GLOBALFOUNDRIES bringt Embedded MRAM auf 22FDX®-Plattform auf den Markt

Leistungsstarke eingebettete nichtflüchtige Speicherlösung eignet sich ideal für neue Anwendungen im modernen IoT und in der Automobilindustrie

Santa Clara, Kalifornien, 15. September 2016 - GLOBALFOUNDRIES hat heute eine skalierbare, eingebettete magnetoresistive nichtflüchtige Speichertechnologie (eMRAM) auf seiner 22FDX-Plattform vorgestellt, die Systementwicklern Zugang zu 1.000-mal schnelleren Schreibgeschwindigkeiten und 1.000-mal längerer Lebensdauer als die heutigen nichtflüchtigen Speicher (NVM) bietet. Der 22FDX eMRAM ist außerdem in der Lage, Daten bei 260°C Reflow-Lötung und bei industriellen Temperaturen zu speichern und dabei eine branchenführende eMRAM-Bitzellengröße beizubehalten.

Das eMRAM von GF wird zunächst auf der 22FDX-Plattform angeboten, die auf der branchenweit ersten 22-nm-FD-SOI-Technologie (Full-Depleted Silicon-on-Insulator) basiert. Diese vielseitige eMRAM-Technologie ist sowohl für die Codespeicherung (Flash) als auch für den Arbeitsspeicher (SRAM) konzipiert und ermöglicht so hocheffiziente Speicher-Subsysteme, die ohne Energie- oder Leistungseinbußen mit Strom versorgt werden können. Die Energieeffizienz von FDX™ und eMRAM in Verbindung mit der verfügbaren RF-Konnektivitäts-IP macht den 22FDX zu einer idealen Plattform für batteriebetriebene IoT-Produkte und Automotive-MCUs.

"Kunden sind auf der Suche nach einer leistungsstarken nichtflüchtigen Speicherlösung, die ihre Produktmöglichkeiten erweitert", so Gregg Bartlett, Senior Vice President CMOS Platforms Business Unit, GF. "Mit der Einführung von 22FDX eMRAM bieten wir Systementwicklern neue Möglichkeiten, um ihre MCUs und SoCs mit mehr Funktionen auszustatten und gleichzeitig die Leistung und Energieeffizienz zu verbessern.

Das Aufkommen autonomer Fahrzeuge führt zu einem raschen Anstieg der On-Chip-Speicherkapazitäten, die für die Echtzeit-Vision-Verarbeitung, hochpräzise, kontinuierliche 3D-Mapping-Daten und MCUs der nächsten Generation, die Over-the-Air aktualisiert werden, erforderlich sind. Der eMRAM von GF erfüllt diese Anforderungen an fortschrittliche Fahrassistenzsysteme (ADAS) auf einzigartige Weise, indem er eine höhere Speicherdichte als SRAM mit der schnellen Schreibfähigkeit, der sehr hohen Ausdauer und der Unveränderlichkeit kombiniert, die nur magnetoresistive Speicher bieten können.

"Neuartige nichtflüchtige Speicher werden vom Labor in die Fertigung verlagert", so Thomas Coughlin, Präsident von Coughlin Associates. "Der 22FDX eMRAM von GF bietet einen bedeutenden Fortschritt bei den SoC-Fähigkeiten, indem er die wichtigsten Leistungsmerkmale von Embedded MRAM nutzt. Entwickler von batteriebetriebenen IoT-Geräten, MCUs und SoCs für den Automobilbereich sowie von SSD-Speicher-Controllern werden diese vielseitige Embedded-NVM-Technologie sicherlich nutzen wollen."

Die Einführung des 22FDX eMRAM von GF ist das Ergebnis der mehrjährigen Partnerschaft des Unternehmens mit dem MRAM-Pionier Everspin Technologies. Im Rahmen dieser Partnerschaft wurde bereits im August 2016 das weltweit dichteste ST-MRAM geliefert - Everspins 256-MB-DDR3-Produkt mit perpendikulärem magnetischem Tunnelübergang (pMTJ), das nun erfolgreich bemustert und bei GF für die Massenproduktion vorbereitet wird.

Das 22FDX eMRAM von GF befindet sich derzeit in der Entwicklung und wird voraussichtlich 2017 für Kundenprototypen und 2018 für die Serienproduktion verfügbar sein. Die eMRAM-Technologie von GF ist über 22nm hinaus skalierbar und wird voraussichtlich sowohl auf FinFET- als auch auf zukünftigen FDX-Plattformen verfügbar sein.

Über GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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