格芯扩展硅光子路线图，满足对数据中心连接的爆炸式增长需求 March 15, 2018光子集成技术有助于提升新一代光学互连的带宽和能效 2018年3月14日，加州圣克拉拉 – 今天，格芯揭示硅光子路线图的新信息，推动数据中心和云应用的新一代光学互连。格芯已经用300 mm晶圆认证了行业首个90 nm制造工艺，同时宣布未来的45 nm技术将带来更大的带宽和能效。 格芯的硅光子技术旨在应对全球通信基础设施中的大规模数据增长。不同于利用铜线电信号传输数据的传统互连，硅光子技术使用光纤光脉冲，以更高的速度在更远距离上传输数据并降低能耗。 格芯ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan表示：“带宽需求呈现爆炸式增长，现在迫切需要新一代的光学互连。不管是数据中心内部芯片之间，还是相隔千里的云服务器之间，我们的硅光子技术都能让客户在前所未有的连接水平上传送大量数据。” 格芯的硅光子技术可在单个硅芯片上并排集成微小光学组件与电路。“单芯片”方案利用标准硅制造技术，提高了客户部署光学互连系统的效率，降低了成本。 现在可使用300 mm晶圆 格芯的当代硅光子产品依托90 nm RF SOI工艺，这项工艺充分发挥了公司在制造高性能射频(RF)芯片方面积累的一流经验。平台可以实施提供30GHz带宽的解决方案，支持客户端数据传输速率达到800 Gbps，同时使数据传输距离增加到120 km。 这项技术先前使用200 mm晶圆工艺，格芯位于纽约州东菲什基尔的10号晶圆厂现在认证了300 mm直径的晶圆。采用300 mm晶圆有助于提高客户产能和生产率，让光子损失减少2倍，扩大覆盖范围，实现效率更高的光学系统。 Cadence Design Systems公司用于E/O/E、协同设计、极化、温度和波长参数的完整PDK支持90 nm技术，并提供差异化光子测试能力，包括从技术认证和建模到MCM产品测试的五个测试部分。 未来路线图 格芯新一代单芯片硅光子产品将采用45 nm RF SOI工艺，计划于2019年投入生产。这项技术利用更先进的45 nm节点，功耗降低，体积减小，用于光学收发器产品的带宽更高，可满足新一代兆兆位应用。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂， 为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现， 并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。 欲了解更多信息，请访问 www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： Jason Gorss (518) 698-7765 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES扩展硅光子学路线图以满足数据中心连接的爆炸性需求 2018年3月14日集成光子技术使下一代光互连的带宽和能源效率得到改善 加州圣克拉拉，2018年3月14日 - GLOBALFOUNDRIES今天透露了其硅光子学路线图的新细节，以实现数据中心和云应用的下一代光互连。该公司目前已经通过了业界首个使用300毫米晶圆的90纳米制造工艺，同时还公布了其即将推出的45纳米技术，以提供更高的带宽和能源效率。 GF的硅光子学技术旨在支持当今全球通信基础设施中传输数据的大规模增长。与传统的在铜线上使用电信号传输数据的互连方式不同，硅光子技术通过光纤使用光脉冲，以更高的速度和更远的距离传输更多的数据，同时也将能量损耗降到最低。 "GF公司ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan说："对带宽的爆炸性需求正在推动对新一代光互连的需求。"我们的硅光子技术使客户能够为传输大量数据提供前所未有的连接水平，无论是在数据中心内的芯片之间还是在相隔数百甚至数千英里的云服务器之间。 GF的硅光子学技术能够在单个硅芯片上将微小的光学元件与电路并排集成。这种 "单片 "方法利用标准的硅制造技术，为部署光互联系统的客户提高生产效率并降低成本。 今天有300毫米的产品 GF目前提供的硅光子学产品是建立在其90纳米射频SOI工艺上的，它利用了公司在制造高性能射频（RF）芯片方面的世界级经验。该平台可以实现提供30GHz带宽的解决方案，支持高达800Gbps的客户端数据速率，以及高达120公里的长距离传输能力。 该技术以前是用200毫米晶圆加工制造的，现在已经在GF位于纽约州东菲什基尔的Fab 10工厂的更大直径的300毫米晶圆上得到了认证。向300毫米的迁移使客户的产能更大，制造效率更高，光子损失减少了2倍，从而提高了覆盖范围，实现了更有效的光学系统。 