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Gary Patton：关注创新的新维度

作者: Gary Dagastine

每当一家公司宣布重大战略转变和重组时，市场上出现一些困惑、不确定和误解都是可以理解的，正如格芯宣布放弃7nm FinFET技术开发。

缓解这些担忧的最佳方法是客观看待事实：汽车、物联网、移动和数据中心/无线基础设施市场的芯片需求正在强劲增长。这为格芯开创了许多新机遇，通过针对这些市场进行量身定制或差异化，格芯可充分利用现有成熟技术的广泛组合。此外，这些领域的许多潜在客户是初创公司或非传统型公司，他们可以从格芯的服务产品扩充中受益。因此，放弃成本高昂的FinFET微缩投入，格芯可以重新部署其资源，以更好地抓住这些机遇。

最近，格芯全球研发部门的首席技术官兼副总裁Gary Patton博士参加纽约州萨拉托加温泉市的2018全球半导体联盟(GSA)硅峰会东部论坛，在主题演讲中阐释了行业动态并介绍了格芯的技术战略。随后，晶圆厂文件对他进行了详细采访。

FF：几十年来，电子器件的进步取决于不断缩小的晶体管尺寸，以提高集成电路的速度和处理能力。现在情况改变了吗？

Gary：微缩技术在高性能计算芯片领域中仍占有一席之地，但在其他领域，随着微缩成本不断增加，摩尔定律所带来的优势正在减少。但这并不意味着创新已经结束。好消息是，现有技术已经足够强大，通过添加新特性并以不同方式进行组合，有可能实现新的架构和计算方法。实际上，通用计算方法正转向特定行业或特定领域方法。

创新维度：创新正朝先进差异化特性创造方向转变

FF：格芯如何利用这种转变？

Gary：非常成功，我们的大部分收入来自差异化产品。支持我们一切业务行为的四大支柱是FDX、FinFET、射频和电源/模拟混合信号(AMS)技术。
我们的FDX技术专为当今的功耗敏感型应用而设计，既可提供低工作功耗和待机功耗，又可提供所需的密度和性能。它提供无与伦比的射频性能，可实现始终在线的连接、低延迟和更高的数据速率，从而帮助实现射频驱动的物联网。客户越来越关注物联网芯片设计，尤其物联网将在未来几年内从WiFi向射频转变。总的来说，今年我们有大约20个FDX生产流片，预计明年这个数字将翻一倍以上。

在FinFET方面，我们正在重新调整路线图，以便服务于未来几年采用该技术的下一波客户。通过一系列创新IP和特性，我们转变了开发资源，使14/12nm FinFET平台与客户建立更紧密的联系。例如，对于新兴企业、云和通信应用，我们正在开发一次性和多次可编程(OTP/MTP)嵌入式非易失性存储器（eNVM），以实现超高安全性能。该产品基于格芯物理上无法检测和不可克隆的电荷捕获技术，可实现市场领先的安全解决方案。该解决方案还将提供更高的SoC集成度。NVM解决方案无需额外的处理或屏蔽步骤，与基于介电熔丝技术的类似OTP解决方案相比，可提供双倍密度。

在射频方面，格芯拥有丰富的产品组合，可与建议的架构保持高度一致，并可继续发展以满足5G和其他要求。例如，RF FDX针对窄带物联网以实现深度覆盖、大规模连接和低功耗，而RF FinFET技术可提供出色的扩展和功耗性能。RFSOI使客户能够为射频前端模块、相控阵和毫米波波束成形构建先进的LNA/开关与控制功能的集成。我们的各种SiGe射频产品经过性能优化，适用于大量低功率和高功率应用，包括汽车雷达/激光雷达、基站、有线/光纤/毫米波通信和相控阵通信。顺带一提，客户越来越青睐我们基于SiGe的产品和CMOS集成，以取代传统上用于蜂窝和Wi-Fi功率放大器的GaAs工艺。

我们的AMS产品涵盖各种工艺节点(180-40nm)和电压(3-700V)，为客户提供出色的功能和价位组合选择。BCD/BCDLite和高压(HV)技术基于格芯的高效HV CMOS工艺，包括电源和HV晶体管、精密模拟无源器件和NVM存储器，适用于各种传统和新兴的移动、汽车、物联网和其他应用。

