GLOBALFOUNDRIES宣布推出45纳米RF SOI,推动5G移动通信的发展

优化的射频功能为5G智能手机和基站中的毫米波波束形成应用提供高性能解决方案

2016年2月21日,加州圣克拉拉- GLOBALFOUNDRIES今天宣布推出其45纳米射频SOI(45RFSOI)技术产品,使GF成为首家宣布推出先进的300毫米射频硅解决方案的代工厂,以支持未来5G基站和智能手机的下一代毫米波(mmWave)波束形成应用。

GF的45RFSOI产品是公司最先进的射频SOI技术。该技术针对波束形成前端模块(FEM)进行了优化,其后端(BEOL)特性包括厚铜和电介质,使LNA、开关和功率放大器的射频性能得到改善。SOI的固有特性与以射频为中心的特征相结合,使下一代射频和毫米波应用成为可能,包括互联网宽带低地球轨道(LEO)卫星和5G FEM。

快速崛起的5G和毫米波市场将需要无线电技术的创新,包括低功耗、集成的毫米波无线电前端、天线相控阵子系统和高性能无线电收发器。随着OEM厂商将更多的射频内容整合到他们的智能手机中,以及新的高速网络标准的推出,最先进的设备将需要额外的射频电路来支持更新的操作模式。这包括支持低延迟、更高的EIRP和高分辨率天线扫描的芯片,以实现无处不在的覆盖和持续连接。

为了提高在GHz频率范围内工作的器件的功率处理效益,45RFSOI采用了大于40欧姆-厘米的基底电阻率,最大限度地提高了无源器件的质量系数,减少了寄生电容,并将相位和电压摆动的差异降到最低。该技术支持在24GHz至100GHz频段的毫米波频谱中工作,比4G工作频率多5倍。

"Skyworks Solutions, Inc.首席技术官Peter Gammel表示:"Skyworks很高兴能与GF合作,推动毫米波解决方案的创新。"以45RFSOI工艺为例,GF在先进代工技术方面的领导地位使Skyworks能够创造出射频解决方案,这些解决方案将为新兴的5G市场带来变革,并进一步推动高度集成的射频前端在不断发展的毫米波应用中的部署。"

"GF射频业务部高级副总裁Bami Bastani说:"5G预计将成为未来十年全球移动通信的主导标准,并将在移动性、多GBps数据速率、安全性、低延迟、网络可用性和高服务质量(QoS)方面迎来新的模式。"利用我们长期以来在SOI方面的领导地位和大批量生产,我们很高兴发布我们最先进的射频SOI技术,这将有助于在实现5G设备和网络方面发挥关键作用。"

GF的45RFSOI技术利用了自2008年以来一直在大批量生产的部分耗尽的SOI技术基础。先进的45RFSOI技术在GF位于纽约州东菲什基尔的300毫米生产线上生产,将为业界提供充足的产能以应对这一高增长市场。

工艺设计套件现在已经推出。客户现在可以开始优化他们的芯片设计,为在5G和毫米波相控阵应用的射频前端寻求高性能的客户开发与众不同的解决方案。

如需了解更多关于GF射频SOI解决方案的信息,请联系您的GF销售代表或登录www.globalfoundries.com。

关于GF

GF是一家领先的提供全方位服务的半导体代工企业,为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。在全球范围内,GF的制造足迹遍布三大洲,使改变行业的技术和系统成为可能,并使客户有能力塑造他们的市场。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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