SST宣布在格芯的BCDLite®制程上的嵌入式SuperFlash®资质
亚利桑那州昌德勒市，2016年7月12日- Microchip Technology Inc. (NASDAQ: MCHP)是微控制器、混合信号、模拟和Flash-IP解决方案的领先供应商，通过其 旗下的硅存储技术(SST)子公司今天宣布，SST的低掩码数嵌入式SuperFlash®非易失性存储器（NVM）在GLOBALFOUNDRIES的130纳米BCDLite®技术平台上的低掩码嵌入式超级闪存（NVM）。
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SST宣布通过GLOBALFOUNDRIES BCDLite®工艺的嵌入式SuperFlash®资格认证
2016年7月12日，亚利桑那州昌德勒市--领先的微芯片技术公司（Microchip Technology Inc.(纳斯达克股票代码：MCHP）是微控制器、混合信号、模拟和Flash-IP解决方案的领先供应商，今天通过其子公司Silicon Storage Technology（SST）宣布，SST的低掩码数嵌入式SuperFlash®非易失性存储器（NVM）在GLOBALFOUNDRIES的130纳米BCDLite®技术平台上获得认证并上市。SST的嵌入式SuperFlash存储器解决方案只需要在GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技术上增加四个掩码步骤，就可以为电源、微控制器（MCU）和工业IC设计者提供一个经济高效的高端耐力嵌入式闪存解决方案。在电池充电（5V-30V）等大批量电源应用中，GLOBALFOUNDRIES 130纳米BCDLite平台与SST SuperFlash嵌入式存储器功能相搭配，可实现先进的电池监测，准确测量电池的年龄和健康状况。
从蓝色到橙色一年之后
在最近一次半导体制造会议期间的午餐会上，当我坐在一位良品率工程师旁边时，我们开始交谈起来。他说他在 GLOBALFOUNDRIES 的马耳他工厂工作，但他职业生涯的大部分时间是在 IBM 的 Fishkill 工厂度过的，去年 7 月 1 日 GF正式收购 IBM Microelectronics 时，他来到了这里。我问他关于过渡的情况，IBM 的员工，尤其是那些在 IBM 工作过几年的员工，是否对搬到一个新的组织感到焦虑。
"实际上，情况恰恰相反，"他很快回答道。"在 IBM，有一种感觉是，半导体制造不再是公司的核心目标。这种情况持续了一段时间。因此，当我们搬到 GF 时，就好像'现在我们知道自己在做什么了'。我们终于进入了一个以生产半导体为主要目的的组织。纽约和佛蒙特州的一些高层管理人员对涉及 5000 人和两个工厂的过渡过程表达了类似的看法。
Geoff Akiki 现在负责 GF 佛蒙特州伯灵顿工厂的掩膜组织，但在此之前，他是一名集成主管，负责将 IBM 微电子公司纳入 GF 旗下。整合团队创建了一个简单的颜色代码：红色代表 IBM Microelectronics 的员工，橙色代表 GF 的员工，蓝色代表留在 IBM 的员工，这主要是为了管理与 GF 的代工关系。"IBM人和GF人都有些惶恐不安。一些 GF 人员想知道这将如何影响他们在扩大后的组织中的角色。在大多数情况下，红人都非常兴奋，因为他们觉得 GF 是以芯片制造为生，其战略比他们 10 年来所看到的都要好。"如果说 GF 带来了资源和重点，那么 IBM 则带来了世界一流的工程师、ASIC 业务以及基于 RF-SOI 和 SiGe 工艺的射频（RF）技术，这在这个移动时代是一笔宝贵的财富。位于纽约州马耳他的 Fab 8 总经理 Tom Caulfield 说，在 2015 年 7 月 1 日正式整合日期之后，约有 600 人来到马耳他。