先进的8SW 300毫米SOI技术为4G LTE移动和6GHz以下5G应用提供了经济高效、高性能的射频前端模块

加州圣克拉拉，2017年9月20日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布推出业界首个在300毫米晶圆上制造的射频SOI代工解决方案。该公司最先进的射频SOI技术--8SW SOI，为4G LTE和6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块（FEM）提供了明显的性能、集成和面积优势。

GF的新8SW技术提供了一种低成本、低功耗、高度灵活的解决方案，在300毫米生产线上具有卓越的开关、低噪声放大器（LNA）和逻辑处理能力。该技术与上一代技术相比，功率降低了70%，具有更高的电压处理能力，具有同类最佳的导通电阻（Ron）和关断电容（Coff），可在高隔离度下降低插入损耗，全铜互连可提高功率处理能力。

"Skyworks副总裁兼高级移动解决方案总经理Joel King表示："Skyworks将继续利用我们广泛的系统专业知识，为全球客户带来高度定制的解决方案。"我们与GF的合作使Skyworks提前获得了一流的开关和LNA技术，这将进一步推动下一代移动设备和不断发展的物联网应用的射频前端。"

"我们现在生活在一个智能互联的世界里，人们期望并要求到处都有无缝、可靠的数据连接，"GF射频业务部高级副总裁Bami Bastani说。"但这只会越来越难实现，因为前端必须越来越能够处理许多不同的频段和许多不同类型的射频信号，同时还要有集成的数字处理和控制。作为射频行业的领导者，我们专门开发了新的8SW工艺，以帮助客户满足他们最迫切的需求"。

基于300毫米射频硅绝缘体（SOI）的技术为设计者提供了一个具有成本效益的平台，它是性能、集成度和功率效率的最佳组合，具有更大的数字集成能力。GF的8SW技术采用了专门的衬底优化，最大限度地提高了无源器件的品质因数，减少了有源电路的寄生电容，并将工作在亚GHz频率范围内的器件的相位和电压摆幅差异降至最低。该技术展示了一种优化的LNA，具有领先的噪声系数和高ft/fmax，支持当今4G工作频率和未来6GHz以下5G FEM的分集接收和主天线路径LNA应用。

先进的8SW技术是在GF位于纽约州东菲什基尔（East Fishkill）的300毫米生产线上制造的，为业界提供了以较低的成本满足预期市场需求的制造能力。现在可以提供工艺设计套件。

关于GF的射频SOI解决方案的更多信息，请联系您的GLOBALFOUNDRIES销售代表或访问www.globalfoundries.com。

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GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。

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联合开发的14HP工艺是世界上唯一同时利用FinFET和SOI的技术

加州圣克拉拉，2017年9月20日 - GLOBALFOUNDRIES目前正在批量交付其14纳米高性能（HP）技术，该技术将支持IBM的下一代服务器系统的处理器。联合开发的14HP工艺专门用于提供IBM所需的超高性能和数据处理能力，以支持其在大数据和认知计算时代的云、商业和企业解决方案。IBM于9月13日宣布IBM Z全面上市。

14HP是业界唯一在硅绝缘体（SOI）衬底上集成三维FinFET晶体管架构的技术。该技术具有17层金属堆栈，每块芯片有80多亿个晶体管，利用嵌入式DRAM和其他创新功能，提供更高的性能，降低能耗，并比前几代产品有更好的面积扩展，以解决广泛的深度计算工作负载。

14HP技术为运行IBM最新的z14大型机的处理器提供动力。底层半导体工艺使IBM客户能够实现大批量工作负载的大规模交易，将机器学习应用于他们最有价值的数据，并迅速获得可操作的见解，以实现智能决策--同时提供普遍的加密，提供最终的数据保护。

"GlobalFoundries一直是开发定制半导体技术的战略合作伙伴，以实现我们最新的服务器系统的处理器的苛刻要求，"IBM Z总经理Ross Mauri说，"我们很高兴将这种14HP技术引入我们的IBM Z产品系列。"

