Leistungsstarke, effiziente ASICs ermöglichen fortschrittliche Automobilsysteme

von: Gary Dagastine

Schätzungen zufolge bemühen sich derzeit weltweit mehr als 260 Start-ups und etablierte Unternehmen um die Entwicklung, Qualifizierung und Markteinführung von Chips und Technologien für neue ADAS- (Advanced Driver-Assistance Systems) und autonome Fahranwendungen.

Dementsprechend erhöhen Risikokapitalgeber, Technologieunternehmen, Automobilhersteller, Tier-1-Automobilzulieferer und andere ihre Investitionen in diesem Bereich drastisch. Nach Angaben des Marktforschungsunternehmens CB Insights stiegen allein die Risikokapitalinvestitionen in die Automobilbranche und andere KI-basierte Anwendungen im vergangenen Jahr auf rund 1,6 Milliarden US-Dollar, gegenüber 1,3 Milliarden US-Dollar im Jahr 2016 und 820 Millionen US-Dollar im Jahr 2015.

Darüber hinaus finden diese Aktivitäten weltweit statt. Zu den bemerkenswerten jüngsten Ankündigungen gehörte die Nachricht, dass das in Shenzhen, China, ansässige selbstfahrende Start-up-Unternehmen Roadstar.ai 128 Mio. USD in einer Serie-A-Finanzierung erhalten hat. Dies ist Berichten zufolge die bisher größte Einzelinvestition in ein chinesisches Unternehmen für autonomes Fahren und stellt die Anfang des Jahres von einem anderen Start-up-Unternehmen für autonomes Fahren, Pony.ai aus Guangzhou, angekündigte Finanzierung in Höhe von 112 Mio. USD in den Schatten.

Warum wächst das Interesse an diesem Bereich so stark? Auf der Verbraucherebene schätzen viele Autofahrer ADAS-Funktionen wie Kollisionsvermeidung, Toter-Winkel-Warner, adaptiver Tempomat usw., und da die Autohersteller ihre Kunden zufriedenstellen wollen, arbeiten sie daran, diese Systeme immer ausgefeilter und in Fahrzeugen aller Preisklassen verfügbar zu machen.

Auf gesellschaftlicher Ebene haben Fahrerassistenzsysteme und selbstfahrende Autos viel mehr zu bieten. So sterben in den USA jährlich etwa 40.000 Menschen bei Kraftfahrzeugunfällen , weltweit sind es über eine Million, und weitere 20-50 Millionen Menschen werden verletzt oder behindert. Fahrzeuge mit größeren autonomen Fähigkeiten haben das Potenzial, diese Zahlen deutlich zu senken.

Sie eröffnen auch völlig neue Geschäftsmöglichkeiten, wie etwa selbstfahrende Taxis.

Ein Gehirn auf Rädern

Die normsetzende Organisation SAE International hat ein fünfstufiges Klassifizierungssystem zur Beschreibung des Automatisierungsgrads von Fahrzeugen eingeführt, das von Stufe 1 (das System gibt Warnungen aus, aber der Fahrer steuert das Fahrzeug) bis Stufe 5 (vollständig autonomer Betrieb ohne menschliches Eingreifen) reicht.

Auf dem Weg zu Level 5 werden Sensoren wie Kameras, Lidar und Radar eine Flut von Daten erzeugen, die in Echtzeit verarbeitet, integriert und übertragen werden müssen, damit hochentwickelte, auf tiefen neuronalen Netzen basierende Algorithmen des maschinellen Lernens sie nutzen können, um Objekte in der Umgebung zu erkennen, ihre Aktionen vorherzusagen, mit anderen Fahrzeugen zu kommunizieren und Entscheidungen zur Fahrzeugsteuerung zu treffen.

Quellen: NHTSA, GROM Audio, verschiedene Industrie- und kommerzielle Quellen sowie interne Bewertungen von GF

Einige argumentieren, dass dies am besten mit einer dezentralisierten Netzwerkarchitektur im Fahrzeug erreicht werden kann, da es sich dabei um eine Weiterentwicklung bestehender ADAS-Systeme handelt und daher die geringsten Auswirkungen auf das Design von Kfz-Computersystemen hätte. Sie würde auch den Einsatz spezialisierter Prozessoren ermöglichen und die schrittweise Einführung neuer Funktionen erlauben.

Laut Mark Granger, GLOBALFOUNDRIES Vice President of Automotive, liegen die Probleme bei diesem Ansatz darin, dass lokale Prozessoren und eine begrenzte Netzwerkbandbreite zwar für Level 2 (teilweiser oder "hands off"-Betrieb) oder vielleicht Level 3 (bedingter oder "feet off"-Betrieb) ausreichen, aber nicht in der Lage sind, die riesigen Datenmengen in Echtzeit zu verarbeiten, die von KI-basierten maschinellen Lernalgorithmen benötigt werden, um einen wirklich autonomen Betrieb zu ermöglichen.

"Dezentrale Architekturen können bis zu 5 TOPs (Billionen Operationen pro Sekunde) und etwa 10 Mbits/s an Bandbreite im Fahrzeug bereitstellen", sagte er. "Um jedoch auf den Stufen 3-5 zu arbeiten, ist eine zentralisierte Netzwerkarchitektur mit leistungsstarken, effizienten Prozessoren erforderlich, die 50-100 TOPs und fahrzeuginterne Datenraten von 100 Gbits/s bereitstellen. Zum Vergleich: Im Jahr 2000 konnte der leistungsstärkste Supercomputer der Welt nur 1 TOPs verarbeiten. Autonome Fahrzeuge müssen also wirklich Gehirne auf Rädern sein, und eine zentralisierte Architektur ist der beste Weg, dies zu erreichen."

Quelle: GF

Bisher waren die Halbleitertechnologien, die im Mittelpunkt der Entwicklung von ADAS/autonomen Systemen stehen, Grafikprozessoren (GPUs) und Mikroprozessoren (CPUs). Da sich die Entwickler jedoch in Richtung Level-5-Automatisierung bewegen, wird die Verbreitung dieser Chips in Automobilsystemen zunehmend problematisch, da sie zwar leistungsstark, aber auch stromhungrig sind.

"Selbstfahrende Autos stecken noch in den Kinderschuhen, und wenn nicht etwas unternommen wird, um den Stromverbrauch der Prozessoren in ihren KI-basierten Systemen zu senken, werden sie vielleicht nie erwachsen werden", so Granger. "Die Chips, die die heutigen Versionen von selbstfahrenden Autos antreiben, benötigen im Wesentlichen Racks mit Chips der Serverklasse, die vielleicht 7.000 bis 10.000 Watt Strom verbrauchen. Für Entwicklungs- und Testzwecke ist das in Ordnung, aber für kommerzielle Produkte ist es unpraktisch. Außerdem muss man die Herausforderungen und Kosten der Kühlung berücksichtigen, und die Chips sind relativ groß. Jeder hat das Ziel, das Energiebudget für eine bestimmte Funktion so niedrig wie möglich zu halten.