不过，在此之前，相当多的工程师已经离开了 IBM，他们看到了墙上的字迹，申请了 GF 的职位。考尔菲德在 2014 年担任现职时，从包括英特尔和三星在内的多家公司聘请了他所谓的 "A 级球员"，以及大量经验丰富的 IBM 员工。"在IBM，微电子被视为成本中心，是达到目的的手段，但不是业务。这些人迫不及待地想去真正能生产半导体的地方"。将 5000 名员工（约 3000 人来自伯灵顿工厂，另外 2000 人在纽约州菲什基尔工厂工作）整合到 GF 是一项艰巨的任务。为了做好准备，Akiki 说整合团队创建了 14 个工作流，并组织了多达 200 人参加的会议。有两个关键决定缓解了过渡进程。最重要的一点是基本上不会裁员。GF 首席执行官桑杰-贾（Sanjay Jha）在整合过程中提出了 "尽可能减少干扰 "的理念。Akiki 说，把 IBM 的所有人都调过来，大大降低了焦虑程度。其次，GF 决定整体收购 IBM 位于伯灵顿和菲什基尔的两个生产基地（以及设施支持人员），从而避免了分隔财产的需要。(IBM 保留了位于加拿大布罗蒙的包装技术中心）。
IP 整合
在最近于奥斯汀举行的 2016 年设计自动化大会 (DAC) 上，一位发言人指出，当 A 公司收购 B 公司时，通常最先被解雇的是 B 公司的 EDA 工程师。
Akiki 说，从一开始，知识产权就被视为 IBM 整合交易 "价值的一大部分"。"我们夸耀过我们获得的专利数量。但我们知道，知识产权往往会被搁置，因此我们设定了一个具体目标，既要整合人员，也要整合知识产权文件。我们花了很大力气确保对所有知识产权进行分类，这样 GF 就可以 "最终宣布我们已经收到了关键的可交付成果"。加里-帕顿（Gary Patton）在整合过程中成为了 GF 的首席技术官，可以说他的技术开发组织从这笔交易中获益最大。考菲尔德指出，马耳他是一个 "绿地"，其后果之一就是需要时间来培养人才。在技术开发（TD）方面尤其如此，Patton 补充说，在过去，保持 TD 的进度 "一直是一个关键因素"。
对于 10/7nm 开发计划，Patton 说 50% 以上的人员来自 IBM，并补充说 10/7nm 开发团队借鉴了 14nm 团队的经验。考尔菲德强调，马耳他受益于 IBM 交易给 GF 带来的 ASIC 业务 "新增规模"。IBM 工程师开发了高性能 ASIC 内核，如 56 千兆位/秒 Serdes 内核，Caulfield 说其他代工厂无法提供这些内核。"我们正在刷新 14nm 工艺的 ASIC 平台，我可以告诉你，我每周都会在这里接待一位新客户，其中至少有一半是 ASIC 客户。"我问到在初步整合一年后仍然存在的挑战。最重要的挑战是进一步整合两个组织，确保在 IBM 工作了二三十年的员工能够与马耳他的工程师分享他们的知识，反之亦然。正如考尔菲德所说："我们的工作是让更多的人相互融合，取得更大的平衡。我们不想引进所有这些优秀的技术专家，却不利用他们的技能。帕顿曾管理过 IBM 的半导体研发中心（SRDC），他承诺将充分利用他现在在 GF 管理的人才。"在我领导 SRDC 的 10 年中，我可以告诉你，我们的性能始终高于英特尔。业界一直非常关注移动领域，而现在客户对我们的竞争对手在 16nm 工艺上的性能提升并不满意。他们正在寻求更高的性能。你猜怎么着？我们刚刚在 GF 引入了一个专业团队，他们知道如何实现性能。
针对工业物联网、汽车自动化和户内导航应用，A*STAR IME将加强MEMS技术的能力。
A*STAR IME与工业界的合作关系将促成尖端工业级传感器的开发，以提高MEMS设备的性能并实现成本效益。
A*STAR IME联盟将深化MEMS技术在工业物联网、汽车和室内导航应用方面的能力
