September 8, 201612FDX™ bietet vollständige Skalierung, extrem niedrigen Stromverbrauch und Leistung nach Bedarf Santa Clara, Kalifornien, 8. September 2016 - GLOBALFOUNDRIES hat heute eine neue 12-nm-FD-SOI-Halbleitertechnologie vorgestellt und baut damit seine Führungsposition aus, indem es die erste Multi-Knoten-FD-SOI-Roadmap der Branche anbietet. Aufbauend auf dem Erfolg seines 22FDX®-Angebots wurde die 12FDX™-Plattform der nächsten Generation entwickelt, um die intelligenten Systeme von morgen in einer Reihe von Anwendungen zu ermöglichen, von Mobile Computing und 5G-Konnektivität bis hin zu künstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen. Da die Welt durch Milliarden von vernetzten Geräten immer vernetzter wird, erfordern viele neue Anwendungen einen neuen Ansatz für Halbleiterinnovationen. Die Chips, die diese Anwendungen ermöglichen, entwickeln sich zu Mini-Systemen mit einer verstärkten Integration von intelligenten Komponenten wie drahtloser Konnektivität, nichtflüchtigem Speicher und Energiemanagement - und das alles bei extrem niedrigem Stromverbrauch. Die neue 12FDX-Technologie von GF wurde speziell entwickelt, um dieses beispiellose Niveau an Systemintegration, Designflexibilität und Leistungsskalierung zu erreichen. Der 12FDX setzt einen neuen Standard für die Systemintegration und bietet eine optimierte Plattform für die Kombination von Hochfrequenz (HF), Analogtechnik, eingebettetem Speicher und fortschrittlicher Logik auf einem einzigen Chip. Die Technologie bietet außerdem die branchenweit größte Bandbreite an dynamischer Spannungsskalierung und unübertroffene Design-Flexibilität durch softwaregesteuerte Transistoren, die Spitzenleistung liefern können, wann und wo sie benötigt wird, und gleichzeitig statische und dynamische Leistung für höchste Energieeffizienz ausgleichen. "Einige Anwendungen erfordern die unübertroffene Leistung von FinFET-Transistoren, aber die überwiegende Mehrheit der vernetzten Geräte benötigt ein hohes Maß an Integration und mehr Flexibilität in Bezug auf Leistung und Stromverbrauch, und das zu Kosten, die mit FinFET nicht zu erreichen sind", so Sanjay Jha, CEO von GF. "Unsere 22FDX- und 12FDX-Technologien schließen eine Lücke in der Roadmap der Branche, indem sie einen alternativen Weg für die nächste Generation vernetzter intelligenter Systeme bieten. Und mit unseren FDX-Plattformen sind die Designkosten deutlich niedriger, was die Tür für die Migration zu fortschrittlichen Knoten öffnet und die Innovation im gesamten Ökosystem fördert." Die neue 12FDX-Technologie von GF basiert auf einer 12-nm-Plattform mit vollständig verarmtem Silizium auf Isolator (FD-SOI), die die Leistung von 10-nm-FinFET bei besserem Stromverbrauch und niedrigeren Kosten als 16-nm-FinFET ermöglicht. Die Plattform bietet einen Skalierungsvorteil über einen ganzen Knotenpunkt, der eine Leistungssteigerung von 15 Prozent gegenüber den heutigen FinFET-Technologien und einen um bis zu 50 Prozent geringeren Stromverbrauch ermöglicht. "Die Chipherstellung ist nicht länger eine Einheitslösung für alle. Während FinFET die Technologie der Wahl für die leistungsstärksten Produkte ist, ist die Roadmap der Branche für viele kostensensitive Mobil- und IoT-Produkte, die einen möglichst geringen Stromverbrauch bei gleichzeitig angemessenen Taktraten erfordern, weniger klar", so Linley Gwennap, Gründer und leitender Analyst der Linley Group. "Die 22FDX- und 12FDX-Technologien von GF sind gut positioniert, um diese Lücke zu schließen, indem sie einen alternativen Migrationspfad für Advanced-Node-Designs bieten, insbesondere für solche, die den Stromverbrauch senken wollen, ohne die Chipkosten zu erhöhen. GF ist heute der einzige Anbieter von FD-SOI bei 22nm und darunter, was ihm eine klare Differenzierung ermöglicht." "Als der 22FDX von GF zum ersten Mal auf den Markt kam, sah ich einige bahnbrechende Funktionen. Die Echtzeit-Kompromisse bei Stromverbrauch und Leistung konnten von denjenigen, die ihre Designs differenzieren müssen, nicht ignoriert werden", sagte G. Dan Hutcheson, Vorsitzender und CEO von VLSI Research. "Mit seinem neuen 12FDX-Angebot zeigt GF ein klares Bekenntnis zur Bereitstellung einer Roadmap für diese Technologie - insbesondere für die Bereiche IoT und Automotive, die heute die größten Umwälzungen auf dem Markt bewirken. Die FD-SOI-Technologien von GF werden ein entscheidender Wegbereiter für diesen