GlobalFoundries 的 Jean Blunt 荣获 2025 年 MAKE 制造卓越奖 2025 年 4 月 29 日 布朗特被美国制造学会评为 130 位全国获奖者之一 2025 年 4 月 29 日，佛蒙特州埃塞克斯角- 上周，美国国家制造商协会（National Association of Manufacturers）的劳动力发展和教育合作伙伴制造研究所（MI）在其年度 MAKE 奖颁奖典礼上表彰了来自 GlobalFoundries（纳斯达克股票代码：GFS）（GF）的 Jean Blunt。Blunt 是 GF 佛蒙特州制造运营总监，因其在制造、科学、技术、工程和生产领域的模范领导力而被评为 2025 年度荣誉人物。她是获此殊荣的 130 位获奖者之一。 在过去的 35 年中，Jean Blunt 为半导体行业做出了重大贡献。在过去的五年中，作为 GF 佛蒙特公司的生产运营总监，Jean 组建了一支生产控制团队，将质量产量提高了 40%。随后，她负责管理拥有 600 名员工的制造组织，将第一台移动机器人引入生产，并实现了最高的操作员生产率和制造质量绩效。Jean 还致力于辅导和指导新兴领导者，并担任 GF 佛蒙特州社区参与团队的执行发起人。在她的领导下，员工的参与度显著提高，去年的志愿服务时间增加了 300%，参加活动的总人数增加了 60%。 "布拉特说："当我帮助他人在职业生涯中成长，用我的热情建立积极的工作场所文化，并在社区中产生有意义的影响时，我感到非常有力量。"获得 MI 的荣誉奖确实是一种荣誉，我非常感谢能有机会进一步支持制造业劳动力的发展。 这些享有盛誉的年度奖项旨在表彰在其职业生涯中表现出色的员工，并展示制造业各个层面（从工厂车间到首席执行官）的领导力。 "我非常高兴地祝贺 Jean 荣获 MAKE 荣誉奖！GF 佛蒙特州总经理 Ken McAvey 表示："她是一位卓越而富有创新精神的领导者，以身作则，不断在 GF 和整个佛蒙特州的业务和社区参与方面产生积极影响。"在她 35 年的职业生涯中，Jean 建立了牢固的关系，改善了队友的工作环境，并鼓励他们终身从事制造业。她对员工、团队、社区和业务成果坚定不移的奉献精神是他们成功背后的推动力。我们非常感谢 Jean 的杰出服务和领导，并期待她未来在 GF 取得更大的成就。 MI MAKE 奖颁奖晚会在华盛顿特区举行，表彰了 100 名行业领袖（"获奖者"）和 30 名后起之秀（"新锐领袖"），他们由各自公司提名，因其创新、奉献、贡献和良好的建议而受到表彰。晚会重点介绍了每位获奖者和新晋领袖的故事，包括他们在制造业的领导力和成就。获奖者还可在颁奖晚会前几天参加在华盛顿特区举行的为期两天的领导力发展会议。 GF 位于佛蒙特州伯灵顿附近埃塞克斯交界处的工厂是世界上首批主要的 200 毫米半导体生产基地之一。如今，约有 1,800 名 GF 员工在此工作。基于 GF 的差异化技术，这些 GF 制造的芯片被广泛应用于世界各地的智能手机、汽车和通信基础设施。 关于GF GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。每一天，我们才华横溢的全球团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展，为客户带来丰硕成果。如需了解更多信息，请访问www.gf.com。 关于制造业协会 制造研究所（MI）致力于培养和加强当今和未来的制造业人才队伍。通过实施开创性计划、召集行业领袖和开展创新研究，制造研究所促进了个人机遇、社区繁荣和更具竞争力的制造业。作为全美制造商协会下属的 501(c)3 非营利性劳动力发展和教育机构，MI 是制造商值得信赖的顾问，为他们提供解决方案，解决最棘手的劳动力问题。有关劳动力市场的更多信息，请访问www.themanufacturinginstitute.org。 媒体垂询 Gina DeRossi518-491-5965[email protected]