90纳米技术得到了Cadence Design Systems提供的用于E/O/E协同设计、偏振、温度和波长参数化的完整PDK的支持，以及差异化的光子测试能力，包括从技术验证和建模到MCM产品测试的五个测试部门。 明天的路线图 GF的下一代单片硅光子学产品将在其45纳米射频SOI工艺上制造，预计在2019年投产。通过利用更先进的45纳米节点，该技术将实现更低的功率、更小的外形尺寸和更高的带宽的光收发器产品，以解决下一代太比特应用。 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问www.globalfoundries.com。 联系。 Jason Gorss(518) 698-7765[email protected]
格芯技术、性能与规模迈入新阶段，资深业者汤姆∙嘉菲尔德接棒桑杰·贾出任格芯首席执行官 March 9, 2018美国加利福尼亚圣克拉拉,（2018年3月9日）——结束了在格芯四年的首席执行官（CEO）任期，桑杰·贾（Sanjay·Jha）先生将把公司最高职位交接给原格芯高级副总裁、总经理汤姆∙嘉菲尔德博士。汤姆∙嘉菲尔德先生具有丰富的经验，在业内广受尊敬。 嘉菲尔德先生于2014年加入格芯，他拥有十分出色的履历背景，在许多业内领先的科技公司有过工程、管理、运营以及全球业务执行等经历。他在IBM工作的17年中，历任多项高级领导职务。在格芯任职期间，他成功地在纽约北部地区建造并发展了公司新型的14纳米生产基地，该基地是全美最先进的代工厂，也是美国最大的公私合作关系的实例之一。 过去的四年里，格芯已成长为行业内第二大纯晶圆代工公司。2015年，公司收购了IBM的微电子业务，包括1000多位技术专家以及16,000项专利。格芯成功地利用这些资源在纽约建造工厂，并加快了7纳米工艺的发展。在差异化FDX技术领域，格芯亦是先锋，这为我们的顾客提供了低功耗、高效的物联网解决方案，并且扩大了公司在实现智能互联的射频行业的领导地位。2017年，格芯宣布开展与中国成都的战略伙伴关系，并建造300毫米晶圆厂，预计于明年投入运营。 “过去的四年意义非凡，”贾先生表示。“我们将格芯转变成了一个备受客户信赖的代工厂。对IBM公司微电子业务的收购也使得我们能够独立发展包括7nm工艺在内的尖端技术的同时，扩大我们在射频, ASICS 以及 FDX平台等不同业务的领导地位。汤姆∙嘉菲尔德先生是出任CEO非常合适的人选，他完全有能力沿续我们的成功的记录，进一步加强格芯作为领先的代工厂在半导体行业的领导地位。” “我非常荣幸，有机会在这个本公司以及行业所处的令人激动的时刻，领导格芯的发展。”嘉菲尔德先生，这位即将履新的CEO表示。“越来越多的新客户涌入市场，我们拥有独特的技术服务以及出色的执行经历，能够在快速发展的代工行业重塑竞争环境。我们将继续改变这个影响世界的行业。” “对于全球半导体行业以及公司股东来说格芯都是一个战略性资产。我们将继续加大投入来增长并差异化我们的业务，通过合作进一步强化行业的发展，这一切都是为了更好地服务我们的客户。” 格芯董事会主席Ahmed Yahia Al Idrissi表示。“桑杰为格芯制定了里程碑式的正确战略，带领公司步入正轨，我们感谢他作出的重大贡献。同时，汤姆凭借自身25年的运营经验以及客户服务经历，将继续带领格芯迈向新的成功。”贾先生将与格芯的股东穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）密切合作，探索更多潜在的未来系统业务的开发。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang) (021) 8029 6826 [email protected] 关慧珠 （Sunny Guan) 86 13564132717 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected] 范怡唯（Yiwei Fan） 86 13585713665 [email protected]
继重要的技术、产能和扩张里程碑之后，GLOBALFOUNDRIES的Sanjay Jha将把指挥棒交给行业资深人士Tom Caulfield。 2018年3月9日加州圣克拉拉，2018年3月9日- 在担任GLOBALFOUNDRIES首席执行官四年多后，Sanjay Jha将把公司的最高职位交给高级副总裁兼总经理、备受尊敬的行业资深人士Thomas Caulfield博士。 Caulfield于2014年加入GF，在此之前，他的职业生涯取得了令人印象深刻的成果，涵盖了工程、管理、运营领导和全球领先技术公司的行政经验，包括在IBM担任各种高级领导职务17年。在GF任职期间，他成功地建立了公司在纽约州北部的新的14纳米生产设施，这是一个最先进的代工设施，也是美国最大的公私合作项目之一。 