"GF和IBM在开发和制造超高性能SOI芯片方面拥有无与伦比的传统，"GF全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan说。"这种新一代的14HP处理器是我们的工程团队为满足新一代服务器系统的需求而进行密切合作的又一例证。"

"14HP技术利用了我们位于纽约州萨拉托加县的Fab 8工厂成熟的14纳米FinFET大批量生产经验，"GF高级副总裁兼Fab 8总经理Tom Caulfield说。"我们正处于大批量生产阶段，客户的设计范围广泛，涉及各种应用。我们成熟而多样的制造能力将使IBM能够将其最新的处理器设计推向市场，为其广泛的客户群提供服务。"

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随着向5G的过渡，技术平台在实现 "互联智能 "的新时代方面具有独特的地位

加州圣克拉拉，2017年9月20日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布了其对一系列技术平台的愿景和路线图，旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。该公司为一系列5G应用提供了业界最广泛的技术解决方案，从集成的毫米波前端模块（FEM）、收发器和基带芯片到用于移动和网络的高性能应用处理器。

随着世界变得更加依赖数字信息，预计连接性将推动巨大的增长，到2020年估计将有84亿台连接设备。5G将成为帮助网络实现人与联网机器之间零距离连接的关键推动因素。5G无处不在的连接性、令人难以置信的吞吐量和极快的速度将使应用程序能够充分利用云的处理能力。

"在GF，我们预计从4G到5G的过渡将像从语音到数据的过渡一样具有颠覆性，"GF首席执行官Sanjay Jha说。"5G将改变所有行业，而我们的客户已经在为未来做准备。这就是为什么我们不断推动技术前沿，提供丰富的技术组合，以满足为5G等颠覆性技术实现互联智能的应用要求。"

"The Linley Group首席分析师Linley Gwennap说："5G的愿景是实现具有高数据吞吐量、高用户密度和小于5ms网络延迟的超可靠通信。"GF广泛的产品组合和经验使该公司能够很好地满足这些网络的需求，因为它们过渡到支持5G，从设备一直到数据中心以及中间的一切。"

GF拥有一系列区别于市场的解决方案，以满足5G应用的性能标准。公司的技术路线图包括RF-SOI、硅锗（SiGe）、RF CMOS和先进CMOS节点的产品，以及广泛的ASIC设计服务和IP。

GF的5G端到端解决方案

GF的5G解决方案是该公司开发和提供下一波技术的愿景的一部分，旨在为下一代设备、网络和有线/无线系统实现互联智能。这些特定应用的解决方案通过支持广泛的功能来解决客户对5G的各种看法，从超低能耗的传感器，到具有持久电池寿命的超高速设备，再到支持片上存储器的更高水平的集成。

• 5G毫米波前端模块。GF的RF-SOI和SiGe解决方案（130纳米-45纳米）为FEM和集成功率放大器（PA）应用提供了性能、集成度和功率效率的最佳组合。GF的mmWave解决方案设计用于在mmWave和sub-6GHz频段之间运行，公司的路线图中还包括其他mmWave频段。客户现在可以开始优化他们的芯片设计，为5G和毫米波相控阵应用的射频前端的高性能开发差异化解决方案。
• 5G毫米波收发器和基带处理。GF的FDX技术（22纳米和12纳米）为5G收发器提供了最低功率的解决方案和最小的尺寸，在单个芯片上集成了射频、ADC、数字基带和存储器。其他特点包括独特的背栅偏压能力，可实现新颖的架构和可重新配置的操作。这些优化的解决方案为客户提供了一个灵活而经济的解决方案，在5G基站、卫星、雷达和其他高性能应用中整合毫米波收发器和基带处理。用于毫米波的FDX将于2018年通过GF及其全球合作伙伴上市。
• 先进的应用处理：GF 基于 FinFET 工艺的先进 CMOS 技术为下一代智能手机处理器、低延迟网络和大规模 MIMO 网络提供了性能、集成度和能效的最佳组合。GF 现已推出先进的 CMOS 解决方案。
• 5G无线基站的定制设计。该公司的特定应用集成电路（ASIC）设计系统（FX-14和FX-7）通过支持高速SerDes上的无线基础设施协议、集成先进封装的解决方案、单片机、ADC/DAC和可编程逻辑，实现优化的5G解决方案（功能模块）。5G解决方案包括32G BP和32G SR SerDes，支持CPRI、JESD204C标准。它还包括先进的封装解决方案，如2.5D和MCM，具有毫米波能力的ADC/DAC数据转换器和数字前端（DFE）。FX-14今天就可以向客户提供，而FX-7预计将在2019年进行批量生产。

