欧洲微波周

2025 年9 月 21-26

RHET

2025 年11 月 3-6

GlobalFoundries 加入世界经济论坛全球卓越制造灯塔网络

GlobalFoundries 新加坡工厂 GlobalFoundries 的新加坡工厂因推进和扩展工业 4.0 技术、利用人工智能和机器学习推动其全球运营的数字化转型而获得世界经济论坛的认可。 全球业务的数字化转型

新加坡,2025年9月16日 --GlobalFoundries(纳斯达克股票代码:GFS)(以下简称 "GF")今天宣布,世界经济论坛(WEF)已将其位于新加坡的300毫米晶圆厂指定为全球先进制造商灯塔网络(GLN)的一部分。这一荣誉称号是对GF在部署和推广第四次工业革命(4IR)技术以推动整个企业运营转型方面的领先地位的认可。

GF 不断努力利用数字化能力来提高安全性、成本、质量和生产率。 通过利用人工智能和机器学习,GF 正在美国、欧洲和亚洲的工厂改造其制造运营,推动更智能、更可持续的生产。自 2020 年以来,GF 利用人工智能、机器学习、物联网和高级分析技术部署了 60 多个智能制造解决方案,在制造成本、质量和生产率方面取得了重大突破。

与此同时,GF 还通过与学术界、解决方案提供商和政府机构建立战略合作伙伴关系,加强更广泛的生态系统。这些合作正在建立一个强大的数字人才梯队,共同开发创新的、面向未来的解决方案。同时,GF 工程师正在自动化、数据驱动的环境中提升技能,并转变为领导智能制造计划和推动创新的角色。

作为全球灯塔网络(GLN)的一部分,GF将继续与全球其他灯塔网站进行交叉学习,并在整个生态系统中推进我们的创新。

"GF总裁兼首席运营官Niels Anderskouv表示:"我们的数字化转型有助于加快GF提供差异化基本芯片的能力,从而推动人工智能的发展和应用,同时满足移动、汽车和物联网等快速发展的市场需求。"通过数字创新重塑运营,我们以敏捷性领先,以速度和可靠性提供值得信赖的高品质半导体产品。这一战略演变为我们的利益相关者带来了可扩展的增长和长期价值。

"世界经济论坛常务董事兼先进制造与供应链中心主任基瓦-阿尔古德(Kiva Allgood)表示:"塑造未来的组织是那些在今天推动全面转型的组织,它们将数字创新、复原力、可持续性、人才发展和以客户为中心的理念融入到所做的一切工作中。"世界经济论坛常务董事兼先进制造与供应链中心主任基瓦-阿勒古德(Kiva Allgood)表示:"祝贺新一届灯塔企业,他们展示了各行业和各细分市场中具有前瞻性思维的企业如何将这一愿景付诸行动,为卓越运营和影响力树立了新的全球标准。

"这一里程碑标志着GF新加坡在GF的全球制造版图中扮演着至关重要的角色,与我们在美国和德累斯顿的世界级工厂并驾齐驱。"在新加坡的GF人工智能卓越中心,我们正在推进从4.0到工业5.0的应用,为当前和下一代人才提供最新的数字化解决方案来重塑我们的劳动力,并通过战略合作伙伴关系建立一个强大的数字化生态系统来推动创新。通过在尖端技术和人才方面的持续投资,GF 巩固了新加坡在先进制造业领域的领先地位,巩固了其作为全球重要半导体制造基地的地位。

关于GlobalFoundries

GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作,为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲,是全球客户值得信赖的可靠供应商。每一天,我们才华横溢的多元化团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展,为客户创造成果。欲了解更多信息,请访问www.gf.com。

©GlobalFoundries Inc.、GF、GlobalFoundries、GF 徽标和其他 GF 标记是 GlobalFoundries Inc.所有其他商标均为其各自所有者的财产。