格芯功能丰富的差异化产品

FF：您在演讲中提到先进封装是格芯强大的差异化优势。这是如何实现的？

Gary：格芯高性能、经济高效的2.5D、3D和硅光子学先进封装技术为四大支柱提供支持，直接面向新兴应用，如5G、网络/基站、AI/ML以及先进的汽车解决方案。

例如，我们的硅过孔(TSV)技术非常适合差异化应用，包括用于射频应用的TSV；用于功率放大器的接地TSV；用于射频芯片中堆叠天线和/或其他无源器件的隔离TSV（以获得出色的信号完整性和/或移动前端模块尺寸的显著减小）。此外，TSV通过2.5D和3D芯片堆叠实现，可使存储器更靠近逻辑器件，从而减少延迟和功耗。通过异构芯片分区和功能重复使用（例如，与传统的单芯片2D设计相比，使用堆叠封装架构可将I/O、逻辑和存储器功能分成尺寸更小、成本更低的芯片），芯片堆叠可提供显著的成本优势。

至于硅光子(SiPh) IC，我们将通过格芯的SiPh代工产品提供光纤连接和激光连接两种封装技术。

我们一直与主要OSAT合作完成先进封装产品的认证。针对3D封装，我们将根据产品热需求在OSAT端支持多种热解决方案选项，另外应指出，我们已经为所有先进封装解决方案开发了测试技术，以帮助客户熟悉这些方案并加快项目进展。

FF：格芯现已脱离CMOS极度微缩技术，公司目前的研究活动如何？

Gary：首先，有一种观点认为我们过去完全专注于前沿研究，或者说这是我们唯一关注的研究领域，事实并非如此。如何为现有产品带来新特性、增加新功能、提高性能和/或降低成本一直是我们的研发目标。FinFET技术就是一个很好的示例。首先，我们成功地在互连中集成了MIM电容，从而使性能提高10％。其次，我们开发了新的IP库，使性能进一步提高5％。目前，我们正在增强这些成熟器件的射频功能，准备5G的部署。
随着格芯的转型，研究重点将转向对成熟技术进行更积极的差异化（即创建衍生技术以实现新应用），以迎接我们一直在讨论的新机遇。

FF：这些研究工作将在哪里进行？

Gary：我们在马耳他拥有一个大型研发团队，专注于差异化CMOS技术的开发。东菲茨基尔的团队将致力于硅光子、射频和封装技术等差异化关键领域。新加坡方面正在进行40nm及以上节点的差异化电源和射频技术方研发，而伯灵顿正在开发业界领先的射频解决方案。我们将继续与世界各地的大学合作，参加各种相关主题（针对最佳市场机遇）的行业研究联盟，如imec、Fraunhofer和IME。

FF：您有什么结束语吗？

Gary：一流的公司离不开一流的员工，格芯全球晶圆厂客户流片一次成功率的出色表现让我自豪。在复杂的技术组合下实现这一目标绝非易事，这是员工和工程师才能、专业性和勤奋的证明。

关于作者

Gary Dagastine

Gary Dagastine是一位职业撰稿人，主要为EE Times、Electronics Weekly和许多专业媒体撰写关于半导体行业的文章。他是NanocEEhip Fab Solutions杂志的特约编辑，也是IEEE国际电子器件大会(IEDM)（全球最具影响力的半导体技术大会）的媒体关系主管。加入General Electric Co.之后，他开始涉足半导体行业，在该公司工作期间，他负责为GE功率、模拟和定制IC业务提供沟通支持。Gary毕业于纽约斯克内克塔迪联合大学。

FD-SOI：身体偏差如何创造独特的差异化优势

作者： Manuel Sellier作者：曼努埃尔-塞利耶

全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）依赖于一种非常独特的基底，其层厚度可控制在原子尺度。FD-SOI 在功耗、性能、面积和成本权衡（PPAC）方面提供了卓越的晶体管性能，使得利用单一技术平台覆盖从低功耗到高性能的数字应用成为可能。FD-SOI 具有众多独特优势，包括近阈值供电能力、超低辐射灵敏度和极高的本征晶体管速度，可能是市场上速度最快的 RF-CMOS 技术。除这些优势外，FD-SOI 还是唯一可以通过体偏压动态完全控制晶体管阈值电压的 CMOS 技术（图 1）。