2025 年地球周：GF 为我们的地球和客户提供可持续性服务 2025 年 4 月 25 日 作者：John Compani GlobalFoundries 公司 EHS 和可持续发展部门高级技术人员 每年，GlobalFoundries（GF）的专家们都会开发和实施新项目，以加强公司全球先进制造基地的可持续运营。通过创新、巧妙的工程设计和循序渐进的改进，这些团队实现了重要的资源节约，进一步降低了 GF 对环境的影响，并兑现了我们对客户的可持续发展承诺。 全球基金会第三届 "地球周 "的主题是 "ONEGF，一个地球，共同保护"，现在是分享这些成就的最佳时机。全球基金会认识到气候变化是一个前所未有的全球性挑战，以下是我们正在采取的一些有意义的行动。 减少温室气体排放 本周，GF 宣布了一项更快、更宏伟的目标，即在 2021-2030 年间将温室气体排放总量减少 42%，与此同时，公司将继续扩大其全球半导体制造能力。点击此处了解这一令人振奋的消息。 GF 将通过全面提高能效、采用最先进的排放控制技术、扩大替代化学品的使用范围以及在所有工厂使用低碳能源等措施，如期实现减少 42% 排放量的宏伟目标。 2024 年，GF 在我们的工厂完成的项目将产生约 100,000MTCO2e的重复效益，相当于 30,000 英亩成熟林一年的固碳量。 节约用水 半导体制造需要大量用水。尽管我们的工厂并不位于水资源高度紧张的地区，但 GF 非常重视节水，并继续在我们的设施中推广减少、回收和再利用水资源的新方法。2024 年，GF 总用水量的 42% 以上来自重复使用或回收的水。 仅在 2024 年，我们已完成的节水项目每年就可节约超过 224,000 立方米（5900 万加仑）的水，相当于 540 个美国普通家庭一年的用水量。这些新的节水项目与我们在芯片生产流程的各个环节发现和抓住再利用和再循环的机会有关。 减少用电 半导体制造是一个能源密集型过程。节电项目不仅能节省资金，还能减少因生产电力而产生的温室气体排放。 2024 年，GF 的可持续发展和能效措施每年可节约 3,300 万千瓦时 (kWh) 的电力，足以为 3,000 多个美国普通家庭供电。这些努力不仅为 GF 节省了大量能源成本，还降低了温室气体的间接排放量。 这些节约是通过我们在全球工厂开展的众多项目实现的，包括提高冷冻水系统的效率和优化暖通空调系统（HVAC 管理化学品和废物 在我们所有的生产基地，GF 都实施了严格的化学品审查和污染预防计划，以确定减少或消除化学品使用和废物产生的机会。 2024 年，各团队完成了各种项目，总共减少了近 900 公吨危险废物和化学品的使用，相当于每年为公司节省约 800 万美元。 这些项目包括创新的新工艺和新系统、新效率，以及在我们的光刻、清洁和其他制造工具中重复使用或回收材料的新方法。 在 GF 即将于 6 月发布的《2025 可持续发展报告》中，我们将为您提供更多有关上述项目以及其他许多资源保护项目的详细信息。 John Compani 是 GF 公司 EHS 和可持续发展团队的高级技术人员。他常驻纽约马耳他，主要负责 GF 的环境绩效、资源保护和可持续发展工作。
GlobalFoundries 通过基于科学的近期目标加快了温室气体减排承诺的步伐 2025 年 4 月 22 日 为进一步与行业可持续发展目标保持一致，GF 将加快承诺到 2030 年将温室气体排放量减少 42%，并寻求 SBTi 验证 2025 年 4 月 22 日，纽约州马尔他 - GlobalFoundries（纳斯达克股票代码：GFS）（以下简称 "GF"）今天宣布，将加快实现近期温室气体减排目标，加强公司对可持续运营的承诺，并进一步支持包括苹果公司和英飞凌科技公司在内的合作伙伴在可持续发展方面的领先地位。GF 修订后的目标将按照科学目标倡议 (SBTi)标准设定。 