Einstieg in die ASICs von GF

ASICs (anwendungsspezifische integrierte Schaltkreise), die speziell für die Anforderungen von Automobilsystemen entwickelt wurden, können nicht nur leistungsstark und extrem energieeffizient sein, sondern ermöglichen es einem Automobilkunden auch, sich von der Masse abzuheben. Sie bieten Designflexibilität und ermöglichen Designs, die viel leistungsfähiger sind als aktuelle GPUs.

Große CPU-Cluster und Hunderttausende von Multiplikations- und Akkumulationsschaltungen (MAC) auf jedem Chip erfüllen die hohen Rechenanforderungen von KI-Algorithmen, während Gigabits an eingebettetem SRAM und Gigabytes an Off-Chip-DRAM-Schnittstellen die hungrige Rechenmaschine speisen.

GF bietet 14-nm- und 7-nm-FinFET-ASIC-System-on-Chip (SoC)-Bausteine an, die im Vergleich zu GPUs und konkurrierenden ASIC-Technologien eine optimale Kombination aus Leistung, Größe und Energieeffizienz bieten und gleichzeitig Qualitätsstandards im Automobilbereich wie den funktionalen Sicherheitsstandard ISO26262 erfüllen.

Mit denFX-14™ ASICs können Benutzer eine Reihe von 64-Bit- und 32-Bit-ARM®-Cores für das Systemdesign nutzen, zusammen mit einem 56-Gbps-Hochgeschwindigkeits-SERDES (HSS), einem eingebetteten TCAM-Speicher, der Milliarden von Suchvorgängen pro Sekunde durchführen kann, einem dichte- und leistungsoptimierten eingebetteten SRAM und 2,5D-Gehäuseoptionen, die die Anwendungsflexibilität maximieren.

FX-7™ ASICs erweitern das Angebot mit bis zu 112G HSS, dem dichtesten On-Chip-SRAM und einer großen Anzahl von Off-Chip-DRAM-Schnittstellen (LPDDR, GDDR, HBM), einschließlich 2,5/3D-Gehäuseoptionen, die die Anwendungsflexibilität maximieren.

Die ASICs von GF unterscheiden sich von denen anderer Anbieter nicht nur durch ihre Fähigkeiten, sondern auch durch ihren Stammbaum. Die Übernahme von IBM Microelectronics im Jahr 2015 brachte GF eines der branchenweit führenden ASIC-Entwicklungsteams mit mehr als 1.000 Entwicklungsingenieuren auf der ganzen Welt und einer Historie von rund 2.000 abgeschlossenen ASIC-Designs für Anwendungen von High-End-Servern für kritische Unternehmensnetzwerke bis hin zu kostengünstigen Spieleplattformen ein.

"Unser ASIC-Team hat sich bei einer Reihe von Produkten bewährt, die von hochkomplexer Elektronik für Server und die Luft- und Raumfahrt bis hin zu leistungsstarken, kostengünstigen Anwendungen reichen, die alle führenden Spieleplattformen abdecken", so Igor Arsovski, Chief Technical Officer der ASIC-Sparte von GF und GF Fellow.

"Im Gegensatz zu anderen Designhäusern bieten wir eine breite Palette von IP an, die systematisch und ausgiebig zwischen Modell und Hardware korreliert und HTOL-gestresst wurde, um sowohl die Zykluszeit vom Design bis zum Tapeout zu reduzieren als auch die Erfolgsrate beim ersten richtigen Design zu verbessern", sagte er. "Diese rigorose Methodik hat dafür gesorgt, dass wir auch nach Dutzenden von Prozessknoten und über 2.000 ASIC-Designs noch nie einen ASIC nicht an unseren Kunden geliefert haben. Im Zusammenhang mit der Automobilindustrie ist auch die Tatsache bemerkenswert, dass unsere ASIC-Designs fortschrittliche In-situ-Testmöglichkeiten beinhalten, die entscheidend sind, da eine hohe Zuverlässigkeit eine Voraussetzung für die Automobilindustrie ist."

Arsovski wies auch darauf hin, dass viele Kunden von GF unterschiedliche Anforderungen an den Design-Service haben und das Unternehmen daher eine breite Palette von Paketen anbietet, die von einem schlüsselfertigen Service - bei dem der Kunde eine Spezifikation liefert und von GF Unterstützung in den Bereichen Design Center, Packaging und Test erhält - bis hin zu einem vollständig kundenspezifischen Design reicht, bei dem der Kunde GDS liefert und nur die Fertigung wünscht. Die Agilität von GF ermöglicht es dem Unternehmen, Kunden organisch zu unterstützen, wenn ihr Unternehmen und ihre Designfähigkeiten im Bereich der Automobilelektronik wachsen.

Über den Autor

Gary Dagastine

Gary Dagastine

Gary Dagastine ist Autor, der über die Halbleiterindustrie für EE Times, Electronics Weekly und viele spezialisierte Medien berichtet hat. Er ist mitwirkender Redakteur der Zeitschrift Nanochip Fab Solutions und Direktor für Medienbeziehungen für das IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), die weltweit einflussreichste Technologiekonferenz für Halbleiter. Er begann seine Laufbahn in der Branche bei General Electric Co., wo er die Kommunikationsabteilung von GE in den Bereichen Stromversorgung, Analogtechnik und kundenspezifische ICs unterstützte. Gary ist ein Absolvent des Union College in Schenectady, New York,

 

算力功耗比mW/GigaHash:加密货币挖矿专用芯片转向22FDX

作者: Dave Lammers

我之前写的几篇博客探讨了在物联网汽车雷达应用中使用22FDX®工艺技术,这些应用市场都要求实现高性能和低功耗。加密货币挖矿是另一个功耗性能举足轻重的市场,因此,挖矿机逐渐放弃GPU,改用专用芯片(ASIC)。

关于半导体行业,比较有趣的一点是:每种应用都需要不同的性能、功耗、成本,以及其他因素的组合。加密货币挖矿应用亦不例外,甚至主流货币——比特币莱特币以太坊——以及其挖矿方式也是如此。

anshel sag biographyMoor Insights & Strategy的助理分析员Anshel Sag在跟踪分析货币挖矿市场的状况后,表示矿工“不想购买任何额外的逻辑片上组件。他们希望尽可能降低功耗。每项都达到极简状态,因为很大程度上都归结于功耗问题。”