在过去的4年里，GF已经成为业内第二大的纯代工公司。2015年，该公司收购了IBM的微电子业务，带来了一个由1000多名技术专家组成的团队和16000项专利组合。GF成功地利用这些能力建立了纽约的工厂，并加速了7纳米的开发。该公司还开创了差异化的FDX技术，为客户提供了物联网的低功耗、高效的解决方案，并扩大了其在射频领域的领导地位，从而实现了互联智能。2017年，该公司宣布与中国成都建立战略伙伴关系，并为世界规模的300毫米晶圆厂破土动工，该厂将于明年开始运营。 "这是一个令人难以置信的四年，"Jha说。"我们已经将GF转变为我们全球客户群所信赖的、可靠的代工厂。收购IBM的微电子业务使我们能够独立开发包括7纳米在内的尖端技术，并扩大我们在RF、ASICS和FDX平台等差异化业务中的领导地位。Tom Caulfield是在这一成功记录的基础上，加强GF作为半导体行业领先的代工合作伙伴地位的合适人选。" "我很荣幸有机会在公司和我们行业如此激动人心的时刻领导GF，"GF新任CEO Caulfield说。"随着令人振奋的新客户进入市场，我们拥有独特的技术组合和执行记录，可以在快速增长的代工领域重新设定竞争的环境。而且我们将继续改变这个正在改变世界的行业"。 "对于全球半导体行业和我们的股东来说，GF是一项战略资产。我们将继续投资以实现业务的差异化和增长，并通过伙伴关系进一步巩固行业，以使我们能够更好地服务于客户，"GF董事会主席Ahmed Yahia Al Idrissi说。"Sanjay完成了战略里程碑，使公司走上了正确的道路，我们要感谢他的重大贡献。汤姆，以他25年来的卓越运营和为客户提供服务的记录，将把公司带入新的成功水平"。 Jha打算与公司的股东穆巴达拉投资公司密切合作，探索未来潜在系统业务的开发和建设。 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的提供全方位服务的半导体代工厂，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GF使改变行业的技术和系统成为可能，并赋予客户塑造其市场的力量。GF为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人：Jason Gorss(518) 698-7765[email protected]
2018 MWC：22FDX让物联网更有魅力 March 5, 2018作者: Dave Lammers 全球移动通讯大会(MWC2018)即将在西班牙巴塞罗那举行，物联网领域大咖们将在大会上展示他们的芯片设计，其中几家创业公司使用了格芯的22FDX®技术。 Nanotel Technology公司的首席技术官Anup Savla表示，这家年轻公司正在设计几个用于窄带物联网领域的多款芯片。Savla在英特尔工作了三年之后，又在高通做了11年的无线电集成电路设计。Savla说，Nanotel选择使用22FDX工艺技术为混合信号窄带物联网调制解调器降低功耗。 他表示：「我们围绕物联网应用设计了一个数字引擎处理器，聚焦于低功耗和低泄漏。22FDX能够关闭电源，防止漏电，这是你无法从批量CMOS工艺中获得的。 在最初的22FDX设计套件正式发布之前，Nanotel就已经开始设计收发器了，使用了0.5 PDK，但是库的目标是0.4 V运行电压。「从一开始我们就明确定位于0.4V库，因为在0.8V的水平上，使用批量CMOS工艺无法作足够的功耗分层。在0.4伏的电压下，功耗水平要低得多，但成本接近批量CMOS工艺。」Salva说。 格芯的22FDX架构: 物联网、移动和射频的新兴产品 当被问及如何设计FD-SOI工艺时，Savla说：「 我们遇到了早期使用者都会遇到的问题。部分原因是使用后门所需的额外建模和测试，但是不管工艺的成熟度如何，这仍然是正确的。如果您真的想要开发这个工艺所能做的事，那么您就要随着建模的增加而改变背栅电压。」 Savla表示，Nanotel芯片组的设计在数字和模拟上所花的精力是相同的。「在相同的设计中，当设备基本上处于睡眠和不使用状态时，我们可以使用带有后盖控制的开关来切断的泄漏电流。在某种程度上，这在批量CMOS工艺里是不容易做到的。另一方面，我们可以在主动模式的设备上使用背栅，以极低的供能使主动操作成为可能。」 Nanotel的主要着重点不是销售IC —Nanotel是一家专注于解决方案的公司，为客户设计设备和数据包，让客户可以使用远程、低成本的蜂窝网络连接，而无需依赖WiFi。拥有自己的芯片组使得Nanotel能为客户定制低成本、功能独特的产品。 双模连接解决方案 根据ABI Research的数据，领先的低功耗广域(LPWA)连接标准— LTE-M，在美国市场上吸引了越来越多的关注。