前瞻性信息

本新闻稿可能包含前瞻性声明,这些声明涉及风险和不确定性。请读者注意不要过分依赖任何这些前瞻性声明。这些前瞻性声明仅在本新闻稿发表之日有效。除非法律要求,否则GF没有义务更新这些前瞻性声明以反映本新闻稿发布日期之后的事件或情况,或反映实际结果。

媒体联系方式:
Luana Low

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Synopsys 和 GlobalFoundries 建立试点计划,将芯片设计和制造带入大学课堂

战略合作提供实用芯片设计经验,培养下一代工程人才

主要亮点

- 启动 "从芯片设计到磁带输出 "流程课程试点,使学术机构能够开展与行业相一致的课程。

- 目前正在全球 40 多所精选大学进行试点测试,并打算扩大规模。

- 结合使用 Synopsys 的 EDA 解决方案和 GlobalFoundries 的技术解决方案,为学生提供宝贵的实际经验。

加州桑尼维尔和纽约州马耳他,2025年9月4日 --Synopsys公司(纳斯达克股票代码:SNPS)和GlobalFoundries公司(纳斯达克股票代码:GFS)(GF)今天宣布开展一项新的合作,面向全球大学推出 "芯片设计到出带 "教育项目。GFLabs和Synopsys学术研究联盟(SARA)的使命是通过研发和学术合作推动半导体创新,而这一试点计划与GFLabs和Synopsys的使命不谋而合,它为研究人员、教授和学生提供了接触真实世界芯片设计和制造的机会。通过大幅降低定制硅片的成本门槛,该计划使学术机构能够将其设计概念转化为可工作的硅片,从而扩大教育、研究和劳动力发展的机会。

全球有 40 所大学参与了今年秋季启动的开源 180MCU 试点项目。Synopsys 将提供全面支持,包括专业级电子设计自动化 (EDA) 工具、培训和利用 Synopsys 云设计平台的设计资料。设计完成后,GF 将通过其 GlobalShuttle 多项目晶圆计划制造芯片,该计划将多个机构的设计汇总到一个晶圆上进行制造。

"Synopsys公司SARA执行总监Patrick Haspel博士表示:"与GlobalFoundries合作,为大学提供完整的'从芯片设计到磁带输出'课程,将改变游戏规则。"这项合作将为学生提供使用先进工具和技术的实际动手经验--这些技能对于推动半导体行业的创新至关重要。我们的合作不仅是在教授设计,更是在培养下一代工程师,他们将塑造硅技术的未来。

随着 Synopsys 和 GF 寻求进一步发展这一劳动力发展计划,下一阶段的带出重点是将这些技术直接带入课堂,并将动手设计和测试嵌入学术课程中。为了让学生在设计课上进行合作,Synopsys 将为教授提供如何引导该课程的培训。在穿梭运行之后,第二门课程将深入课堂测试,并在下学期返回芯片。

"GF 外部研发总监比卡-卡特(Bika Carter)说:"这项计划体现了我们对推动半导体创新和培养下一代人才的坚定承诺。"通过为学生和研究人员提供将他们的设计从概念转化为硅片的机会,我们丰富了芯片设计教育,并帮助塑造了我们行业的未来。我们很荣幸能与 Synopsys 合作,为推动未来突破的人才提供支持。

这项设计赋能合作得到了Synopsys SARA计划的支持,该计划提供软件、云环境、培训和课程,让学生掌握最新技术和学习材料。Synopsys与GF的新合作体现了SARA计划致力于合作开展半导体人才培养计划和在全球范围内培养人才的承诺。除了为参与大学提供基本工具和云环境访问权限外,SARA 计划还将提供全面的课程内容和培训。

Tapeout教育试点只是GF大学合作计划的一个方面,该计划旨在缩小学术界的原型设计差距,扩大新技术的使用范围,以支持半导体行业的技术创新。在与 80 多所大学、110 多位教授和 600 多名学生的合作中,该计划选择了与 GF 研发路线图优先事项相一致的项目,以支持包括射频、雷达、量子计算、硅光子学、传感器等领域的研究突破。

