英飞凌和GlobalFoundries宣布就40纳米嵌入式闪存工艺技术进行联合开发和生产合作

2013年4月29日,德国新比伯格/德累斯顿和新加坡--英飞凌科技公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和GlobalFoundries公司今天宣布了一项针对40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺技术的联合技术研发和生产协议。合作的重点是基于英飞凌的eFlash单元设计的技术开发和40纳米工艺结构的汽车和安全微控制器(MCU)的制造。下一代40纳米eFlash微控制器的生产将在GF的不同基地进行,最初在新加坡,随后转移到其在德国德累斯顿的基地。

"英飞凌科技管理委员会成员Arunjai Mittal表示:"采用40纳米工艺结构的下一代嵌入式闪存微控制器将进一步增强我们在汽车以及芯片卡和安全市场的竞争实力。"我们相信GF拥有优秀的制造背景和位于不同大洲的基地,能够满足英飞凌在质量、基础设施安全和业务连续性方面的严格要求。"

"英飞凌决定选择GF作为40纳米嵌入式闪存技术节点的代工伙伴,是对我们在不同地域的多个工厂支持下提供单一代工解决方案的独特能力的认可,"GF首席执行官Ajit Manocha说。"我们致力于提供支持英飞凌业务所需的领先技术和制造能力。我们期待着与英飞凌的长期合作,并为其在一个非常有活力的行业中的成功做出贡献。"

与GF的这项协议符合英飞凌在65纳米及以下基于CMOS的技术方面进行技术合作开发的战略。计划在2015年下半年进行安全微控制器的工艺和产品鉴定。汽车微控制器的生产计划于2017年上半年开始。

英飞凌和GF在开发和制造方面有着长期的合作关系,包括联合开发和制造基于CMOS的低功率手机产品。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立,迅速形成规模,成为全球第二大代工厂,为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。在美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近,有一些主要的研究、开发和设计设施来支持这一全球制造足迹。GF由先进技术投资公司(ATIC)拥有。欲了解更多信息,请访问:https://www.gf.com。

关于英飞凌

位于德国诺伊贝尔格的英飞凌科技公司提供半导体和系统解决方案,应对现代社会的三大核心挑战:能源效率移动性安全性。在2012财年(截至9月30日),该公司的销售额为39亿欧元,在全球拥有近26700名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的场外交易市场OTCQX International Premier上市(股票代码:IFNNY)。

本新闻稿可在网上查阅:www.infineon.com/presswww.gf.com/news-events/globalfoundries-press-releases。

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