而在2021年前，欧洲和亚洲所采用的窄带物联网会将物联网的部署提升至近5亿。 格芯和VeriSilicon正在开发一套IP协议，让客户可以创建单芯片的LPWA解决方案，以支持使用双模方案的LTE-M或NB -物联网。该IP将包括集成基带、电源管理、射频无线电和前端组件的完整的蜂窝调制解调器模块集成在单一芯片上。 VeriSilicon提供芯片设计平台即服务(SiPaaS)IP，这使得他的客户可以专注于差异化功能。VeriSilicon首席执行官Wayne Dai表示，中国政府已经将窄带物联网全国范围的部署作为未来一年的目标。格芯在成都新成立的300毫米芯片厂，以及IP平台，如集成NB-物联网和LTE-M的单芯片方案，将对中国的物联网和物人工智能(AIoT)产业产生重大影响。 1微微安培每微米 Anubhav Gupta是格芯物联网、人工智能和机器学习部门战略营销和业务发展主管。他说：「一些客户正在使用旧的多芯片设计，并用22FDX工艺创建单芯片解决方案。由于SOI和FET有效叠加可获得高功率PA和高开关线性，22FDX工艺在转移到单芯片设计时具有面积、功耗和成本的优势。我们看到了该工艺的短沟道效应，更高的跨导增益，以及与28nm批量芯片的等效设计相比具有更好的偏模和低噪音性能。」 在数字化方面，Gupta表示，这种基底偏压的功能使客户可以在低于1微微安培每微米的情况下，使用低至0.4V的备用泄漏电流来运行。另外，格芯现在提供了嵌入式MRAM，其唤醒速度非常快，读取速度与flash类似，但写入速度要快1000倍。Gupta说，当eMRAM与芯片上的SRAM结合使用时，客户可以完全避开片外闪存。 众望所归的路线图 Dan Hutcheson，VLSI Research公司首席执行官 Dan Hutcheson是加州圣克拉拉市市场研究公司VLSI Research的首席执行官。他在2016年对设计师们进行了一项调查，让他们比较FD-SOI与批量生产的CMOS。设计师们反馈，问题在于他们不知道是否有FD-SOI路线图。于是，格芯开发出从22FDX到12FDX™的平台，这个问题就迎刃而解了。 Hutcheson说，他相信一些公司正在起步进行设计，他们却就此对外界保密。「从2016年开始，市场上出现更多的IP，而格芯已经解决了12FDX的路线图问题，因此22不仅仅是一个一站式服务。」 意法半导体公司拥有多项应用于28nm芯片的FD-SOI设计。该公司最近宣布将把格芯22FDX工艺作为其FD-SOI路线图的下一站。 意法半导体的一位发言人说：「自从22FDX集成了第二代有源器件(晶体管)之后，意法半导体选择格芯22FDX技术作为下一站技术便顺理成章，目前我们已在使用28nmFD-SOI技术。」 这位发言人表示，「意法半导体对德累斯顿22FDX节点技术的发展持积极的看法，该节点技术目前已经具备了批量生产的资格，并为其发展的黄金时间做好准备。因此意法半导体可以立即用它来开发产品」。德累斯顿的制造团队的芯片产能和经验「使得我们对格芯的生产能力和产量充满信心。」 性能优化的视觉处理器 Dream Chip Technologies公司首席运营官Jens Benndorf说，他的团队把0.8 V库用于其“性能优化”的汽车视觉处理器。Dream Chip主导了一系列获欧盟支持的设计项目，这些项目包括ARM的A53 Quad和 Cortex®-R5，Cadence的四维Vision P6，ArterisIP的FlexNOC，INVECAS的LPDDR4控制器，以及其他的IP合作伙伴。基于22FDX工艺设计的多核视觉处理器，在2017年的MWC上首次亮相。从那时起，该设计为欧洲汽车制造商和一级汽车零部件供应商提供了一个平台，使他们可以创建定制的衍生产品。 据Benndorf介绍，「汽车行业意识到他们的辅助驾驶解决方案，除了需要雷达和激光雷达，还需要更多来自多个摄像头的整合信息。因次，多处理器芯片设计采用了正向偏差来提高性能，而不是反向偏差。」由此产生了一种计算机视觉处理器芯片方案，面积64平方毫米，有约10亿个晶体管，却只消耗4瓦。他补充道：「想象一下芯片上有多少视觉处理器，可见这个功耗数字有多么令人瞩目。」 Riot Micro公司押注蜂窝链路 Nanotel所进行的设计在数字和模拟上投入的精力相同，另一家使用22FDX工艺的创业公司则拥有全数字的窄带物联网调制解调器设计。位于温哥华的Riot Micro公司首席执行官Peter Wong表示，其公司不用数字信号处理(DSP)的方法，允许物联网用户关闭大部分芯片以节省电力。对于电池驱动的物联网边缘设备来说，这一点尤其受欢迎，因为这些设备可能需要使用电池运行10年。 Riot Micro 的首席执行官Peter Wong：Riot Micro的价值存在于功耗领域 Riot Micro的第一个设计是用竞争工厂的55nm批量CMOS来完成的，但是后续的芯片设计则用22FDX工艺来完成。