Synopsys 与 GlobalFoundries 的强强联手,将业界领先的 EDA 设计工具与先进的制造技术结合在一起,使学术机构能够为学生提供集成的、真实的半导体工艺之旅。

资源

关于Synopsys

Synopsys公司(纳斯达克股票代码:SNPS)是提供从芯片到系统的工程解决方案的领导者,帮助客户快速创新人工智能产品。我们提供业界领先的硅设计、IP、仿真和分析解决方案以及设计服务。我们与各行各业的客户密切合作,最大限度地提高他们的研发能力和生产力,为今天的创新提供动力,点燃明天的智慧。了解更多信息,请访问 www.synopsys.com。

© 2025 Synopsys, Inc.保留所有权利。Synopsys、Ansys、Synopsys 和 Ansys 徽标以及其他 Synopsys 商标可在 https://www.synopsys.com/company/legal/trademarks-brands.html 上查阅。其他公司或产品名称可能是其各自所有者的商标。

关于GF

GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作,为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲,是全球客户值得信赖的可靠供应商。每一天,我们才华横溢的多元化团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展,为客户创造成果。欲了解更多信息,请访问www.gf.com。

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媒体联系方式

Cara Walker

Synopsys, Inc

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卡西迪-伯杰

GlobalFoundries

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RFSOI 是应对蜂窝射频前端挑战的关键

亚历克斯-马戈梅诺斯 

GlobalFoundries 射频产品管理总监 

全球数据消耗量正在上升,部分原因是采用了生成式人工智能。最新的爱立信移动报告预测,全球移动数据流量将增长 2.3 倍,到 2030 年将达到每月 280 ExaBytes(1018字节)。为了适应这一增长,移动运营商、手机制造商和标准化机构必须集中精力扩大带宽,将每个信道的多个数据流结合起来,并改进每个符号的数据压缩。  

这些战略在蜂窝标准的发展过程中一直在实施,随着技术向 6G 的发展,预计这些战略还将继续实施。例如,5G 在 3-6 GHz 和毫米波频率范围内引入了额外的频段,加强了多输入多输出(MIMO)空间多路复用的实施,采用了先进的波束转向技术,并促进了更复杂的调制方案。此外,5G 还提高了载波聚合的利用率,使来自单个或多个频段(包括与 4G LTE 频段的双连接)的连续和非连续带宽能够结合在一起,以获得更大的数据吞吐量。  

这种方法加上该标准在数字和波形方面固有的灵活性和可扩展性(如可扩展的子载波间隔、时隙持续时间和传输带宽),提高了满足日益增长的数据需求所需的频谱效率。 

提供所有这些功能对射频前端提出了很高的要求,随着向 6G 的发展,这些要求预计会越来越高。这些要求包括 

  • 支持更多频段需要更多的滤波器和射频元件,这使得在保持设备外形和尺寸不变的情况下实现小型化和集成变得越来越困难。 
  • 频带越多,距离越近,对干扰的容忍度就越低,这就需要改进滤波器和线性度更高的元件,从而在发射器和接收器中产生更低的谐波。  
  • 新的频段、灵活的数字技术和载波聚合频段组合的增加,使得频段选择、天线选择和天线调谐的开关增多。 

GF 的 RFSOI 技术在应对蜂窝交换机和低噪声放大器的这些挑战方面一直处于领先地位。2024 年,我们推出了第四代RFSOI 平台 9SW。在其前身 8SW RFSOI 技术的基础上,9SW 在前端模块的性能、集成度和面积优势方面都有显著提高。9SW 基于 90 纳米后端光刻技术,为缩小数字电路和开关的尺寸提供了重要机会。它增强了 Ron*Coff 性能,提高了功率处理能力。除开关和低噪声放大器器件外,该平台还包括全套逻辑和模拟 FET、电路 IP、多种电容器和电阻器选项以及完整的射频设计功能。最后,它还包括 4 种金属堆叠选项,具有 3 至 5 层金属布线,包括可实现高质量电感器和低损耗传输线的超厚金属。  

