Von Anjana Govil
Sr. Direktorin, Intelligente mobile Geräte, GlobalFoundries 

Intelligente Brillen waren ein heißes Thema auf der CES 2025 und werden als die nächste große Kategorie der Wearables angepriesen. Counterpoint Research schätzt, dass der weltweite Absatz von Smart Glasses deutlich steigen wird, von weniger als 3 Millionen Stück im Jahr 2024 auf fast 45 Millionen Stück jährlich im Jahr 2030.  

Im vergangenen Jahr hat sich die Branche der intelligenten Brillen mit schlanken, leichten Designs und einer Vielzahl von Funktionen, die sich leicht per Sprachbefehl steuern lassen, sowie mit integrierten Mikrodisplays gewandelt.

Die Entwicklung der intelligenten Brille 

Die ersten Technologien für intelligente Brillen fanden bei den Verbrauchern nur begrenzt Anklang. Da sie nur Audio- und Kamerafunktionen ermöglichten, die bei modernen Smartphones Standard sind, wurden diese Geräte als Nischenspiel mit wenigen zusätzlichen Anwendungsfällen angesehen.  

Mit der Konvergenz von künstlicher Intelligenz (KI) und den Fortschritten bei den Mikro-Display-Funktionen, die in intelligente Brillen integriert werden können, hat deren Attraktivität drastisch zugenommen. Diese Fortschritte erfüllen Bedürfnisse, für die es heute keine eleganten Lösungen gibt. Von allgemeinen Anwendungsfällen wie Echtzeitübersetzung und -navigation bis hin zu spezifischeren Anwendungen wie der Zusammenfassung von Notizen in einem Meeting oder der Verfolgung wichtiger Gesundheitsparameter für Sportler eröffnen diese KI-fähigen Smart Glasses der nächsten Generation neue Grenzen und Anwendungen, die sich die Verbraucher vielleicht nicht vorgestellt haben. 

Im Zuge der weiteren technologischen Entwicklung sind mehrere Anbieter der Meinung, dass eine vollständige Augmented-Reality-Brille (AR) der nächste Personal Computer sein könnte, der eine mobile und personalisierte Möglichkeit bietet, zu arbeiten, sich zu vernetzen und zu unterhalten. Auch wenn der Weg zu einer AR-Brille noch weit ist, hinterlassen smarte Brillen einen unauslöschlichen Eindruck auf dem Markt für tragbare Geräte.  

Herausforderungen im Bereich Immobilien und Energie 

Nearly 3 billion people across the world use glasses, and most are accustomed to very light weight frames (< 35 grams) that can be worn comfortably throughout the day. This constraint has created significant real estate challenges and power consumption limitations for all functional additions to smart glasses such as cameras, displays, and batteries.  

Diese Herausforderungen haben die Einführung neuer Mikro-Display-Technologien vorangetrieben, die den Platz- und Energiebedarf decken und gleichzeitig die Helligkeit bieten, die für Displays bei Umgebungslicht erforderlich ist. Diese Innovation in der Displaytechnologie ist entscheidend für die Weiterentwicklung von Smart Glasses. 

Innovationen bei Displays zur Bewältigung dieser Herausforderungen 

Viele etablierte Display-Technologien haben Schwierigkeiten, gegen das Sonnenlicht anzukommen, und die, die es schaffen, sind relativ stromhungrig, wie z. B. Flüssigkristall-Displays auf Siliziumbasis (LCOS). Innovationen bei Mikrodisplays wie microLEDs haben extrem helle Displays (>1 Mnits) bei extrem niedrigem Stromverbrauch ermöglicht, die für KI-Brillen mit extrem kleiner Stellfläche benötigt werden. MicroLEDs sind selbstemittierend, so dass nur die Pixel, die leuchten, Strom verbrauchen. Dies ist bei intelligenten Brillen hilfreich, bei denen kontextbezogene Informationen angezeigt werden, die nur ein begrenztes Sichtfeld (FOV) von etwa 20-30 Grad benötigen und bei denen nicht alle Pixel aufleuchten müssen. Im Laufe der Zeit, wenn sich die Technologie weiterentwickelt und effizienter wird, erwarten wir, dass sich diese Brillen mit begrenztem Sichtfeld zu vollständigen AR-Displays entwickeln (großes Sichtfeld > 70 Grad). 