Sag表示,每种不同的算法都代表“一种不同的瓶颈,因此需要按照不同的方式架构ASIC,尽可能减少瓶颈。”(Sag和Moor的首席分析师Patrick Moorhead撰写了一篇晶圆厂和加密货币挖矿机白皮书,就此进行了详细阐述。)

“每天消耗的能源如此之多,挖矿行业和制造商一直都在研究其ASIC挖矿机的效率。大部分挖矿设备都以hash/watt为单元测量其‘性能’,而非测量其总体的hash功能。” 资料来源:Moor Insights & Strategy白皮书:“晶圆厂在加密挖矿行业的重要性”

架构差异

Sanjay Charagulla——格芯技术营销和业务开发部门的资深总监,概述了针对比特币、莱特币和以太坊而优化的挖矿机ASIC之间的差异。莱特币ASIC倾向于采用相对较少部分的逻辑晶体管,SRAM约占晶体管总数的三分之二。Charagulla认为格芯的22FDX工艺拥有“最高效的SRAM位单元之一”,并将其归为格芯“已为多位客户设计完成流片”的原因。

以太坊挖矿约占整个挖矿IC市场的10%,因此至今一直由图形处理器(GPU)主导市场。以太坊算法需要大量的外部存储器,且芯片尺寸也更大。Charagulla表示,他预测以太坊挖矿将增长到市场的25%,因为相对比特币而言,其整体商务技术能够提供更高的交易灵活性。

尽管新货币种类层出不穷,比特币仍是市场的主导加密货币——挖矿机一般具备多个PCB板,每块板上都包含50-100多个ASIC。这些微小的ASIC都是逻辑器件,每个芯片上都有数百个累加运算(MAC)电路,无需采用外部存储器或协处理器。而且,如果有几个内核不能正常工作,ASIC仍然能够正常运行。“比特币ASIC没有这么复杂,其布局和后端设计是影响效率的关键”,他表示。

对于挖矿机而言,功耗成本如此重要,因此在测量效率时,以mW/Gigahash为单位测量,而不只是测算总体的Hash算力。主流的挖矿供应商Bitmain采用98mW/GigaHash的比特币挖矿机,新竞争者们都尝试达到或超越该水平。“我们有多位客户参与,有几位已经进行流片,其结果相当不错”,Charagulla说道。

Image 2

加密货币挖矿生态系统——垂直整合 资料来源:格芯

卓越的性能

我问过Charagulla,能否通过提高ASIC的频率和承担额外的功耗来加快挖矿机进入区块链下一板块的速度。他回复说,为了让挖矿机内部的热流保持最优水平并节省功率,明智的做法是“以最低的功率,按照合理的400-500 MHz频率”运行ASIC。

尽管有些比特币ASIC开始转而采用基于FinFET的工艺,Charagulla建议,最好是采用基于FD-SOI的FDX工艺,让制造成本和功耗保持较低水平,同时保持足够的性能。“可以按照某种频率,同时运行数千个内核,这样仍然能够解决问题。基本来说,内核一般包含多个XOR栅极和16位宽的数据路径,在有限空间内布局。我们相信,22FDX能够满足这一要求。FinFET的优势在于具备千兆赫时钟速度、更宽的总线和位加法逻辑。这种情况(比特币ASIC)下并不存在任何高速I/O,所以,如果您可以优化内核的布局,FD-SOI将可以媲美FinFET,且其成本更低。”

许多客户设计都采用FDX工艺,工作电压仅0.4V。Charagulla表示,“一家客户”正尝试将工作电压降低至0.3 Vdd,以便为挖矿机提供更低功耗的80毫瓦/Gigahash的ASIC,同时“仍然能够高效运行其算法”。背栅偏置和正向偏置可用于满足性能和功率规格要求,他补充说道。

产能限制

Moor Insights的分析师Sag表示,虽然有些“高级”ASIC挖矿机将继续采用领先的FinFET工艺,其他挖矿机可能改变方式。“FinFETs在价格更加高昂的节点上能提供更高的性能,但需要支付更高成本。随着挖矿ASIC开始遵循更小巧的设计规则,晶圆的价格也随之增高。目前,人们希望降低挖矿机的成本,通过薄利多销的方式实现更多利润。最初采用领先的节点时,例如10nm或7nm,其产出并不是最高。采用领先节点时,其成本相对更高。”price impact

此外,挖矿芯片设计公司在“争夺晶圆厂的产能,这是让成本走高的另一个原因”,Sag表示。

格芯位于马耳他、纽约的晶圆厂采用基于FinFETs的14nm和即将推出的7nm工艺几乎满负荷运行,Sag表示,挖矿公司都将德累斯顿提供的22FDX产能视作契机。此外,由于超过6家挖矿机设备制造商都位于中国,Sag表示“22FDX可能很快会在中国投入使用。”

Sag表示“在为正确的客户选择正确的工艺方面,格芯表现出色,这对他们而言非常重要。并非每个芯片都需要数十亿个FinFET晶体管。就价格敏感性以及高能效需求而言,22FDX具有重要意义。”

Moor Insights白皮书中指出“格芯的FDX路线图将于2019年和2020年实现扩展,涵盖12nm FDX,其功耗更低,性能更高,且更加节省成本。我们相信,这种工艺的扩展将让挖矿机大幅受益。芯片的制造成本对于最终能否成功越来越重要,尤其是当比特币和其他加密货币挖矿ASIC公司开始以尽可能加大产量为目标的时候。”

Charagulla表示,德累斯顿工厂提供的产能正不断吸引新挖矿机公司采用22FDX。“马耳他晶圆厂几乎已达到全部产能,德累斯顿晶圆厂显然是面向22FDX,随后将是12FDX。在毫米波射频领域,我们面向基站、移动手持设备和毫米波雷达的设计正不断取胜。对于挖矿机ASIC,FDX能够提供附加价值,因此,更多的新客户会选择格芯。”

关于作者

Dave Lammers
Dave Lammers是固态技术特约撰稿人,也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章,彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times,定居东京,在之后的14年内,足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年,Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁,为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学,获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。

 

Milliwatt pro Gigahash: Krypto-Miner-ASICs setzen auf 22FDX

von: Dave Lammers

In den letzten Blogs habe ich mich mit der Verwendung des 22FDX®-Technologieprozesses für das Internet der Dinge und für Radaranwendungen im Automobilbereich befasst, Märkte, die eine Kombination aus Leistung und geringem Stromverbrauch erfordern. Das Mining von Kryptowährungen ist ein weiterer Markt, bei dem der Stromverbrauch ein entscheidendes Merkmal ist, ein Grund dafür, dass Miner allmählich von GPUs auf ASICs umsteigen.

