Neue 8SW RF SOI-Plattform ist führend in der Branche

von: Shankaran Janardhanan

Die weltweit erste Mainstream-RF-SOI-Plattform foundry , die auf 300-mm-Wafern gefertigt wird, bietet eine unübertroffene Kombination aus erstklassiger Leistung, Kosteneffizienz und Flexibilität

GF hat kürzlich einige interessante Neuigkeiten für Entwickler von RF-Frontend-Modulen bekannt gegeben. Auf unserer wichtigsten jährlichen Technologiekonferenz, der GTC, haben wir eine 300-mm-RF-SOI-Plattform für 4G-LTE- und Sub-6-GHz-Mobilfunkanwendungen vorgestellt, die wir 8SW nennen.

Es bietet beeindruckende technische Spezifikationen und verschafft unseren Kunden unschlagbare wirtschaftliche und zeitliche Vorteile bei der Markteinführung.

Aber das sind nicht die einzigen bemerkenswerten Eigenschaften. Bemerkenswert ist auch die Tatsache, dass es ein greifbares Ergebnis von etwas ist, das von Natur aus nicht greifbar, aber dennoch von entscheidender Bedeutung ist: die einzigartigen Beziehungen, der gegenseitige Respekt und das tiefe Vertrauen, das wir und unsere Kunden teilen. Kurz gesagt: Ohne die Unterstützung und die engen Arbeitsbeziehungen zu unseren Kunden hätten wir es nicht entwickeln können.

Mit der Übernahme des Mikroelektronik-Geschäfts von IBM hat GF nicht nur tiefgreifendes technisches Wissen im Bereich der Hochfrequenztechnik erworben, sondern auch die Nähe zum Kunden gepflegt und ausgebaut. Das Ergebnis ist eine neue Technologie für die Chipherstellung mit einer umfassenden Reihe fortschrittlicher Funktionen, die den Kunden genau das bietet, was sie am meisten brauchen.

Unsere neue 8SW RF-SOI-Plattform bietet eine unvergleichliche Kombination aus klassenbester Leistung, Kosteneffizienz und der notwendigen Flexibilität, um Chips für die komplexen Front-End-Module (FEMs) zu bauen, die für die sich schnell entwickelnden mobilen/drahtlosen Kommunikationsanwendungen erforderlich sind.

Er ist nicht nur die beste Kombination aus Schalt-, LNA- (Low-Noise-Amplifier) und Logikfunktionen auf dem Markt, sondern verwendet als 300-mm-RF-SOI-Prozess auch größere Wafer und anspruchsvollere Werkzeuge, was überzeugende wirtschaftliche Vorteile sowie Vorteile bei Design und Markteinführung mit sich bringt. Außerdem verfügt er über eine vollständige Kupferverbindung für mehr Strombelastbarkeit und Effizienz.

Die neue 8SW-Plattform zeichnet sich durch Schaltgeschwindigkeiten von unter 85fs aus, was etwa 25 Prozent schneller ist als unser bestehender 200mm RF-SOI-Prozess. Für LNAs bietet sie einen Spitzenwert von fMAX von mehr als 250 GHz. Die Logikschaltungen sind extrem dicht und können entweder mit 1,2 V oder 1,8 V betrieben werden, was eine Leistungsreduzierung von mehr als 70 Prozent gegenüber der vorherigen Plattform bedeutet.

Quelle: Adaptiert von The5th Generation Mobile Wireless Networks

Darüber hinaus kann die Gesamtgröße der Chips um bis zu 20 Prozent kleiner sein. In Verbindung mit der Tatsache, dass 300-mm-Wafer größer sind und mehr Chips ergeben, führt dies dazu, dass der neue 8SW-Prozess wesentlich kosteneffizientere und schnellere Design-/Entwicklungszyklen ermöglicht, da mehr Waferfläche für Teststandorte, Designvarianten und mehrere gleichzeitige Projekte zur Verfügung steht. Die Zeit bis zur Markteinführung wird ebenfalls verkürzt, da die 300-mm-Produktionswerkzeuge die Variabilität im Vergleich zum 200-mm-Prozess um mehr als 30 Prozent verringern.

Enge Zusammenarbeit mit Kunden

Bei der Entwicklung der 8SW RF SOI-Plattform haben wir sowohl einen produkt- als auch einen kundenzentrierten Ansatz verfolgt. Wir haben eng mit unseren Kunden zusammengearbeitet, weil wir bei der Entwicklung der 8SW-Plattform ihre detaillierten Kenntnisse der Anwendungsanforderungen kennen mussten.

Ein Beispiel für diesen Ansatz war unsere Erkenntnis, dass wir unsere Entwicklungsanstrengungen auf die kontinuierliche Verbesserung der LNA-Leistung konzentrieren müssen, wenn die Signale aus dem Transceiver in die Front-End-Module gelangen. Diese Fokussierung war ein direktes Ergebnis unserer engen Zusammenarbeit mit den Design-Teams unserer Kunden, um sicherzustellen, dass die 8SW-Plattform die sich schnell entwickelnden fortschrittlichen 4G-LTE-Anforderungen erfüllt.

Die neue 8SW-Plattform wird in der 300-mm-Fertigungslinie von GF in East Fishkill, NY, hergestellt und bietet den Kunden ausreichend Kapazität, da sie eine teilweise erschöpfte SOI-Technologiebasis nutzt, die seit 2008 in der Großserienproduktion eingesetzt wird.