图 1：FD-SOI 横截面和体偏压原理。

为了解释为什么体偏压是一个改变游戏规则的功能，我们从它有助于解决的问题入手。在寻求更高能量效率的过程中，数字设计人员面临着两大挑战。第一个挑战与变化的影响有关，它改变了由极端变化情况（所谓的 "边角"）定义的实际芯片规格。这往往会大大降低芯片的能效（参见图 2）。因此，为了优化能效，产品工程师通常会使用补偿技术（参见图 3）。最常见的补偿技术基于自适应电压缩放（AVS），即根据芯片的工艺中心调整电源电压水平。这种技术被广泛应用于手机的工艺补偿，但在汽车和物联网市场却面临着严重的局限性，因为它对可靠性有很大影响，难以实现有效的温度和老化补偿，而且对大多数设计公司来说，它涉及到新的特定设计技术。

图 2：变化对能效的影响原理。

图 3：补偿技术的原理。

第二个问题在于优化能耗。随着先进技术的发展，漏电功率很可能成为最需要解决的关键问题。正确平衡漏电水平和动态功率水平非常重要。然而，在大规模 CMOS 技术中，影响漏电的参数（Vth、栅极长度）大多是静态的，由工艺决定。因此，除了关闭电路的整个部分外，不存在自适应漏电优化的可能性。能量点，即动态功率和泄漏功率之间的平衡是固定的，无法动态改变。

通过对晶体管阈值电压的控制，体偏压就像一个控制旋钮，能够解决上述以能效为目标的设计人员所面临的大多数问题。

不仅可以非常有效地减少全局变化，而且最重要的是，设计人员在设计芯片时可以减少工艺、温度和老化方面的设计死角，并从综合开始提高功率-性能-面积（PPA）权衡。

图 4：基于身体偏差的流程补偿技术的影响。资料来源：Flatresse, ICICDT17

泄漏量与阈值电压呈指数关系，现在可以通过体偏压进行动态调节。通过同时调节适当的电源电压和体偏压，可以实现动态的能量优化。在额定 Vdd 电压下，能效提高了一倍，而在超低电压下，能效提高了 6 倍。

要在电路级有效实施体偏压，就必须修改目前仅利用电源电压的电源管理基础设施，以支持能够同时管理电源电压和体偏压的电源管理解决方案。

在过去两年中，Dolphin Integration 与 GF 合作推出了全球首个电源管理 IP 平台。该电源管理 IP 平台现已在 22FDX 中得到验证，包括一套一致的可配置稳压器、可扩展模块电源管理单元（又称 PMU 逻辑/ACU）、电源 IO 和岛选通以及电压监控器。

为了让 SoC 设计人员充分发挥 FD-SOI 在 SoC 上的 PPAC 潜力，两家公司目前正在探索扩展这一电源管理 IP 平台，以实现对电源和体偏压的动态控制。这一扩展电源管理 IP 平台将利用现有的体偏压解决方案，同时辅以应用优化的体偏压发生器和先进的监控技术（参见图 5）。

图 5：Dolphin 目前的电源管理基础设施和正在进行的包括身体偏置的项目。来源：F.Renoux, SOI Consortium Shanghai 2018.

市场上出现的这类解决方案推动了 FD-SOI 的价值主张，使其在低功耗和高能效应用方面优于任何其他技术的 PPA。更重要的是，体偏压交钥匙解决方案的出现大大降低了进入门槛，使从移动、物联网到汽车的所有参与者都能享受到 FD-SOI 的价值主张。

FD-SOI 的价值真正基于利用体偏压的能力，与现有技术相比，这是先进 CMOS 领域的一种完全颠覆性的方法。FD-SOI 改变了游戏规则，实现了数量级的功率效率提升。在 Dolphin Integration 等硅 IP 提供商的支持下，客户将可以利用新的功率/性能/可靠性管理基础架构，充分发挥该技术的优势，为物联网和汽车领域未来的性能标准铺平道路。

关于作者

曼努埃尔-塞利尔

曼努埃尔-塞利尔

Manuel Sellier是Soitec公司的产品营销经理，负责确定全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）、光电子-SOI和成像器-SOI产品线的商业计划、营销策略和设计规范。在加入Soitec之前，他曾在意法半导体公司（STMicroelectronics）工作，最初担任数字设计师，负责高性能应用处理器的高级签收解决方案。他获得了先进金属氧化物半导体晶体管（FD-SOI 和鳍式场效应晶体管）建模和电路仿真方面的博士学位。他在多个工程领域拥有多项专利，并在期刊和国际会议上发表过多篇论文。