Riot Micro的LTECat-M/窄带物联网调制解调器包含一个超低功耗处理器来运行协议栈。PeterWong说：「我们借鉴了蓝牙领域的设计方法来降低电力和成本。PHY是用栅来设计的，而不是用有紧密耦合和高度优化的协议栈的信号处理器（DSP）来设计的，这使得我们可以对调制解调器进行超细粒度的功率控制。」 PeterWong说：「有了22FDX工艺，我们的价值体现在潜在的能源和空间的节省。此外，利用IP越来越丰富可用的22FDX工艺中生态系统，有助于缩短产品进入市场的时间。」 RiotMicro设计的是一款支持LTE Cat-M和窄带物联网蜂窝标准的数字蜂窝调制解调器；Peter Wong说，今年Riot Micro的调制解调器将通过几家主要的移动运营商的认证。中东的一名客户正计划将其用于紧急警报系统。 Peter Wong说：「现在有很多方法可以连接互联网，如WiFi、蓝牙、Zigbee、蜂窝网络等等。有一些应用适用所有的方法，但对于许多应用来说，蜂窝网络有很多优势。从本质上说，蜂窝网络更安全、更容易部署、提供了移动性，而且频谱也是经许可和管理的。只要打开它，它就能连接起来。您不必担心频谱制式问题；这都是由运营商来管理的。」他表示，资产追踪和资产管理为其中主要应用程序。 来源：Riot Micro — 窄带物联网网络在电力不足的大范围网络中使用蜂窝网络 集成化电源管理 Gupta表示，格芯留意到一些混合信号的物联网用户倾向于采用0.4V的电源为其数字电路电源，而采用0.8到1.8伏为其模拟部分电源。在22FDX中，LDMOS的可用性消除了对低功耗物联网应用的外部电源管理单元(PMU)的要求。通常在批量生产工艺中，他们没有高压LDMOS，而且由于很多物联网应用都使用锂离子电池工作，这些应用需要一个外部电源转换芯片来驱动使用电池驱动的应用程序。 Gupta表示，0.4V的设计有足够的数字性能来支持ARM核心，例如，从100Mhz到最高500Mhz的运行速度。 格芯的市场总监Tim Dry表示：「通过利用动态基体偏压，工程师们更全面地理解了22FDX技术的模拟设计性能。事实证明，SOI的基底偏压可以实现很多模拟缩放，这是我们直到最近才了解到的。对于ADCs(类似于数字转换器)、无线电和电源组件来说，我们相信我们可以得到比FinFETs更小的芯片面积。」 22FDX解决方案可以降低窄带物联网系统的功耗，如智能电表、增强现实和虚拟现实头盔、效用控制和安全摄像头的功耗。TimDry说：「智能扬声器是另一个吸引大量关注的应用。」 关于作者 Dave Lammers是固态技术特约撰稿人，也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章，彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times，定居东京，在之后的14年内，足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年，Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁，为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学，获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。
高管视角：未来已今非昔比 2018年3月1日作者：加里-帕顿博士加里-帕顿博士 人们可能会把对半导体的强劲需求看作是我们这个传统周期性行业的又一次上升周期，但现在真正推动行业发展的是全新视野的开辟，当今芯片功能的增强使之成为可能。 芯片需求不再仅仅受电脑和智能手机制造商需求的驱动。现在，许多不同行业的各种新应用如雨后春笋般涌现，既创造了需求，也推动着芯片技术向新的方向发展。因此，尽管开发速度更快、密度更大的半导体这一传统目标仍然非常重要，但它已不再是唯一的发展方向。 主要行业 我们认为，除传统计算和智能手机应用外，以下领域也是未来半导体需求的主要驱动力：复杂的物联网 (IoT) 应用、5G 和无线网络、汽车以及人工智能/机器学习 (AI/ML)。 在物联网领域，人们越来越多地将高度传感、处理和通信能力嵌入到物理对象中，为其运行带来 "智能"--强大的数据分析和处理能力。其目标是提高性能、效率和成本，并开发全新的解决问题的方法。 对于5G 和无线网络而言，带宽要求正变得异常严格，以便创建功能更强、更可靠和更安全的网络。例如，在不久前，网络设备的延迟时间仅为 50 毫秒还是一项了不起的技术成就，但现在看来几乎是过时了，因为预计的要求要求许多网络应用的延迟时间为 1 毫秒或更短。 汽车电子是另一个快速增长的领域。自 20 世纪 80 年代初推出不起眼的遥控钥匙扣以来，汽车中的电子设备数量激增。