这些5G解决方案可以通过GF及其全球合作伙伴获得。目前，GF正在与客户合作，帮助支持原型系统在未来几年的部署试验。

无与伦比的射频领导地位

GF在RF-SOI和SiGe工艺方面都有很深的造诣，在了解下一代射频通信架构方面的制造传统和技术专长，使得RF SOI和SiGe芯片的出货量超过了320亿颗。

为了满足全球对5G解决方案的加速需求，GF正在扩大其位于East Fishkill的300毫米晶圆厂的生产能力，并在其200毫米新加坡晶圆厂增加新的能力，以生产其行业领先的RF-SOI技术。

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"5G毫米波市场的一个主要挑战是了解生产商业上可行的相控阵天线的方法。我们相信，GF的RF SOI和SiGe技术的领先性使Anokiwave能够开发出差异化的毫米波解决方案，以迎接毫米波5G网络的产业化。"
Anokiwave首席执行官Robert Donahue

百灵鸟

"近三十年来，Peregrine的UltraCMOS®技术平台一直处于RF-SOI性能的最前沿，自2013年以来，我们与GLOBALFOUNDRIES的合作进一步使Peregrine推动了RF-SOI技术的发展。随着5G的到来，Peregrine很高兴看到GF致力于5G路线图，这将支持Peregrine的高度集成的5G解决方案。"
Peregrine半导体公司首席技术官Jim Cable。

高通公司

"多年来，Global Foundries与高通技术公司在广泛的工艺节点上建立了牢固的代工关系。我们很高兴看到5G能给行业带来什么，并期待着看到它的发展。"
高通技术公司执行副总裁兼高通CDMA技术总裁克里斯蒂安诺-阿蒙

天工开物

"随着我们的客户对移动体验的要求越来越高，对一个强大的制造伙伴的需求比以往任何时候都要大。我们很高兴有GF这样的合作伙伴，他们专注于提供我们可以利用的技术，为5G市场提供强大的、适合未来的射频解决方案，范围包括移动连接和无线基础设施以及物联网。"
Skyworks Solutions, Inc.首席技术官Peter Gammel。

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战略性里程碑，有助于保证FD-SOI技术的安全、大批量供应

加州圣克拉拉和法国伯宁（格勒诺布尔），2017年9月20日 - GLOBALFOUNDRIES和Soitec今天宣布，双方已达成一项为期五年的协议，以确保最先进的全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）晶片的批量供应。该协议扩展了目前的合作关系，为两家公司加强FD-SOI供应链并帮助确保大批量制造奠定了坚实的基础。

在两家公司的领导下，FD-SOI已经成为大批量消费、物联网和汽车应用中高性价比、低功耗器件的标准技术。该协议立即生效，建立在两家公司现有的密切关系之上，保证了GF的22纳米FD-SOI（22FDX®）技术平台的晶圆供应。

"GF全球运营高级副总裁John Docherty表示："GLOBALFOUNDRIES正在提供业界领先的超低功耗、按需性能的FD-SOI解决方案，并提供对成本敏感的制造方案。"有了Soitec作为长期战略合作伙伴，这项协议确保了安全供应，以满足当前和未来客户的大批量产能需求。"

"Soitec首席执行官Paul Boudre表示："这项协议代表了一个重要战略客户的长期承诺，进一步加强了FD-SOI供应链，并确认了大批量采用。"Soitec已做好充分准备，支持GF实施和发展22FDX和12FDX作为FD-SOI标准承载者的长期计划。这项战略协议的晶圆数量非常可观，反映了GF对Soitec的强大信心，因为我们正在建立所需的产能，以满足日益增长的FD-SOI需求。"