 

eMemory的OTP IP在GLOBALFOUNDRIES 22纳米FD-SOI工艺上获得认证

eMemory今天宣布，其一次性可编程（OTP）非易失性存储器IP--NeoFuse已通过GLOBALFOUNDRIES（GF）22FDX ® 22纳米全耗尽硅绝缘体（FD-SOI）工艺技术的认证。

eMemory的OTP IP已在格芯22nm FD-SOI工艺上通过认证

eMemory today announced that its one-time programmable (OTP) non-volatile memory IP, NeoFuse, has been qualified on GLOBALFOUNDRIES (GF) 22FDX ® 22nm Fully-Depleted Silicon On-Insulator (FD-SOI)…

FD-SOI：基体偏压如何创造独特差异化

全耗尽式绝缘体上硅(FD-SOI)依赖一种非常独特的衬底，其层厚度控制在原子级。FD-SOI在功耗、性能、面积和成本权衡(PPAC)方面提供出色的晶体管性能，仅凭借单个技术平台，即可覆盖从低功耗到高性能数字应用的众多领域。FD-SOI具备诸多独特优势，包括接近阈值的供电能力、超低的辐射敏感度、极高的本征晶体管速度，属于市场高速RF-CMOS技术之一。依托这些优势，FD-SOI是唯一能够通过基体偏压来动态完全控制晶体管阈值电压的CMOS技术（图1）。

图1：FD-SOI剖面图和基体偏压原理。

要解释为什么基体偏压具有颠覆性，首先应阐述它解决的问题。力求提高能效的数字设计人员面临两大主要挑战。第一个挑战与波动影响相关，它会改变由极端波动情况（即所谓的“边角”）决定的实际芯片规格。这通常会大幅降低芯片的能效（如图2所示）。因此，为了优化能效，产品工程师通常使用补偿技术（如图3所示）。最常见的补偿技术基于自适应电压调节(AVS)，也就是调节电源电压水平，这要取决于芯片的流程管理。此技术广泛应用于移动电话中的流程补偿，但在汽车和物联网市场却面临严重限制，因为它会影响可靠性，难以实施有效的温度和老化补偿，对大多数设计公司而言还涉及新的设计专业知识。

图2：波动对能效的影响。

图3：补偿技术的原理

第二个问题在于能耗的优化。采用先进技术，调节泄漏功耗很可能成为亟待解决的关键问题。必须正确地平衡泄漏功耗水平与动态功耗水平。但是，在体硅CMOS技术中，修正泄漏的参数（Vth，栅极长度）大多数是静态，由流程定义。因此，除非关闭整个电路器件，否则不可能实现自适应泄漏优化。能效点（即动态功耗和泄漏功耗之间的平衡点）是固定的，无法动态更改。

通过控制晶体管阈值电压，基体偏压可以充当控制旋钮，能够解决设计人员在能效方面遇到的大部分上述问题。

它不仅能够高效地减少整体波动，最重要的是，设计人员在设计芯片时，可减少流程、温度和老化方面的设计死角，从合成起点开始改善功率、性能和面积(PPA)权衡。

图4：基于基体偏压的流程补偿技术的影响。资料来源：Flatresse，ICICDT17

泄漏在很大程度上取决于阈值电压，而现在可通过基体偏压进行动态修改。通过同时调节正确数量的电源电压和基体偏压，可以动态地执行能耗优化。在标称Vdd下，所得能效增益翻倍，而在超低电压下，能效增益甚至可以提高至6倍。

为了在电路级别上有效地实施基体偏压，设计人员必须修改仅利用当前电源电压的现有功率管理基础设施，以支持能够同时管理电源电压和基体偏压的电源管理解决方案。

过去两年，Dolphin Integration积极配合格芯，推出全球首个电源管理IP平台。该电源管理IP平台已在22FDX中得到证明，包括一系列可配置的稳压器、可扩展的模块化电源管理单元（也称为“PMU逻辑/ACU”）、电源IO、电源岛门控和电压监控器。

为了帮助SoC设计人员充分发挥FD-SOI的PPAC潜力，两家公司正在探索这款电源管理IP平台的扩展，以实现对电源和基体偏压的动态控制。此扩展型电源管理IP平台将利用现有基体偏压解决方案，同时以针对应用优化的基体偏压生成器和先进监控技术作为补充（如图5所示）。

图5：Dolphin的当前电源管理基础设施，以及包括基体偏压的项目。资料来源：F. Renoux，2018上海SOI论坛。

市场上的此类解决方案证明了FD-SOI对于低功耗和高能效应用优于PPA和其他任何技术的价值主张。更重要的是，基体偏压统包解决方案的发布显著降低了门槛，从手机到物联网再到汽车行业，所有厂商都能实现FD-SOI价值主张，。