对先进半导体工艺的需求与日俱增，其中许多工艺结合了射频和功率处理能力，以满足驾驶辅助、安全和信息娱乐系统等广泛的汽车应用需求。 与此同时，人工智能和机器学习系统会产生大量数据，可利用这些数据提高生产力、效率、质量和成本效益，减少人工干预。 GF 已为增长做好准备 许多这些新应用都需要在性能、功耗、灵活性和成本之间取得良好平衡的芯片，如果这还不能完美地描述 GF 的22FDX®技术，那我就不知道还有什么可以了。GF 的 22FDX 技术是这些高增长行业客户的一大优势。它具有强大的性能和高能效，成本与 28 纳米平面技术相当，但芯片尺寸比 28 纳米小 20%，掩模比 28 纳米少 10%，所需的沉浸光刻层数也只有 28 纳米的一半。 此外，由软件控制的晶体管体偏压使客户能够在高性能和低功耗操作之间来回动态切换。例如，这使他们能够优化睡眠和工作模式。FDX™ 技术还使客户能够轻松地将数字、模拟和射频功能集成到单个芯片上，从而实现智能的全集成系统解决方案。 在 22FDX 的广泛应用中，我们已经赢得了 20 多项客户设计，包括窄带物联网 (IoT) 系统、区块链开发和比特币挖矿、地理定位、毫米波汽车雷达和人工智能/移动媒体等。 这些产品与我们的超高性能 FinFET 技术相辅相成，后者遵循摩尔定律，使AMD和IBM等客户能够提供超快的图形处理和强大的大型服务器。 因此，GF 的双技术 FDX 和 FinFET 路线图，再加上一系列已经商业化或处于不同开发阶段的差异化技术，为客户在这些高增长领域的发展提供了无与伦比的机会。 GF 的双重路线图重新定义了主流产品 例如，GF 的先进封装解决方案路线图是这些市场客户的另一个关键优势。我们致力于通过我们的封装技术组合保持领先地位，因为对更高带宽、更大存储量和更快速度的需求意味着必须使用先进的封装解决方案来最大限度地提高产品性能和功能。我们的 ASIC 产品旨在利用先进的封装选项，包括单芯片和多芯片模块以及 2.5/3D 解决方案，实现模块级的无缝集成。 人为因素的重要性 尽管这些技术成就令人印象深刻，但 GF 最重要的成就或许是我们如何将来自各种背景的人员和团队团结在一起，共同开发这些解决方案，并帮助我们的客户抓住眼前的机遇。 我们最初拥有一支强大、多元化的全球研发团队，并在2015 年收购 IBM Semiconductor 后获得了更多强大的技术和管理人才。这次收购为 GF 带来了约 500 名员工，他们从事尖端技术、领先的无线通信射频技术、ASIC 设计能力（包括领先的高速 SerDes）、先进的封装解决方案等方面的工作。 我们精心培养人才，因为半导体的设计和制造需要许多互补技能，而打造具有凝聚力的团队的能力是关键所在。为此，我们利用多种类型的跨部门合作伙伴关系来传播共同的学习成果。其中一个例子是我们的客座系列讲座，我们邀请世界顶级人士到 GF 就重要而及时的主题发表演讲。我们将这些讲座录制下来，并向我们的所有基地播放，这样世界各地的员工都有机会学习。 我们还通过与行业研究团体的合作进行学习，以加强我们的内部努力。我们的技术人员与位于奥尔巴尼的纽约州立大学理工学院的 IBM 研究联盟、imec、Leti和SRC 等团体一起，积极参与未来技术的开发。 展望未来 随着半导体的应用扩展到多个不断增长的新领域，人们对芯片技术未来的传统看法已被颠覆。当然，遵循摩尔定律仍然至关重要，但现在这只是前进的一条道路。 GF 的技术使我们处于一个非常有利的位置，能够应对不断变化的用户需求，因此 2018 年的确会是非常有趣的一年。 关于作者 加里-帕顿博士 Gary Patton 博士是 GLOBALFOUNDRIES 的首席技术官兼全球研发高级副总裁。他负责 GF 的半导体技术研发路线图、运营和执行。 在加入 GF 之前，Patton 博士曾担任 IBM 半导体研发中心副总裁长达八年之久。在此期间，他负责 IBM 的半导体研发路线图、运营、执行和技术开发联盟，主要工作地点包括纽约州东菲什基尔、佛蒙特州伯灵顿、纽约州奥尔巴尼的奥尔巴尼纳米技术研究中心和印度班加罗尔。他还是 IBM 企业成长与转型团队的成员。 Patton 博士是半导体技术研发领域公认的行业领袖，拥有 30 多年的半导体经验。在 IBM 的职业生涯中，他曾在 IBM 的微电子、存储技术和研究部门担任过一系列广泛的执行和管理职位，包括技术和产品开发、制造和业务线管理职位。 帕顿博士在加州大学洛杉矶分校获得电气工程学士学位，在斯坦福大学获得电气工程硕士和博士学位。他是电气和电子工程师学会会员，也是电气和电子工程师学会西泽奖章奖励委员会成员。他与他人合作撰写了 70 多篇技术论文，并多次应邀在大型行业论坛上就技术和行业问题发表主题演讲和专题演讲。
