2016年5月23日优化的SiGe 8XP技术将为广泛的射频应用提供低成本、高性能的毫米波20GHz产品 2016年5月23日，加利福尼亚州圣克拉拉市--全球方德公司今天宣布为其硅锗（SiGe）高性能技术组合提供下一代射频（RF）硅解决方案。该技术为那些需要改进性能解决方案的客户进行了优化，用于汽车雷达、卫星通信、5G毫米波基站以及其他无线和有线通信网络应用。 GF的SiGe 8XP技术是该公司130纳米高性能SiGe系列的最新扩展，使客户能够开发射频解决方案，在更远的距离上提供更快的数据吞吐量，同时消耗更少的功率。这项先进的技术提供了更好的异质结双极晶体管（HBT）性能，噪声系数更低，信号完整性更高，与前代产品SiGe 8HP相比，最大振荡频率（fMAX）提高了25%，达到340GHz。 在毫米波频段运行的高带宽通信系统的复杂性和性能要求，使得人们需要更高性能的硅解决方案。这为5G智能手机的射频前端和其他毫米波相控阵消费应用创造了机会，此外，目前的应用也依赖于SiGe的高性能，如通信基础设施基站、回程、卫星和光纤网络。 "5G网络有望为射频SOC设计带来新的创新水平，以支持高带宽数据传输，满足对提高数据速率和低延迟应用的要求，"GF射频业务部高级副总裁Bami Bastani博士说。"GF的SiGe 8HP和8XP技术在性能、功率和效率方面取得了出色的平衡，使客户能够在下一代移动和基础设施硬件中开发出与众不同的射频解决方案。" "Anokiwave首席执行官Robert Donahue表示："GF的SiGe技术领先地位和全面的PDK使我们的设计人员能够快速开发出性能优化的、差异化的毫米波解决方案。"利用SiGe 8XP，我们可以将未来就绪的毫米波解决方案的性能提高到更高的水平，以帮助供应商在处理爆炸性的移动数据流量的同时，在任何地方保持对可靠连接的需求。" 随着未来的5G部署将推动更小的基站扩散，SiGe 8HP和8XP的设计有助于在微波和毫米波频率上提供价值、功率输出、效率、低噪音和线性度的平衡，为下一代移动基础设施硬件和智能手机射频前端提供差异化的射频解决方案。GF的SiGe 8HP和8XP高性能产品使芯片设计者能够集成重要的数字和射频功能，同时利用比砷化镓（GaAs）更经济的硅技术基础和比CMOS更高的性能。 除了在毫米波频率下高效运行的高性能晶体管外，SiGe8HP和8XP还引入了技术创新，可以缩小芯片尺寸，实现面积效率解决方案。一种新的铜金属化特征提供了更好的载流能力，在100C下的电流密度是5倍，或者与标准铜线相比，在相同的电流密度下，工作温度最高可提高25摄氏度。此外，GF经过生产验证的硅通孔（TSV）互连技术可用于 SiGe 8XP设计套件现已上市。有关GF的130纳米SiGe高性能技术解决方案的更多信息，请访问我们在5月22日至27日在加利福尼亚州旧金山举行的国际微波研讨会上的1443号展位，或登录globalfoundries.com/SiGe。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多个客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