FD-SOI的价值实际上基于它充分利用基体编压的能力，在先进CMOS领域中，它是一种完全颠覆现有技术的方法。作为突破性技术，FD-SOI实现了一个数量级的能效增益。在Dolphin Integration等芯片IP提供商的支持下，客户将获得新的功率/性能/可靠性管理基础设施，充分利用这种技术的优势，为树立物联网和汽车行业的未来性能标准铺平道路。

关于作者

Manuel Sellier

Manuel Sellier是Soitec的产品营销经理，负责为全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)、硅光子绝缘体上硅(photonics-SOI)、成像器绝缘体上硅(imager-SOI)产品系列制定商业计划、营销战略和设计规范。在加入Soitec之前，他曾经供职于STMicroelectronics，最初担任数字设计人员，职责范围涵盖面向高性能应用处理器的先进核签解决方案。他获得了高级金属氧化物半导体晶体管（FD-SOI和鳍片场效应晶体管）的建模和电路仿真专业的博士学位。他还持有多个工程领域的数项专利，并在行业刊物和国际会议上发表过大量论文。

差异化硅始于差异化衬底

作者： Manuel Sellier作者：曼努埃尔-塞利耶

人们普遍认为，"出血边缘 "技术，即无论技术成本如何都要延续摩尔定律，给半导体行业的大多数参与者带来的投资回报越来越少。在这种情况下，亟需在传统的 CMOS 扩展技术之外进行更多创新。从半导体材料、设备到服务的价值链中存在许多创新机会，但最简单的创新要从衬底开始。

图 1：从基板到服务的半导体价值链。

射频 SOI 和 FD-SOI 是业界推动基板差异化，为射频通信和低功耗计算制定新标准的典范。GLOBALFOUNDRIES 一直是这一战略的成功先驱。首先，射频 SOI 已成为手机前端模块 (FEM) 大量组件的事实技术。从 10 年前的几乎空白，到今天，射频 SOI 的总市场规模已达到约 150 万片晶圆（8 英寸当量）。其次，FD-SOI 现在已成为毫米波射频-CMOS 连接和要求极高能效的电池供电设备的首选技术。我们将在这篇文章中回顾 Soitec 如何以出色的射频 SOI 基底面解决方案为 GF 提供支持。

SOITEC 如何利用差异化射频 SOI 技术为 GF 提供支持

5G 将迅速改变全球人与物体的通信方式；GF 和 Soitec 正在为这一变革提供创新技术，支持向 5G 演进，并与其他现有和未来标准共存。

不同的通信设备（汽车、智能手机、"物"）射频前端需要差异化的技术，以提供正确的成本/性能权衡，促进其引进和采用。Soitec 提供两个系列的射频 SOI 基底面：HR-SOI采用高电阻率基底，而RF Enhanced Signal Integrity TM (RFeSI) SOI则在高电阻率基底上增加了一个富阱层，有助于满足严格的线性度要求，两者均与标准CMOS工艺和代工厂兼容。

这两个系列的基板直径分别为 200 毫米和 300 毫米，在线性度、插入损耗、隔离度、噪声系数和其他关键规格方面具有不同的优势，因此可用于设计和制造射频前端的不同模块和功能。由于不同射频前端解决方案提供商的集成策略大不相同，以下示例仅供参考。

  • 对线性度要求极高的天线调谐器通常在 RFeSI 基板上实现
  • 可在 HR-SOI 和/或 RFeSI 基底面上制造需要良好线性度、低插入损耗、高隔离度和高集成度的接收器/发射器开关
  • 接收路径上的低噪声放大器 (LNA) 通常在 90nmare 以下的技术节点上实现，通常在 300 mm HR SOI 晶圆上制造，如果与开关和其他支持模块集成，则在 300 mm RFeSI 晶圆上制造。
  • 功率放大器可与开关和低噪声放大器完全集成在 300 毫米 RFeSi 基底面上，用于连接、物联网和 3G/ 早期 4G 蜂窝应用

由于长期的战略合作伙伴关系，GF 和 Soitec 一直在及时提供量身定制的产品，以满足不断发展的高要求射频前端市场的需求。 这种合作关系延伸到工程和制造等多个领域，确保了大批量生产的最佳性能。

由于对市场发展有着共同的愿景，Soitec被纳入了GF的路线图。在最近的例子中，GF的下一代移动和5G射频前端8SW技术就是为充分发挥Soitec产品的优势而设计的。

