2017年9月20日新的12LP技术提供了比当前一代更高的密度和性能 平台的特点是为下一代汽车电子和射频/模拟应用提供增强功能 加州圣克拉拉，2017年9月20日 -GLOBALFOUNDRIES今天宣布，计划推出新的12纳米领先性能（12LP）FinFET半导体制造工艺。与GF目前的14纳米FinFET产品相比，该技术有望提供更好的密度和性能提升，满足从人工智能和虚拟现实到高端智能手机和网络基础设施等最苛刻的计算密集型应用的处理需求。 与目前市场上的16/14纳米FinFET解决方案相比，新的12LP技术在电路密度上提高了15%，在性能上提高了10%以上。这使得12LP在与其他12纳米FinFET代工产品的竞争中处于有利地位。该技术利用了GF在纽约州萨拉托加县8号工厂的专业技术，其14纳米FinFET平台自2016年初以来一直在那里进行大批量生产。 "GF首席执行官Sanjay Jha说："世界正处于向互联智能时代的空前转变之中。"这项新的12LP技术提供了必要的性能和密度改进，以帮助我们的客户继续在系统层面上进行创新，因为他们为从高端图形和汽车到工业应用的各种产品提供实时连接和边缘处理。" "我们很高兴延长与GLOBALFOUNDRIES的长期合作关系，成为其新的12LP技术的主要客户，"AMD首席技术官兼技术和工程高级副总裁Mark Papermaster说。"我们与GF的深度合作，帮助AMD在2017年利用14纳米FinFET技术向市场推出了一系列领先的高性能产品。我们计划在2018年推出基于GF 12纳米工艺技术的新客户和图形产品，这是我们专注于加速产品和技术势头的一部分。" 除了晶体管级的改进外，12LP平台还将包括专门为汽车电子和射频/模拟应用设计的以市场为重点的新功能--这是行业中增长最快的两个领域。 车辆安全和自动驾驶方面的新兴汽车应用需要处理能力和极端可靠性的结合。12LP平台提供了这两点，并计划在2017年第四季度前在8号工厂进行汽车2级认证。 一种新的射频产品将12LP平台扩展到射频/模拟应用，如6GHz以下无线网络中的高级收发器。12LP在逻辑和存储器方面都提供了最佳的扩展性，适用于以数字为主、射频/模拟内容较少的射频芯片架构。 GF新的12nm FinFET技术是对其现有12nm FD-SOI产品12FDXTM的补充。虽然有些应用需要FinFET晶体管无可比拟的性能，但许多互联设备需要高水平的集成，以及在性能和功耗方面更多的灵活性，而FinFET的成本却无法实现。12FDX为下一代互联智能系统提供了另一种途径，使10纳米FinFET的性能与当前代工的FinFET产品相比具有更好的功耗、更低的成本和更好的射频集成。 关于GF。 GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Erica McGillGF(518) 795-4250[email protected]
