格芯推出业界首个300mm 硅锗晶圆工艺技术，以满足不断增长的数据中心 和高速无线应用需求 November 29, 2018 业界最先进的高速硅锗技术目前可用于TB通信和汽车雷达应用的300mm生产线 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年11月29日 – 格芯今天宣布其先进的硅锗(SiGe)产品9HP目前可用于其300mm晶圆制造平台的原型设计。这表明300mm生产线将形成规模优势，进而促进数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长。借助格芯的300mm专业生产技术，客户可以充分提高光纤网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达等高速应用产品的生产效率和再现性能。 格芯是高性能硅锗解决方案的行业领导者，在佛蒙特州伯灵顿工厂用200mm生产线进行生产。将9Hp(一种90nm 硅锗工艺)迁移至纽约州东菲什基尔的格芯Fab 10工厂实现300mm晶圆生产技术，将会保持这一行业领先地位,并奠定300mm晶圆工艺基础，有助于进一步发展产品线，确保工艺性能持续增强和微缩。 “高带宽通信系统日益复杂，性能需求也随之水涨船高，这些都需要更高性能的芯片解决方案，”格芯的RF业务部副总裁 Christine Dunbar表示。“格芯的9HP旨在提供出色的性能，其300mm生产工艺将能够满足客户的高速有线和无线组件需求，助力未来的数据通信发展。” 格芯的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势，支持微波和毫米波频率应用高数据速率的大幅增长，适用于下一代无线网络和通信基础设施，如 TB级光纤网络、5G毫米波和卫星通信(SATCOM)以及仪器仪表和防御系统。该技术提供出色的低电流/高频率性能，改善了异质结双极晶体管(HBT)性能，与之前的硅锗 8XP和8HP相比，最大振荡频率(Fmax)提高了35％，达到370GHz。 在纽约东菲什基尔的Fab 10工厂，正在进行基于多项目晶圆(MPW)的9HP 300mm工艺客户原型设计，预计2019年第二季度将提供合格的工艺和设计套件。 如需了解更多有关格芯硅锗解决方案的信息，请联系您的格芯销售代表或访问globalfoundries.com/cn。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES宣布推出业界首个300毫米SiGe代工技术，以满足日益增长的数据中心和高速无线需求 2018年11月29日业界最先进的高速SiGe技术现在可以在300毫米生产线上用于太比特通信和汽车雷达应用 加州圣克拉拉，2018年11月29日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布其先进的硅锗（SiGe）产品9HP现在可以在公司的300毫米晶圆制造平台上进行原型开发。此举标志着数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长，这些应用可以利用300毫米制造面积的规模优势。通过利用GF的300毫米制造技术，客户可以利用更高的生产效率和可重复性来实现高速应用，如光网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达。 GF是在佛蒙特州伯灵顿的200毫米生产线上制造高性能SiGe解决方案的行业领导者。9HP是一种90纳米的SiGe工艺，在GF位于纽约州东菲什基尔的Fab 10工厂生产的300毫米晶圆上的迁移，延续了这种领导地位，并为进一步的路线图开发建立了一个300毫米的立足点，确保技术性能的持续提升和扩展。 "高带宽通信系统的复杂性和性能要求越来越高，因此需要更高性能的硅解决方案，"GF公司射频业务部副总裁Christine Dunbar说。"GF的9HP是专门为提供出色的性能而设计的，在300毫米的制造中，将支持我们的客户对高速有线和无线组件的要求，这将塑造未来的数据通信。" GF的9HP扩展了高性能SiGe BiCMOS技术的丰富历史，旨在支持下一代无线网络和通信基础设施在微波和毫米波频率上的极高数据速率的大规模增长，如太比特级光网络、5G毫米波和卫星通信（SATCOM）以及仪器和防御系统。该技术具有卓越的低电流/高频率性能，异质结双极晶体管（HBT）性能得到改善，与前代产品SiGe 8XP和8HP相比，最大振荡频率（Fmax）提高了35%，达到370GHz。 在纽约州东菲什基尔的10号工厂，目前正在多项目晶圆（MPW）上进行9HP的客户原型开发，计划在2019年第二季度推出合格的工艺和设计套件。 关于GF的SiGe解决方案的更多信息，请联系您的GLOBALFOUNDRIES销售代表或访问globalfoundries.com。 关于GF GLOBALFOUNDRIES (GF)是一家领先的全方位代工企业，为一系列高增长市场提供真正与众不同的半导体技术。GF提供独特的设计、开发和制造服务组合，拥有一系列创新的IP和功能丰富的产品，包括FinFET、FDX™、RF和模拟混合信号。GF的生产基地横跨三大洲，具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息，请访问 globalfoundries.com。 联系。 Erica McGillGlobalfoundries(518) 795-5240[email protected]