Das Interessante an der Halbleiterindustrie ist, dass jede Anwendung eine andere Mischung aus Leistung, Stromverbrauch, Kosten und anderen Faktoren erfordert. Bei den Anwendungen für das Mining von Kryptowährungen ist dies der Fall, und zwar bis hin zu den wichtigsten Münzen - Bitcoin, Litecoin und Ethereum - und der Art und Weise, wie sie geschürft werden.

Anshel Sagein Associate Analyst bei Moor Insights & Strategy, der den Münzschürfungsmarkt beobachtet, sagte, dass die Schürfer "keine zusätzliche Logik auf dem Chip kaufen wollen. Sie wollen den Stromverbrauch minimieren. Alles ist extrem schlank, weil das meiste auf den Stromverbrauch hinausläuft".

Jeder der verschiedenen Algorithmen, so Sag, stellt "einen anderen Engpass dar, und die ASICs müssen auf unterschiedliche Weise konstruiert werden, um die Engpässe zu minimieren." (Sag und Patrick Moorhead, Hauptanalyst von Moor, haben ein Whitepaper über Fabriken und Kryptowährungsschürfer verfasst, das Details zu diesem Thema enthält).

"Da täglich so viel Energie verbraucht wird, achten Mining-Betriebe und Hersteller stets auf die Effizienz ihrer ASIC-Miner. Die 'Leistung' der meisten Mining-Geräte wird in Hashes pro Watt und nicht in der gesamten Hashing-Leistung gemessen." Quelle: Moor Insights & Strategy White Paper, "The Importance Of Fabs In Crypto Mining"

Unterschiedliche Architekturen

Sanjay Charagulla, Senior Director of Technology Marketing and Business Development bei GF, erläuterte die Unterschiede der für Bitcoin, Litecoin und Ethereum optimierten Miner-ASICs. Die Litecoin-ASICs haben in der Regel einen relativ geringen Anteil an Logiktransistoren, während SRAM-Zellen etwa zwei Drittel der Transistoren ausmachen. Charagulla argumentierte, dass der 22FDX-Prozess von GLOBALFOUNDRIES "eine der effizientesten SRAM-Bitzellen" hat, und nannte dies als Grund, warum GF "bereits mehrere Kundendesigns abgeklebt hat".

Das Ethereum-Mining, das etwa 10 Prozent des gesamten Marktes für Mining-ICs ausmacht, wurde bisher von Grafikprozessoren (GPUs) dominiert. Der Ethereum-Algorithmus erfordert eine relativ große Menge an externem Speicher, und die Chipgrößen sind größer. Charagulla sagte, dass er davon ausgeht, dass der Anteil des Ethereum-Minings auf bis zu einem Viertel des Marktes anwachsen wird, da die kommerzielle Technologie im Vergleich zu Bitcoin eine gute Transaktionsflexibilität bietet.

Bei Bitcoin - trotz einer Flut von Neuzugängen immer noch die dominierende Kryptowährung - bestehen die Mining-Geräte in der Regel aus mehreren Leiterplatten, auf denen jeweils mehr als 50-100 ASICs untergebracht sind. Diese winzigen ASICs sind Logikbausteine mit Hunderten von Multiplikations- und Akkumulationsschaltungen (MAC) auf jedem Chip, die keine externen Speicher oder Co-Prozessoren benötigen. Und wenn ein paar Kerne nicht funktionieren, kann der ASIC trotzdem weiterarbeiten. "Die Bitcoin-ASICs sind nicht besonders komplex. Das Layout und das Backend-Design sind der Schlüssel zur Effizienz", sagte er.

Da die Stromkosten für die Miner so wichtig sind, wird die Effizienz in Milliwatt pro Gigahash und nicht in der gesamten Hashing-Leistung gemessen. Bitmain, der dominierende Mining-Anbieter, hat einen Bitcoin-Miner mit 98 Milliwatt pro Gigahash beschrieben, und neue Konkurrenten versuchen, diesen Wert entweder zu erreichen oder zu übertreffen. "Wir haben mehrere Kunden engagiert, und eine Handvoll hat bereits gute Ergebnisse erzielt," sagte Charagulla.

Genügend Leistung

Ich habe Charagulla gefragt, ob die Miner schneller zur nächsten Stelle auf der Blockchain gelangen können, indem sie die Frequenz des ASICs erhöhen und für den zusätzlichen Stromverbrauch bezahlen. Er antwortete, dass die intelligente Strategie darin besteht, die ASICs mit einer "vernünftigen Frequenz von 400-500 MHz bei geringstem Stromverbrauch" zu betreiben, um den Wärmefluss innerhalb des Miners auf einem optimalen Niveau zu halten und Strom zu sparen.

Obwohl einige Bitcoin-ASICs auf FinFET-basierte Prozesse umgestellt werden, argumentiert Charagulla, dass die bessere Strategie darin besteht, die Herstellungskosten und den Stromverbrauch durch die Verwendung des FD-SOI-basierten FDX-Prozesses niedrig zu halten und gleichzeitig eine ausreichende Leistung zu gewährleisten. "Der Weg, dies zu erreichen, besteht darin, Tausende von Kernen bei einer bestimmten Frequenz parallel laufen zu lassen, damit sie das Rätsel noch lösen können. Die Kerne sind im Grunde eine Reihe von XOR-Gattern mit einem 16 Bit breiten Datenpfad in einem begrenzten Layout. Wir glauben, dass 22FDX die Anforderungen hier erfüllen wird. Wo FinFETs glänzen, ist bei Gigahertz-Taktraten, mit breiteren Bussen und Bit-Adder-Logik. In diesem Fall (Bitcoin-ASICs) gibt es keine Hochgeschwindigkeits-E/A. Wenn man also das Layout der Kerne optimieren kann, kann FD-SOI genauso gut sein wie FinFETs, und das zu geringeren Kosten."

Viele Kundendesigns, die den FDX-Prozess verwenden, arbeiten mit nur 0,4 V. Charagulla sagte, dass ein Tier-1-Kunde auf 0,3 Vdd heruntergeht, um Minern einen ASIC mit geringerem Stromverbrauch bei 80 Milliwatt pro Gigahash zu bieten, während er "immer noch in der Lage ist, den Algorithmus effizient auszuführen". Back Biasing und Forward Biasing können verwendet werden, um die Leistungs- und Energiespezifikationen zu erfüllen, fügte er hinzu.

Kapazitätsbeschränkungen

Sag, der Analyst von Moor Insights, sagte, dass einige "Premium"-Asic-Miner weiterhin in den modernsten FinFET-Prozessen hergestellt werden, während andere Miner einen anderen Weg einschlagen könnten. "FinFETs auf den teureren Nodes bieten eine höhere Leistung, aber zu einem höheren Preis. Wenn die Mining-ASICs nach kleineren Designregeln arbeiten, sind die Wafer teurer. Im Moment wollen die Leute die Kosten für Miner senken, damit sie mehr zu niedrigeren Kosten verkaufen und mehr Gewinn erzielen können. Bei einem Spitzenknoten wie 10nm oder 7nm sind die Erträge anfangs nicht so hoch. Die Kosten sind auf einem Spitzenknoten hoch."