A*STAR IME与工业界的合作关系将促成尖端工业级传感器的开发，以提高MEMS设备的性能并实现成本效益。
GLOBALFOUNDRIES将通过在重庆建立300毫米晶圆厂来扩大在中国的业务范围
公司计划建立新的生产设施并增加设计能力以服务于中国的客户
2016年5月31日，加利福尼亚州圣克拉拉市--全球方德公司今天宣布签署了一份谅解备忘录，以推动其在中国的下一阶段发展。通过与重庆市政府的合资企业，公司计划在中国建立一座300毫米晶圆厂，以扩大其全球生产规模。GF还将投资于扩大设计支持能力，以更好地服务于全国的客户。
"中国是增长最快的半导体市场，拥有全球一半以上的半导体消费，而且无晶圆厂公司的生态系统在全球范围内竞争，"GF首席执行官Sanjay Jha说。"我们很高兴与重庆的领导层合作，扩大我们的投资，支持我们不断增长的中国客户群。"
该项目的初步计划包括升级现有的半导体工厂，以便利用GF在新加坡的生产基地经过生产验证的技术来制造300毫米晶圆。拟议的合资企业将立即提供一个最先进的设施，加快上市时间，计划于2017年投产。
"近年来，重庆遵循集群模式，大力发展电子信息产业，成为中国最重要的智能终端产品制造地之一，"重庆市市长黄奇帆说。"在中国第十三个五年计划期间，重庆将继续发展智能集成电路等战略性新兴产业，促进区域经济持续健康发展。GF公司是世界知名的集成电路制造企业，我们欢迎他们通过合作参与，实现互利共赢。双方的合作将有助于提升重庆智能IC技术的生产水平，进一步完善重庆及中国其他地区的电子信息供应链。"
GF继续加强其在中国的销售、支持和设计服务，在过去的一年里，其业务量翻了一番，并计划继续增长。公司目前在北京和上海设有世界一流的设计中心，在支持强大的ASIC平台的定制设计方面拥有广泛的专业知识，并具备各种技术节点的代工设计能力。这些能力得到了其设计和IP生态系统中主要区域合作伙伴的补充。
关于GF
GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。
联系方式。
Jason Gorss
GF
(518) 305-9022
jason.gorss@globalfoundries.com
高管视角：大收缩
作者：格雷格-巴特利特
当我们在半导体行业谈论缩减时，大多数时候我们指的是器件缩放。但另一种收缩也在发生，我想谈谈它对行业的影响。
我指的是由于无晶圆厂公司的不断整合，市场上处于顶端的公司数量不断减少。自2014年初以来，我们行业发生的并购案价值超过1500亿美元，几乎是年均值的10倍。低利率、移动领域的饱和、增长速度放缓以及盈利能力受到全面挤压等因素共同推动了这些并购活动的发生
这股企业合并浪潮给代工厂和代工厂客户都带来了巨大的干扰，因为新合并的公司正试图发挥其更大规模的采购能力，整合供应链，简化路线图，并推动众多新的整合协同效应。
新的架构和更复杂的封装技术也带来了颠覆，这使得晶圆加工的终点和封装的起点变得更加难以区分。
因此，我们看到系统厂商越来越倾向于直接与代工厂合作，提供从制造到测试到包装再到成品库存的全套交钥匙解决方案，这甚至可能涉及到设计中心和整个供应链。
在这些趋势的影响下，代工厂面临着许多关键要求和挑战。其一，大规模代工业务比以往任何时候都更加重要，因为最大的客户会简化其供应链，并要求其代工合作伙伴做得更多。利润率面临巨大压力的事实也推动了对规模和持续降低成本的需求。
此外，由于处于领先地位的客户和代工厂数量减少，决策过程的风险比以往任何时候都要高。
为应对这些挑战，全球晶圆厂正在采取多方面的措施。在规模方面，我们正在建设德累斯顿工厂的能力，使其每年能够启动数十万片 22FDX® FD-SOI 晶圆，该工厂的最终能力是每年启动超过一百万片晶圆。
