高管视角:差异化驱动波动时代的价值

作者:托马斯-考尔菲德博士托马斯-考尔菲德博士

Thomas Caulfield 博士,GLOBALFOUNDRIES 首席执行官

无论从哪个角度看,2018 年几乎都是动荡的一年,而全球电子产业则是这一动荡的中心。上半年,内存价格飙升和科技股估值推动了令人瞠目的增长,三星巩固了其全球最大芯片制造商的地位,苹果公司的市值也短暂突破了 1 万亿美元。转眼到了下半年,我们又在股价下跌、贸易战迫在眉睫的担忧和 GPU 库存过剩中挣扎。

英伟达公司首席执行官黄仁勋(Jensen Huang)所描述的 "加密宿醉"是一个恰当的比喻:经过一夜的庆祝,我们在昏昏沉沉中醒来--揉揉眼睛,努力理解周围的环境。

为了帮助我们理清头绪,我们需要退一步,纵观全局。当地面感觉不稳定时,往往是地表下地震活动的迹象。物联网、人工智能和 5G 连接等一系列新兴应用将推动我们的行业从移动计算时代向新的增长阶段转变。联网设备的数量将激增至数万亿台,这将推动全球网络数据流量的爆炸式增长。

电子供应链的各个环节都在努力适应即将到来的 "互联智能 "时代所带来的挑战和机遇。系统构建商正在通过开发旨在管理、分析和处理云端和边缘数据的基础设施和设备来进行调整。芯片设计人员正在将重点从通用计算转向特定领域计算,在这种情况下,独特定义的架构可以显著提高机器学习等高度专业化应用的性能并降低功耗。制造商正在适应摩尔定律即将消亡的趋势。近 50 年来,推动整个行业发展的引擎--晶体管扩容已不是什么秘密,它正在耗尽能量。

那么,硅晶圆代工厂该如何适应呢?

摩尔定律的核心是一种经济模式。它是关于以更低的成本提供更强的能力。与所有有用的商业格言一样,它取决于提供价值的能力。在半导体行业,我们训练自己相信,只有通过晶体管升级才能创造价值。但事实上,有许多方法可以实现摩尔定律的净效应,而这些方法并不都需要每年数十亿美元的研发和资本支出。

在以数据为中心的世界里,能效是一项基本指标。每比特消耗的功率必须降到最低,以便在有限的功率包络线内进一步提高数据速率。随着物理学极限的临近,缩小晶体管已不再是降低功耗的最佳方法。在数据中心和边缘向特定领域架构的过渡开辟了新的架构可能性,可以通过新材料、晶体管增强和封装进步在制造层面上支持这些可能性。

在 GLOBALFOUNDRIES,我们一直在改变我们的路线,以适应这个新时代的现实。我已在多个论坛上阐述了我们近期战略变化的理由,因此在此不再赘述。我建议您观看 VLSI Research 的 Dan Hutcheson 的访谈视频,以了解更多情况。虽然我们决定将投资重点从前沿领域转移到其他领域引起了广泛关注,但这一 "转折 "只是公司正在进行的更大转型中的一个环节。

随着我们在 2019 年及以后继续推进这一转型,我们将在研发方面进行大量投资,通过一系列差异化功能来增强我们现有的技术平台。通过在更成熟的节点上增加高压操作等功能,就能从类似商品的工艺转变为真正为客户增值的技术。这并不是什么新鲜事--我们在新加坡的晶圆厂多年来一直以这种方式运营,并因此获得了巨大的利润。我们将在我们的产品组合中复制这种模式,包括我们最先进的技术。我们的开发团队已经证明,通过在我们的 12 纳米平台上结合架构、内存和封装创新,与传统的节点迁移相比,他们可以将功耗提高近一倍。

但是,这些与众不同的功能不会孤立地开发出来。只有与创新型客户合作设计,才能实现真正的价值。我们正在与新型客户建立深入的合作关系,从芯片到系统等多个层面开展合作。Synaptics 就是一个很好的例子。他们采用我们的 22FDX 技术作为其面向物联网市场的下一代语音和多媒体处理产品的唯一平台。我们的团队携手合作,充分利用了 22FDX 的独特功能,例如超低功耗运行和无与伦比的射频性能。您可以从 Synaptics 首席执行官 Rick Bergmann 在今年早些时候举行的 GTC 2018 大会上的主题演讲视频中了解更多信息。

