25. September 2018 Leistungsstarke Halbleiterplattform bietet wettbewerbsfähige Leistung und Skalierbarkeit für Rechenanwendungen der nächsten Generation Santa Clara, Kalifornien, 25. September 2018 - Im Rahmen der neuen Ausrichtung des Unternehmens auf verstärkte Investitionen in die Differenzierung kündigte GLOBALFOUNDRIES heute auf seiner jährlichen Global Technology Conference (GTC) Pläne zur Einführung einer ganzen Reihe neuer Technologiefunktionen für sein 14/12-nm-FinFET-Angebot an. Die Funktionen sollen eine bessere Skalierbarkeit und Leistung für Anwendungen in wachstumsstarken Märkten wie Hyperscale-Rechenzentren und autonome Fahrzeuge bieten. In der datenintensiven Welt von heute besteht ein unstillbarer Bedarf an Hochleistungs-Chips zur Verarbeitung und Analyse der von vernetzten Geräten erzeugten Informationsflut. Das FinFET-Angebot von GF ist eine ideale Plattform für die Entwicklung hochleistungsfähiger, energieeffizienter System-on-Chips (SoCs) für die anspruchsvollsten Rechenanwendungen. Die neuen Plattformfunktionen verbessern den Stromverbrauch, die Leistung und die Skalierbarkeit durch Transistorverbesserungen, die für ultrahohe Leistung und verbesserte RF-Konnektivität optimiert sind, sowie durch neue Hochgeschwindigkeits-Speicher mit hoher Dichte, die den neuen Anforderungen von Unternehmen und Cloud-Sicherheit entsprechen. "Wir sind bestrebt, unser differenziertes Angebot zu erweitern, damit unsere Kunden in jeder Technologiegeneration mehr Nutzen aus ihren Investitionen ziehen können", so Dr. Bami Bastani, Senior Vice President of Business Units bei GF. "Mit der Einführung dieser neuen Funktionen in unser FinFET-Angebot liefern wir leistungsstarke Technologieverbesserungen, die es unseren Kunden ermöglichen, die Leistung zu steigern und innovative Produkte für die nächste Generation intelligenter Systeme zu entwickeln." Die 14/12-nm-FinFET-Plattform von GF bietet eine verbesserte Leistung und einen höheren Stromverbrauch bei erheblichen Kostenvorteilen. Zu den funktionsreichen Erweiterungen der Plattform gehören: Ultrahohe Dichte: Erhöhte Transistordichte durch kontinuierliche Verbesserungen der 12LP-Designbibliothek (7,5T) in Kombination mit SRAM- und Analog-Fortschritten, die eine kleinere Die-Fläche ermöglichen, um Kunden in zentralen Rechen-, Verbindungs- und Speicheranwendungen sowie in den Bereichen Mobilität und Consumer zu unterstützen. Leistungssteigerung: Erhöht die Leistung durch Reduzierung der SRAM-Vmin um 100mV und des Standby-Leckstroms um ~50 Prozent, um die Leistung für bestehende und neue Anwendungen in den Bereichen maschinelles Lernen und künstliche Intelligenz zu erhöhen. RF/analog: Provides a full suite of passive devices, ultra-thick metal and LDMOS options for advanced RF performance with Ft/Fmax at 340GHz targeting <6GHz RF SoCs with high digital content. Eingebetteter Speicher: Bietet ultrahochsichere, einmalig programmierbare (OTP) und mehrmalig programmierbare (MTP) eingebettete nichtflüchtige (eNVM) Speicher für neue Unternehmens-, Cloud- und Kommunikationsanwendungen. Die Verwendung der physikalisch nicht nachweisbaren Charge-Trapping-Technologie (CTT) ermöglicht Sicherheitslösungen, einschließlich "physikalisch nicht verschließbarer Geräte" und effizienter nichtflüchtiger Speicher für ein höheres Maß an SoC-Integration. Die CTT-Lösung von GF erfordert keine zusätzlichen Verarbeitungs- oder Maskierungsschritte und bietet eine bis zu doppelt so hohe Dichte wie vergleichbare OTP-Lösungen, die auf dielektrischer Fuse-Technologie basieren. Die 14LPP-Technologie von GF bietet im Vergleich zu 28-nm-Technologien eine um bis zu 55 Prozent höhere Bauelementleistung und einen um 60 Prozent geringeren Stromverbrauch. Die 12LP-Technologie von GF bietet eine um bis zu 15 Prozent höhere Schaltkreisdichte und eine um mehr als 10 Prozent höhere Leistung als die derzeit auf dem Markt erhältlichen 16/14-nm-FinFET-Lösungen. Die hochmoderne FinFET-Plattform von GF wird seit Anfang 2016 in großen Stückzahlen produziert und ist Automotive Grade 2 ready. Über GF GLOBALFOUNDRIES (GF) ist ein führender Full-Service-Anbieter ( foundry ), der differenzierte Halbleitertechnologien für eine Reihe von wachstumsstarken Märkten anbietet. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen mit einer Reihe innovativer IP und funktionsreicher Angebote wie FinFET, FDX™, RF und Power/Analog Mixed Signal. Mit einer Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, verfügt GF über die Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