除核心产品外,我们还不断更新 9SW 平台,增加新功能,以提高性能。今年 8 月,我们推出了提供模拟电路面积压缩、低漏电开关器件和新型无源元件的其他功能。除此之外,我们还计划今后每年发布新功能,以进一步提高开关功率处理、Ron*Coff 和低噪声放大器的性能。  

支持更多频段(随着我们开始进入 6G,这种情况只会越来越多)增加了对智能手机小型化和集成化的需求。为此,我们推出了9SW-SlateTM技术。  

借助 9SW,我们的9SW-SlateTM 技术利用两个粘合的 9SW 晶圆来缩小芯片尺寸,同时不影响其性能。通过这种方法,我们可以在高堆叠配置中折叠大型开关 FET,在保持开关性能的同时,将整体芯片面积减少达 45%。  

除了发布该技术并通过参考设计展示其性能外,我们还在开发设计辅助工具,以帮助设计人员将二维电路迁移到三维,加快原型设计并缩短设计周期。 

如果您有兴趣进一步了解 9SW 以及 GlobalFoundries 在 RFSOI、SiGe 和 RF GaN 方面的其他射频产品,请参加即将在圣克拉拉、上海和慕尼黑举行的 GF 技术峰会,以及在华盛顿特区为航空航天和国防客户举办的 GlobalFoundries 技术培训。 

Alex Margomenos 负责 GlobalFoundries 射频产品线的产品管理。射频产品线包括 RFSOI、RF GaN 和 SiGe 技术,为蜂窝射频前端、卫星通信、航空航天和国防以及蜂窝基础设施提供支持。他已在 GlobalFoundries 任职四年。此前,他曾在 Apple、英特尔、英飞凌和 HRL 实验室担任管理和个人贡献者职位。     

格罗方德任命胡维多为中国区总裁,助力本土业务拓展

半导体行业资深专家将推动公司在华业务发展与战略合作伙伴关系建设

中国,上海,202591日——格罗方德(GlobalFoundries)今日宣布,任命半导体行业资深人士胡维多(Victor Hu)为销售副总裁兼中国区总裁。胡维多拥有超过25年半导体及技术领域领导经验,他将负责公司在中国这一关键增长市场的战略规划、新业务拓展以及合作伙伴关系建设。

格罗方德的中国战略旨在满足中国原始设备制造商(OEM)、无晶圆厂客户以及服务中国市场的跨国公司对本地生产芯片日益增长的需求。为此,公司正逐步深化本地布局,包括:扩大办公规模,并在北京和广州开设新办公室;通过其在广州的制造生态系统合作伙伴增芯科技实现本地生产;丰富其设计服务提供商网络,提供针对格罗方德技术量身定制的增值服务。

胡维多在Qorvo、宏达国际电子(HTC)和博通(Broadcom)任职期间,展现了推动增长、优化运营及构建战略伙伴关系的卓越能力。在他最近担任Qorvo大中华区及亚太区销售副总裁期间,曾主导了一系列市场拓展项目,显著提升了该地区市场份额,并推动了业务的变革性拓展。胡维多兼具工程和商业背景,拥有深厚的商业和技术专业知识,这使他成为引领格罗方德在中国下一阶段增长的理想人选。

格罗方德总裁兼首席运营官尼尔斯·安德斯库夫(Niels Anderskouv)表示:「格罗方德始终致力于维持可靠且地域多元化的全球制造布局。中国是我们持续创新的关键地区,也是我们为客户提供安全、核心芯片的重要生产基地,满足客户在指定地点生产的需求。我们非常高兴欢迎胡维多加入格罗方德领导团队。他丰富的行业知识和领导经验,将助力我们继续加强客户关系,提升本地制造能力。」

格罗方德中国区总裁胡维多表示:「我很荣幸能在这样一个激动人心的时刻加入格罗方德。中国的半导体产业正迅速发展,我期待与我们的合作伙伴、客户以及本地团队紧密合作,延续公司的发展势头,加速格罗方德在中国市场的业务增长。」

