GLOBALFOUNDRIES利用新功能扩展FinFET产品,以实现未来的智能系统

功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供有竞争力的性能和可扩展性

加州圣克拉拉,2018年9月25日 - 作为公司加强差异化投资的新重点的一部分,GLOBALFOUNDRIES今天在其年度全球技术大会(GTC)上宣布,计划为其14/12纳米FinFET产品引入全套新技术功能。这些功能旨在为高增长市场的应用提供更好的可扩展性和性能,如超大规模数据中心和自动驾驶汽车。

在当今数据密集型的世界里,人们对高性能的芯片有着永不满足的需求,以处理和分析由连接设备产生的大量信息。GF的FinFET产品是一个理想的平台,可以为最苛刻的计算应用设计高性能、高能效的系统级芯片(SoC)。新的平台功能将通过提供针对超高性能和增强型射频连接进行优化的晶体管增强功能,以及针对新兴企业和云安全需求的新型高速、高密度存储器,来提高功率、性能和可扩展性。

"我们致力于增强我们的差异化产品,以帮助客户在每一代技术中获得更大的投资价值,"GF业务部门高级副总裁Bami Bastani博士说。"通过在我们的FinFET产品中引入这些新功能,我们将提供强大的技术提升,使客户能够扩展性能并为下一代智能系统创造创新产品。"

GF的14/12纳米FinFET平台提供了先进的性能和功率,具有显著的成本优势。正在添加到该平台的功能丰富的增强功能包括:。

  • 超高的密度。通过持续改进12LP设计库(7.5T),结合SRAM和模拟技术的进步,提高晶体管密度,提供更小的芯片面积,以支持核心计算、连接和存储应用以及移动和消费领域的客户。
  • 性能提升:通过将SRAM的Vmin降低100mV和待机泄漏电流降低约50%来提高性能--为机器学习和人工智能领域的现有和新兴应用扩展性能。
  • RF/analog: Provides a full suite of passive devices, ultra-thick metal and LDMOS options for advanced RF performance with Ft/Fmax at 340GHz targeting <6GHz RF SoCs with high digital content.
  • 嵌入式存储器。为新兴的企业、云和通信应用提供超高安全性、一次性可编程(OTP)和多时间可编程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)存储器。使用物理上无法检测的电荷捕获技术(CTT)可实现安全解决方案,包括 "物理上不可克隆的设备 "功能和高效的非易失性存储器,以实现更高水平的SoC整合。GF的CTT解决方案不需要额外的处理或屏蔽步骤,其密度是基于介质熔断技术的类似OTP解决方案的两倍。

与28纳米技术相比,该公司的14LPP技术可提供高达55%的器件性能和60%的总功率,而其12LP技术与目前市场上的16/14纳米FinFET解决方案相比,电路密度可提高15%,性能提高10%以上。GF领先的FinFET平台自2016年初开始大批量生产,并已达到汽车二级标准。

关于GF

GLOBALFOUNDRIES(GF)是一家领先的全方位代工企业,为一系列高增长市场提供真正与众不同的半导体技术。GF提供独特的设计、开发和制造服务组合,拥有一系列创新的IP和功能丰富的产品,包括FinFET、FDX™、RF和电源/模拟混合信号。GF的生产基地横跨三大洲,具有灵活性和敏捷性,能够满足全球客户的动态需求。GF为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息,请访问globalfoundries.com

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Erica McGill
GLOBALFOUNDRIES
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