要让 GF 真正发挥作用,我们需要的不仅仅是差异化的产品。客户已经明确表示,他们需要一个具有可持续商业模式的代工合作伙伴,这样他们才能确保他们的技术投资在未来数年内都能产生回报。我们已将新的重点放在财务业绩上,并将在 2019 年及以后继续加快对这一重点的关注。我们决定将投资从前沿领域转移出来,这释放了大量资源,我们将寻找更多方法来改善我们的成本结构。随着我们加倍努力提供最具差异化的产品,预计我们的技术组合将发生更多变化,同时,随着我们寻求优化产能布局,预计我们的晶圆厂足迹也将得到完善。

2019 年 3 月,GF 将迎来成立十周年。在过去十年中,我们的业务和整个行业都发生了很大变化,但有一点是不变的:半导体是全球技术革命的关键组成部分。据一些分析师估计,2018 年半导体行业的产值将超过 5000 亿美元。这个数字虽然令人印象深刻,但却大大低估了我们行业对 2 万亿美元电子生态系统的贡献。在我们努力应对瞬息万变的市场和使能技术的根本性转变时,我们必须共同致力于获取我们创造的更多价值,以继续推动未来的创新。

关于作者

托马斯-考尔菲德博士

托马斯-考尔菲德博士

托马斯-考尔菲德博士是 GlobalFoundries 的首席执行官。在被任命为首席执行官之前,Tom 担任公司高级副总裁兼位于纽约州萨拉托加县的领先 300 毫米半导体晶圆制造厂(Fab 8)总经理。Caulfield 于 2014 年 5 月加入公司,领导了 Fab 8 的运营、扩张和半导体制造生产的提升。

Caulfield 曾在多家领先技术公司担任工程、管理和全球运营领导职务,工作经历丰富,业绩卓著。最近,Caulfield 在 Soraa 公司担任总裁兼首席运营官(COO),该公司是世界领先的氮化镓氮化镓(GaNTM)固态照明技术开发商。在加入 Soraa 之前,Caulfield 曾担任 Ausra 的总裁兼首席运营官,Ausra 是为发电和工业蒸汽生产提供大规模聚光太阳能解决方案的领先供应商。在此之前,Caulfield 在 Novellus Systems, Inc. 担任销售、营销和客户服务执行副总裁。

在此之前,Caulfield 在 IBM 工作了 17 年,担任过各种高级领导职务,最终担任 IBM 微电子事业部 300mm 半导体运营副总裁,领导位于纽约州 East Fishkill 的先进晶圆制造业务。

 

 

 

eMemory的可重复编程NeoMTP在GLOBALFOUNDRIES的130纳米BCDLite®和BCD技术平台上获得认证,用于汽车应用

eMemory今天宣布,其NeoMTP,多次可编程的嵌入式非易失性存储器(NVM)IP,已经在GLOBALFOUNDRIES(GF)130纳米BCDLite®和BCD工艺技术平台上获得认证,目标是符合消费者电源管理和汽车AEC-Q100等级的应用。

eMemory的可重复编程NeoMTP在GLOBALFOUNDRIES的130纳米BCDLite®和BCD技术平台上获得认证,用于汽车应用

eMemory今天宣布,其NeoMTP,多次可编程的嵌入式非易失性存储器(NVM)IP,已经在GLOBALFOUNDRIES(GF)130纳米BCDLite®和BCD工艺技术平台上获得认证,目标是符合消费者电源管理和汽车AEC-Q100等级的应用。

异质战略渐入佳境

作者: Dave Lammers戴夫-拉默斯

面对传统市场的放缓和摩尔定律的缩减,半导体行业正在努力重塑自我,以满足人工智能、自动驾驶汽车、物联网等新市场的需求。

其中最引人入胜的可能是人工智能,其计算模式可能与传统的处理器-内存方法明显不同。"在最近于旧金山举行的国际电子器件会议上,法国研究人员达米安-克利奥兹(Damien Querlioz)发表了题为 "神经形态计算的新兴设备技术 "的演讲,他说:"长期以来,模式识别和认知任务(如识别和解释图像、理解口语和自动翻译)都是计算机的薄弱环节。