FD-SOI半导体技术之所以能够实现，是因为许多公司共同致力于在器件和衬底层面上取得突破性进展。GF和Soitec进行了非常密切的合作，以确保在开发晶圆厂FDX平台时以合适的成本获得标志性的FD-SOI性能优势。FD-SOI工艺技术的基础是采用Soitec行业标准的Smart Cut™技术制造的超薄SOI衬底，以产生高质量和高均匀性的超薄层。

在智能手机、汽车电子和物联网（IoT）应用中，FD-SOI提供了最佳的功率、性能、面积和成本（PPAC）优化的先进平面技术，正在迅速成为电池供电、无线和联网设备的新主流工艺技术。这项协议将确保为快速增长的全球生态系统提供有效的需求支持，而GF的22FDX技术在市场上的成功应用则为该生态系统提供了动力。

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关于Soitec

Soitec（Euronext，Tech 40 Paris）是设计和制造创新半导体材料的世界领导者。该公司利用其独特的技术和半导体专业知识为电子行业服务。Soitec在全球拥有3000多项专利，其战略是基于颠覆性的创新，以满足其客户对高性能、高能效和高成本竞争力的需求。Soitec在欧洲、美国和亚洲设有生产设施、研发中心和办事处。欲了解更多信息，请访问www.soitec.com，并在Twitter上关注我们。@Soitec_EN

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技术解决方案为下一代大批量无线和物联网应用提供 "互联智能"，功耗更低，成本大幅降低

加州圣克拉拉，2017年9月20日 -GLOBALFOUNDRIES今天宣布为下一代无线和物联网芯片组提供射频/模拟PDK（22FDX®-rfa）解决方案，为5G、汽车雷达、WiGig、SatComm和无线回程等新兴大批量应用提供mmWave PDK（22FDX®-mmWave）解决方案。

这两种解决方案都是基于公司的22纳米FD-SOI平台，该平台提供了高性能射频和毫米波以及高密度数字的组合，支持集成的单芯片系统解决方案。该技术在低电流密度和高电流密度下都能提供最高的fT和fmax，适用于需要尖端性能和功率效率的应用，如LTE-A、NB-IOT和5G蜂窝收发器、GPS WiFi和WiGig组合芯片、各种物联网和集成eMRAM的汽车雷达应用。

"GF CMOS业务部高级副总裁Gregg Bartlett说："随着客户在智能互联设备方面的发展，GF正在通过增加FDX系列的差异化产品来推动他们的发展。"快速发展的主流移动和物联网市场需要射频和模拟方面的创新。GF的22FDX-rfa集成了卓越的射频和模拟功能，有助于提供差异化的移动和物联网产品，在功率、性能和成本之间取得最佳平衡。对于新兴的毫米波市场，GF的22FDX-mmWave提供了无与伦比的毫米波性能，可以提供差异化的相控阵波束成形和其他毫米波系统解决方案，具有最低的功耗和最高的性能和集成度。"

GF已经优化了其22FDX射频和毫米波产品，以实现高性能天线开关和功率放大器的集成，用于前沿的连接应用，如单系统芯片NB物联网和5G毫米波波束成形相控阵系统。

作为基于FinFET技术的替代方案，22FDX-rfa不仅能够集成这些前端模块组件，而且与FinFET技术相比，具有更低的热噪声和相当的自增益放大能力，与块状CMOS相比，自增益至少是2倍。与FinFET技术相比，FD-SOI技术基础的固有特性进一步减少了近30%的浸入式光刻层，同时实现了更好的射频性能。

用于先进的射频和模拟、毫米波和嵌入式非易失性存储器解决方案的工艺设计套件现已推出，可供客户进行原型设计。有兴趣了解更多关于GF的22FDX射频和模拟解决方案的客户，请联系您的GLOBALFOUNDRIES销售代表或访问www.globalfoundries.com。

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