Everspin und GLOBALFOUNDRIES kooperieren bei der Lieferung von vollständig prozessierten 300mm CMOS-Wafern mit Everspins ST-MRAM-Technologie

Die Partnerschaft mit dem führenden Unternehmen foundry wird Everspins Wachstum auf dem ST-MRAM-Markt unterstützen, beginnend mit der 40nm- und 28nm-Technologie

Chandler, AZ, 27. Oktober 2014 - Everspin Technologies, Inc., der weltweit führende Entwickler und Hersteller von diskretem und eingebettetem MRAM, gab heute bekannt, dass das Unternehmen eine Partnerschaft mit GLOBALFOUNDRIES eingegangen ist, um vollständig prozessierte 300-mm-Wafer mit Everspins Magnetic Tunnel Junction (MTJ)-Spin-Torque Magnetoresistive Random-Access Memory (ST-MRAM)-Technologie herzustellen, beginnend mit GF 40 Nanometer und 28 Nanometer Low Power CMOS-Plattformen. Diese Beziehung bildet den Kern von Everspins langfristiger Strategie, ST-MRAM auf dem Markt zu verbreiten, indem Entwicklern von Hochleistungsspeichersystemen eine schnelle, nichtflüchtige Speicherlösung mit geringer Latenzzeit und erhöhter Zuverlässigkeit angeboten wird.

GF hat in fortschrittliche ST-MRAM-CMOS-Verarbeitungsanlagen investiert, um die vollständig verarbeiteten CMOS- und MRAM-Wafer ab dem 40-Nanometer-Technologieknoten von GF zu liefern. GF hat außerdem einen ungenannten Betrag in Everspin investiert.

"Everspins Erfahrung mit der Auslieferung von mehr als 40 Millionen MRAM-Produkten sowie der Entwicklung und Markteinführung des ersten kommerziell erhältlichen ST-MRAM wird zusammen mit unseren Fertigungskapazitäten die erste 300-mm-ST-MRAM-Technologie der Branche hervorbringen", sagte Gregg Bartlett, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Unsere Partnerschaft mit Everspin wird dazu beitragen, die Verbreitung von ST-MRAM voranzutreiben und den schnell wachsenden MRAM-Markt zu versorgen."

"GF ist ein Pionier bei der Bereitstellung von wertschöpfenden und vollintegrierten Speicherlösungen für eine Vielzahl von Märkten und Anwendungen", sagte Phill LoPresti, Präsident und CEO von Everspin. "Unsere Partnerschaft mit einem Weltklasseunternehmen ( foundry ) ist ein grundlegender Bestandteil unserer langfristigen Strategie, ST-MRAM auf 300 mm zu liefern, die Verfügbarkeit unserer senkrechten MTJ ST-MRAM-Bitzelle zu beschleunigen, die ST-MRAM-Produktion in fortschrittlichen CMOS-Technologieknoten zu beschleunigen, unseren Kunden hohe Volumenkapazitäten zu sichern und ST-MRAM in Richtung Gigabit-Dichte zu skalieren, um den Markt und die Anwendungsmöglichkeiten der ST-MRAM-Produkte von Everspin weiter zu erweitern.

Über Everspin Technologies

Everspin Technologies ist weltweit führend in der Entwicklung, Herstellung und kommerziellen Auslieferung von diskreten und eingebetteten magnetoresistiven RAMs (MRAM) und Spin-Torque-MRAMs (ST-MRAM) für Märkte und Anwendungen, in denen Datenbeständigkeit und -integrität, niedrige Latenzzeiten und Sicherheit von größter Bedeutung sind. Mit mehr als 40 Millionen MRAM- und ST-MRAM-Produkten, die in Rechenzentren, Cloud-Speichern, im Energie-, Industrie-, Automobil- und Transportmarkt eingesetzt werden, hat Everspin die stärkste und am schnellsten wachsende Basis von MRAM-Nutzern in der Welt aufgebaut. Mit einem Portfolio an geistigem Eigentum von mehr als 500 aktiven Patenten und Anwendungen ist Everspin marktführend in der Entwicklung von ST-MRAM-Bitzellen mit magnetischem Tunnelübergang (MTJ) in der Ebene und senkrecht dazu. Everspin hat weltweit eine qualitativ hochwertige Fertigung etabliert und ist ein schlüsselfertiger 300-mm-High-Volume-Partner foundry für fortschrittliche Technologieknoten wie 40 nm, 28 nm und darüber hinaus. Neben der Einführung von diskreten Speicherlösungen mit neuen Dichten und fortschrittlichen Schnittstellen, einschließlich der weltweit ersten Kommerzialisierung und Serienlieferung von ST-MRAM, setzt Everspin die Strategie des Unternehmens um, MRAM und ST-MRAM als eingebettete Mainstream-Speicher für den Einsatz in MCUs, GPUs, DSPs, Anwendungsprozessoren und ASICs zu verbreiten, was Everspin die Bezeichnung "The MRAM Company" einbrachte. www.everspin.com

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