GF 正在更新其 "零碳之旅"承诺，加快承诺从 2021 年到 2030 年将温室气体排放总量减少 42%，高于之前 25% 的目标，即使该公司继续扩大其全球半导体制造能力。GF 将通过全面提高能效、采用最先进的排放控制技术、扩大替代化学品的使用以及在其位于美国、德国和新加坡的工厂使用低碳电力等措施，如期实现减少 42% 排放量的宏伟目标。 作为该承诺的一部分，GF 已承诺将其温室气体减排目标与 SBTi 看齐，后者被广泛认为是以科学为基础的碳减排目标的黄金标准。 "应对当今的可持续发展挑战绝非易事，GF 在推进负责任的制造和帮助客户实现可持续发展目标方面有着良好的记录，"GF 首席业务官兼即将上任的总裁兼首席运营官 Niels Anderskouv 说。"我们生产的重要芯片应用于全球无数的技术和设备中。我们对 SBTi 及其有意义的温室气体减排框架的承诺是正确的，也是 GF 成为客户和社区的环保合作伙伴的另一种方式。 通过与苹果公司合作，GF 正在增强其半导体制造业务的可持续性，并进一步减少含氟温室气体的排放，因为含氟温室气体的全球升温潜能值是二氧化碳的数千倍。GF 还与英飞凌合作，制定并实现更宏伟的温室气体减排目标，与英飞凌的 SBTi 计划保持一致，在整个价值链中应对气候变化。 在 GF 与 SBTi 合作实现近期温室气体减排目标的同时，该公司仍致力于实现其先前提出的目标，即到 2050 年实现温室气体净零排放和 100% 碳中性电力。净零排放是全球公认的目标，旨在减少排放并支持环境的长期可持续发展。 在 GF 了解更多有关可持续发展的信息： https://gf.com/about-us/corporate-responsibility 关于 GF GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。每天，我们才华横溢的全球团队都在不懈地专注于安全性、使用寿命和可持续发展，为客户创造成果。欲了解更多信息，请访问 www.gf.com. ©GlobalFoundries Inc.、GF、GlobalFoundries、GF 徽标和其他 GF 标记是 GlobalFoundries Inc.所有其他商标均为其各自所有者的财产。 前瞻性声明 本新闻稿可能包含前瞻性声明，这些声明涉及风险和不确定性。请读者注意不要过分依赖任何这些前瞻性声明。这些前瞻性声明仅在本新闻稿发表之日有效。除非法律要求，否则GF没有义务更新这些前瞻性声明以反映本新闻稿发布日期之后的事件或情况，或反映实际结果。 媒体联系方式： Michael Mullaney[email protected]
GlobalFoundries 宣布召开电话会议，回顾 2025 年第一季度财报 2025 年 4 月 2 日 纽约州马尔他，2025年4月2日（GLOBE NEWSWIRE）- GlobalFoundries公司（纳斯达克股票代码：GFS）今天宣布，将于美国东部时间2025年5月6日星期二上午8:30在发布公司2025年第一季度财报后召开电话会议。 电话会议和网播信息 公司将于美国东部时间 2025 年 5 月 6 日星期二上午 8:30 与金融界举行电话会议。感兴趣者可在此注册，参加预定的电话会议。 公司的财务业绩和电话会议的网播将在GlobalFoundries的投资者关系网站https://investors.gf.com。 关于GF GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。每天，我们才华横溢的全球团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展，为客户创造成果。欲了解更多信息，请访问 www.gf.com。 ©GlobalFoundries Inc.GF、GlobalFoundries、GF标识和其他GF标志是GlobalFoundries公司或其子公司的商标。所有其他商标是其各自所有者的财产。 欲了解更多信息，请联系。 [email protected]