在人人都在寻求差异化的半导体世界中，射频 SOI 和 FD-SOI 代表着具有重大优势的独特平台。射频 SOI 的价值现已得到充分认可。它已被蜂窝 FEM 业务的大多数参与者所采用。随着4G和5G无线电复杂性的增加，射频SOI还将继续增长。Soitec 致力于以适当的能力和质量水平服务于这一行业。

在下一篇文章中，我们将回顾 Soitec 如何以出色的 FD-SOI 衬底解决方案为 GF 提供支持。

关于作者

曼努埃尔-塞利尔

曼努埃尔-塞利尔

Manuel Sellier是Soitec公司的产品营销经理，负责确定全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）、光电子-SOI和成像器-SOI产品线的商业计划、营销策略和设计规范。在加入Soitec之前，他曾在意法半导体公司（STMicroelectronics）工作，最初担任数字设计师，负责高性能应用处理器的高级签收解决方案。他获得了先进金属氧化物半导体晶体管（FD-SOI 和鳍式场效应晶体管）建模和电路仿真方面的博士学位。他在多个工程领域拥有多项专利，并在期刊和国际会议上发表过多篇论文。

 

差异化芯片始于差异化衬底

作者: Manuel Sellier

我们形成了一种共识：对于半导体行业大多数厂商而言，“尖端”技术（无论技术成本如何，都持续追求摩尔定律）带来的投资回报越来越少。在这种情况下，我们迫切需要除传统CMOS扩展之外的更多创新。在从半导体材料和器件到服务的价值链上，我们有很多创新机会，但最简单的创新是从衬底着手。

图1：从衬底到服务的半导体价值链。

RF SOI和FD-SOI是半导体行业如何通过衬底推动差异化的典范，以制定射频通信和低功耗计算的新标准。在这个战略上，格芯始终都是成功的开拓者。首先，对于蜂窝手机中前端模块(FEM)的大量组件而言，RF SOI已经成为事实上的标准技术。从10年前几乎一片空白起步，RF SOI整个市场目前已经发展到大约150万片晶圆（折算成8英寸当量)。第二，FD-SOI现在成为mmWave RF-CMOS连接和电池供电设备的首选技术，这些应用需要很高的能效。在这篇文章中，我们将了解Soitec如何利用出色的RF SOI衬底解决方案为格芯提供支持。

Soitec如何利用差异化RF SOI技术为格芯提供支持

5G将很快改变全球人和物体之间的通信方式；格芯和Soitec致力于提供创新技术，支持向5G的演进，以及5G与现有和未来标准的共存，从而推动这场变革。

不同通信设备（汽车、智能手机、“物品”）的射频前端需要差异化技术，这些技术要能够在成本和性能实现恰当的平衡，从而促进它们的引入和采用。Soitec提供两个系列的RF SOI衬底：HR-SOI使用高电阻率基底和RF Enhanced Signal IntegrityTM (RFeSI) SOI，它在高电阻率基底的顶部添加了一个含有大量阱的层，帮助满足严格的线性度要求，这两种技术都与标准CMOS工艺和晶圆厂兼容。

这两个系列的衬底的直径为200和300 mm，在线性度、插入损耗、隔离、噪声系数和其他关键规格上具备不同的优势，因而可用于设计和制造射频前端中的不同模块和功能。下面我们提供一些示例作为参考，说明不同射频前端解决方案供应商的集成策略存在很大差别。

  • 需要很高线性度的天线调谐器通常在RFeSI衬底上实现
  • 需要良好线性度、低插入损耗、高隔离、高集成度的接收器/发射器开关可在HR-SOI和/或RFeSI衬底上制造
  • 接收路径上通常在小于90nm的技术节点中实现的低噪声放大器(LNA)一般在300 mm HR SOI晶圆上制造，如果它们与开关和300 mm RFeSI衬底中的其他支持模块集成，也同样可在该晶圆上制造。
  • 功率放大器可在300 mm RFeSi衬底中与开关和LNA完全集成，用于连接、物联网和3G/早期4G手机应用

依托双方的长期战略合作伙伴关系，格芯和Soitec一直在及时提供量身定制的产品，以满足处于持续演进中、要求非常苛刻的射频前端市场的需求。这种合作关系在工程和制造等众多领域中得以延伸，从而确保我们在高量产中保持领先的性能。