MicroLED-Konstruktion und GF-Lösungen - 28SLPe und 22FDX+ 

MicroLED-Displays bestehen in der Regel aus zwei Wafern: einer Vorderseite mit GaN-LEDs und einer CMOS-Backplane, die die LEDs ansteuert. Im Folgenden erfahren Sie mehr darüber, wie die differenzierten Technologien von GF diese Fortschritte ermöglichen. 

Die von GF angebotenen Plattformen 28SLPe und 22FDX bieten wichtige Funktionen für sehr kompakte CMOS-Backplane-Designs mit extrem niedrigem Stromverbrauch:  

• Die Plattformen 28SLPe und 22FDX+ von GF ermöglichen In-Pixel-Treiber mit 1,8-V- und 3,3-V-Bausteinen.  

• Beide Plattformen bieten dichte SRAM-Bitzellen, die eine Farbtiefe von 6-10 Bit in 2 - 4um-Pixeln ermöglichen, so dass die Kunden ihr Design hinsichtlich Pixelabstand, Auflösung und Farbtiefe optimieren können, um verschiedene Leistungs-/Preissegmente des Marktes zu bedienen. 

• Der 22FDX+ trägt durch Niederspannungs-SRAM und die inhärent geringe Leckage des FD-SOI-Transistors dazu bei, sowohl die aktive Leistung als auch die Leckageleistung zu minimieren. 

• GF bietet innovative, kundenspezifische Pixelzellendesigns an, um die wachsenden Anforderungen an die Dichte von Mikro-LEDs zu erfüllen. 

• Schließlich ermöglicht GF eine hervorragende Geräteanpassung, um Helligkeitsschwankungen über das gesamte Pixelarray hinweg zu minimieren. 

Bei der Herstellung von Mikro-LEDs werden auch strenge Anforderungen an die Wölbung, Verformung, Rauheit und Ebenheit der Wafer gestellt, um verschiedene Bondverfahren zu ermöglichen, die die Kunden einsetzen. GF arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um deren Anforderungen an ihre spezifischen Bonding-Ansätze zu erfüllen, einschließlich der Unterstützung verschiedener Oberflächenbeschaffenheiten der Wafer. Wir ermöglichen auch eine Roadmap mit TSVs, um Verbindungen zu ermöglichen und die Größe der Lösungen zu reduzieren.

Die FEOL-Fähigkeit (Front End of Line), Metallisierungsstacks und BEOL-Lösungen (Back End of Line) von GF, die für Mikro-LEDs optimiert sind, haben zu Partnerschaften mit mehreren führenden Anbietern geführt, um die nächste Generation von Mikrodisplays mit 28SLPe und 22FDX zu ermöglichen. Mit Blick auf die Zukunft sind die Möglichkeiten für intelligente, KI-fähige Brillen groß und spannend.  

Zukünftige Möglichkeiten  

Wir erwarten, dass künftige intelligente Brillen verbesserte AR-Erlebnisse, eine bessere Akkulaufzeit und intuitivere Schnittstellen bieten werden. Längerfristig ist dies nur ein Schritt auf dem Weg zum Spatial Computing, bei dem AR-Brillen mit großen visuellen Flächen, Unterhaltung und mehr genutzt werden können. Wir gehen davon aus, dass diese Fortschritte das heutige Computererlebnis ergänzen werden, indem sie Aufgaben, die auf PCs, Tablets und Smartphones erledigt werden, erleichtern.  

Da wir uns die Zukunft des räumlichen Computings mit vollständigen AR-Brillen vorstellen, ist GF bestrebt, Display-Anwendungen in allen bestehenden und neuen Märkten zu bedienen. Dazu gehören LCD- und OLED-Displays sowie Mikro-Displays der nächsten Generation für Verbraucher-, Automobil- und Industrieanwendungen, in die GF seit Jahren kontinuierlich investiert und Innovationen entwickelt: 

• OLED DDIC / TDDI für Smartphones, Smartwatches - GF verfügt mit seinen 28HV-, 40HV- und 55HV-Plattformen über ein breites Portfolio an Lösungen für integrierte Display-Treiberschaltungen (DDICs) und Touch- und Display-Treiber-Integration (TDDI). Darüber hinaus entwickelt GF seine 22FDX+HV-Plattform, um den Energiebedarf von Mobilgeräten der nächsten Generation und Automobilanwendungen zu decken. 