此次人事任命、业务扩张以及本地制造合作,共同彰显了格罗方德深耕中国的承诺,以及其满足中国OEM和无晶圆厂客户对本地制造芯片需求增长的策略,同时通过为在中国的跨国客户提供高质量、成熟节点的制造服务,支持全球供应链的韧性发展。

关于格罗方德

格罗方德(GlobalFoundries)是全球领先的半导体制造商之一,致力于为人们的生活、工作和互联提供核心支持。我们通过创新与客户紧密合作,为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场交付更高能效、更高性能的产品。我们的全球生产足迹跨越美国、欧洲和亚洲,是全球客户信赖的技术来源。格罗方德拥有一支才华横溢的全球团队,他们始终以安全、持久和可持续为核心目标,全力交付卓越成果。欲了解更多信息,请访问www.gf.com

©GlobalFoundries Inc.、GF、GlobalFoundries、GF徽标和其他格芯标记是 GlobalFoundries Inc. 或其子公司商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

GlobalFoundries 宣布量产用于高性能智能移动、通信和工业应用的 130CBIC SiGe 平台 

业内首款高性能互补 BiCMOS 技术为重要市场和应用带来性能和功耗优势

2025年8月28日,加利福尼亚州圣克拉拉市--今天,在加利福尼亚州举行的年度技术峰会上,GlobalFoundries(GF)(纳斯达克股票代码:GFS)宣布量产130纳米互补双CMOS(CBIC)平台,这是该公司迄今为止性能最高的硅锗(SiGe)技术。

130CBIC 现可通过工艺设计工具包 (PDK) 进行设计,其 NPN 晶体管的频率超过 400 GHz ft/fmax,PNP 晶体管的频率超过 200 GHz,性能无与伦比,是唯一能够满足智能手机、无线基础设施、光网络、卫星通信和工业物联网等多个关键市场需求的高性能 SiGe 平台。

130CBIC 由 GF 位于佛蒙特州伯灵顿的工厂开发和制造,经过优化,可在降低成本的同时,突破连接应用中射频性能的极限。对于蜂窝智能手机,该平台可实现低噪声放大器 (LNA),在降低电流消耗的同时保持超低噪声系数,有助于减少电池消耗。在数据中心,该平台的高性能 PNP 晶体管可实现创新的放大器拓扑结构,以较低功耗为高速模拟和光网络提供高增益带宽。该平台还支持超过 100GHz 的先进毫米波工业雷达应用,以更小的外形尺寸实现高分辨率传感和测距。

"GF 射频产品线高级副总裁 Shankaran Janardhanan 表示:"130CBIC 是我们 SiGe 路线图中的一个重要里程碑,为依赖先进射频技术实现高速、高能效连接的广泛高增长市场树立了新的性能基准。"通过将业界领先的晶体管性能与低掩模数工艺相结合,我们为客户开辟了射频创新的新途径,使他们能够更快地将新技术推向市场。

130CBIC 可通过 GF 的GlobalShuttle 多项目晶圆计划进行原型设计,该计划将持续到 2025 年和 2026 年。射频参考设计可通过 GF 的自助式 GF Connect 门户网站获得,以帮助启动设计流程。

关于GF

GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作,为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲,是全球客户值得信赖的可靠供应商。每天,我们才华横溢的全球团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展,为客户创造成果。欲了解更多信息,请访问 www.gf.com。

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本新闻稿可能包含前瞻性声明,这些声明涉及风险和不确定性。请读者注意不要过分依赖任何这些前瞻性声明。这些前瞻性声明仅在本新闻稿发表之日有效。除非法律要求,否则GF没有义务更新这些前瞻性声明以反映本新闻稿发布日期之后的事件或情况,或反映实际结果。

媒体垂询

斯蒂芬妮-冈萨雷斯

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GlobalFoundries 宣布面向无线连接和人工智能应用推出 22FDX+ RRAM 技术 