大约从 2012 年开始,人工智能在训练和推理阶段的进展都在加快,但在使用传统计算架构时,功耗仍然是一个巨大的挑战。法国国家科学研究中心(CNRS)国家实验室的研究员 Querlioz 举了一个很有说服力的例子:2016 年,谷歌的 AlphaGo 与围棋世界冠军李世石下了一盘著名的围棋。Sedol的大脑在比赛中消耗了大约20瓦特,而AlphaGo则需要大约超过25万瓦特来维持CPU和GPU的运转。

尽管此后谷歌和其他公司在功耗方面有所改进,但为神经形态计算开发新的、功耗更低的设备的努力仍在不断加强。

特德-莱塔维奇GlobalFoundries 战略营销高级研究员说,他认为人工智能是分阶段进行的,从改进传统计算技术的方法到功耗更低的全新设备和架构。在这个时间轴上,先进的封装将发挥关键作用。

"Letavic说:"人工智能现在正向我们走来,我们可以利用现有技术并增加衍生技术,使用DTCO(设计技术协同优化)将优化细化到位元设计层面。GF 的技术专家正在为 14/12 纳米 FinFET 平台开发降低功耗和提高性能的方法,包括双工作函数 SRAM、更快更低功耗的乘法累加 (MAC) 元件、更高带宽的 SRAM 访问等。基于 FD-SOI 的 FDX 工艺功耗也更低,尤其是在采用反向偏压技术时。Letavic说,有了设计人员工具包中的这些技术,客户可以 "重新设计人工智能固有的元件,其功耗包络线要比直接采用7纳米工艺低得多"。

在改进 DTCO 的同时,世界各地还在研发基于相变存储器 (PCM)、电阻式 RAM (ReRAM)、自旋扭矩转移磁性 RAM (STT-MRAM) 和 FeFET 的嵌入式存储器和内存计算解决方案。Querlioz在IEDM教程会议上说,由Jeff Welser领导的IBM Almaden研究中心开发的基于PCM的芯片已经取得了巨大进展,而基于STT-MRAM和ReRAM的人工智能处理器也显示出巨大的前景。 "Querlioz说:"我们现在拥有巨大的潜力,可以为认知型任务和模式识别重新发明电子产品。

Letavic表示,降低功耗(尤其是推理处理)的长期需求正在推动众多初创公司开发新的人工智能解决方案,GF正在与其中几家公司以及长期合作伙伴AMD和IBM密切合作。

"我们只能通过 DTCO 改进冯-诺依曼计算。除了分解逻辑和内存之外,下一步就是转向内存计算和模拟计算,"Letavic 说。此外,35 年来一直为业界提供良好服务的指令集架构(ISA)将需要被新的软件栈和算法所取代。"当我们转向特定域计算时,必须有人重新发明软件。IBM在软件堆栈方面有很好的见解,"他说。

"每个人都必须共同迈向人工智能。代工厂将与领先客户携手并进,我们不能将算法与技术分开。"Letavic 在谈到 STCO(即系统技术共同优化)的这种密切合作时说。"随着我们进入第四个计算时代,STCO 是 DTCO 的自然延伸。当我们转向特定领域计算时,我们将共同实现这一转变。

有助于降低成本的包装

虽然硅技术的进步(包括栅极堆栈中的双工作功能金属、FD-SOI 和 STT-MRAM)将会提高性能,但 Letavic 表示,封装也将发挥同样重要的作用,因为各家公司都在努力将采用最适合每种功能的工艺制造的异质器件连接起来。"我认为,经过 20 年的讨论,2.5D 和 3D 将成为主流。我们将从封装中看到与硅流一样多的差异化,甚至更多。

资料来源来源:GF

Tirias Research 首席分析师凯文-克鲁威尔(Kevin Krewell)说,与先进微设备公司(Advanced Micro Devices)的合作将为 GF 带来优势,因为该公司将两个或更多芯片集成到一个封装中。早些时候,AMD 和英特尔将 AMD Radeon 图形处理器和英特尔 CPU 组合在一个封装中。现在,AMD 正在通过使用 AMD 的 Infinity Fabric 互联技术来增强其 Epyc 服务器 CPU 产品线。即将推出的 "Rome "服务器处理器将采用多个 CPU 和高速缓冲存储器芯片内核,将这些 7 纳米部件与 GF 制造的 14 纳米芯片组连接起来,后者提供与 DRAM 和 PCI 总线的 I/O 链接。