• TCON für Display-Treiber, einschließlich AI-fähiger Displays mit integrierten Sensorfunktionen - GF bietet mehrere Lösungen für Timing-Controller mit unseren Prozesstechnologien 22FDX, 28SLPe und 40LP, die speziell für Hochleistungsrechner entwickelt wurden. 

• MicroLED-Backplane für Kfz-HUD - GF bietet 28SLPe und 22FDX+ an, die automatisch qualifiziert und mit kundenspezifischen Funktionen für dichte, stromsparende MicroLED-Heads-up-Displays (HUD) ausgestattet sind. 

Die Möglichkeiten sind wirklich endlos. Nach unserem Erfolg bei der Entwicklung wesentlicher Chiptechnologien für moderne Smartphones, Autos und mehr ist GF gut positioniert, um die wachsende Rolle von Smart Glasses und AR-Brillen bei der Neugestaltung unserer Interaktion mit der Welt zu bewältigen.  

Für weitere Informationen darüber, wie GF Sie bei der Entwicklung Ihrer nächsten Generation von Smart Glasses oder fortschrittlichen Display-Geräten unterstützen kann, können Sie uns jederzeit unter gf.com kontaktieren . 

Von John Compani
Leitendes Mitglied des technischen Personals für EHS und Nachhaltigkeit, GlobalFoundries 

Jedes Jahr entwickeln und implementieren die Experten von GlobalFoundries (GF) neue Projekte, um den nachhaltigen Betrieb der fortschrittlichen Produktionsstandorte des Unternehmens weltweit zu verbessern. Mit einer Mischung aus Innovation, cleverer Technik und schrittweisen Verbesserungen ermöglichen die Teams wichtige Ressourceneinsparungen, um die Auswirkungen von GF auf die Umwelt weiter zu verringern und unsere Nachhaltigkeitsverpflichtungen gegenüber unseren Kunden zu erfüllen. 

Es gibt keinen besseren Zeitpunkt, um über diese Errungenschaften zu berichten, als inmitten der dritten jährlichen Earth Week von GF, die unter dem Motto "ONEGF, one planet, protect it together" steht. GF ist sich bewusst, dass der Klimawandel eine noch nie dagewesene globale Herausforderung darstellt, und im Folgenden finden Sie einige Beispiele für sinnvolle Maßnahmen. 

Reduzierung der Treibhausgasemissionen  

Diese Woche gab GF ein beschleunigtes und ehrgeizigeres Ziel für die Reduzierung der gesamten Treibhausgasemissionen um 42% im Zeitraum von 2021 bis 2030 bekannt, obwohl das Unternehmen seine globalen Halbleiterproduktionskapazitäten und -fähigkeiten weiter ausbaut. Lesen Sie hier über diese spannende Nachricht. 

GF ist auf dem besten Weg, das ehrgeizige Ziel einer 42-prozentigen Reduktion zu erreichen. Erreicht werden soll dies durch einen umfassenden Mix aus Verbesserungen der Energieeffizienz, modernsten Emissionskontrollen, dem verstärkten Einsatz alternativer chemischer Verfahren und dem Einsatz von kohlenstoffärmerem Strom in allen unseren Produktionsstätten. 

Im Jahr 2024 hat GF in seinen Werken Projekte mit einem wiederkehrenden Nutzen von rund 100.000 _MTCO2eabgeschlossen, was der Menge an Kohlenstoff entspricht, die in einem Jahr von 30.000 Hektar ausgewachsenem Wald gebunden wird.  

Wassereinsparung 

Die Herstellung von Halbleitern erfordert grosse Mengen an Wasser. Obwohl unsere Produktionsstätten nicht in Gegenden mit hohem Wasserverbrauch liegen, nimmt GF den Wasserschutz ernst und setzt sich weiterhin für neue Wege zur Reduzierung, zum Recycling und zur Wiederverwendung von Wasser an seinen Standorten ein. Mehr als 42% des gesamten Wasserverbrauchs von GF im Jahr 2024 wurde durch wiederverwendetes oder recyceltes Wasser gedeckt. 