Außerdem streiten sich die Bergbauunternehmen um die Förderkapazitäten, was ein weiterer Grund für die höheren Kosten ist", so Sag.

Da die Produktionsstätte von GF in Malta, N.Y., bei 14nm und den kommenden 7nm-Prozessen, die auf FinFETs basieren, nahezu voll ausgelastet ist, sehen die Bergbauunternehmen laut Sag die verfügbaren 22FDX-Kapazitäten in Dresden als Chance. Da mehr als ein halbes Dutzend Hersteller von Mining-Geräten in China ansässig sind, könnte 22FDX in China relativ bald zum Einsatz kommen", so Sag.

Sag merkte an, dass "GF gute Arbeit leistet, indem es die richtigen Prozesse für die richtigen Kunden auswählt, für das, was für sie wichtig ist. Nicht jeder Chip benötigt Milliarden von FinFET-Transistoren. 22FDX macht Sinn, wenn es um Preissensibilität und hohe Effizienz geht."

Im Whitepaper von Moor Insights heißt es: "Die FDX-Roadmap von GLOBALFOUNDRIES wird 2019 und 2020 um 12-nm-FDX erweitert, das mit noch geringerem Stromverbrauch und höherer Leistung arbeiten und gleichzeitig ein kostenfreundliches Profil aufweisen soll. Wir glauben, dass diese Produkterweiterung den Minern erheblich zugute kommen könnte. Die Kosten für die Herstellung von Chips werden zu einem immer wichtigeren Faktor für deren Erfolg, insbesondere da Bitcoin- und andere Altcoin-ASIC-Mining-Unternehmen bestrebt sind, so viel Volumen wie möglich abzusetzen."

Charagulla sagte, dass die verfügbaren Kapazitäten in Dresden neue Bergbauunternehmen zu 22FDX locken. "Malta ist größtenteils ausgelastet, und die Dresdner Fabrik ist eindeutig für 22FDX und 12FDX positioniert. Wir erhalten Design-Aufträge für Millimeterwellen-HF, für Basisstationen und Mobiltelefone sowie für Millimeterwellen-Radar. Für die Miner-ASICs bietet FDX einen Mehrwert, und das ist der Grund, warum die neuen Marktteilnehmer zu uns kommen.

Über den Autor

Dave Lammers

Dave Lammers

Dave Lammers schreibt für Solid State Technology und ist Blogger für die Foundry Files von GF. Dave Lammers begann über die Halbleiterindustrie zu schreiben, als er Anfang der 1980er Jahre im Tokioter Büro von Associated Press arbeitete, einer Zeit des schnellen Wachstums der Branche. 1985 wechselte er zur E.E. Times, für die er in den folgenden 14 Jahren von Tokio aus über Japan, Korea und Taiwan berichtete. Im Jahr 1998 zogen Dave, seine Frau Mieko und ihre vier Kinder nach Austin, um ein texanisches Büro für die E.E. Times einzurichten. Als Absolvent der University of Notre Dame erwarb Dave einen Master-Abschluss in Journalismus an der University of Missouri School of Journalism.

 

面向工业和电源应用的格芯超高压工艺技术进入量产阶段

格芯公司的多功能高压技术可提供全套逻辑、模拟和电源器件

加利福尼亚州圣克拉拉,2018年5月30日–格芯今日宣布,其180nm超高压(180UHV)技术平台已经进入量产阶段,适合各种客户应用,包括用于工业电源、无线充电、固态和LED照明的AC-DC控制器,以及用于消费电子和智能手机的AC适配器。

市场对成本效益高的系统需求旺盛,要求集成电路(IC)既能显著节省面积,又能将分立组件集成到同一芯片上,从而减少物料清单(BOM)和印刷电路板(PCB)尺寸。格芯180UHV平台采用3.3V低压CMOS基准值,具有HV18、HV30和700V UHV选项,与传统的5V双极CMOS DMOS (BCD)技术相比,可显著节省数字和模拟电路模块的面积。

AC-DC开关模式供电产品的市场领先企业昂宝电子(On-Bright)首席执行官陈志樑表示:“格芯公司可以提供领先的高压解决方案,正是昂宝电子电源技术的理想战略合作伙伴。格芯的新型180UHV工艺在设计中运用昂宝电子的专业技术,将UHV组件与180nm数字和模拟功能集成到同一IC中。该技术为昂宝电子的开关模式电源降低了成本,缩小了尺寸,给我们的AC-DC开关模式电源产品带来了更多系统级优势。”

格芯180UHV工艺技术属于采用格芯公司180nm工艺节点的模块化平台的一部分,为集成AC-DC转换提供的数字密度比前几代产品提高了10倍。对于AC-DC转换,该平台将高压晶体管与精密模拟和无源器件集成,用于控制AC-DC SMPS电路的高输入和输出电压。该工艺经过高达150°C认证,适用于电源和LED照明产品的高环境温度。

格芯业务部高级副总裁Bami Bastani博士表示:“格芯不断扩展UHV产品组合,提供具有竞争力的技术功能和精良的制造工艺,让我们的客户能够在实际应用新一代高集成度器件的过程中发挥关键作用。对于打算为新一代集成数字、模拟和高压应用开发高性能解决方案的客户来说,我们的180UHV是一项理想的技术。”

格芯公司为其模拟和电源平台提供各种类型的HV、BCD和UHV技术,帮助客户在广泛的电压范围内(5V至700V)集成电源和高压晶体管,以满足高低功率应用的不同需求。格芯位于新加坡的200mm和300mm生产线已成功实现了模拟和电源解决方案的生产。

如需了解更多有关格芯高压解决方案的信息,请联系您的格芯销售代表或访问 globalfoundries.com/cn

关于格芯

格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现,并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn

GLOBALFOUNDRIES steigt in die Serienproduktion von Ultrahochspannungs-Prozesstechnik für Industrie- und Energieanwendungen ein

Die vielseitige Hochspannungstechnologie des Unternehmens Technologie bietet ein komplettes Angebot an Logik-, Analog- und Leistungsbauelementen

Santa Clara, Kalifornien, 29. Mai 2018 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass seine 180-nm-Ultra-High-Voltage-Technologieplattform (180UHV) für eine Reihe von Kundenanwendungen in die Serienproduktion gegangen ist, darunter AC-DC-Controller für industrielle Stromversorgungen, drahtloses Laden, Festkörper- und LED-Beleuchtung sowie AC-Adapter für Unterhaltungselektronik und Smartphones.