克鲁威尔说,通过高速链路连接的芯片将改变多个市场的处理器制造方式,通过划分任务并为每个功能使用最佳工艺,芯片将改变多个市场的处理器制造方式,他指出,英伟达(Nvidia)、英特尔(Intel)和其他公司正在支持芯片到芯片的高速链路。

"在芯片组设计中混合使用多种工艺节点,我希望能看到更多这样的设计。I/O尤其不能很好地扩展到7纳米,即使是7纳米,这些功能也会占用很大的空间。有时,把 I/O 功能放在较老的芯片中是有意义的。从历史上看,PC 芯片组是用 N 减 1 工艺制造的,这是工厂利用率战略的一部分。Krewell 说:"把这些功能放在能处理 I/O 的合适工艺节点中,每个晶体管的成本就不会那么高,这样做非常有意义。

Letavic 说,系统公司要求使用各种形式的先进封装进行异质集成,包括内插件、垂直硅通孔 (TSV)、特殊层压板、扇出等。这一战略还将促进光子连接,因为光电子技术可以提供比某些电子连接更高的比特率。

市场研究公司 TECHnalysis 的首席分析师鲍勃-奥唐纳(Bob O'Donnell)说,芯片战略离全行业标准的确定还有一段距离。在此之前,AMD 等公司将利用自己的内部技术把多个芯片连接到 SoC 中。

"到了一定程度,复杂性就会变得不堪重负,然后公司开始寻求再次简化。问题是要在多个供应商之间建立一个肥沃的生态系统,允许包装公司对来自多个公司的不同部件进行包装。这些标准还没有确定下来。

O'Donnell 说,之所以要为每种功能采用最佳技术,主要是因为以 7 纳米工艺设计和制造大型 SoC 的成本较高。

"具有讽刺意味的是,芯片的基本概念是,我们将过去集成的东西拆分开来。过去,业界可以将系统集成到更少的元件中,一直到将几乎所有东西都集成到一个芯片中的 SoC。但现在,速度放缓了,因为从技术角度来看,这实在是太难了。7 纳米的设计成本极高,而从制造角度来看,挑战也非常大。

Letavic 说,先进封装将在 "芯片级和系统级 "带来好处。我们已经在数据中心看到了这一点。它将继续存在,而且规模会越来越大"。

关于作者

戴夫-拉默斯

戴夫-拉默斯

Dave Lammers 是 Solid State Technology 的特约撰稿人,也是 GF's Foundry Files 的特约博主。Dave 于 20 世纪 80 年代初在美联社东京分社工作时开始撰写有关半导体行业的文章,当时正值该行业快速发展时期。1985 年,他加入了《电子时报》,在东京工作的 14 年中,他报道了日本、韩国和台湾的情况。1998 年,戴夫和妻子美惠子以及四个孩子搬到奥斯汀,成立了《电子时报》德克萨斯分社。戴夫毕业于圣母大学,并在密苏里大学新闻学院获得新闻学硕士学位。

 

异构战略日渐盛行

作者: Dave Lammers

随着传统市场走向下坡路和摩尔定律的逐渐失效,半导体行业正在不断革新,力求了解人工智能、自动驾驶汽车、物联网等新市场的需求。

而其中最奇特的也许当属人工智能,因为它的计算范式与传统的“处理器-内存”方法有着明显差异。在近期于旧金山举办的国际电子器件大会上,法国研究员Damien Querlioz在谈及“神经形态计算的新型器件技术”时说道,“长期以来,模式识别和认知任务都是计算机的弱点,比如识别和解读图像、理解口语、自动翻译等。”

大约从2012年起,训练和推理阶段的人工智能技术开始加速发展,但当使用传统计算架构时,功耗仍是一个巨大挑战。Querlioz是法国国家实验室CNRS的一名研究员,他举了一个活生生的例子:2016年Google的AlphaGo与围棋世界冠军李世石之间的著名围棋大战。李世石的大脑在比赛中消耗了大约20瓦,而AlphaGo估计需要超过250,000瓦才能使其CPU和GPU保持运转。

