GLOBALFOUNDRIES利用12纳米FD-SOI技术扩展FDX™路线图

12FDX™提供全节点扩展、超低功率和按需性能

2016年9月8日,加利福尼亚州圣克拉拉市--环球方德公司今天发布了一项新的12纳米FD-SOI半导体技术,通过提供业界首个多节点FD-SOI路线图来扩大其领导地位。在其22FDX®产品的成功基础上,公司的下一代12FDX™平台旨在实现未来的智能系统,涵盖一系列应用,从移动计算和5G连接到人工智能和自动驾驶汽车。

随着世界通过数十亿的连接设备变得越来越一体化,许多新兴的应用需要一种新的半导体创新方法。使这些应用成为可能的芯片正在演变成微型系统,增加了智能组件的集成度,包括无线连接、非易失性存储器和电源管理,同时推动了超低的功率消耗。GF的新12FDX技术是专门为实现这些前所未有的系统集成、设计灵活性和功率扩展而设计的。

12FDX为系统集成设立了一个新的标准,为将射频(RF)、模拟、嵌入式存储器和先进的逻辑结合到一个芯片上提供了一个优化的平台。该技术还通过软件控制的晶体管提供了业界最广泛的动态电压扩展和无可比拟的设计灵活性--能够在需要的时间和地点提供峰值性能,同时平衡静态和动态功率,实现最终的能源效率。

"GF首席执行官Sanjay Jha说:"有些应用需要FinFET晶体管无与伦比的性能,但绝大多数互联设备需要高水平的集成,以及在性能和功耗方面更多的灵活性,而FinFET的成本却无法达到。"我们的22FDX和12FDX技术为下一代互联智能系统提供了另一种途径,从而填补了行业路线图中的空白。而且通过我们的FDX平台,设计成本大大降低,重新打开了先进节点迁移的大门,刺激了整个生态系统的创新。"

GF新的12FDX技术建立在12纳米全耗尽的绝缘体上硅(FD-SOI)平台上,实现了10纳米FinFET的性能,与16纳米FinFET相比,功耗更低,成本更高。该平台提供了整整一个节点的扩展优势,与当今的FinFET技术相比,性能提升15%,功耗降低50%之多。

"芯片制造不再是一锤子买卖了。虽然FinFET是最高性能产品的首选技术,但对于许多对成本敏感的移动和物联网产品来说,行业路线图并不明确,这些产品需要在提供足够的时钟速度的同时尽可能降低功耗,"Linley Group的创始人兼首席分析师Linley Gwennap说。"GF的22FDX和12FDX技术很好地填补了这一空白,为高级节点设计提供了另一种迁移路径,特别是那些寻求在不增加芯片成本的情况下降低功率的设计。今天,GF是22纳米及以下的FD-SOI的唯一传播者,使其具有明显的差异化优势。"

"当22FDX第一次从GF出来的时候,我看到了一些改变游戏规则的功能。VLSI Research董事长兼首席执行官G. Dan Hutcheson说:"那些需要使其设计与众不同的人不能忽视功率和性能的实时权衡。VLSI Research董事长兼首席执行官G Dan Hutcheson表示:"现在,通过新的12FDX产品,GF明确承诺为这项技术提供路线图,特别是针对物联网和汽车,这是当今市场上最具颠覆性的力量。GF的FD-SOI技术将成为这种颠覆的重要推动力。"

"IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones表示:"FD-SOI技术可以为那些需要使其设计与众不同的人提供实时的功率、性能和成本权衡。"GF新的12FDX产品提供了业界首个FD-SOI路线图,为高级节点设计带来了最低成本的迁移路径,使未来的智能客户端、5G、AR/VR、汽车市场的连接系统成为可能。"

位于德国德累斯顿的GF工厂1目前正在为该厂的12FDX开发活动和后续制造创造条件。预计客户的产品将在2019年上半年开始交付。

"中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长、院士王曦博士说:"我们对GF 12FDX的产品以及它能为中国客户提供的价值感到兴奋。"扩展FD-SOI路线图将使移动、物联网和汽车等市场的客户能够利用FDX技术的电源效率和性能优势来创造有竞争力的产品。"

"恩智浦半导体i.MX应用处理器产品线副总裁Ron Martino表示:"恩智浦的下一代i.MX多媒体应用处理器正在利用FD-SOI的优势,为汽车、工业和消费类应用实现功耗领先和按需扩展性能。"GF的12FDX技术是对行业的一大补充,因为它为FD-SOI提供了下一代节点,将进一步扩展平面器件能力,为未来的智能、互联和安全系统提供更低的风险、更宽的动态范围和令人信服的性价比。"

"英威达首席执行官Dasaradha Gude表示:"在英威达,我们的章程是为GF客户提供无与伦比的IP解决方案、ASIC和设计服务,以及软件和系统级的专业知识,从而确保他们从技术中获得最大收益,降低设计复杂性和进度的障碍。"在我们已经为22FDX完成的工作基础上,我们期待扩大我们的战略合作关系,支持GF的新12FDX技术,这将为客户的创新FD-SOI设计提供路线图。"

"芯原总裁兼首席执行官Wayne Dai说:"作为FD-SOI设计的先行者之一,芯原利用其硅平台即服务(SiPaaS),以及为SoC提供最佳IP和设计服务的经验。"FD-SOI技术的独特优势使我们能够在汽车、物联网、移动性和消费市场领域实现差异化。我们期待着扩大与GF在12FDX产品上的合作,为中国市场的客户提供高质量、低功耗、高性价比的解决方案。"

"12FDX的开发将在功率、性能和智能扩展方面实现另一个突破,因为12纳米最适合双图案,并能以最低的工艺复杂性提供最佳的系统性能和功率,"CEA技术研究所Leti的首席执行官Marie Semeria说。"我们很高兴看到Leti团队与GF在美国和德国的合作成果,扩展了FD-SOI技术的路线图,它将成为连接设备的全系统芯片集成的最佳平台。"

"我们非常高兴地看到22FDX产品的强劲势头和无晶圆厂客户的扎实采用。现在,这种新的12FDX产品将进一步扩大FD-SOI的市场应用,"Soitec首席执行官Paul Boudre说。Soitec首席执行官Paul Boudre说:"在Soitec,我们已经做好充分准备,为GF提供从22纳米到12纳米的大批量、高质量的FD-SOI基片。这对我们的行业来说是一个很好的机会,正好可以支持一大波新的移动和互联应用。"

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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GF
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