2020年2月27日公司在其FDX™平台上的先进的嵌入式非易失性存储器为低功耗、非易失性代码和数据存储应用提供了一个经济的解决方案 加州圣克拉拉，2020年2月27日 - GLOBALFOUNDRIES®（GF®）今天宣布其在公司22纳米FD-SOI（22FDX®）平台上的嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）已经进入生产阶段，GF正在与一些客户合作，计划于2020年进行多次生产分装。今天的公告是一个重要的行业里程碑，表明了eMRAM的可扩展性，是物联网（IoT）、通用微控制器、汽车、边缘AI（人工智能）和其他低功耗应用在先进工艺节点上的一种成本效益选择。 作为大批量嵌入式NOR闪存（eFlash）的替代品，GF的eMRAM允许设计人员扩展其现有的物联网和微控制器单元架构，以获得28纳米以下技术节点的功耗和密度优势。 GF的eMRAM是一种高度通用和强大的嵌入式非易失性存储器（eNVM），已经通过了五次严格的实际焊接回流测试，并在-40°C至125°C的温度范围内展示了10万次的耐久性和10年的数据保留。FDX eMRAM解决方案支持AEC-Q100质量等级2的设计，正在开发过程中，明年将支持AEC-Q100质量等级1的解决方案。 "GLOBALFOUNDRIES高级副总裁兼汽车和工业多市场总经理Mike Hogan说："我们继续致力于通过强大的、功能丰富的解决方案使我们的FDX平台与众不同，使我们的客户能够为高性能和低功耗的应用构建创新产品。"我们差异化的eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上，在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能射频、低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合，使我们的客户能够提供新一代的超低功耗MCU和互联物联网应用。" 今天，GF和我们的设计合作伙伴可以提供定制设计套件，其特点是可以直接使用、经过硅验证的MRAM宏，范围从4到48兆位，同时还可以选择MRAM内置自测试支持。 eMRAM是一种可扩展的功能，作为公司先进的eNVM路线图的一部分，预计将在FinFET和未来的FDX平台上使用。 GF位于德国德累斯顿Fab 1的最先进的300毫米生产线将支持带MRAM的22FDX的批量生产。 关于GF的22FDX和MRAM功能的更多信息，请联系您的GF销售代表或访问globalfoundries.com。 关于GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES（GF）是世界领先的专业代工企业。GF提供差异化的功能丰富的解决方案，使其客户能够为高增长的细分市场开发创新产品。GF通过独特的设计、开发和制造服务组合，提供广泛的平台和功能。凭借在美国、欧洲和亚洲的规模化生产，GF具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问www.globalfoundries.com。 联系。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