虽然从那以后Google和其他公司均在功耗方面做出了改进,但越来越多的工作开始侧重于为神经形态计算技术设计耗电更少的新器件。

Ted Letavic是格芯的高级战略营销人员,他表示,回想人工智能的各个阶段,从改进传统计算技术,到设计耗电更少的全新器件和架构,在整个过程中,先进高效的封装将发挥关键作用。

Letavic称:“人工智能时代正在逐步到来,我们可以利用现有的技术,再加上衍生技术,通过DTCO(设计技术协同优化)进行全面优化,一直深入到位单元设计层面。”格芯的技术人员正在努力降低14/12 nm FinFET平台的功耗并提升其性能,所采用的办法包括双功函数SRAM、更快且功耗更低的累加运算(MAC)元件、对SRAM的更高带宽访问等。基于FD-SOI的FDX处理器的功耗也将降低,尤其是在部署背栅偏置技术时。Letavic表示,设计师掌握了这些技术后,客户便可以“重新设计功耗包络更低的人工智能固有元件,甚至达到7 nm”。

除了这些DTCO改进以外,全球各地也在开展其他研发工作,希望实现基于相变存储器(PCM)、阻性RAM (ReRAM)、自选扭矩转换磁性RAM (STT-MRAM)和FeFET的嵌入式内存与内存中计算解决方案。Querlioz在IEDM专题会议上提到,在IBM Almaden研究中心,由Jeff Welser领导开发的基于PCM的芯片已取得显著进展,而基于STT-MRAM和ReRAM的人工智能处理器也前景光明。Querlioz表示:“现在,我们极有可能成功为认知类型的任务和模式识别重新发明电子器件。”

Letavic称,降低功耗的道路还很长,对于推理处理而言尤其如此,而这正促使众多初创公司开发新的人工智能解决方案,格芯也与其中部分公司及长期合作伙伴AMD和IBM保持着密切合作关系。

Letavic认为:“凭借对冯诺依曼计算模式的DTCO改进,我们只能发展到这一步。除了分类逻辑和内存,下一步是发展内存中计算和基于模拟的计算。”此外,为计算行业服务了35年的指令集架构(ISA)将需要被新的软件堆栈和算法取代。他说道:“对于特定领域的计算,必须重新发明软件。IBM对软件堆栈有着深刻的见解。”

“各方都必须一同转向人工智能。格芯将与主要客户紧密合作,我们不能将算法与技术分开,”Letavic在谈及该系统技术协同优化(STCO)方面的紧密合作时说道,“随着我们迈入计算发展的第四个时代,STCO将是DTCO的自然延伸。我们将朝着特定领域的计算发展,共同迎接这一转变。”

封装帮助降低成本

虽然芯片的发展——包括栅极堆叠、FD-SOI和STT-MRAM中的双功函数金属——将提高性能,但Letavic指出,随着公司转而使用针对各功能优化工艺制造的链路异构器件,封装将扮演同样重要的角色。“我认为,20年后,2.5D和3D将成为主流。封装技术将跟芯片一样,呈现出更多差异化。”

资料来源:格芯

Kevin Krewell是Tirias Research的首席分析师,他表示,当公司将两个或多个小芯片放到单个封装中时,使用Advanced Micro Devices完成的工作将为格芯带来优势。早些时候,AMD和Intel将AMD Radeon图形处理器与Intel CPU结合在单个封装中。现在,AMD正利用Infinity Fabric互连技术增强Epyc服务器CPU系列。即将推出的“Rome”服务器处理器将采用多个CPU和缓存内存芯片内核,将那些7nm部件连接到格芯制造的14nm小芯片,为DRAM和PCI总线提供I/O链路。

Krewell表示,通过划分任务并使用针对各功能的优化工艺,基于高速链路连接的小芯片将改变多个市场的处理器制造方式,他还提到Nvidia、Intel等其他公司均支持高速芯片到芯片链路。

