新型8SW射频SOI平台引领行业发展

作者尚卡兰-贾纳丹南

世界上第一个在300毫米晶圆上制造的主流射频SOI代工平台提供了同类最佳性能、成本效益和灵活性的无与伦比的组合

GF最近为射频前端模块的设计者宣布了一些令人兴奋的消息。在我们的旗舰年度技术会议GTC上，我们发布了一个用于4G LTE和6GHz以下移动/无线应用的300毫米RF SOI平台，我们称之为8SW。

它提供了令人印象深刻的技术规格，为我们的客户提供了无可比拟的经济和上市时间优势。

但实际上，这些并不是它唯一值得注意的特点。同样值得注意的是，它是一些本质上无形但极其重要的东西的具体结果--我们和客户之间的独特关系、相互尊重和深切信任。简而言之，如果没有我们与客户的支持和密切的工作关系，我们不可能开发它。

通过收购IBM的微电子业务，GF不仅获得了射频方面的深厚技术知识，而且培养和建立了与客户亲密接触的传统。其结果是一种新的芯片制造技术，具有全面的先进功能，为客户提供的正是他们最需要的东西。

我们新的8SW RF-SOI平台将一流的性能、成本效益和所需的灵活性无与伦比地结合在一起，为快速发展的移动/无线通信应用所需的复杂前端模块（FEM）构建芯片。

它不仅是市场上开关、LNA（低噪声放大器）和逻辑能力的最佳组合，而且作为一个300毫米的RF SOI工艺，它使用更大的晶圆和更复杂的工具，带来引人注目的经济、设计和上市时间优势。它还具有全铜互连的特点，以提高载流能力和效率。

新的8SW平台的开关速度低于85fs，比我们现有的200mm RF-SOI工艺快约25%。对于LNA，它提供了超过250GHz的峰值fMAX。逻辑电路非常密集，可以在1.2V或1.8V下工作，与以前的平台相比，功率降低了70%以上。

来源：《第五代移动无线网络》。改编自《第五代移动无线网络》。

此外，整个芯片的尺寸可以缩小20%。再加上300毫米晶圆更大，产生的芯片更多，结果是新的8SW工艺可以实现更高的成本效益和更快的设计/开发周期，因为有更多的晶圆面积可用于测试场所、设计变化和多个同时进行的项目。由于300毫米的生产工具比200毫米的工艺减少了30%以上的变异性，所以上市时间也得到了提高。

与客户紧密合作

在开发8SW射频SOI平台时，我们采取了以产品和客户为中心的双重方法。我们与客户密切合作，因为我们在开发8SW平台时需要了解他们对应用需求的详细了解。

这种方法的一个例子是，我们认识到，当信号从收发器出来并进入前端模块时，需要将我们的开发工作集中在不断提高LNA性能上。这一重点是我们与客户设计团队密切合作的直接结果，以确保8SW平台能够满足快速发展的先进4G LTE要求。

新的8SW平台在GF位于纽约州东菲什基尔的300毫米生产线上制造，为客户提供了充足的产能，因为它利用了自2008年以来一直在大批量生产的部分耗尽的SOI技术基础。