Attopsemi的I-fuseTM OTP采用格芯22nm FD-SOI工艺技术，在工作电压0.4V，功率1uW，可读取弗劳恩霍夫光子微系统研究所(IPMS)的61GHz RFID无电池标签 November 19, 2018Attopsemi的I-fuse™ OTP提供超低的读取电压/电流和超低的编程电压/电流，尺寸小巧，温度范围广泛，支持格芯22nm FD-SOI工艺，可以读取弗劳恩霍夫光子微系统研究所(IPMS)的61GHz物联网应用RFID标签。
Attopsemi的I-fuseTM OTP采用格芯的22FDX FD-SOI工艺技术,通过250℃/1000小时的晶圆级老化测试 November 19, 2018Attopsemi的I-fuse™技术具有尺寸小巧、高可靠性、低电压/电流编程、功率低和温度范围广的特性，藉由格芯22nm FDX® 的支持与合作实现汽车和物联网应用。
Attopsemi的I-fuse OTP在GLOBALFOUNDRIES 22nm FD-SOI上以0.4V和1uW的读取速度工作，用于Fraunhofer Photonic Microsystems研究所（IPMS）的无电池61GHz RFID标签。 2018年11月19日Attopsemi的I-fuse™ OTP提供了超低的读取电压/电流、超低的编程电压/电流、小尺寸和宽温度，使GLOBALFOUNDRIES 22纳米FD-SOI用于Fraunhofer Photonic Microsystems研究所（IPMS）的61GHz RFID标签在物联网应用中。
Attopsemi的I-fuse OTP在GLOBALFOUNDRIES 22FDX FD-SOI技术上通过了250摄氏度的1000小时晶圆级烧录研究 2018年11月19日Attopsemi的I-fuse™具有小尺寸、高可靠性、低程序电压/电流、低功耗和宽温度等特点，可使GLOBALFOUNDRIES 22nm FDX®用于汽车和物联网应用。
GLOBALFOUNDRIES和Indie Semiconductor为汽车应用提供性能更强的微控制器 2018年11月12日 55纳米LPx平台，采用SST高度可靠的嵌入式SuperFlash®，提高了汽车应用的性能和能源效率 加利福尼亚州圣克拉拉市。2018年11月12日 - GLOBALFOUNDRIES和indie Semiconductor今天宣布在GF的55纳米低功耗扩展（55LPx）汽车认证平台上发布新一代定制微控制器，其中包括嵌入式非易失性存储器（SuperFlash®）技术。indie Semiconductor的新Nigel产品基于ARM Cortex-M4微控制器内核，能够支持物联网、医疗和汽车市场的先进功能。indie Semi已经在向汽车客户批量交付采用GF 55LPx工艺制造的产品。 indie公司的定制微控制器在单个器件中集成了用于传感、处理、控制和通信的混合信号功能。GF的55LPx平台与SST的SuperFlash®存储器技术相结合，可以在indie的Nigel M4控制器中使用高密度存储器和高性能处理与混合信号功能，在55纳米节点提供高度集成的汽车解决方案。 "indie的Nigel控制器旨在支持汽车系统架构的高性能计算，" indie半导体公司销售和营销执行副总裁Paul Hollingworth说 。"随着汽车系统的要求越来越复杂，我们的客户需要解决方案来进行复杂的处理，同时将多种功能整合到一个芯片中，以尽量减少尺寸和重量。我们选择GF的汽车用合格的55LPx平台，是因为它兼具密度、性能和成本。" "GF主流产品管理副总裁Rajesh Nair表示："GF很高兴能与独立半导体合作，独立半导体是最先进的SoC技术的领导者 。"独立半导体加入了我们快速增长的GF 55LPx平台的客户群，该平台为消费、工业和汽车一级应用提供了卓越的低功耗逻辑、嵌入式非易失性存储器、广泛的IP和卓越的可靠性。" 55LPx射频功能平台提供了一个快速的产品解决方案，其中包括经过硅认证的射频IP和硅存储技术公司（SST）的高可靠性嵌入式SuperFlash®存储器。该平台正在GF位于新加坡的300毫米生产线上进行批量生产。除Nigel外，独立半导体目前正在该技术上开发若干产品，其中许多是用于汽车应用。 现在可以提供工艺设计套件和大量经过硅验证的IP。欲了解更多有关GF主流CMOS解决方案的信息，请联系您的GF销售代表或访问 globalfoundries.com。 关于 indieindie 使用 ARM 内核设计和制造基于微控制器的定制芯片。