Umbruch sein. "Die FD-SOI-Technologie kann in Echtzeit Kompromisse bei Stromverbrauch, Leistung und Kosten für diejenigen bieten, die ihre Designs differenzieren müssen", so Handel Jones, Gründer und CEO von IBS, Inc. "Das neue 12FDX-Angebot von GF bietet die branchenweit erste FD-SOI-Roadmap, die den kostengünstigsten Migrationspfad für fortschrittliches Node-Design bietet und die vernetzten Systeme von morgen für intelligente Kunden, 5G, AR/VR und Automobilmärkte ermöglicht." GF Fab 1 in Dresden schafft derzeit die Voraussetzungen für die 12FDX-Entwicklungsaktivitäten und die anschließende Fertigung am Standort. Die Übergabe der Produkte an die Kunden wird voraussichtlich in der ersten Hälfte des Jahres 2019 beginnen. "Wir freuen uns über das Angebot von GF 12FDX und den Wert, den es Kunden in China bieten kann", sagte Dr. Xi Wang, Generaldirektor und Akademiemitglied der Chinesischen Akademie der Wissenschaften, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology. "Die Erweiterung der FD-SOI-Roadmap wird es Kunden in Märkten wie Mobile, IoT und Automotive ermöglichen, die Energieeffizienz und Leistungsvorteile der FDX-Technologien zu nutzen, um wettbewerbsfähige Produkte zu entwickeln." "Die nächste Generation der i.MX-Multimedia-Anwendungsprozessoren von NXP nutzt die Vorteile von FD-SOI, um sowohl eine führende Energieeffizienz als auch eine bedarfsgerechte Leistungsskalierung für Automobil-, Industrie- und Verbraucheranwendungen zu erreichen", so Ron Martino, Vice President der i.MX-Produktlinie für Anwendungsprozessoren bei NXP Semiconductors. "Die 12FDX-Technologie von GF ist eine großartige Ergänzung für die Branche, da sie einen Knoten der nächsten Generation für FD-SOI bereitstellt, der die Fähigkeit planarer Bauelemente weiter ausbauen wird, um ein geringeres Risiko, einen größeren Dynamikbereich und ein überzeugendes Preis-Leistungs-Verhältnis für intelligente, vernetzte und sichere Systeme von morgen zu bieten." "INVECAS hat es sich zur Aufgabe gemacht, den Kunden von GF konkurrenzlose IP-Lösungen, ASIC- und Design-Services sowie Software- und System-Know-how zur Verfügung zu stellen und damit sicherzustellen, dass sie den größtmöglichen Nutzen aus der Technologie ziehen und die Hürde der Design-Komplexität und des Zeitplans senken", so Dasaradha Gude, CEO von INVECAS. "Aufbauend auf der Arbeit, die wir bereits für 22FDX geleistet haben, freuen wir uns auf die Ausweitung unserer strategischen Beziehung zur Unterstützung der neuen 12FDX-Technologie von GF, die den Kunden eine Roadmap für ihre innovativen FD-SOI-Designs bieten wird. "Als einer der ersten Anbieter von FD-SOI-Designs nutzt VeriSilicon seine Silicon Platform as a Service (SiPaaS) und seine Erfahrung bei der Bereitstellung von erstklassigen IPs und Design-Services für SoCs", sagte Wayne Dai, Präsident und CEO von VeriSilicon. "Die einzigartigen Vorteile von FD-SOI-Technologien ermöglichen uns eine Differenzierung in den Marktsegmenten Automotive, IoT, Mobilität und Consumer. Wir freuen uns darauf, unsere Zusammenarbeit mit GF bei ihrem 12FDX-Angebot auszubauen und unseren Kunden qualitativ hochwertige, stromsparende und kostengünstige Lösungen für den chinesischen Markt zu bieten." "Die 12FDX-Entwicklung wird einen weiteren Durchbruch bei Stromverbrauch, Leistung und intelligenter Skalierung bringen, da 12nm am besten für die doppelte Strukturierung geeignet ist und die beste Systemleistung und -leistung bei geringster Prozesskomplexität liefert", sagte Marie Semeria, CEO von Leti, einem Institut von CEA Tech. "Wir freuen uns über die Ergebnisse der Zusammenarbeit zwischen den Leti-Teams und GF in den USA und Deutschland, die die Roadmap für die FD-SOI-Technologie erweitern, welche die beste Plattform für die vollständige System-on-Chip-Integration von vernetzten Geräten sein wird." "Wir freuen uns sehr über die starke Dynamik und die solide Akzeptanz des 22FDX-Angebots bei Fabless-Kunden. Das neue 12FDX-Angebot wird die Akzeptanz des FD-SOI-Marktes weiter erhöhen", sagte Paul Boudre, CEO von Soitec. "Wir bei Soitec sind voll und ganz darauf vorbereitet, GF mit hochvolumigen, qualitativ hochwertigen FD-SOI-Substraten von 22nm bis 12nm zu unterstützen. Dies ist eine großartige Gelegenheit für unsere Branche, gerade rechtzeitig, um eine große Welle neuer mobiler und vernetzter Anwendungen zu unterstützen." Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