GF 硅锗技术：现代通信的无名英雄 2025 年 3 月 28 日 作者：射频产品线总监 Arvind Narayanan 20 世纪 80 年代末和 90 年代初，在纽约和佛蒙特这两个地球上最不被人看好的地方，一场悄无声息的半导体革命正在形成。由于摩尔定律和硅（Si）CMOS 晶体管的缩小抢占了所有新闻和头条，即使是最书呆子的半导体发烧友也不会不关注。 一群工程师悄然掀起创新浪潮，在硅双极结型晶体管中加入锗（Ge）元素，大大改善了器件特性，有望实现极佳的射频和高速模拟晶体管性能。他们采用分级锗硅锗基晶体管的开创性工作，为 8 英寸晶圆上的硅锗 BiCMOS 技术在商业上取得成功奠定了基础，这些技术适用于各种射频/无线和毫米波通信应用 - 这种成功和广泛采用，只有块状 CMOS、砷化镓（GaAs）和射频绝缘体上硅（SOI）等少数半导体技术才能与之媲美。 在过去的 15 年中，GF 一直走在 SOI 技术创新的前沿，而作为 SiGe BiCMOS 技术进步的火炬手，GF（前身为 IBM Microelectronics）的技术开发人员和工程师已经传承和承担了四十多年的责任。让我们再追溯一下这段历史，重温一下 SiGe 的故事，看看下一步会发生什么，先辈们称其为 "一个坚持不懈的故事"[1]。 GF SiGe 的历史： 一个部分之和大于整体的故事 "一个并不卑微的开始 任何系列的第一部分通常都会给人留下深刻的印象，而 GF 首项商业上成功的 SiGe 技术正好符合这一要求。十多年前，就在智能手机时代开始统治全球之际，名为 SiGe5PAe 的 0.35um SiGe BiCMOS 技术[2]为 SiGe 进入 Wi-Fi 功率放大器（PA）领域奠定了基础。该技术帮助功率放大器设计人员以最低成本实现高输出功率、线性度和效率等技术性能指标（FoM）的最佳组合。 随着 Wi-Fi 需求的增长和新 Wi-Fi 标准对性能要求的日益严格，GF 继续通过各种 SiGe5PAXe 和 SiGe5PA4 版本对基础平台进行改进，包括高电阻率基底选项，从而实现了将射频开关和低噪声放大器 (LNA) 与功率放大器集成在一起的全前端 IC。每种产品都进一步推动了 Wi-Fi 功率放大器性能的发展，在提高功率放大器性能的同时，还增强了功率放大器的可靠性和坚固性，以适应先进的 WiFi 标准。表 1 显示了 GF 350nm SiGe BiCMOS 技术在不同应用和细分市场中的关键特性。 GF 的 0.35um SiGe 技术在高端智能手机和平板电脑上提供了无缝 Wi-Fi 体验，这一不起眼的尝试最终取得了巨大的商业成功。如今，这些技术在智能手机的 Wi-Fi 前端模块 (FEM) 中使用的功率放大器中仍占据主导地位，并在功率放大器前置驱动器等无线基础设施应用中获得了广泛应用。 "太空及太空以外的巨大飞跃" 通常情况下，续集很少比原故事或系列更好。但也有例外，例如 GF 的 130 纳米 SiGe 技术就是无线和有线通信领域多种产品和应用的验证点 [3] [4]。这些技术中的 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 具有高频和高电压处理特性，可用于毫米波和 SATCOM 功率放大器和低噪声放大器、汽车雷达、无线回程和高速模拟接口驱动器等多种应用。. 具体而言，GF 的 SiGe8WL、SiGe8HP 和 SiGe8XP 技术率先将高性能 NPN 晶体管与高质量毫米波和分布式无源器件（如传输线和微带）集成在一起，从而实现了上述应用。 "当征服太空还不够时" 2014 年，GF 凭借领先的 SiGe 创新技术推出了全球首款 90nm SiGe BiCMOS 技术 SiGe9HP [5]，随后又通过 SiGe9HP+ [6]实现了业界领先的 NPN 性能提升。如今，这两种技术结合在一起，形成了市场上最全面、最具竞争力的 SiGe 技术之一。