格芯为实现未来智能系统扩展FinFET产品新特性 September 25, 2018 功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年9月25日 – 格芯 今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术，这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一。新工艺技术旨在为快速增长市场（如超大规模数据中心和自动驾驶汽车）应用提供更好的可扩展性和性能。 在当今数据密集的世界，对高性能芯片的需求永无止境，以处理和分析互连设备产生的信息流。格芯的FinFET产品是为最严苛的计算应用提供高性能、高功效的片上系统(SoC)设计的理想平台。通过提供针对超高性能和增强型射频连接进行了优化的晶体管改进以及采用针对新兴企业和云安全需求的新型高速、高密度存储器，新平台将改善功耗、性能和可扩展性等性能。 格芯业务部高级副总裁Bami Bastani博士表示：“我们致力于增强发展差异化产品，帮助客户从每一代技术投资中获得更多价值。通过在FinFET产品中引入这些新特性，我们将提供强大的技术改进，使客户能够为下一代智能系统扩展性能并创造创新产品。” 格芯的14/12nm FinFET平台提供先进的性能和低功耗，具有显著的成本优势。平台添加了丰富的增强功能包括： 超高密度：通过持续改进12LP设计库(7.5T)，并结合SRAM和先进的模拟技术，在更小的芯片区域内提供更高的晶体管密度，以支持客户的内核计算、连接和存储应用，以及移动和消费电子终端。 性能提升：通过将SRAM Vmin降低100mV、待机漏电流降低约50％以提高性能，从而为现有应用和新兴应用（如机器学习和人工智能）提升性能。 射频/模拟：提供全套无源器件、超厚金属和LDMOS选项，可面向含有较高数字内容的6GHz以下的RF SoC实现先进的射频性能（Ft/Fmax可达340GHz）。 嵌入式存储器：为新兴企业、云和通信应用提供超高安全性以及一次性可编程(OTP)和多次可编程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)内存。使用物理上无法检测的电荷捕获技术(CTT)实现安全解决方案，包括“物理上不可克隆的器件”功能和高效的非易失性存储器，以实现更高的SoC集成度。格芯的CTT解决方案无需额外的处理或屏蔽步骤，与基于介电熔丝技术的类似OTP解决方案相比，可提供双倍密度。 与28nm技术相比，格芯的14LPP技术可将器件性能提高55％，总功耗降低60％；而与当今市场上的16/14nm FinFET解决方案相比，格芯的12LP技术可将电路密度提高15％，性能提升10％以上。格芯前沿的FinFET平台自2016年初起已投入大规模生产，并符合汽车2级标准。
Keysight Technologies的三维平面电磁模拟器通过了GLOBALFOUNDRIES 22FDX®工艺技术认证 2018年9月17日Keysight Technologies, Inc.(NYSE: KEYS)，一家帮助企业、服务提供商和政府加速创新以连接和保护世界的领先技术公司，今天宣布该公司的三维平面电磁(EM)模拟器Momentum已获得GLOBALFOUNDRIES (GF) 22FDX®、22纳米全耗尽硅绝缘体(FD-SOI)技术的认证。
Cadence全流程数字工具套件获得GLOBALFOUNDRIES 22FDX®认证 2018年8月30日Cadence Design Systems, Inc.(纳斯达克：CDNS）今天宣布，其全流程数字工具套件已获得GLOBALFOUNDRIES（GF）22FDX®工艺技术的认证。GF认证过程是使用Cadence® Tensilica® Fusion F1 DSP完成的，其目标是物联网（IoT）和可穿戴设备应用。通过认证过程，Cadence工具被证实符合GF对其全耗尽的硅绝缘体（FD-SOI）架构的所有精度标准，在GF 22FDX工艺技术上使用Cadence数字工具套件的客户可以优化功率、性能和面积（PPA）并缩短上市时间。