Soitec与格芯的路线图融合，这要归功于我们共同的市场发展愿景。举例来说，我们最近设计了格芯下一代移动和5G RF前端8SW技术，旨在充分利用Soitec产品提供的优势。

在半导体行业，每家公司都在寻求差异化，RF SOI和FD-SOI都代表了独特的平台，提供巨大优势。RF SOI的价值目前得到了充分认可。它现在已经被手机前端模块业务领域的大多数厂商采用。随着通信行业从4G向5G演进，无线电复杂性日益提高，它将得到持续发展。Soitec致力于为行业提供适当的产能和质量。

在下一篇文章中，我们将了解Soitec如何通过提供出色的FD-SOI衬底解决方案，为格芯提供支持。

关于作者

Manuel Sellier

Manuel Sellier是Soitec的产品营销经理，负责为全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)、硅光子绝缘体上硅(photonics-SOI)、成像器绝缘体上硅(imager-SOI)产品系列制定商业计划、营销战略和设计规范。在加入Soitec之前，他曾经供职于STMicroelectronics，最初担任数字设计人员，职责范围涵盖面向高性能应用处理器的先进核签解决方案。他获得了高级金属氧化物半导体晶体管（FD-SOI和鳍片场效应晶体管）的建模和电路仿真专业的博士学位。他还持有多个工程领域的数项专利，并在行业刊物和国际会议上发表过大量论文。

功率调节IP现已在GLOBALFOUNDRIES 22FDX®技术平台上得到硅验证

Dolphin Integration今天宣布，在GLOBALFOUNDRIES 22nm FD-SOI (22FDX®)工艺技术上的第一波电源管理IP获得认证。这种一致的产品将有助于加速和确保高能效SoC的成本效益设计。

GLOBALFOUNDRIES扩大RFwave™合作伙伴计划，加快无线连接、雷达和5G的上市时间

增加的支持肯定了RFwave™计划在无线设备和网络新时代的射频设计和快速部署应用中的重要作用

加州圣克拉拉，2018年10月11日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，其不断增长的射频波合作伙伴计划新增9家合作伙伴，包括AkronIC、Ask Radio、Catena、滑铁卢大学智能天线和无线电系统中心（CIARS）、Giga Solution、Helic、Incize、Mentor Graphics和Xpeedic Technology。这些新的合作伙伴将提供独特的毫米波测试和表征能力，以及设计服务、IP和EDA解决方案，使GF客户能够在跨越物联网（IoT）、移动、射频连接和网络市场的应用中快速实现射频设计。

RFwave合作伙伴计划以GF业界领先的射频（RF）解决方案为基础，如FD-SOI、RF CMOS（块状和高级CMOS节点）、RF SOI和硅锗（SiGe）技术。该计划为寻求为一系列无线应用构建高度优化的射频解决方案的设计人员提供了一条低风险、高性价比的途径，例如跨越各种无线连接和蜂窝标准的物联网、独立或收发器集成的5G前端模块、毫米波回程、汽车雷达、小蜂窝以及固定无线和卫星宽带。

"随着RFwave计划的不断扩大，合作伙伴在帮助服务我们不断增加的客户和通过提供创新的RF定制解决方案和服务扩大我们的RF生态系统的范围方面发挥着关键作用，"GF的生态系统伙伴关系副总裁Mark Ireland说。"这些新的合作伙伴将有助于推动更深入的参与，加强技术合作，包括围绕质量、鉴定和开发方法进行更紧密的联动，使我们能够提供先进的高度集成的射频解决方案。"

GF专注于与行业领导者建立强大的生态系统伙伴关系。通过RFwave计划，GF的合作伙伴和客户现在可以从更多的资源供应中获益，以提供创新的、高度优化的射频解决方案。新的合作伙伴加入了目前的RFwave计划成员，包括asicNorth、Cadence、CoreHW、CWS、Keysight Technologies、Spectral Design和WEASIC。

要了解更多关于GF的RFwave合作伙伴计划，请访问我们的合作伙伴页面。

支持性引言

"我们很高兴能在RFwaveTM计划中与GF合作。GF独特的射频技术产品使AKRONIC能够开发出差异化的毫米波硅IP，协助客户在回程、5G、卫星通信、雷达和物联网等一系列应用中缩短上市时间。"