此外，收购 IBM 的半导体业务也为我们提供了更大的产能和更多的客户供应。凭借新增的两座工厂（一座位于佛蒙特州伯灵顿，另一座位于纽约州东菲什基尔），我们可以扩大射频 SOI 及其他工艺的产能。此外，在 ASIC 方面，我们拥有非常强大的 14 纳米 ASIC 业务和 IP 组合，这将我们的代工厂与终端市场的系统厂商直接联系起来。
同时，通过与精选的设计合作伙伴、设备和材料供应商以及 OSAT 合作伙伴的合作，我们的产品涵盖了设计-制造-交钥匙解决方案。我可以自豪地说，没有比我们的工作更能体现我们在终端市场的专业能力（即我们与建筑师合作的能力）的了，我们的工作就是确保为即将到来的 5G 蜂窝网络迁移提供可行的、具有成本效益的解决方案。
归根结底，这个行业的变化如此迅速而深刻，以至于没有人能确定它将如何发展。但有一点是肯定的：我们 GF 正在规划和实施解决方案，以尽可能广泛地满足客户当前和未来的需求，无论事态如何发展。
格芯发布性能改进的130nmSiGe射频技术以推动下一代无线网络通信
优化的SiGe8XP技术将为大量的RF应用带来低成本、高性能的毫米波20GHz产品
加州圣克拉拉，2016年5月23日— 格芯今天公布了下一代的射频硅设计方案，并将其添加到其矽鍺高性能技术组合当中。此技术在多方面进一步增强了性能，如行车雷达、卫星通信、5G毫米波基站和其他有线或无线通信应用。
格芯的SiGe 8XP技术是公司130纳米高性能SiGe类别里的最新拓展的技术，使客户可以拥有开发更快的流率、更远的距离以及更少功耗的射频方案的能力。对比起它的上一代产品SiGe 8HP，此项先进技术提供改进的异质结双极晶体管性能、低噪音系数、高信号完整性和高达25%的最大震荡频率（增幅至340GHz）。
毫米波频率波段下操作的高带宽通信系统对复杂性和性能的高要求，创造了对高性能硅方案需要，也创造了对高性能SiGe在射频前端5G智能手机和其他毫米波相位阵列消费者应用上的机会。这些应用依赖于SiGe的优异表现，包括通讯基站基建、回程线路、微信和光纤网络。
“5G网络将会对RF SOC设计带来另一个级别的革新，支持高带宽数据传送并达到增加数据传输率和低延迟应用的要求。” 格芯射频业务部高级副总裁Bami Bastani博士说道，“格芯的SiGe 8HP和8XP技术提供性能、功耗、效率之间的出色稳定性，是客户可以对下一代移动和基建类硬件开发独特的射频方案。”
“格芯的SiGe技术领导地位和综合性的PDK帮助我们的设计者可以更快的进行优化开发，并更好的提供差异化的毫米波解决方案。”Anokiwave 总裁Robert Donahue说道，“SiGe 8XP使我们将性能带到更高的级别，其面向未来的毫米波方案专为供应商准备，让他们可以市场需求更领先一步，以满足稳定的连接和并处理爆炸式增长的移动数据流量。”
当未来的5G部署持续刺激着基站和小面积单元的流行，SiGe 8HP 和8XP为毫米波频率独特方案的价值、功率输出、效率、低噪音和线性提供了平衡，并可以应用于下一代移动基建硬件和智能手机射频前端。格芯的SiGe 8HP 和8XP高性能产品使芯片设计者可以发展比矽鍺更经济、比CMOS更高性能的技术同时，集成重要的数字与射频功能。
除了在毫米波频率高效操作高性能晶体管外，SiGe 8HP 和8XP引进了可以减小裸晶尺寸增加面积利用率的技术革新。全新的铜金属化功能提供改进的电流传导能力以及在100度时5倍的电流密度，或者，同样电流密度下高于标准铜线25度的操作温度。此外，格芯已经可以提供已通过生产验证的硅通孔技术。
SiGe 8XP设计套装已经为您准备好了。欲了解更多详情关于格芯130纳米SiGe高性能技术方案，欢迎在国际微博论坛活动时参观1443号展台，活动时间5月22到27日，位于加州旧金山，或请登录网址 https://www.globalfoundries.com.