Krewell称:“通过在小芯片设计中混合使用多个工艺节点,我的确看到了更多问题。尤其是I/O不能很好地扩展到7 nm,而且即使在7nm中,那些功能也会占用大量空间。有时,将I/O功能放在旧芯片中是合理之举。以前,作为提升晶圆厂利用率战略的一部分,PC芯片组是在N减1工艺中制造的。将功能放在可处理I/O的正确工艺节点中非常有意义,每个晶体管的费用也没有那么贵。”

Letavic表示,系统公司需要使用各种先进封装形式的异构集成,包括插入器、垂直硅过孔(TSV)、特殊层压板、扇出等。这一战略也将为光子连接带来好处,因为光电子器件提供的比特率可能比一些电气连接支持的比特率更高。

Bob O’Donnell是市场调查公司TECHnalysis的首席分析师,他表示,在全行业标准敲定之前,小芯片战略仍有很长的路要走。在此之前,AMD等公司将利用他们自己的内部技术将多个小芯片连接到SoC中。

“在某一时刻,复杂性变得难以应对,然后公司重新开始着手简化。问题在于要向多个供应商推出丰富的生态系统,允许封装公司对来自不同公司的不同部件进行封装。这些标准尚未敲定。”

O’Donnell表示,之所以要使用针对各功能的优化工艺,是因为在7nm工艺中设计和制造大型SoC的成本非常高。

“有趣的是,小芯片的基本概念是我们将过去集成在一起的东西分开。行业能够将系统集成到更小的组件中,一直发展到SoC,能够将几乎所有元件整合到单个芯片中。但是现在,这种趋势逐渐放缓,因为从技术角度来看,难度越来越大。7nm设计的成本非常高,从制造的角度来看,这项挑战近乎疯狂。”

Letavic指出,先进的封装技术将“在芯片级别和系统级别提供优势。我们已经在数据中心见证了这一点。它将不断发展下去,影响范围也将越来越大。”

关于作者

Dave Lammers

Dave Lammers是固态技术特约撰稿人,也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章,彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times,定居东京,在之后的14年内,足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年,Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁,为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学,获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。

格芯推出业界首个300mm 硅锗晶圆工艺技术,以满足不断增长的数据中心 和高速无线应用需求

业界最先进的高速硅锗技术目前可用于TB通信和汽车雷达应用的300mm生产线

 

加利福尼亚州圣克拉拉,2018年11月29日 – 格芯今天宣布其先进的硅锗(SiGe)产品9HP目前可用于其300mm晶圆制造平台的原型设计。这表明300mm生产线将形成规模优势,进而促进数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长。借助格芯的300mm专业生产技术,客户可以充分提高光纤网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达等高速应用产品的生产效率和再现性能。

 

格芯是高性能硅锗解决方案的行业领导者,在佛蒙特州伯灵顿工厂用200mm生产线进行生产。将9Hp(一种90nm 硅锗工艺)迁移至纽约州东菲什基尔的格芯Fab 10工厂实现300mm晶圆生产技术,将会保持这一行业领先地位,并奠定300mm晶圆工艺基础,有助于进一步发展产品线,确保工艺性能持续增强和微缩。

 

“高带宽通信系统日益复杂,性能需求也随之水涨船高,这些都需要更高性能的芯片解决方案,”格芯的RF业务部副总裁 Christine Dunbar表示。“格芯的9HP旨在提供出色的性能,其300mm生产工艺将能够满足客户的高速有线和无线组件需求,助力未来的数据通信发展。”

 

格芯的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势,支持微波和毫米波频率应用高数据速率的大幅增长,适用于下一代无线网络和通信基础设施,如 TB级光纤网络、5G毫米波和卫星通信(SATCOM)以及仪器仪表和防御系统。该技术提供出色的低电流/高频率性能,改善了异质结双极晶体管(HBT)性能,与之前的硅锗 8XP和8HP相比,最大振荡频率(Fmax)提高了35%,达到370GHz。

 

在纽约东菲什基尔的Fab 10工厂,正在进行基于多项目晶圆(MPW)的9HP 300mm工艺客户原型设计,预计2019年第二季度将提供合格的工艺和设计套件。

 

如需了解更多有关格芯硅锗解决方案的信息,请联系您的格芯销售代表或访问globalfoundries.com/cn

 

关于格芯

格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现,并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn

 

媒体垂询:

杨颖(Jessie Yang)

(021) 8029 6826

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邢芳洁(Jay Xing)