Nikos Naskas, Dr.-Ing. Akronic P.C.的创始人兼首席执行官。

"GF的工艺技术组合在构建高度集成的物联网系统方面具有独特的优势。作为使用GF 22FDX技术构建物联网无线电IC的先驱之一，我们坚信其技术优势。我们继续利用报价的独特功能，为物联网和无线设备提供改变游戏规则的性能。我们现在正以我们成功的RFIC产品为基础，利用GF提供的多种技术产品，发展到高度引人注目的片上模块系统。RFwaveTM合作伙伴计划帮助我们加快了我们的路线图，也很好地融入了GF的IP生态系统。"

阿努普-萨瓦拉，Ask电台首席执行官

"几年来，大多数代工厂主要关注数字电路的持续缩减。然而，为了服务快速增长的物联网市场，我们还需要获得更适合射频设计的技术。看到GF对这一需求给予特别关注，非常令人鼓舞。作为一家在设计射频无线IP方面有着悠久传统的公司，我们非常高兴加入RFwaveTM计划。"

Kavé Kianush，首席技术官兼副总裁，Catena

"我们对加入GFRFwaveTM合作计划和生态系统感到高兴和激动。我们相信，我们与GF以及该计划中的合作伙伴在先进的硅技术方面的密切合作，可以加快为新兴的毫米波市场开发出新一代的智能毫米波无线电和天线解决方案。我们独特的设施和研发能力为毫米波市场的研发、测试和表征提供了广泛的能力，我们很高兴能与GF及其客户合作，共同应对毫米波技术和产品开发中当前和未来的挑战。"

滑铁卢大学CIARS（智能天线和无线电系统中心）主任Safieddin Safavi-Naeini教授。

"Giga Solution是一家专注于射频和毫米波的专业测试服务公司，很荣幸能加入RFwaveTM生态系统并与GF合作。通过RF wave Ecosystem，Giga Solution可以提供从工程到生产的一站式服务，将测试结果迅速反馈给客户，并通过我们丰富的工程资源和多样化的测试平台支持客户及时上市。"

陈良波，Giga Solution Tech.有限公司。

"Helic很高兴能与GF的RFwaveTM项目合作。这使我们与GF的关系更上一层楼，并使我们的工具能够提供给RFwave客户。这包括我们的VeloceRF、RaptorX、Exalto和Pharos工具，我们的客户使用这些工具开发5G、物联网、自动驾驶、无线和其他射频芯片和系统，性能更好、质量更高、外形更小。这种合作关系进一步加强了我们与GF的IC设计合作，使我们能够获得具有特别好的射频工艺性能和建模精度的先进技术节点。与GF这样的领先代工厂的密切合作，再加上Helic公司最新的工具创新和电磁风险管理方法，使第一次正确的射频芯片成功。"

Yorgos Koutsoyannopoulos, CEO, Helic

"Incize很高兴能加入RFwaveTM计划。这个平台将使Incize在RF社区内促进伙伴关系，并使Incize在RF和FEM方面的专业知识更容易为生态系统所利用。射频行业只能从这样的倡议中受益"。

Mostafa Emam, Incize首席执行官和创始人

"Mentor很高兴扩大我们与GF的合作，现在包括45RFSOI工艺产品，这样我们的共同客户就能从这种针对新兴物联网、毫米波和汽车市场的创新工艺中获得最大收益。通过利用GF 45RF工艺的Calibre签收物理验证、可靠性验证和电路验证解决方案，客户将能够在新兴的人工智能驱动的智能万物时代迅速向市场提供卓越的创新产品。"

Michael Buehler-Garcia，西门子旗下Mentor公司Calibre设计解决方案的高级营销总监

"Xpeedic很高兴能加入GF的RFwaveTM合作伙伴计划。这种合作关系使我们的共同客户能够通过采用我们经过晶圆厂验证的EDA工具和用于射频前端模块设计的无源集成解决方案，放心地设计射频芯片和系统。RFwave计划是一个很好的平台，可以让射频设计界获得由RFwave成员在GF的业界领先的射频技术平台上开发的广泛的创新射频解决方案。"

冯凌，Xpeedic公司的首席执行官和创始人

关于GF

GLOBALFOUNDRIES（GF）是一家领先的全方位代工企业，为一系列高增长市场提供真正与众不同的半导体技术。GF提供独特的设计、开发和制造服务组合，拥有一系列创新的IP和功能丰富的产品，包括FinFET、FDX™、RF和电源/模拟混合信号。GF的生产基地横跨三大洲，具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问globalfoundries.com。

联系。

Erica McGill
GLOBALFOUNDRIES
(518) 795-5240
erica.mcgill@globalfoundries.com

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