Erica McGill
GF
(518) 305-5978
erica.mcgill@globalfoundries.com
GLOBALFOUNDRIES发布性能增强的130纳米SiGe射频技术，推动下一代无线网络通信发展
优化的SiGe 8XP技术将为广泛的射频应用提供低成本、高性能的毫米波20GHz产品
2016年5月23日，加利福尼亚州圣克拉拉市--全球方德公司今天宣布为其硅锗（SiGe）高性能技术组合提供下一代射频（RF）硅解决方案。该技术为那些需要改进性能解决方案的客户进行了优化，用于汽车雷达、卫星通信、5G毫米波基站以及其他无线和有线通信网络应用。
GF的SiGe 8XP技术是该公司130纳米高性能SiGe系列的最新扩展，使客户能够开发射频解决方案，在更远的距离上提供更快的数据吞吐量，同时消耗更少的功率。这项先进的技术提供了更好的异质结双极晶体管（HBT）性能，噪声系数更低，信号完整性更高，与前代产品SiGe 8HP相比，最大振荡频率（fMAX）提高了25%，达到340GHz。
在毫米波频段运行的高带宽通信系统的复杂性和性能要求，使得人们需要更高性能的硅解决方案。这为5G智能手机的射频前端和其他毫米波相控阵消费应用创造了机会，此外，目前的应用也依赖于SiGe的高性能，如通信基础设施基站、回程、卫星和光纤网络。
"5G网络有望为射频SOC设计带来新的创新水平，以支持高带宽数据传输，满足对提高数据速率和低延迟应用的要求，"GF射频业务部高级副总裁Bami Bastani博士说。"GF的SiGe 8HP和8XP技术在性能、功率和效率方面取得了出色的平衡，使客户能够在下一代移动和基础设施硬件中开发出与众不同的射频解决方案。"
"Anokiwave首席执行官Robert Donahue表示："GF的SiGe技术领先地位和全面的PDK使我们的设计人员能够快速开发出性能优化的、差异化的毫米波解决方案。"利用SiGe 8XP，我们可以将未来就绪的毫米波解决方案的性能提高到更高的水平，以帮助供应商在处理爆炸性的移动数据流量的同时，在任何地方保持对可靠连接的需求。"
随着未来的5G部署将推动更小的基站扩散，SiGe 8HP和8XP的设计有助于在微波和毫米波频率上提供价值、功率输出、效率、低噪音和线性度的平衡，为下一代移动基础设施硬件和智能手机射频前端提供差异化的射频解决方案。GF的SiGe 8HP和8XP高性能产品使芯片设计者能够集成重要的数字和射频功能，同时利用比砷化镓（GaAs）更经济的硅技术基础和比CMOS更高的性能。
除了在毫米波频率下高效运行的高性能晶体管外，SiGe8HP和8XP还引入了技术创新，可以缩小芯片尺寸，实现面积效率解决方案。一种新的铜金属化特征提供了更好的载流能力，在100C下的电流密度是5倍，或者与标准铜线相比，在相同的电流密度下，工作温度最高可提高25摄氏度。此外，GF经过生产验证的硅通孔（TSV）互连技术可用于
SiGe 8XP设计套件现已上市。有关GF的130纳米SiGe高性能技术解决方案的更多信息，请访问我们在5月22日至27日在加利福尼亚州旧金山举行的国际微波研讨会上的1443号展位，或登录globalfoundries.com/SiGe。
关于GF
GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多个客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。
联系方式。
Erica McGill
GF
(518) 305-5978
erica.mcgill@globalfoundries.com
射频驱动新一代工艺
作者：戴夫-拉默斯
GLOBALFOUNDRIES is expanding its RF capabilities in two important ways: moving RF SOI manufacturing to larger wafers and a new technology platform at its East Fishkill 300mm fab. Secondly, RF IP development plays a key role in the 22FDX® platform.</em>
成功的半导体公司正面临着一个有趣的挑战：它们必须能够通过将处理器和其他数字内核、存储器和射频这三种在历史上通常是分离的技术结合起来，为快速增长的汽车和物联网市场创造解决方案。
GF CMOS 平台业务部副总裁 Subramani Kengeri 说："未来，每个新兴市场的 SoC 都将配备无线电。通过 22FDX 平台，我们拥有了一个高性价比的解决方案，射频和模拟技术与数字技术相同。
射频与数字融合
全耗尽式 SOI 具有片上射频的优势。22FDX 技术中的平面晶体管比体硅衬底上的鳍式场效应晶体管可变性更小，而体硅衬底上的鳍式场效应晶体管在控制鳍的高度和宽度方面具有挑战性。