Cadence全流程数字工具套件获得格芯22FDX®认证 2018年8月30日Cadence Design Systems, Inc.(纳斯达克：CDNS）今天宣布，其全流程数字工具套件已获得GLOBALFOUNDRIES（GF）22FDX®工艺技术的认证。GF认证过程是使用Cadence® Tensilica® Fusion F1 DSP完成的，其目标是物联网（IoT）和可穿戴设备应用。通过认证过程，Cadence工具被证实符合GF对其全耗尽的硅绝缘体（FD-SOI）架构的所有精度标准，在GF 22FDX工艺技术上使用Cadence数字工具套件的客户可以优化功率、性能和面积（PPA）并缩短上市时间。
格芯重塑技术组合，重点关注日益增长的差异化产品市场需求 August 28, 2018半导体制造商格芯重新部署具备领先优势的发展路线图以满足客户需求， 并建立设计客户定制ASICs全资子公司 加利福尼亚，圣克拉拉 2018年8月28日——格芯（GLOBALFOUNDRIES）今天宣布其转型的重要一步，继今年初汤姆·嘉菲尔德（Tom Caulfield）接任首席执行官后，格芯正在重塑其技术组合，依照嘉菲尔德所阐述的战略方向，重点关注为高增长市场中的客户提供真正的差异化产品。 格芯正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图，以服务未来几年采用该技术的下一波客户。公司将相应优化开发资源，让14/12纳米 FinFET平台更为这些客户所用，提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP及功能。为支持此次战略调整，格芯将搁置7纳米 FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。在裁减相关人员的同时，一大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。 “客户对半导体的需求从未如此高涨，并要求我们在实现未来技术创新方面发挥越来越大的作用”。嘉菲尔德表示，“今天，绝大多数无晶圆厂客户都希望从每一代技术中获得更多价值，以充分利用设计每个技术节点所需的大量投资。从本质上讲，这些节点正在向为多个应用领域提供服务的设计平台过渡，从而为每个节点提供更长的使用寿命。这一行业动态导致设计范围到达摩尔定律外部界限的无晶圆厂客户越来越少。我们正重组我们的资源来转变业务重心，加倍投资整个产品组合中的差异化技术，有针对性的服务不断增长的细分市场中的客户。” 此外，为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资，公司正在建立独立于晶圆代工业务外的ASIC业务全资子公司。相关的ASIC业务需要持续使用最先进的技术。该独立ASIC实体将为客户提供7纳米及以下的晶圆代工替代选项，让ASIC业务部与更广泛的客户展开合作，特别是日益增多的系统公司，他们需要ASIC服务同时生产规模需求无法仅由格芯提供。 格芯正在加强投资具有明显差异化、为客户增加真正价值的领域，着重投资能在其产品组合中提供丰富功能的产品。这包括继续侧重于FDX™平台、领先的射频产品（包括RF SOI和高性能锗硅）和模拟/混合信号，以及满足越来越多低功耗、实时连接、车载设计需求的其他技术。随着自动驾驶、物联网和全球过渡至5G等新领域的强劲需求，格芯被赋予与众不同的定位——服务“智能互联”这一新兴市场。 “减轻前沿技术领域的投资负担将使格芯能够对物联网、IoT、5G行业和汽车等快速增长市场中对大多数芯片设计人员真正重要的技术进行更有针对性的投资，” Gartner研发副总裁Samuel Wang,先生表示，“虽然最先进技术往往会占据大多数的热搜头条位置，但鲜少有客户能够承担为实现7纳米及更高精度所需的成本和代价。14纳米及以上技术将在未来许多年继续成为芯片代工业务的重要需求及驱动因素。这些领域将有极大的创新空间，可以助力下一轮科技发展狂潮。” 格芯中国区总经理白农评论道，“对我们中国的客户及生产合作伙伴而言这是一个积极的变化，因为我们强化了聚焦差异化的技术比如FDX (FD-SOI)及其他。这些差异化技术在中国市场的需求不断增加，对格芯而言一直相当重要。我们对FD-SOI以及与成都政府合作的承诺从未改变。” 