Die steigende Nachfrage nach äußerst kosteneffizienten Systemen erfordert integrierte Schaltungen (ICs), die durch die Integration diskreter Komponenten auf demselben Chip erhebliche Flächeneinsparungen erzielen und gleichzeitig die Stückliste und den Platzbedarf auf der Leiterplatte (PCB) reduzieren. Die 180UHV-Plattform von GF verfügt über eine 3,3V-LV-CMOS-Basis mit Optionen für HV18, HV30 und 700V UHV, die im Vergleich zu den traditionellen 5V-Bipolar-CMOS-DMOS-Technologien (BCD) erhebliche Flächeneinsparungen für digitale und analoge Schaltungsblöcke ermöglicht.

"Die führende Position von GF bei Hochspannungslösungen macht das Unternehmen zu einem perfekten strategischen Partner für die Stromversorgungs-Technologien von On-Bright", so Julian Chen, CEO von On-Bright, dem führenden Anbieter von AC-DC-Schaltnetzteilen. "Der neue 180UHV-Prozess von GF integriert UHV-Komponenten in denselben IC mit 180-nm-Digital- und -Analogtechnik, wobei das Know-how von On-Bright in das Design einfließt. Die Technologie hat die Kosten und den Platzbedarf der Schaltnetzteile von On-Bright reduziert, so dass unsere AC-DC-Schaltnetzteilprodukte zusätzliche Vorteile auf Systemebene bieten."

Als Teil einer modularen Plattform, die auf dem 180nm-Prozessknoten des Unternehmens basiert, bietet die 180UHV-Prozesstechnologie von GF eine 10-fache Steigerung der digitalen Dichte im Vergleich zu früheren Generationen für integrierte AC-DC-Wandler. Für die AC-DC-Wandlung integriert die Plattform Hochspannungstransistoren mit analogen und passiven Präzisionsbauteilen, um hohe Eingangs- und Ausgangsspannungen von AC-DC-SMPS-Schaltungen zu steuern. Der Prozess ist bis zu 150°C qualifiziert, um den hohen Umgebungstemperaturen von Stromversorgungs- und LED-Beleuchtungsprodukten gerecht zu werden.

"GF baut sein UHV-Portfolio weiter aus, um wettbewerbsfähige Technologiefähigkeiten und Fertigungsexzellenz zu bieten, die es unseren Kunden ermöglichen, eine entscheidende Rolle bei der Einführung einer neuen Generation von hochintegrierten Geräten in realen Umgebungen zu spielen", so Dr. Bami Bastani, Senior Vice President Business Units bei GF. "Unser 180UHV ist eine ideale Technologie für Kunden, die leistungsfähige Lösungen für eine neue Generation von integrierten digitalen, analogen und Hochspannungsanwendungen entwickeln wollen."

Als Teil der Analog- und Power-Plattform des Unternehmens bietet GF verschiedene Arten von HV-, BCD- und UHV-Technologien an, die es den Kunden ermöglichen, Leistungs- und Hochspannungstransistoren über einen weiten Spannungsbereich von 5V bis 700V zu integrieren, um die vielfältigen Anforderungen von Low- und High-Power-Anwendungen zu erfüllen. GF verfügt über eine erfolgreiche Erfolgsbilanz bei der Herstellung von Analog- und Power-Lösungen in seinen 200mm- und 300mm-Produktionslinien in Singapur.

Weitere Informationen zu den Hochspannungslösungen von GF erhalten Sie bei Ihrem GF-Vertriebsmitarbeiter oder unter globalfoundries.com.

Über GF

GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com.

GF Kontakt:

Erica McGill
GLOBALFOUNDRIES
(518) 795-5240
erica.mcgill@globalfoundries.com

SiP 和 eNVM: 哪一个是最好的选择?

作者: Yafeng Zhang

汽车电子和物联网应用的蓬勃发展,推动着市场对于MCU需求的增长。最新的预测表明,MCU在未来五年的年复合增长率会达到4%, 而汽车MCU的增长率会高达14%。

非挥发性存储器(NVM)是MCU芯片必不可少的组成部分,它不仅需要用来存储代码,而且需要用来存储使用过程中产生的数据。

两种方案

业界通常有两种MCU存储模块的解决方案:嵌入式存储器(eNVM)和系统级封装 (片外存储器–SIP)。eNVM工艺是在逻辑工艺平台的基础上开发的特殊工艺,通过这种工艺生产出带有非挥发存储器模块的的芯片。对于不同的eNVM工艺,需要增加不同层数的光罩,因此它的工艺成本相比于逻辑工艺有一定的增加。对于SIP解决方案,是通过封装的方法,把一颗NOR闪存芯片和逻辑芯片封装在一起,代码和数据存储在独立的、外挂的NOR闪存芯片上。

目前,世界领先的MCU厂商主要使用eNVM方案,但SIP方案对于新进入的公司很有吸引力,因为这种设计简单,设计周期短,从而使厂商降低设计成本,加快上市速度。然而,SIP解决方案无法满足特定应用场景的所有要求,综合考虑到成本、功耗、速度、安全性、稳定性和可靠性要求,很多应用场景下,使用eNVM是更好的解决方案。

综合评估

为了帮助MCU厂商选择最优的解决方案,我们从功耗、启动时间、速度、安全性、可靠性和成本等方面,结合客户目标的应用场景,比较一下两种方案。

  • 功耗:eNVM的功耗会比SIP低30%以上,因为SIP采用外挂的Flash芯片,在读写操作的时候,需要驱动IO,造成功耗的增加。因此,对于用于电池供电的低功耗应用,格芯推荐使用eNVM。
    GF and eVaderis are co-developing a low power MCU using 22FDX and eMRAM
  • 启动时间:eNVM的启动速度比SIP快20倍以上(Datasheet spec: 5us vs >100us)。而且,因为eNVM是XIP(eXecute In Place),主芯片可以直接从NVM模块读数据进行启动,而SIP Flash,系统通常需要将数据从外部存储器下载到片上SRAM,需要更长的时间。因此,对于需要快速启动的常闭应用,格芯推荐eNVM。
  • 速度:eNVM比SIP提供2X以上的更快的读取速度(10ns, x32的eFlash是400MB/s vs 最高端的SPI NOR, 400MHz, 8bit位宽速度是200 MB/s)。更进一步,eNVM模块的位宽可以很容易的扩展到X64,X128,甚至X256,所以,eNVM的速度更具优势。因此,对于需要高速/高带宽的应用,格芯推荐使用eNVM。
  • 安全性:eNVM比SIP提供更高的安全性,因为eNVM模块可以被定制,同时,工艺可以使用诸如PUF之类的IP来增强安全性。相反,SIP Flash是市场上的标准产品,很难增加额外的安全性设计。因此,对于需要高安全性的应用,格芯推荐eNVM。
  • 可靠性:eNVM提供了更高的可靠性。在嵌入式工艺开发的时候,eNVM和逻辑工艺作为一个整体,可以直接达到车规1级或者0级,因此对于严格可靠性要求的应用,格芯推荐eNVM。
    40nm Embedded Self-Aligned Split-Gate Flash Technology for High Density Automotive MCU
    CMOS Embedded STT-MRAM arrays in 2x nm Modes for GP-MCU applications
  • 成本:成本是最难比较的部分,牵涉范围广,通常需要考虑以下一些因素:
    • NVM的存储大小和整个芯片尺寸,它决定了每片晶圆上面的芯片颗粒的数量。
    • 逻辑工艺和eNVM工艺的晶圆价格。
    • SIP方案中,片上SRAM的容量,用于在系统启动的时候,从外部存储中下载代码。
    • SIP方案的闪存KGD价格
    • 晶圆测试成本
    • 其他因素如晶圆良率(逻辑工艺和嵌入式工艺),封装的良率损失,管理成本等