GF 嵌入式存储器产品组合中的最新技术现已可用于原型开发 

GlobalFoundries(纳斯达克 股票代码:GFS)(GF)今天在加利福尼亚州举行的年度技术峰会上宣布推出采用电阻式 RAM(RRAM)技术的 22FDX+,标志着公司嵌入式非易失性存储器(eNVM)解决方案组合取得了重大进展。新的 RRAM 技术与高性能、超低功耗的 22FDX® 平台相结合,可为无线微控制器和人工智能物联网应用的代码存储提供安全、低延迟、高密度的嵌入式存储器。 

GF 的嵌入式 RRAM 采用业界公认的 OxRAM 技术设计,具有低功耗读/写、高耐用性和出色的保持能力,是经济高效的存储器。与 GF 增强型 22FDX 平台的片上集成可提高数据保持率、可靠性、安全性和能效,为智能互联设备打造紧凑、多功能的片上系统 (SoC) 解决方案。 

RRAM 的高密度和可扩展性非常适合依赖边缘高性能智能的人工智能物联网设备,如传感器、可穿戴设备和工业系统。22FDX+ RRAM 还能为神经网络提供权重存储,从而实现更有效、更复杂的网络。 

"GF超低功耗CMOS产品线高级副总裁Ed Kaste表示:"我们很高兴将22FDX+ RRAM加入到GF不断增长的差异化技术组合中,这些技术具有边缘高能效互联智能所需的先进功能。"我们的最新解决方案在密度、性能和能效方面实现了引人注目的完美结合,非常适合应对下一代人工智能和互联设备的挑战。 

"Nordic Semiconductor 短距离执行副总裁 Oyvind Strom 表示:"GlobalFoundries 是 Nordic Semiconductor 的重要合作伙伴,因为我们正在为下一代互联产品和人工智能设备推动超低功耗无线解决方案的发展。"我们欢迎 GF 推出嵌入式 RRAM,认为这是实现安全、可扩展和高能效边缘智能的重大进步。这种通过弹性全球供应链提供的创新对于满足互联系统对性能、可靠性和可持续性日益增长的需求至关重要。 

22FDX+ RRAM 的宏观初步设计工具包可通过 GF 的自助式 GF Connect 门户网站获取,以帮助启动设计流程。在几家关键客户的推动下,预计将于 2026 年实现量产。未来几代嵌入式 RRAM 技术和其他平台的部署正在开发中。 

关于 GF  

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媒体联系方式:Stephanie Gonzalez
斯蒂芬妮-冈萨雷斯 

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GlobalFoundries 和 Silicon Labs 携手扩展业界领先的 Wi-Fi 连接能力 

整个半导体价值链的战略合作可确保为下一代消费物联网提供安全可靠的基本芯片供应 

2025年8月28日,加利福尼亚州圣克拉拉市--今天,在加利福尼亚州举行的年度技术峰会上,GlobalFoundries(纳斯达克股票代码:GFS)(以下简称 "GF")宣布,通过与低功耗无线领域的领先创新者Silicon Labs合作,其40纳米工艺技术取得了里程碑式的进展,基于GF 40LP平台的Silicon Labs Wi-Fi单元出货量已超过1000万个。包括 Silicon Labs 的 SiWX917 Wi-Fi 6 芯片在内的 40LP 无线 SoC 的规模化生产为下一代高性能、高能效的联网设备奠定了基础。 

此次合作的核心是 GF 广泛的高性价比、功能丰富的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 解决方案组合,可为下一代边缘设备提供合适的功能。经过硅验证的 GF 40LP 工艺技术在待机模式下具有低漏电特性,可支持高能效、始终在线的智能设备。40LP 平台是 GF 先进传感应用技术产品组合中不可或缺的一部分,可提供出色的噪声信号比,确保为实时监控提供准确的数据捕获。 

Silicon LabsSiWX917是一款单芯片解决方案,旨在解决电池供电的物联网设备所面临的最关键挑战:延长电池寿命,同时保持持久、安全的连接。这款专为物联网设计的 Wi-Fi 6 芯片将 GF 的卓越制造能力与全球最普及的无线网络相结合,使 Silicon Labs 能够连接整个物联网价值链。 