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES重塑技术组合，加强对日益增长的差异化产品需求的关注 2018年8月27日半导体制造商重新调整领先的路线图以满足客户需求，并成立全资子公司以设计定制的ASIC 加州圣克拉拉，2018年8月27日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布了其转型的重要一步，延续了今年早些时候任命Tom Caulfield为首席执行官时启动的轨迹。根据Caulfield阐述的战略方向，GF正在重塑其技术组合，以加强其对为高增长市场的客户提供真正差异化产品的关注。 GF正在重新调整其领先的FinFET路线图，以服务于将在未来几年采用该技术的下一波客户。公司将转移开发资源，使其14/12纳米FinFET平台与这些客户更加相关，提供一系列创新的IP和功能，包括射频、嵌入式存储器、低功耗等。为了支持这一转变，GF将无限期地搁置其7纳米FinFET项目，并重组其研发团队，以支持其增强的组合计划。这将需要裁员，但大量的顶尖技术专家将被重新部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品上。 "Caulfield说："对半导体的需求从未如此之高，客户要求我们在实现未来的技术创新方面发挥越来越大的作用。"今天的绝大多数无晶圆厂客户都希望从每一代技术中获得更多的价值，以利用为每个技术节点进行设计所需的大量投资。从本质上讲，这些节点正在向服务于多波应用的设计平台过渡，使每个节点的寿命更长。这种行业动态导致在摩尔定律外围设计的无工厂客户减少。我们正在转移我们的资源和重点，加倍投资于我们整个投资组合中的差异化技术，这些技术与我们在不断增长的细分市场的客户最为相关。" 此外，为了更好地利用GF在ASIC设计和IP方面的强大传统和重大投资，公司正在将其ASIC业务建成一个独立于代工业务的全资子公司。一个相关的ASIC业务需要持续获得领先的技术。这个独立的ASIC实体将为客户提供在7纳米及以后的替代代工选择，同时允许ASIC业务与更多的客户打交道，特别是越来越多的系统公司需要ASIC能力和更大的制造规模，而不是GF能够单独提供的。 GF正在加强对其具有明显差异化并能为客户增加真正价值的领域的投资，重点是在其产品组合中提供功能丰富的产品。这包括继续关注其FDXTM平台、领先的射频产品（包括射频SOI和高性能SiGe）、模拟/混合信号，以及为越来越多的需要低功耗、实时连接和车载智能的应用设计的其他技术。随着自动驾驶、物联网和全球向5G过渡等新领域的强劲需求，GF在服务这一蓬勃发展的 "互联智能 "市场方面具有独特的优势。 "Gartner研究副总裁Samuel Wang说："解除投资前沿的负担，将使GF能够在射频、物联网、5G、工业和汽车等快速增长的市场中对大多数芯片设计师真正重要的技术进行更有针对性的投资。"虽然前沿技术得到了大部分的头条新闻，但能够负担得起向7纳米和更精细的几何形状过渡的客户较少。14纳米及以上技术将在未来许多年内继续成为代工业务的重要需求驱动力。在这些节点上有很大的创新空间，可以推动下一波技术的发展。" 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并赋予客户塑造其市场的力量。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系。 Jason GorssGLOBALFOUNDRIES(518) 698-7765[email protected]