我们用单个最佳芯片取代印刷电路板上的大部分内容。与基于现成标准组件的解决方案相比，这可以缩小产品尺寸、降低成本和功耗。www.indiesemi.com 关于 GFGLOBALFOUNDRIES 是一家提供全方位服务的领先半导体代工厂，为全球最具灵感的科技公司提供设计、开发和制造服务的独特组合。GLOBALFOUNDRIES 的生产足迹遍布全球三大洲，其技术和系统改变了各行各业的面貌，并为客户提供了塑造市场的力量。GLOBALFOUNDRIES 为穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com。 SuperFlash®是Silicon Storage Technology, Inc.的一个注册商标。
格芯携手indie Semiconductor，为汽车应用提供性能增强型微控制器 November 12, 2018 55nm LPx平台采用SST高度可靠的嵌入式SuperFlash®，可提升汽车应用的性能和能效 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年11月12日 – 格芯和indie Semiconductor今日宣布推出新一代定制微控制器，它采用配备嵌入式非易失性存储器(SuperFlash®)的格芯55nm低功率扩展(55LPx)工艺平台，并且符合汽车标准。indie Semiconductor全新的Nigel产品基于ARM Cortex-M4微控制器内核，支持物联网、医疗和汽车市场的先进功能。indie Semi采用格芯55LPx工艺生产的产品已向汽车客户批量供货。 indie的定制微控制器将集成于单个器件中，可提供检测、处理、控制和通信等混合信号功能。格芯55LPx平台采用SST的SuperFlash®存储器技术，使indie的Nigel M4控制器能够利用高密度存储器和高性能处理能力，并结合混合信号功能，从而实现55nm工艺的高度集成汽车解决方案。 indie Semiconductor销售与营销执行副总裁Paul Hollingworth表示：“indie的Nigel控制器旨在支持汽车系统架构的高性能计算。随着汽车系统的需求越来越复杂，客户要求解决方案能够执行复杂的处理，同时将多个功能集成于单芯片中，以最大限度地缩减尺寸和重量。我们选择格芯符合汽车标准的55LPx平台是因为其具有密度、性能和成本综合优势。” 格芯主流产品管理部门副总裁Rajesh Nair表示：“indie Semiconductor是先进SoC技术领域的领军企业，能够与之合作，格芯感到非常荣幸。indie Semiconductor加入了格芯快速发展的55LPx平台客户群，这一平台为消费类、工业和1级汽车标准应用提供了出色的低功率逻辑、嵌入式非易失性存储器、广泛的IP以及出色的可靠性等综合优势。” 55Lpx RF平台提供了一种快速开发产品的解决方案，包括通过硅认证的RF IP和硅存储技术(SST)高度可靠的嵌入式SuperFlash®存储器。格芯位于新加坡的300mm生产线批量生产该平台。除Nigel以外，indie Semiconductor目前正在开发采用该技术的更多产品，其中许多产品将面向汽车应用。 工艺设计套件现已上市，并提供广泛的通过芯片验证的IP。如需了解更多有关格芯主流的CMOS解决方案的信息，请联系您的格芯销售代表或访问globalfoundries.com.cn。 关于indieindie设计和制造采用ARM内核的定制型微控制器芯片。我们以优化的单芯片替代印刷电路板中的大部分组件。与基于现成标准组件的解决方案相比，定制芯片可减小产品尺寸，降低产品成本和功耗。可靠性、量产性和防复制安全性都得到了提高。www.indiesemi.com 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 SuperFlash®是Silicon Storage Technology, Inc.的注册商标。
芯原发布基于GLOBALFOUNDRIES 22FDX® FD-SOI工艺的超低功率BLE 5.0射频IP，用于物联网应用 2018年11月1日中国上海--2018年11月1日--芯原股份有限公司（VeriSilicon Holdings Co.(芯原)今天发布了基于GLOBALFOUNDRIES 22FDX® FD-SOI工艺的蓝牙低能耗（BLE）5.0射频IP。
芯原微电子发布抄底功耗BLE 5.0基于格芯22FDX® FD-SOI工艺的射频IP，针对物联网应用 November 1, 2018Shanghai, China – November 1, 2018 – VeriSilicon Holdings Co., Ltd. (VeriSilicon) today announced its Bluetooth Low Energy (BLE) 5.0 RF IP based on GLOBALFOUNDRIES 22FDX® FD-SOI process.
