2016年9月15日高性能的嵌入式非易失性存储器解决方案非常适合于先进的物联网和汽车领域的新兴应用 2016年9月15日，加利福尼亚州圣克拉拉市--环球方德公司今天在其22FDX平台上推出了一种可扩展的嵌入式磁阻非易失性存储器技术（eMRAM），为系统设计师提供了比当今非易失性存储器（NVM）产品快1000倍的写入速度和1000倍的耐久性。22FDX eMRAM还具有在260°C焊接回流、工业温度下保持数据的能力，同时保持行业领先的eMRAM比特单元尺寸。 GF的eMRAM最初将在其22FDX平台上提供，该平台利用了业界首个22纳米全耗尽的绝缘体上的硅（FD-SOI）技术。这种多功能的eMRAM技术是为代码存储（闪存）和工作存储器（SRAM）而设计的，以实现超高效的存储器子系统，可以在没有任何能量或性能损失的情况下进行电源循环。FDX™和eMRAM的电源效率，加上可用的射频连接IP，使22FDX成为电池供电的物联网产品和汽车MCU的理想平台。 "GF公司CMOS平台业务部高级副总裁Gregg Bartlett说："客户正在寻找一种高性能的非易失性存储器解决方案，以扩展其产品功能。"我们推出的22FDX eMRAM使系统设计人员具备了新的能力，使他们能够在其MCU和SoC中构建更多的功能，同时提高性能和电源效率。" 自动驾驶汽车的出现迅速推动了对增加片上存储器容量的需求，而这一需求是实时视觉处理、高精度、连续的3D地图数据以及空中更新的下一代汽车MCU所需的。GF的eMRAM通过将比SRAM更高的存储密度与只有磁阻存储器才能提供的快速写入、极高的耐久性和非挥发性相结合，独特地满足了这些高级驾驶辅助系统（ADAS）的要求。 "Coughlin Associates总裁Thomas Coughlin表示："新兴的非易失性存储器正在从实验室走向工厂。"GF的22FDX eMRAM将通过利用嵌入式MRAM的关键性能属性，在SoC能力方面取得重大进展。电池供电的物联网设备、汽车MCU和SoC以及SSD存储控制器的设计者肯定会想利用这种多功能的嵌入式NVM技术。" GF的22FDX eMRAM的推出是该公司与MRAM先驱者Everspin Technologies多年合作的结果。这种合作关系已经在2016年8月交付了世界上最高密度的ST-MRAM--Everspin的256Mb DDR3垂直磁隧道结（pMTJ）产品，该产品目前已经成功出样，正在为GF的大规模生产做准备。 GF的22FDX eMRAM目前正在开发中，预计将在2017年为客户提供原型设计，并在2018年实现批量生产。GF的eMRAM技术可扩展到22纳米以上，预计可在FinFET和未来的FDX平台上使用。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式：Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