格芯的12LP工艺：幕后 July 18, 2018 作者: Dave Lammers 在当今的半导体行业，几纳米就代表着很大的差距。早些年，代工厂通过“光刻收缩”的方式提供半代工艺，除了按下掩码和步进配置之外，无需进行其他改变。 格芯的12LP工艺恰恰相反，它采用与发展依然强劲的14LPP平台相同的图形技术，但对工艺和标准单元库进行了许多巧妙的改变，以实现性能、功耗和面积(PPA)方面的改进。该工艺于2017年9月首次公布，并获得AMD的公开支持，有关该工艺变化的详情首次出现在6月下旬于火奴鲁鲁举行的2018年VLSI科技研讨会的一场报告会中。 在业务方面，格芯已准备好了汽车和射频/模拟模块，以利用12LP解决方案更好地支持这些市场。12LP工艺在去年秋季得到了较大提升，当时AMD表示会快速地将主要生产线转移到12LP工艺。随后，一家移动行业的客户也开始将12LP工艺用于其应用处理器。 格芯的FinFET产品管理副总监Erin Lavigne表示：“客户最关心的是12LP的发展。”那些正在设计新型IC的客户希望实现更高的晶体管密度，实现功耗和性能增益，同时通过缩小芯片尺寸来节约成本。 由于14LPP和12LP的工具套件几乎相同，所以工厂可以在14LPP或12LP生产之间“灵活切换”。“我们的产能可互换，”Lavigne说道，“虽然AMD是我们的一个主要战略客户，但8号晶圆厂并不只是为AMD服务。我们可以支持我们的所有客户，同时继续满足AMD的需求。除了我们的两个主要客户，我们的流水线已迅速扩展至消费品、人工智能、汽车和工业领域。” 格芯的技术开发副总监Hsien-Ching Lo曾表示，在后道工序 (BEOL) 这个重要领域中，格芯已经采取了不同于竞争对手的方法。当其他代工厂为缩减芯片尺寸而缩小M2间距时，格芯的12LP仍采用与14LPP工艺相同的64nm M2间距。这一策略使客户能够实现性能、功率和面积 (PPA) 方面的改进，同时最大限度地减少设计返工。 在夏威夷举行的VLSI会议证实了这一说法。三星的一家工厂在其12LP工艺报告中描述了能够使用9T或6.75T程序库。然而，较之于14nm工艺的64nm M2间距，6.75T库要求使用48nm间距的M2。TSMC已采用了类似的方式， 即更改其12nm产品（16nm工艺的后继工艺）的M2间距。 Lo表示，采用不同的M2间距是对设计规则的一种改变，较之于格芯利用相同的M2间距支持7.5T程序库战略，这种改变需要进行更多的设计返工。“对于客户来说，从14迁移至12更轻松。只需要进行非常少的设计迁移，就可在性能和面积方面实现改进。”他说道。 当格芯在12LP设计中继续支持14LPP 9T库时，Lavigne表示7.5T程序库在缩小芯片尺寸和提高性能方面“物有所值”。Lavigne谈到：“使用这个库需要客户进行一些重新设计。客户可以选择进行多少重新设计工作来扩展平台。” 较之于格芯的14LPP工艺，配备高性能元件的12LP工艺可将环形振荡器AC性能提高15%，在同等速度条件下将12LP（带7.5T标准单元库）的总功耗降低16%，将逻辑区面积扩大12%。值得注意的是，在电流读数相同的情况下，12LP SRAM可令泄漏减少30%。 格芯的12LP是一种进步。资料来源：H.C.Lo在VLSI科技和电路研讨会上的报告 Lo在VLSI研讨会上发表了演讲，介绍了12LP工艺在5个要素方面的修改。 第一，对鳍片外形进行了改进，使之变得更高、更薄，从而改进了驱动电流和短沟道控制。鳍片表面粗糙度也有所降低，从而将NFET和PFET的载波移动性分别提高了6%和9%。 第二，为了在不增加泄漏的情况下提高PFET性能，对源极/漏极空腔外形进行了改进，将14LPP工艺的碗型空腔修改为12LP工艺的深凹空腔。需通过扩大空腔的方式提高通道上的应变，同时提供更多的嵌入式硅锗(eSiGe)，但又不会以增加泄漏为代价。 第三，对eSiGe进行了优化，以改进图案负载效益，其中40-鳍片设备可提升4%，而单向扩散中断(SDB)设备可提升5%。 PEFT eSiGe优化。资料来源：H.C.Lo在VLSI科技和电路研讨会上的报告 第四，增加了NFET掺杂密度。Lo表示，通过优化硅磷外延工艺，源-漏极电阻大约提高了6%。 接触电阻是前沿设计中的一个主要关注点。格芯的先进技术开发团队为降低接触电阻进行了两次优化。通过扩大底部接触面积，改进了沟槽式接触区形状。“我们需要扩大接触面积和底部CD（临界尺寸），但又不想以TDDB（经时击穿）为代价。通常，如果接触CD增大，多晶硅栅极触点之间的间隙就会变小。然后，就可以看到电介质击穿的退化。”Lo在VLSI研讨会上的一次访谈中说道。 第五，对沟槽式接触下的掺杂区域进行了优化，以降低接触势垒高度。他还表示，通过进行“一些接口工程”提高了硅化物电阻。 表面上，从14nm到12nm似乎并没有什么大不了的，但透过现象看本质，你就会发现为交付一项令人信服的技术需要在工程设计方面付出多少努力。 