"FD-SOI 技术具有更好的晶体管匹配特性。Kengeri 说："由于 22FDX 是平面的，可变性低得多，这有助于构建更纯净的射频和模拟以及高性能的数字技术。
为了加快 22FDX 的推出，GF 与总部位于圣克拉拉的 IP 供应商 INVECAS 签订了合同，以提供 GF 芯片专用的 22nm 库和更高级别的 IP 产品。其他生态系统合作伙伴正在优先开发经过硅验证的 WiFi 和蓝牙内核。
"超过 45 家客户正处于不同的参与阶段，主要客户已经推出了测试芯片。所有五大 EDA 供应商都已宣布支持 22FDX。Kengeri 说："我们正在按计划在今年晚些时候对该技术进行鉴定，并将很快进行大批量生产。
射频 SOI 向 300 毫米发展
GF 还致力于开发下一代射频 SOI 工艺，继续保持其在射频前端硅技术领域的领先地位。该代工厂最近达到了一个重要的里程碑，出货量达到了第 200 亿颗射频 SOI 芯片。随着射频 SOI 技术的性能要求变得更具挑战性，以及智能手机无线电复杂性带来的需求持续增长，GF 正在努力应对移动射频前端的下一波创新浪潮。在 300mm 晶圆上实现制造是这一战略的重要组成部分。
射频业务部高级总监 Peter Rabbeni 说："我们已经证明，除了提高产能外，300 毫米还能带来许多额外的好处。新材料的可用性和更小的光刻尺寸是 300mm 制造能力中有利于设备性能的部分能力。
射频 SOI 的关键区别之一在于电路是在工程基底上构建的，这与用于低功耗微控制器等数字应用的 SOI 基底大不相同，后者具有更适合高性能射频的特性。Rabbeni 解释说，这种基板特性支持射频前端电路所需的高隔离度和低谐波响应，可防止无线电干扰并保持信号保真度。
GF 与基板供应商紧密合作，开发出一种射频 SOI 技术，可满足当今射频前端开关和调谐器对谐波和线性度的严格要求。
LTE 通信和载波聚合需要插入损耗和线性度更高的下一代射频 SOI。例如，载波聚合引入了数据速率扩展方法，将两个或多个载波绑定到一个数据流中。这就在射频路径中引入了一些需要考虑的复杂因素，以确保最大限度地减少这种操作所产生的任何非线性产品。
"我们观察到的另一个主要趋势是集成更多的数字内容。例如，射频前端控制大量采用 MIPI 接口，这在芯片中所占比例越来越大，"他说。
除了满足 LTE 标准的需求外，Rabbeni 还表示，下一代射频 SOI 工艺将为 5G 蜂窝标准奠定基础。虽然最终的 5G 标准尚未批准，但客户已经在开发 5G 演示系统，以配合 2018 年和 2020 年奥运会。毫米波频率操作似乎最适合实现 5G 的承诺，包括低延迟、频谱效率和高小区边缘数据传输速率。"Rabbeni 说："如果这是行业发展的方向，那么所需的集成度将超过当今射频 SOI 技术所能达到的水平。
客户可以在高速数字控制下将波束形成器、功率放大器、移相器、LNA（低噪声放大器）甚至收发器的某些部分集成到单个芯片中。"可以肯定的是，未来我们的客户将希望通过射频 SOI 实现更高的集成度。我们正在利用我们在 45SOI 技术上已经取得的许多经验，帮助实现这一飞跃，"他说。
归根结底，这一切都要归功于帮助设计人员快速将产品推向市场的能力。"我们在提供非常精确的模型和高质量的工艺设计工具包（PDK）方面花费了大量精力，并引以为豪，这样客户就可以确信他们所模拟的正是硅片出厂时的性能。我们在射频硅技术领域拥有数十年的制造经验。能够做到这一点的大型代工厂并不多。
这些不断增长的市场机遇促使我们 "高度重视生产能力的转型"。我们已经就射频 SOI 和硅锗的产能增加做出了一些非常有针对性的决定，以确保我们能够满足预期的需求。Rabbeni 说："扩大产能以满足中国即将到来的需求是我们的一大重点。
随着中国手机用户开始使用支持 4G 和 LTE 的手机，以及 5G 标准开始普及，对基于射频 SOI 和 SiGe 的芯片的需求可能会像几年前一样迅速扩大。
观察 300 毫米移动
Semico Research（凤凰城）公司总经理 Joanne Itow 说，她正在密切关注 GF 和其他代工厂商向 300mm 射频 SOI 晶圆过渡的情况。
当 IBM 的伯灵顿业务部门开发出基于硅的射频前端集成电路时，"转向射频 SOI 而放弃砷化镓的速度非常快，因为其优势显而易见。有能力转向 300mm 晶圆的代工厂会更有优势。Itow 说："只要有这种选择，就是真正的优势。
Itow 表示，她正在关注 SOI 晶圆供应商（主要是 Soitec 公司（法国格勒诺布尔））如何应对 300 毫米射频 SOI 晶圆的可靠供应，以及代工厂和客户如何利用更大尺寸的晶圆。
"我们正在考虑下一步如何将产品提高到 300 毫米的产能。代工厂告诉我们的情况听起来不错，而且听起来似乎 GF 正处于正确的位置，为正确的市场做好了准备。她说："现在我们必须拭目以待，看看是否会成功。