GLOBALFOUNDRIES veröffentlicht leistungsgesteigerte 130-nm-SiGe-RF-Technologie zur Förderung der nächsten Generation drahtloser Netzwerkkommunikation

Optimierte SiGe 8XP-Technologie ermöglicht kostengünstige, leistungsstarke mmWave 20 GHz-Produkte für eine breite Palette von RF-Anwendungen

Santa Clara, Kalifornien, 23. Mai 2016 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute eine Hochfrequenz-Siliziumlösung der nächsten Generation für sein Portfolio an Silizium-Germanium (SiGe)-Hochleistungstechnologien an. Die Technologie ist für Kunden optimiert, die leistungsstärkere Lösungen für Kfz-Radar, Satellitenkommunikation, 5G-Millimeterwellen-Basisstationen und andere drahtlose und drahtgebundene Kommunikationsnetzanwendungen benötigen.

Die SiGe 8XP-Technologie von GF ist die jüngste Erweiterung der 130-nm-Hochleistungs-SiGe-Familie des Unternehmens und ermöglicht Kunden die Entwicklung von HF-Lösungen, die einen noch schnelleren Datendurchsatz über größere Entfernungen bei geringerem Stromverbrauch ermöglichen. Die fortschrittliche Technologie bietet eine verbesserte Heterojunction-Bipolartransistor (HBT)-Leistung mit geringerer Rauschzahl, höherer Signalintegrität und einer um bis zu 25 Prozent höheren maximalen Oszillationsfrequenz (fMAX) von 340 GHz im Vergleich zu seinem Vorgänger SiGe 8HP.

Die Komplexität und die Leistungsanforderungen von Kommunikationssystemen mit hoher Bandbreite, die in den mmWave-Frequenzbändern betrieben werden, haben den Bedarf an leistungsfähigeren Siliziumlösungen geschaffen. Dies schafft Möglichkeiten für hochleistungsfähige SiGe-Lösungen im RF-Front-End von 5G-Smartphones und anderen mmWave-Phased-Array-Verbraucheranwendungen, zusätzlich zu den aktuellen Anwendungen, die für hohe Leistung auf SiGe angewiesen sind, wie z. B. Kommunikationsinfrastruktur-Basisstationen, Backhaul, Satelliten- und Glasfasernetze.

"5G-Netzwerke versprechen ein neues Innovationsniveau für das Design von HF-SOCs, um die Datenübertragung mit hoher Bandbreite zu unterstützen und die Anforderungen an höhere Datenraten und Anwendungen mit geringer Latenz zu erfüllen", so Dr. Bami Bastani, Senior Vice President der RF Business Unit von GF."Die SiGe 8HP- und 8XP-Technologien von GF bieten ein hervorragendes Gleichgewicht zwischen Leistung, Stromverbrauch und Effizienz, das es den Kunden ermöglicht, differenzierte RF-Lösungen für die nächste Generation von Mobil- und Infrastruktur-Hardware zu entwickeln."

"Die führende SiGe-Technologie und die umfassenden PDKs von GF ermöglichen unseren Entwicklern die schnelle Entwicklung leistungsoptimierter, differenzierter Millimeterwellen-Lösungen", so Robert Donahue, CEO von Anokiwave. "Durch den Einsatz von SiGe 8XP können wir die Leistung in zukunftssicheren mmWave-Lösungen noch weiter steigern, damit Anbieter den Anforderungen nach zuverlässiger Konnektivität von jedem Ort aus gerecht werden können, während sie gleichzeitig das explodierende Volumen des mobilen Datenverkehrs bewältigen."

Angesichts der bevorstehenden 5G-Implementierungen, die zu einer Verbreitung von Basisstationen mit kleineren Zellenflächen führen werden, bieten SiGe 8HP und 8XP ein ausgewogenes Verhältnis von Wert, Leistung, Effizienz, geringem Rauschen und Linearität bei Mikrowellen- und Millimeterwellenfrequenzen für differenzierte HF-Lösungen in der nächsten Generation mobiler Infrastrukturhardware und Smartphone-HF-Frontends. Die SiGe 8HP- und 8XP-Hochleistungsprodukte von GF ermöglichen Chipdesignern die Integration umfangreicher digitaler und HF-Funktionen und nutzen dabei die im Vergleich zu Galliumarsenid (GaAs) kostengünstigere Silizium-Technologiebasis sowie eine höhere Leistung als CMOS.

Zusätzlich zu den Hochleistungstransistoren für den effizienten Betrieb bei mmWave-Frequenzen führen SiGe8HP und 8XP technologische Innovationen ein, die die Die-Größe reduzieren und flächeneffiziente Lösungen ermöglichen können. Eine neue Cu-Metallisierung sorgt für eine verbesserte Stromtragfähigkeit mit einer fünfmal höheren Stromdichte bei 100°C bzw. einer bis zu 25°C höheren Betriebstemperatur bei gleicher Stromdichte im Vergleich zu Standard-Cu-Leitungen. Darüber hinaus ist die produktionserprobte Through-Silicon-Via (TSV)-Verbindungstechnologie von GF verfügbar

SiGe 8XP Design-Kits sind ab sofort erhältlich. Weitere Informationen zu den 130-nm-SiGe-Hochleistungstechnologielösungen von GF erhalten Sie auf dem International Microwave Symposium vom 22. bis 27. Mai in San Francisco, Kalifornien, an unserem Stand Nr. 1443 oder online unter globalfoundries.com/SiGe.

Über GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Kontakte:

Erica McGill
GF
(518) 305-5978
[email protected]