凭借先进的 CMOS 集成以及低损耗金属化和高电压 LDMOS 等一系列特性，该技术实现了最先进的数据中心应用，如用于高速光通信的互阻抗放大器 (TIA) 和驱动器，以及其他高性能模拟应用，如高带宽模数转换器 (ADC) 和太赫兹成像与传感。 "革命没有终结" 随着人工智能时代的到来，人们对更高带宽、更快数据传输速率或更远通信距离的需求日益增长。经过四十年的持续创新，GF 再次为满足现代通信需求的 SiGe 技术的下一次革命做好了准备。最近，GF 在 45nm SOI 平台上发布了业界最高性能的 SiGe HBT（415/600 GHz ft/fmax）[7]，并通过Globalshuttle 多项目晶圆 (MPW) 计划，积极与早期客户合作开发业界首款高性能互补 130nm SiGe BiCMOS 技术 130CBIC。表-4 列出了 130CBIC 的主要特性，这些特性可实现广泛的应用。 展望未来，一个发展方向可能是进一步提高 HBT 的 ft/fmax，以满足数据中心光网络和 Genative AI 应用对先进光收发器的要求。然而，随着 GenAI 逐渐渗入智能手机，射频前端模块或相关元件在现有功率水平下降低功耗或提高射频性能（低噪声和高增益）的需求也就顺理成章了。此外，随着宽带互联网接入不断向全球各个角落延伸，SiGe HBT 的性能和成本也可针对消费类卫星地面终端应用进行优化，帮助下一个 40 亿用户接入互联网。 当 CMOS 在摩尔定律上碰壁时，SiGe 的真正潜力可以进一步释放，并以更大的规模经济实现对射频/高速性能和功能要求苛刻的应用。 如需进一步了解 GF SiGe 技术如何支持您的下一代射频和高性能应用，请随时通过gf.com与我们联系。 Arvind Narayanan 是 GlobalFoundries 射频产品线的产品管理总监。他负责 SiGe 和 RF GaN 战略路线图，并管理相关产品组合。 他在 GlobalFoundries 工作了六年多，担任过多个面向客户的职位。 参考资料 [1] D. L. Harame、B. S. Meyerson，"IBM SiGe 混合信号技术的早期历史"，载于《IEEE 电子器件学报》，第 48 卷，第 11 期，2001 年 11 月。 [2] A. Joseph 等人，"用于功率放大器应用的 0.35 gm SiGe BiCMOS 技术"，IEEE BCTM 2007。 [3] B. A. Orner 等人，"采用 200/280 GHz (fT/fmax) SiGe HBT 的 0.13 µm BiCMOS 技术"，《Proc. IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technol.会议，2003 年，第 203-206 页 [4] P. Candra 等人，"用于毫米波应用的 130nm sige bicmos 技术，具有 260/320 ghz fT / fMAX 的 hbt"，电气与电子工程师协会射频集成电路研讨会，第 381-384 页，2013 年。 [5] J. J. Pekarik 等人，"面向毫米波和高性能模拟应用的 90nm SiGe BiCMOS 技术"，2014 年 IEEE 双极/BiCMOS 电路和技术会议 (BCTM)，美国加利福尼亚州科罗纳多，2014 年，第 92-95 页 [6] U. S. Raghunathan 等人，"90 纳米 BiCMOS 工艺中 SiGe HBT 的性能改进，fT/fmax 为 340/410 GHz"，2022 年 IEEE BiCMOS 和化合物半导体集成电路与技术研讨会 (BCICTS)，美国亚利桑那州凤凰城，2022 年，第 232-235 页 [7] V. Jain 等人，"在 45 纳米 PDSOI BiCMOS 工艺中集成 415/610GHz fT/fMAX SiGe HBT"，2022 年电气和电子工程师学会国际电子器件会议 (IEDM)，第 266-268 页。