关于作者 Dave Lammers是固态技术特约撰稿人，也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章，彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times，定居东京，在之后的14年内，足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年，Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁，为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学，获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。
GF的12LP工艺：幕后花絮 七月 11， 2018作者： Dave Lammers戴夫-拉默斯 在当今的半导体行业中，几纳米很重要。在更早的时代，代工厂会通过执行“光刻收缩”来提供半节点，除了推动掩模和步进配置外，没有太多变化。 格芯转向12LP工艺则恰恰相反，它使用与仍然强大的14LPP平台相同的图案，但对工艺和标准单元库进行了许多细微的更改，以实现性能、功耗和面积（PPA）的改进。2017 年 9 月，在 AMD 的公开支持下，在 6 月下旬于檀香山举行的 2018 年 VLSI 技术研讨会上，工艺变更的细节首次公布。 在业务方面，GF准备了汽车和射频/模拟模块，以通过其12LP产品更好地支持这些市场。去年秋天，当AMD表示将迅速将主要产品线转移到12LP工艺时，12LP工艺得到了重大推动。然后，一家移动客户开始将 12LP 用于其应用处理器。 艾琳·拉维尼GF领先的FinFET产品管理副总监表示，“大多数客户的兴趣都集中在12LP的未来。设计新 IC 的客户追求更高的晶体管密度、功率和性能提升，而更小的芯片尺寸则节省了成本。 由于工具组几乎相同，因此可以“灵活”地进行 14LPP 或 12LP 生产。“我们的能力是可替代的，”Lavigne说。“虽然AMD是我们的关键战略客户，但Fab 8并不仅仅是AMD。我们可以支持所有客户，同时继续支持 AMD 的需求。除了我们的两个主要客户外，该管道在消费、人工智能、汽车和工业领域的快速追随者也呈爆炸式增长，“Lavigne说。 GF技术开发副总监Hsien-Ching Lo表示，在一个重要领域——生产线后端（BEOL）——GF采取了与代工竞争对手不同的方法。虽然其他代工厂已经减小了M2间距以实现芯片尺寸减小，但GF 12LP采用了与其14LPP工艺相同的64nm M2间距。该策略使客户能够获得性能、功耗和面积 （PPA），同时最大限度地减少设计返工。 这一说法的支持证据来自夏威夷的VLSI会议。Samsung Foundry 对其 11LP 工艺的演示描述了使用 9T 或 6.75 轨道库的能力。然而，6.75T库需要使用48nm间距的M2，而其14nm工艺的间距为64nm M2。台积电也采取了类似的策略，改变了其12nm产品的M2间距，这是其16nm工艺的后续产品。 Lo 表示，转向不同的 M2 音高是一项设计规则更改，与 GF 使用相同 M2 音高支持其 7.5 音轨库的策略相比，需要更多的设计返工。“我们的客户从 14 岁迁移到 12 岁要容易得多。他们可以通过非常小的设计迁移获得性能和面积优势，“他说。 虽然GF继续支持12LP设计的14LPP 9T库，但Lavigne表示，7.5轨库在芯片尺寸减小和性能提高方面“提供了最大的收益”。“客户需要重新设计才能使用该库。他们可以选择他们想要做多少重新设计来扩展平台。 与GF 14LPP工艺相比，带有性能元件的12LP在同等速度下将环形振荡器交流性能提高了15%，12LP（使用7.5T标准电池库）的总功耗降低了16%，逻辑面积缩放降低了12%。值得注意的是，12LP SRAM在相同读取电流下可减少30%的漏电。 GF的12LP是改进。资料：H.C. Lo在VLSI技术和电路研讨会上的演讲 Lo在VLSI研讨会上登台，介绍了12LP工艺中的五个工艺元件修改。 翅片轮廓改进为更高、更薄的翅片，改善了驱动电流和短通道控制。