成本比较

我们选取了六个典型的NVM存储容量(2MB,4MB,8MB,16MB,32 MB,128MB),在格芯的40nm LP逻辑工艺和嵌入式工艺,22FDX®(22nm FD-SOI)逻辑工艺和嵌入式工艺,一共4种工艺平台上,进行成本的比较。

同时,对于SIP方案,因为每个产品都有不同启动方法,会用到不同的片上SRAM容量来“映射”外部闪存。下面的比较选择了最理想的情况:SIP解决方案和eNVM解决方案利用完全相同的SRAM容量。实际情况是,大多数常见的SIP解决方案会采用更大的SRAM容量。

Total Package Cost by NVM Density chart

来源: 格芯

从上图可以看到,对于采用40nm平台的产品,当NVM容量小于16Mb时,选择eNVM(eFlash)的方案,成本较低,而当NVM容量等于或高于16Mb时,SIP解决方案成本较低。

对于采用22nm FDX技术的产品,当NVM容量小于32 Mb时,eNVM(eMRAM)解决方案的成本较低,而当NVM容量等于或高于32 Mb时,SIP解决方案成本较低。

比较这两个平台,22FDX eNVM解决方案在所有NVM容量条件下的成本都比40nm SIP方案更低。与此同时在功率、速度、安全性和可靠性方面均优于SIP解决方案。

更重要的一点,当SIP选用更大的SRAM容量时,eNVM解决方案的优势更加明显。

最优选择

总之,eNVM和SIP解决方案都是设计制造MCU的可行方法。然而,基于优越的功耗、速度、安全性和可靠性,eNVM往往是MCU的更好选择。在成本方面,对于小容量,eNVM通常比SIP更低。MCU厂商通常需要权衡各种方案的利弊,来赢得市场。而格芯提供了多种解决方案,来协助我们的客户取得成功。格芯的eNVM技术,使用从主流的130nm平台到领先的22nm FDX平台,以满足新兴市场的多样化需求。低功耗的FDX平台加上低功耗的eMRAM的解决方案,是IoT应用的最优选择,而eMRAM超快的存储速度和高容量,使它同样适用于计算和存储市场。结合了RF和优越性能的LP + eFlash方案, 特别适用于汽车,工业,和消费类MCU市场。而格芯的成熟的SIP解决方案可以帮助客户加快产品面世的进程

请联系格芯为您的特定MCU架构提供更精确的的SIP与eNVM的比较分析。

关于作者

Yafeng Zhang

张亚峰

张亚峰在半导体行业有超过15年的经验,包括产品设计、应用和技术营销。他目前负责格芯eFlash产品的技术营销, 产品涵盖130 nm到40 nm,并专注于支持全球的MCU客户。在加入格芯之前,他曾任多个职务,包括在美光半导体(Micron SemSystems)负责45 nm NOR存储器设计和产品技术支持应用,以及在新思科技(Synopsys)和中芯国际担任了多个职务。张亚峰拥有复旦大学微电子硕士和材料科学学士学位。

GLOBALFOUNDRIES kündigt branchenweit fortschrittlichste Automotive-qualifizierte FD-SOI-Prozesstechnologie für die Produktion an

Fertigungszertifizierung für Sicherheit, Zuverlässigkeit und Robustheit bietet Kunden Leistung und Energieeffizienz für Automobilanwendungen

Santa Clara, Kalifornien, 23. Mai 2018 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass seine 22-nm-FD-SOI (22FDX®)-Technologieplattform nach AEC-Q100 Grade 2 für die Produktion zertifiziert wurde. Als branchenweit fortschrittlichste automobilqualifizierte FD-SOI-Prozesstechnologie umfasst die 22FDX-Plattform von GF eine umfassende Reihe von Technologie- und Designfähigkeiten, die darauf zugeschnitten sind, die Leistung und Energieeffizienz von integrierten Schaltkreisen (ICs) für die Automobilindustrie zu verbessern und gleichzeitig die strengen Sicherheits- und Qualitätsstandards der Automobilindustrie einzuhalten.

Angesichts der rasanten Verbreitung von Automobilelektronik und der Vorschriften für Energieeffizienz und Sicherheit sind die Qualität und Zuverlässigkeit von Halbleiterbauteilen wichtiger denn je. Im Rahmen der AEC-Q100-Zertifizierung müssen die Bauelemente über einen längeren Zeitraum und über einen weiten Temperaturbereich hinweg Zuverlässigkeitstests erfolgreich bestehen, um die Grade-2-Zertifizierung zu erhalten. Die Qualifizierung des 22FDX-Prozesses von GF unterstreicht das Engagement des Unternehmens, hochleistungsfähige und hochwertige Technologielösungen für die Automobilindustrie anzubieten.

"FD-SOI bietet Vorteile für Unternehmen, die in Echtzeit Kompromisse bei Stromverbrauch, Leistung und Kosten eingehen wollen", so Dan Hutcheson, CEO und Chairman von VLSI Research. "Die automotive-qualifizierte 22FDX-Technologie von GF ist genau das, was Automobilhersteller und -zulieferer brauchen, um die schnelle Integration von hochintegrierten Automotive-ICs zu ermöglichen".