86 18801624170

[email protected]

 

GLOBALFOUNDRIES宣布推出业界首个300毫米SiGe代工技术,以满足日益增长的数据中心和高速无线需求

业界最先进的高速SiGe技术现在可以在300毫米生产线上用于太比特通信和汽车雷达应用

加州圣克拉拉,2018年11月29日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布其先进的硅锗(SiGe)产品9HP现在可以在公司的300毫米晶圆制造平台上进行原型开发。此举标志着数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长,这些应用可以利用300毫米制造面积的规模优势。通过利用GF的300毫米制造技术,客户可以利用更高的生产效率和可重复性来实现高速应用,如光网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达。

GF是在佛蒙特州伯灵顿的200毫米生产线上制造高性能SiGe解决方案的行业领导者。9HP是一种90纳米的SiGe工艺,在GF位于纽约州东菲什基尔的Fab 10工厂生产的300毫米晶圆上的迁移,延续了这种领导地位,并为进一步的路线图开发建立了一个300毫米的立足点,确保技术性能的持续提升和扩展。

"高带宽通信系统的复杂性和性能要求越来越高,因此需要更高性能的硅解决方案,"GF公司射频业务部副总裁Christine Dunbar说。"GF的9HP是专门为提供出色的性能而设计的,在300毫米的制造中,将支持我们的客户对高速有线和无线组件的要求,这将塑造未来的数据通信。" 

GF的9HP扩展了高性能SiGe BiCMOS技术的丰富历史,旨在支持下一代无线网络和通信基础设施在微波和毫米波频率上的极高数据速率的大规模增长,如太比特级光网络、5G毫米波和卫星通信(SATCOM)以及仪器和防御系统。该技术具有卓越的低电流/高频率性能,异质结双极晶体管(HBT)性能得到改善,与前代产品SiGe 8XP和8HP相比,最大振荡频率(Fmax)提高了35%,达到370GHz。

在纽约州东菲什基尔的10号工厂,目前正在多项目晶圆(MPW)上进行9HP的客户原型开发,计划在2019年第二季度推出合格的工艺和设计套件。

关于GF的SiGe解决方案的更多信息,请联系您的GLOBALFOUNDRIES销售代表或访问globalfoundries.com

关于GF

GLOBALFOUNDRIES (GF)是一家领先的全方位代工企业,为一系列高增长市场提供真正与众不同的半导体技术。GF提供独特的设计、开发和制造服务组合,拥有一系列创新的IP和功能丰富的产品,包括FinFET、FDX™、RF和模拟混合信号。GF的生产基地横跨三大洲,具有灵活性和敏捷性,能够满足全球客户的动态需求。GF由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息,请访问 globalfoundries.com。

联系。

Erica McGill
Globalfoundries
(518) 795-5240
[email protected]

 

Attopsemi的I-fuseTM OTP采用格芯22nm FD-SOI工艺技术,在工作电压0.4V,功率1uW,可读取弗劳恩霍夫光子微系统研究所(IPMS)的61GHz RFID无电池标签

Attopsemi的I-fuse™ OTP提供超低的读取电压/电流和超低的编程电压/电流,尺寸小巧,温度范围广泛,支持格芯22nm FD-SOI工艺,可以读取弗劳恩霍夫光子微系统研究所(IPMS)的61GHz物联网应用RFID标签。

Attopsemi的I-fuseTM OTP采用格芯的22FDX FD-SOI工艺技术,通过250℃/1000小时的晶圆级老化测试

Attopsemi的I-fuse™技术具有尺寸小巧、高可靠性、低电压/电流编程、功率低和温度范围广的特性,藉由格芯22nm FDX® 的支持与合作实现汽车和物联网应用。

Attopsemi的I-fuse OTP在GLOBALFOUNDRIES 22nm FD-SOI上以0.4V和1uW的读取速度工作,用于Fraunhofer Photonic Microsystems研究所(IPMS)的无电池61GHz RFID标签。

Attopsemi的I-fuse™ OTP提供了超低的读取电压/电流、超低的编程电压/电流、小尺寸和宽温度,使GLOBALFOUNDRIES 22纳米FD-SOI用于Fraunhofer Photonic Microsystems研究所(IPMS)的61GHz RFID标签在物联网应用中。