此外，翅片表面粗糙度降低，使NFET的载流子迁移率提高了6%，PFET的载流子迁移率提高了9%。 为了在不增加泄漏的情况下提高PFET性能，修改了源极/漏极腔轮廓，从14LPP工艺中的碗形腔体移动到12LP工艺中的更深腔体。需要扩大腔体来改善通道上的应变，提供更多的嵌入式硅锗 （eSiGe），但不会造成更高的泄漏。 第三，对eSiGe进行了优化，以改善图案加载效果，40鳍片器件提高了4%，单扩散断裂（SDB）器件提高了5%。 PEFT eSiGe 优化。资料：H.C. Lo在VLSI技术和电路研讨会上的演讲 第四，提高了NFET掺杂密度。Lo说，通过优化硅磷外延工艺，源极漏极电阻提高了约6%。 接触电阻是前沿设计规则的主要关注点。GF的先进技术开发团队进行了双重优化，以降低接触电阻。通过扩大底部接触尺寸，改进了沟槽接触轮廓。“我们希望扩大接触面积和底部 CD（临界尺寸），但不会对 TDDB（瞬态介电击穿）造成影响。通常，随着接触光盘的增加，接触与多晶硅栅极之间的间距变小。然后你可以看到介电击穿的退化，“Lo在VLSI研讨会上接受采访时说。 此外，还优化了沟槽接触下的掺杂曲线，以降低接触栅高度。他说，通过“一些界面工程”，抗硅化物性得到了改善。 从表面上看，从14nm到12nm似乎没什么大不了的。但从表面上看，大量的工程工作是为了提供一项引人注目的技术。 关于作者 戴夫-拉默斯 Dave Lammers 是 Solid State Technology 的特约撰稿人，也是 GF's Foundry Files 的特约博主。Dave 于 20 世纪 80 年代初在美联社东京分社工作时开始撰写有关半导体行业的文章，当时正值该行业快速发展时期。1985 年，他加入了《电子时报》，在东京工作的 14 年中，他报道了日本、韩国和台湾的情况。1998 年，戴夫和妻子美惠子以及四个孩子搬到奥斯汀，成立了《电子时报》德克萨斯分社。戴夫毕业于圣母大学，并在密苏里大学新闻学院获得新闻学硕士学位。
格芯22FDX®技术的设计中标收入已超20亿美元 July 10, 201822FDX技术已在50项客户设计中获得采用（这一数字仍在不断增加），作为一种成本优化的解决方案，其在功耗敏感型应用领域的价值正日益凸显。 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年7月10日——格芯今日宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术的客户端设计中标收入已逾20亿美元。凭借在50多项客户端设计中的应用，22FDX无疑已经成为业界领先的低功耗芯片平台，可适用于各种发展迅速的应用，如汽车、5G 连接和物联网(IoT)等。 对于需要大幅降低功耗和芯片尺寸的客户来说，相较于传统的CMOS体硅工艺，22FDX可提供业界较低的运行电压，仅需0.4V即可实现高达500MHz的频率。该技术还可将射频、收发器、基带、处理器和电源管理组件高效地集成于单一芯片。就需要持久电池寿命、更强处理能力和连接能力的设备而言，这项技术能以低功耗、高密度的逻辑集成电路帮助设备实现高性能射频和毫米波功能。 “随着Synaptics不断拓展其业界领先的手机与个人电脑业务，我们计划推出创新型产品，来满足蓬勃发展的物联网市场的需求。为此，我们需要最合适的可行技术，以便我们为客户提供语音、多媒体处理能力等方面的出色解决方案。”Synaptics总裁兼首席执行官Rick Bergman说道，“格芯22FDX技术同时实现了较低的静态功耗与动态功耗，性能十分出色，为我们的产品提供了一个很好的平台。” “对于一些新兴和初创型芯片公司来说，采用领先的工艺的成本可能过于高昂，”摩尔洞察与战略公司创始人兼总裁Patrick Moorhead说道，“格芯22FDX的设计初衷就是成为一种赋能技术，在成本敏感型电池供电设备领域，如移动、物联网、汽车、射频连接以及其他增长型市场，这种技术正逐渐成为理想选择。” “这才只是开始。”格芯首席执行官汤姆∙嘉菲尔德表示，“我们发现，通过重点发展差异化的FD-SOI路线图和以客户为中心、旨在实现智能互联的产品，有助于我们从自己的领域中脱颖而出。我们将以此为基础再接再厉，不断扩展产品组合，满足行业不断变化的需求。” 