这种合作关系展示了高性能无线技术如何既能拓展物联网生态系统,又能创造消费者所期待的直观、一致的用户体验。 

"GF 功能丰富的 CMOS 产品线高级副总裁 Kamal Khouri 表示:"我们的承诺是提供基础制造技术,让创新者能够在消费物联网等高增长市场中突破极限。"我们非常自豪地看到,我们的差异化平台使 Silicon Labs 能够提供顶级品牌所依赖的高性价比、高性能解决方案。 

"长期以来,设备制造商不得不在强大的 Wi-Fi 连接性和较长的电池寿命之间做出选择。Silicon Labs 副总裁 Irvind Ghai 说:"我们的使命就是消除这种妥协。"我们与 GlobalFoundries 的合作使我们能够为下一代联网设备大规模提供安全、可靠的 Wi-Fi 连接。这使创新者能够专注于无痛上机和客户期待的流畅用户体验,同时更快地将产品推向市场。 

关于GF 

GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作,为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲,是全球客户值得信赖的可靠供应商。每天,我们才华横溢的全球团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展,为客户创造成果。欲了解更多信息,请访问www.gf.com。  

媒体联系方式 

斯蒂芬妮-冈萨雷斯 

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关于 Silicon Labs 

Silicon Labs(纳斯达克股票代码:SLAB)是低功耗连接领域的领先创新者,致力于构建连接设备和改善生活的嵌入式技术。Silicon Labs 将尖端技术与世界上集成度最高的 SoC 相结合,为设备制造商提供创建先进边缘连接应用所需的解决方案、支持和生态系统。Silicon Labs总部位于德克萨斯州奥斯汀,业务遍及16个国家,是智能家居、工业物联网和智慧城市市场创新解决方案值得信赖的合作伙伴。了解更多信息,请访问silabs.com。 

编者注:Silicon Labs、Silicon Laboratories、"S "符号、Silicon Laboratories 徽标和 Silicon Labs 徽标均为 Silicon Laboratories Inc.本文提及的所有其他产品名称可能是其各自持有人的商标。  

如需了解更多信息:联系 -[email protected]

硅基氮化镓:可扩展的未来无线基础设施

作者:马克-奎松

GlobalFoundries 无线基础设施与卫星通信总监

在 5G 扩展以及视频流、游戏和物联网连接等高需求应用的推动下,全球移动网络数据流量持续上升。最新的《爱立信移动性报告》显示,从 2024 年第一季度到 2025 年第一季度,移动网络数据流量增长了 19%,加上固定无线接入(FWA)流量,预计到 2030 年,移动网络数据流量将增长近两倍,达到每月 420 艾字节[1]。流量激增的原因是连接设备增多和用户平均数据消耗量增加,而更好的流媒体质量、云游戏、人工智能应用程序和扩展现实技术则进一步推动了流量激增。扩大频谱,尤其是 6 GHz 以上的频谱,对于支持数据增长、提高无线容量和覆盖范围至关重要。随着对高性能无线连接的需求不断增长,高效、可扩展的射频技术对降低成本至关重要。随着网络从 5G 发展到 6G,基础设施必须处理更高的频率、更大的带宽和更高的密度,这就需要同时优化性能和成本的解决方案。

硅基氮化镓(GaN-Si)--一种将氮化镓的高功率效率与硅的可扩展制造相结合的技术,通过降低成本和加快部署,为下一代无线接入网络的广泛应用铺平了道路。碳化硅基氮化镓(GaN-SiC)因其高效率、出色的热传导性和高功率密度,一直是6GHz以下5G功率放大器(PA)的首选,而GaN-Si现在则被定位为射频应用的高性价比、大批量解决方案。