格芯以eVaderis超低耗电 MCU 参考设计强化 22FDX® eMRAM 平台 February 27, 2018双方共同开发的技术解决方案将大幅降低物联网及穿戴式产品的耗电及晶粒尺寸 美国加利福尼亚圣克拉拉，（2018 年 2月 27 日）—— 今日，格芯 与 eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX®） 平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。 双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis 的超低耗电 IP结合，适合包括电池供电的物联网产品、 消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。 eVaderis 的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力，相较于上一代 MCU，电池续航力可提高到10 倍以上，同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator™ 合作项目 （FDXcelerator™ Partner Program）开发的技术，所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案，特别符合对功耗敏感的应用， 可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。 “eVaderis 创新架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM 技术为基础打造，非常适合常闭的（normally-off）物联网应用。”eVaderis 总裁兼首席执行官 Jean-Pascal Bost 表示， “以格芯 eMRAM 作为工作内存，可让MCU的部分电路更频繁的下电，而不会引起 MCU的 性能损失。eVaderis 希望能在今年年底之前将这项通过验证的 IP 提供给客户。” “穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。 ”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示，“身为 FDXcelerator 合作伙伴， eVaderis运用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技术， 开发全新的 MCU 架构，帮助客户达成更高的需求。” 格芯与eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技术共同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世。 包含有eMRAM 和射频解决方案的22FDX设计套件现已发布。用于客户进行原型验证的多项目晶圆 （MPW）已经开放，现成的eMRAM 模块也已提供，有Flash 和SRAM两种接口方案可供选择， 使得客户可以更容易的进行产品设计。格芯预计eMRAM将在 2018 年开始小批量生产。 有兴趣了解更多关于格芯 22FDX eMRAM 解决方案、与 Everspin Technologies 共同合作开发的客户，可以联系格芯销售代表，或登陆网站 globalfoundries.com/cn 。 关于 eVaderis eVaderis 创立于 2014 年，是全球首家以 MRAM 及 RRAM 等新型颠覆性内嵌内存技术为基础，提供创新 IP 解决方案的公司。该公司提供具备高竞争力的产品级设计服务， 可满足生产高阶非挥发性内存、编译程序、逻辑组件库及处理器子系统的需求，为新芯片设计模式建立基础。eVaderis 是格芯 FDXcelerator™ 合作伙伴计划的成员。 如需了解更多关于该公司及产品的详细信息，请至 www.evaderis.com 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂， 为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现， 并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。 欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang) (021) 8029 6826 [email protected] 关慧珠 （Sunny Guan) 86 13564132717 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected] 范怡唯（Yiwei Fan） 86 13585713665 [email protected]
