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格芯推出面向5G应用的45nm RF SOI客户原型设计

格芯300mm RF SOI产品已准备投入量产 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年1月24日–格芯今日宣布，其45nm RF SOI (45RFSOI)技术平台已通过认证，准备投入量产。这种先进的RF SOI工艺引发了多位客户的关注和兴趣，它主要面向5G毫米波(mmWave)前端模块(FEM)应用，包括智能手机和适合未来基站的新一代毫米波波束成形系统。 由于新一代系统的工作频率会增加到24GHz以上，所以需要采用性能更高的RF芯片解决方案，以充分利用毫米波频谱中的大量可用带宽。格芯45RFSOI平台专门针对波束成形FEM实施了优化，功能先进，能够通过集成高频率晶体管、高电阻绝缘体上硅(SOI)衬底和超厚铜制程来提升RF性能。此外，SOI技术还支持轻松集成功率放大器、开关、LNA、移相器、上/下变频器和压控振荡器/锁相环(VCO/PLL)，与面向未来每秒数千兆位的通信系统（包括互联网宽带卫星、智能手机以及5G基础设施）的竞争性技术相比，它能够降低成本和功耗，并减小尺寸。 Peregrine Semiconductor总裁兼首席技术官Jim Cable表示：“格芯是RF SOI解决方案领域的领导者，对Peregrine来说，选择格芯作为新一代RF SOI技术的战略合作伙伴乃明智之举，这种战略合作有助于我们推出更好的RF解决方案，为客户提供更高水平的产品性能、可靠性和可扩展性，并且，让我们能够挑战极限，开发集成式RF前端创新技术，满足不断演变的毫米波应用和新兴的5G市场需求。” Anokiwave的首席执行官Bob Donahue表示：“要引领5G走向未来，就需要使用毫米波创新技术来分配更多带宽，以提供交付速度更快、品质更高的视频和多媒体内容和服务，格芯是RF SOI技术领域的领导者，通过利用其45RFSOI平台，Anokiwave能够开发适用于高速无线通信和网络、工作频段介于毫米波和sub-6GHz频段之间的差异化解决方案。” 格芯射频业务部资深副总裁Bami Bastani表示：“格芯不断扩展RF功能和产品组合，提供具有竞争力的RF SOI优势和精良的制造工艺，此举让我们的客户受益匪浅，从而在实际应用5G设备和网络的过程中发挥关键作用，对客户来说，我们的45RFSOI是一种理想技术，它力图提供最高性能的毫米波解决方案，以应对新一代移动和5G通信对高性能的需求。” […]

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意法半导体公司选择格芯22FDX®提升其FD-SOI平台和技术领导力

格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品 加利福尼亚州圣克拉拉和瑞士日内瓦，2018 年 1 月 9 日 —— 格芯（GLOBALFOUNDRIES）与意法半导体公司（STMicroelectronics，NYSE：STM）于今日宣布，意法半导体公司选定格芯 22 纳米 FD-SOI（22FDX®）技术平台，为其新一代工业和消费应用的处理器解决方案提供支持。 在部署了业界首个 28 纳米 FD-SOI 技术平台之后，意法半导体公司采用格芯可量产的 22FDX 工艺和生态系统，为未来智能系统提供第二代 FD-SOI […]

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格芯及复旦微电子团队交付下一代双界面智能卡

格芯 55LPx 平台内含嵌入式非易失性存储器和集成射频，助力复旦微电子打造中国最先进的 CPU 银行卡。 美国加利福尼亚州圣克拉拉及中国上海，（2017年11月15日）——格芯（GLOBALFOUNDRIES）及上海复旦微电子集团股份有限公司今日宣布，已通过使用格芯55纳米低功率扩展(55LPx) 技术平台，制造出下一代双界面 CPU 卡芯片。格芯 55LPx 平台能够将多种功能集成到单芯片上，从而提供安全、低功耗且具成本效益的解决方案，该解决方案尤其适合中国银行卡市场，包括金融、社会保障、交通、医疗和移动支付等应用。 复旦微电子集团股份有限公司的双界面 CPU 卡 FM1280，支持接触式和非接触式通信模式，采用低功耗 CPU 以及经过格芯硅验证的 55LPx 射频 IP。FM1280 […]

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