin Technologies, Inc.今天宣布，该公司已与GLOBALFOUNDRIES合作，从GF 40纳米和28纳米低功耗CMOS平台开始，用Everspin的磁隧道结（MTJ）自旋扭矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）技术建立完全加工的300毫米晶圆。这种关系构成了Everspin公司长期战略的核心，即通过为高性能存储系统的设计者提供快速、非易失性存储器解决方案，实现低延迟和更高的可靠性，将ST-MRAM推广到市场上。 GF已经投资了先进的ST-MRAM CMOS加工设备，以便从GF的40纳米技术节点开始提供完全加工的CMOS和MRAM晶圆。GF还向Everspin投资了一笔未披露的款项。 "GF产品管理高级副总裁Gregg Bartlett说："Everspin在向市场运送超过4000万个MRAM产品方面的经验，以及设计和推出第一个商业化的ST-MRAM，加上我们的制造能力，将建立业界第一个300mm ST-MRAM技术。"我们与Everspin的合作将有助于推动ST-MRAM的采用，并为快速增长的MRAM市场提供支持。" "Everspin公司总裁兼首席执行官Phill LoPresti说："GF是为众多市场和应用提供增值和完全集成的存储器解决方案的先驱者。"我们与世界级代工厂的合作是我们长期战略的一个基本组成部分，即在300毫米上提供ST-MRAM，加快我们的垂直MTJ ST-MRAM位单元的可用性，在先进的CMOS技术节点上快速跟踪ST-MRAM的生产，为我们的客户确保大批量的产能，并将ST-MRAM向千兆密度扩展，以进一步扩大Everspin ST-MRAM产品的市场和应用。" 关于Everspin Technologies Everspin Technologies是全球领先的分立和嵌入式磁阻存储器（MRAM）和自旋扭矩磁阻存储器（ST-MRAM）的设计、制造和商业化运输公司，这些市场和应用对数据的持久性和完整性、低延迟性和安全性至关重要。Everspin已经在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过4000万个MRAM和ST-MRAM产品，建立了世界上最强大和增长最快的MRAM用户基础。凭借超过500项有效专利和申请的知识产权组合，Everspin在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）ST-MRAM比特单元的开发方面处于市场领先地位。Everspin已经在全球范围内建立了高质量的生产，同时为先进的技术节点（包括40纳米、28纳米和更高的技术节点）实现了一个完整的300毫米大批量代工合作伙伴。除了推出具有新密度和先进接口的分立存储器解决方案，包括世界上第一个商业化和批量出货的ST-MRAM，Everspin正在实现公司的战略，将MRAM和ST-MRAM作为主流嵌入式存储器，用于MCU、GPU、DSP、应用处理器和ASIC，使Everspin被称为 "MRAM公司"。www.everspin.com # # # Everspin联系。 Michael SchoolnikStory Public Relations415-674-3816[email protected]