GlobalFoundries通过eVaderis的超低功耗MCU参考设计加强22FDX® eMRAM平台的实力 2018年2月27日 共同开发的技术解决方案使物联网和可穿戴产品的功率和芯片尺寸大幅降低 加州圣克拉拉，2018年2月27日 -GLOBALFOUNDRIES和eVaderis今天宣布，他们正在22纳米FD-SOI（22FDX®）平台上使用GF的嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）技术共同开发一个超低功耗的微控制器（MCU）参考设计。通过将GF的22FDX eMRAM的卓越可靠性和多功能性与eVaderis的超低功耗IP结合起来，两家公司将提供一种技术解决方案，支持一系列广泛的应用，如电池供电的物联网产品、消费和工业微控制器以及汽车控制器。 eVaderis设计的MCU利用了22FDX平台的高效电源管理功能，与上一代MCU相比，实现了10倍以上的电池寿命和大幅缩小的芯片尺寸。该技术是通过GF的FDXcelerator™合作伙伴计划开发的，将帮助设计者把性能密度和灵活性推到新的水平，为电源敏感的应用实现更紧凑、更经济的单芯片解决方案。 "eVaderis总裁兼首席执行官Jean-Pascal Bost表示："eVaderis的超低功耗MCU IP的创新架构是围绕GF的22FDX eMRAM技术设计的，非常适用于正常情况下的物联网应用。"利用GF的eMRAM作为工作存储器，eVaderis MCU的各个部分可以频繁地进行电源循环，而不会产生典型的MCU性能损失。eVaderis期待着在今年年底前向我们的客户提供这个经过硅验证的IP。" "可穿戴设备和物联网设备需要持久的电池寿命、更强的处理能力以及先进传感器的集成，"GF嵌入式存储器副总裁Dave Eggleston说。"作为FDXcelerator的合作伙伴，eVaderis正在开发GF的22FDX中带有eMRAM的优化MCU架构，帮助客户满足苛刻的要求。" 与GF的22FDX with eMRAM联合开发的参考设计将于2018年第四季度推出。带eMRAM的22FDX和射频解决方案的工艺设计套件现在已经推出。22FDX eMRAM在多项目晶圆（MPW）上的客户原型开发正在进行中，计划在2018年进行风险生产。现可提供现成的eMRAM宏，具有eFlash和SRAM接口选项，易于设计。 有兴趣了解更多关于GF与Everspin Technologies合作开发的22FDX与eMRAM解决方案的客户，请联系您的销售代表或访问gf.com。 如需了解更多关于GF射频SOI解决方案的信息，请联系您的GF销售代表或登录www.gf.com。 关于eVaderis eVaderis成立于2014年，是全球首家提供基于新的、颠覆性的嵌入式存储器技术（包括MRAM和RRAM）的创新IP解决方案的公司。该公司提供极具竞争力的产品和设计服务，以应对生产先进的非易失性存储器、编译器、逻辑库和处理器子系统的挑战，为新的芯片设计模式铺平道路。 eVaderis是GLOBALFOUNDRIES的FDXcelerator™合作伙伴计划的成员。有关该公司及其产品的更多信息，请访问www.evaderis.com。 关于GF。 GlobalFoundries是一家领先的提供全方位服务的半导体代工厂，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。GlobalFoundries的制造足迹遍布三大洲，使改变行业的技术和系统成为可能，并赋予客户塑造其市场的力量。GlobalFoundries由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.gf.com。 联系方式。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 305-5978[email protected]
梦芯科技利用GLOBALFOUNDRIES 22FDX技术的汽车驾驶辅助SoC展示了卓越的功率效率 2018年2月27日德国汉诺威，2018年2月26日 - 梦想芯片技术公司今天宣布，其用于汽车计算机视觉应用的ADAS系统芯片（SoC）的功率效率创下新高，该芯片在德国德累斯顿的代工厂采用GLOBALFOUNDRIES 22FDX®半导体工艺制造。
Dream Chip Technologies展示基于格芯22FDX®技术的使用在汽车驾驶辅助SoC的卓越电能效率。 2018年2月27日德国汉诺威，2018年2月26日 - 梦想芯片技术公司今天宣布，其用于汽车计算机视觉应用的ADAS系统芯片（SoC）的功率效率创下新高，该芯片在德国德累斯顿的代工厂采用GLOBALFOUNDRIES 22FDX®半导体工艺制造。