GF 将氮化镓-硅定位为下一代无线通信创新的关键推动力,而不仅仅是替代品,从而推动了下一波无线基础设施的发展。

射频挑战:频率更高、带宽更宽、效率更高

随着无线基础设施从 5G 发展到 6G,复杂性也随之上升。移动网络运营商(MNO)和原始设备制造商现在需要支持更高的频率、更宽的带宽和更密集的网络,同时需要降低成本和功耗,以实现盈利性部署。根据三星公司 2024 年 8 月的一份报告,在 FR1 n104(6.425-7.125 GHz)和 FR3(7.125-24.25 GHz)频段工作的无线电设备的天线元件数量预计将比目前的 5G sub-6GHz 无线电设备至少增加一倍[2]。在相同的无线电总输出功率下,更多的天线元件可降低每根天线的输出功率需求,从而使氮化镓-硅(GaN-Si)比氮化镓-碳化硅(GaN-SiC)等高性价比解决方案更受青睐。更高的频率允许更近的天线间距,从而在现有的基底面上安装更多的单个天线元件,但同时也增加了半导体数量和 BOM 成本。由于功率放大器输出要求的降低,无线电架构的这一演变使得氮化镓-硅的使用成为可能,并确立了氮化镓-硅在降低成本方面替代氮化镓-碳的领先地位。

氮化镓-硅:提高性能和可扩展性

GaN-Si 能够将氮化镓外延集成到大直径、高产能的 200 毫米硅晶片上,并利用先进 CMOS 技术所使用的相同制造基础设施。这释放了关键优势:

  • 如上所述,通过规模经济降低每个射频设备的成本
  • 现有硅工厂的生产量提高
  • 通过异构集成或三维堆叠,有可能集成多个电路块

虽然碳化硅衬底具有更好的导热性,但与氮化镓-碳化硅相比,氮化镓-硅的材料和加工成本更低,因此非常适合大规模 MIMO 和小基站等大批量应用,支持经济高效的 RAN 扩展。氮化镓-硅在 5G FR1(3.3-7.125 GHz)和 6G FR3(7.125-24.25 GHz)中高级频段也实现了相当的射频性能。

在 GlobalFoundries,我们使硅基氮化镓能够支持广泛的基础设施应用:

  • C 波段(n77/n78)和 n79 大容量 MIMO 无线电设备
  • 5G 小蜂窝和开放式 RAN 平台
  • 需要宽带、高线性度和高效功率放大器的 6G FR3 架构

凭借硅基可扩展性,氮化镓-硅也是共同封装射频解决方案和混合集成的理想选择,这些都是下一代无线基础设施平台的关键。

携手共创未来:GF 的氮化镓-硅路线图

在 GlobalFoundries,我们正在为下一个十年的无线创新奠定基础。我们的硅基氮化镓射频平台采用 200 毫米晶圆,旨在为无线基础设施供应商加快产品上市时间。

我们正在与生态系统合作伙伴合作,推动封装、热管理和射频电路设计方面的创新,确保氮化镓硅不仅能满足当今的 5G 需求,还能应对 6G 在频率、带宽、功率和效率方面的挑战。通过 GF 的多项目晶圆 (MPW) 计划 GlobalShuttle,客户能够以高效、经济的方式评估射频氮化镓硅技术的潜力,从而加快产品开发周期,缩短产品上市时间。

随着无线网络的不断发展,无线基础设施供应商必须采用在性能和可制造性之间取得平衡的技术。虽然氮化镓-碳化硅(GaN-SiC)仍然适用于利基、超高功率应用,但氮化镓-硅(GaN-Si)却是可扩展、高效率 RAN 部署的必由之路。通过向氮化镓-硅过渡,移动运营商和原始设备制造商可以释放氮化镓技术的优势,而不受传统衬底材料的经济限制。GlobalFoundries 很荣幸能够站在这一过渡的前沿,以可扩展的高效射频技术为无线未来提供动力。

[1]:爱立信 2025 年 6 月移动性报告 

[2]:2024 年 8 月三星研究报告 

Mark Cuezon 是 GlobalFoundries 的无线基础设施和 SATCOM 终端市场总监,负责推动下一代无线连接网络和平台的战略发展和客户参与。