"GLOBALFOUNDRIES bietet seit mehr als 10 Jahren Lösungen für die Automobilindustrie an. Wir haben unser Engagement für die Qualität und Zuverlässigkeit von Halbleitern durch eine Reihe von Zertifizierungen und Audits jedes Jahr unter Beweis gestellt", sagte Dr. Bami Bastani, Senior Vice President Business Units bei GF. "Die Qualifizierung unserer 22FDX-Technologie für die Automobilindustrie bestätigt unser Engagement, unsere FD-SOI-Fähigkeiten und unser Portfolio zu erweitern, um neue Märkte und Kunden zu erreichen. Wir sind nun nachweislich in der Lage, unsere 22FDX-Technologie so zu fertigen, dass sie die strengen Qualitäts- und Leistungsanforderungen des Automobilmarktes erfüllt."

Als Teil der AutoPro™-Plattform des Unternehmens ermöglicht 22FDX den Kunden eine einfache Migration ihrer automobilen Mikrocontroller und ASSPs auf eine fortschrittlichere Technologie, während sie die erheblichen Vorteile in Bezug auf Fläche, Leistung und Energieeffizienz gegenüber konkurrierenden Technologien nutzen können. Darüber hinaus bietet die optimierte Plattform leistungsstarke RF- und mmWave-Funktionen für Kfz-Radaranwendungen und unterstützt die Implementierung von Logik, Flash, nichtflüchtigem Speicher (NVM) in MCUs und Hochspannungsbauteilen, um die einzigartigen Anforderungen von ICs im Fahrzeug zu erfüllen.

Die AutoPro-Plattform von GF besteht aus einem breiten Portfolio von AEC-Q100-qualifizierten Technologielösungen für die Automobilindustrie, die durch ein robustes Dienstleistungspaket unterstützt werden. Die strengen ISO-Qualitätsstandards für die Automobilindustrie werden in den GF-Fabriken in Singapur und seit kurzem auch in der Fabrik 1 in Dresden eingehalten, die nach ISO-9001/IATF-16949 zertifiziert ist und nun die strengen und sich ständig weiterentwickelnden Anforderungen der Automobilindustrie erfüllen kann.

Das 22FDX PDK ist ab sofort zusammen mit einer breiten Palette an siliziumerprobter IP erhältlich. Kunden können jetzt damit beginnen, ihre Chipdesigns zu optimieren, um differenzierte Lösungen mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Leistung für die Automobilindustrie zu entwickeln.

Weitere Informationen finden Sie unter: globalfoundries.com/market-solutions/automotive.

Über GF

GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

GF Kontakt:

Erica McGill
GLOBALFOUNDRIES
(518) 795-5240
erica.mcgill@globalfoundries.com

格芯宣布推出业内符合汽车标准的先进 FD-SOI工艺技术

制造安全性、可靠性和鲁棒性认证为客户提供了汽车应用所需的性能和能效

加利福尼亚州圣克拉拉,2018年5月23日–格芯今日宣布,其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证,准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI工艺技术,格芯的22FDX平台融合全面的技术和设计实现能力,旨在提高汽车集成电路(IC)的性能和能效,同时仍然遵循严格的汽车安全和质量标准。

随着汽车电子器件产品的迅速普及,关于能效和安全性的法规不断增多,半导体器件组件的质量和可靠性变得比以往更加关键。作为AEC-Q100认证的组成部分,器件必须在一段时间和广泛的温度范围内,成功完成可靠性压力测试,以获得2级认证。对格芯22FDX工艺的认证体现了公司秉持的承诺:为汽车行业提供高性能、高品质的技术解决方案。

“对于那些寻求实时权衡功率、性能和成本的公司来说,FD-SOI颇具优势”,VLSI Research的首席执行官兼董事长Dan Hutcheson表示。“格芯符合汽车标准的22FDX技术正是汽车制造商和供应商实现高度集成的汽车级IC快速集成所需的技术。”

“10多年以来,格芯一直为汽车行业提供解决方案。我们每年都会通过一系列的认证和审计证明我们对半导体质量和可靠性的承诺”,格芯业务部高级副总裁Bami Bastani表示。“我们22FDX技术所获的汽车认证再次确认了我们将FD-SOI功能和产品组合进一步扩展至新市场和客户的承诺。现在,我们制造22FDX技术的能力已经得到验证,能够满足汽车市场严格的质量和性能要求。”

作为公司AutoPro™平台的组成部分,22FDX让客户能够轻松将其汽车微控制器和ASSP迁移至更加先进的技术,同时充分利用显著超越竞争技术的尺寸、性能和能效优势。此外,这个经过优化的平台为汽车雷达应用提供高性能射频和毫米波功能,并支持在MCU中实施逻辑、Flash、非易失性存储器(NVM),也支持高压器件,以满足车用IC的独特要求。

格芯的AutoPro平台由诸多符合AEC-Q100汽车标准的技术解决方案组成,并提供符合严格的ISO汽车质量标准的稳健服务包支持,格芯新加坡的晶圆厂和德国德累斯顿1号晶圆厂都遵循ISO汽车质量标准,后者刚刚通过ISO-9001/IATF-16949认证,现在能够满足汽车行业严格且不断变化的需求。

22FDX PDK现已上市,同时提供各种通过芯片验证的IP。客户现在可以开始优化其芯片设计,以开发低功耗、高性能的差异化汽车解决方案。

如需了解更多信息,请访问:https://www.globalfoundries.com/cn/market-solutions/automotive。

关于格芯

格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现,并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。

媒体垂询:

杨颖(Jessie Yang)
(021) 8029 6826
jessie.yang@globalfoundries.com
邢芳洁(Jay Xing)
86 18801624170
jay.xing@allisonpr.com

Presto Engineering加入格芯生态系统 成为格芯的新ASIC合作伙伴

San Jose, Kalifornien, 15. Mai 2018 - Presto Engineering Inc. ist ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich Halbleiter-Produkt-Engineering und Supply-Chain-Management und hat heute bekannt gegeben, dass es GLOBALSOLUTIONS® beigetreten ist, dem Ökosystem von GF, das Dienstleistungen von der Konzeption bis zur Produktion bietet. Als Ökosystempartner wird Presto seine schlüsselfertigen Post-Silizium-Engineering- und Produktionslösungen auf der Grundlage der Technologien und Dienstleistungen von GF für Kunden auf der ganzen Welt anbieten.

Presto Engineering tritt dem GLOBALFOUNDRIES-Ökosystem als ASIC-Partner bei

San Jose, Kalifornien, 15. Mai 2018 - Presto Engineering Inc. ist ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich Halbleiter-Produkt-Engineering und Supply-Chain-Management und hat heute bekannt gegeben, dass es GLOBALSOLUTIONS® beigetreten ist, dem Ökosystem von GF, das Dienstleistungen von der Konzeption bis zur Produktion bietet. Als Ökosystempartner wird Presto seine schlüsselfertigen Post-Silizium-Engineering- und Produktionslösungen auf der Grundlage der Technologien und Dienstleistungen von GF für Kunden auf der ganzen Welt anbieten.