最近的VLSI研究调查结果表明，FD-SOI技术在行业内获得了巨大关注。格芯的路线图战略契合了行业的发展趋势，作为FinFET的补充技术，FD-SOI已被设计用于特定的应用领域，如功耗问题十分关键且产品寿命相对较短的物联网。 格芯正致力于推动22FDX技术的转型，同时准备推出新一代12FDX™技术。该技术将给边缘节点人工智能、AR/VR到5G网络以及先进驾驶辅助(ADAS)等新一代应用赋予全节点扩展优势以及更高的功效。22FDX正处于早期量产阶段，其良率与性能完全符合客户期望。 客户评价 “一直以来，我们的目标就是为驾驶员打造更安全、更互联的体验。通过将我们在雷达技术方面的技术优势与格芯符合汽车标准的22FDX技术相结合，我们得以打造了经济高效、性能出色、功耗较低的解决方案，这不仅将为各大汽车制造商带来全新机遇，还能让全球驾驶员拥有更好的体验。” Kobi Marenko，Arbe Robotics首席执行官。 “格芯22FDX技术能为低功耗、电池供电物联网设备的迅猛增长提供有力支持。Ask Radio Systems及其母公司Singularity AIX Incorporated正在开发几种不同的专有射频IP，以及一种专为低功耗和低漏电型物联网和AI应用而设计的卷积神经网络核心。利用22FDX技术，不仅能实现额外的设计灵活性，还可降低功耗与漏电，而这正是CMOS体硅技术所不具备的。” Anup Savla，Ask Radio/Singularity AIX创始人兼首席执行官 “汽车行业认识到，除了雷达和激光雷达之外，打造辅助驾驶解决方案需要更多的摄像头信息，而且需要整合来自多个摄像头的信息。以22FDX工艺为基础的DreamChip多核视觉处理器平台就诞生于该背景之下，欧洲汽车制造商和一级汽车零部件供应商可以利用该平台创建定制衍生产品，从而大大缩短产品上市时间。” Jens Benndorf，Dream Chip 科技公司首席执行官 “InnoPhase技术有助于打造较低功耗的物联网连接解决方案，以及适用于各种应用的频率捷变、可软件定义的无线电设备。我们的技术充分利用了无线电领域的数字技术，包括进程技术和节点迁移。我们发现，格芯22nm FDX技术与我们对性能的要求及业务需求十分吻合。该技术不但有助于我们进一步降低功耗、拓展功能和提高性能，而且还维持了可行的成本结构。无论产品是需要达到一定的数字性能/功率/密度，还是需要完整的模拟/射频功能集，22nm FDX技术都能帮助我们实现。” Claudio Anzil，InnoPhase工程与运营副总裁 “22FDX技术对我们的价值在于其能够节省功耗与面积，这也是我们评估高度优化的LTE NB-IoT和CAT-M芯片组性能的两个关键指标。此外，利用22FDX工艺不断发展的IP生态系统有助于加快产品上市速度。” Peter Wong，Riot Micro首席执行官 “随着我们客户对移动体验的要求越来越高，我们与格芯就22FDX技术展开了合作，这对我们在竞争激烈的市场中脱颖而出，以及打造强大而高效的移动SoC来说至关重要。” 励民，瑞芯微电子首席执行官 “借助其具备的模拟/射频集成功能、体偏置适应功能以及eMRAM技术，22FDX技术可为业界提供理想的解决方案。我们准备在我们全球的生产基地着手生产成熟的FD-SOI衬底，以此助力推广格芯的技术并满足大众市场需求。” Paul Boudre，Soitec首席执行官 “作为FD-SOI技术的开拓者与主要供应商，意法半导体公司早已认识到其在工艺技术选择方面的重要地位，我们十分重视与格芯的合作，双方正在共同努力为我们的合作伙伴提供22FDX技术。” JoëlHartmann，意法半导体公司数字前端制造与技术部门执行副总裁 “随着适用于智能城市、智能家庭以及智能工业应用的互联设备的激增，网络提供商亟需通过单一芯片解决方案来支持NB-IoT或LTE-M的发展。利用集成了出色射频与数字功率放大器的格芯22FDX平台，再加上我们专为基带和协议栈打造的节能型可编程ZSPnano，双模解决方案可以很好地满足物联网和新兴AIoT（物联网人工智能）行业的需求”。 戴伟民，芯原公司董事长，总裁兼首席执行官 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。