Allein im Jahr 2024 führten unsere abgeschlossenen Projekte zur Wassereinsparung zu einer jährlichen Einsparung von mehr als 224.000 m³ (59 Millionen Gallonen) Wasser - etwa so viel, wie 540 durchschnittliche US-Haushalte in einem Jahr verbrauchen. Diese neuen wassersparenden Projekte standen im Zusammenhang mit der Identifizierung und Nutzung von Möglichkeiten zur Wiederverwendung und zum Recycling an verschiedenen Stellen in unseren Chip-Herstellungsprozessen. 

Weniger Strom verbrauchen  

Die Halbleiterherstellung ist ein energieintensiver Prozess. Projekte zur Stromeinsparung sparen nicht nur Geld, sondern können auch die Treibhausgasemissionen verringern, die bei der Stromerzeugung als Nebenprodukt entstehen. 

Im Jahr 2024 führten die Nachhaltigkeits- und Effizienzinitiativen von GF zu jährlichen Einsparungen von 33 Millionen Kilowattstunden (kWh) Strom - genug, um über 3.000 durchschnittliche US-Haushalte zu versorgen. Diese Bemühungen führten sowohl zu erheblichen Energiekosteneinsparungen für GF als auch zu geringeren indirekten Treibhausgasemissionen. 

Diese Einsparungen wurden durch zahlreiche Projekte in unseren weltweiten Fabriken erzielt, darunter Effizienzverbesserungen an unseren Kühlwassersystemen und die Optimierung der HLK-Anlagen.  

Umgang mit Chemikalien und Abfällen 

An allen unseren Produktionsstandorten hat GF strenge Programme zur Überprüfung von Chemikalien und zur Vermeidung von Umweltverschmutzung eingeführt, um Möglichkeiten zur Reduzierung oder Vermeidung des Einsatzes von Chemikalien und der Abfallerzeugung zu ermitteln.  

Für das Jahr 2024 haben die Teams eine Reihe von Projekten abgeschlossen, die zusammen zu einer Reduzierung von fast 900 Tonnen gefährlicher Abfälle und Chemikalien geführt haben, was für unser Unternehmen jährliche Einsparungen in Höhe von etwa 8 Millionen US-Dollar bedeutet.  

Zu diesen Projekten gehören innovative neue Verfahren und Systeme, neue Effizienzsteigerungen und neuartige Möglichkeiten der Wiederverwendung oder des Recyclings von Materialien in unseren Lithografie-, Reinigungs- und anderen Fertigungsanlagen.  

Weitere Details zu den oben genannten und vielen anderen ressourcenschonenden Projekten finden Sie im kommenden Nachhaltigkeitsbericht 2025 von GF, der im Juni erscheinen wird. 

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John Compani ist ein leitender technischer Mitarbeiter im Corporate EHS & Sustainability Team von GF. Er arbeitet in Malta, New York, und konzentriert sich auf die Bemühungen von GF in den Bereichen Umweltleistung, Ressourcenschutz und Nachhaltigkeit. 

Von Arvind Narayanan
Direktor, RF-Produktlinie 

In den späten 1980er und frühen 90er Jahren fand an den am wenigsten erwarteten Orten der Welt, in New York und Vermont, eine stille Revolution in der Halbleiterindustrie statt. Man kann nicht einmal dem nerdigsten aller Halbleiter-Enthusiasten einen Vorwurf machen, wenn er nicht aufpasst, denn das Mooresche Gesetz und die Schrumpfung der Silizium (Si)-CMOS-Transistoren beherrschten alle Nachrichten und Schlagzeilen.  

Eine Gruppe von Ingenieuren ritt still und leise auf der Innovationswelle und setzte Germanium (Ge) in Si-Bipolartransistoren ein, um deutlich verbesserte Bauelementeigenschaften zu erzielen, die eine überragende Leistung von HF- und Hochgeschwindigkeits-Analogtransistoren versprechen. Ihre Pionierarbeit unter Verwendung von SiGe-Basistransistoren mit abgestuftem Ge legte den Grundstein für den kommerziellen Erfolg der SiGe-BiCMOS-Technologien auf 8-Zoll-Wafern für verschiedene RF/Wireless- und mmWave-Kommunikationsanwendungen - die Art von Erfolg und breiter Akzeptanz, die nur von einer Handvoll Halbleitertechnologien wie Bulk-CMOS, Gallium-Arsenid (GaAs) und RF-Silicon-on-Insulator (SOI) übertroffen wird.  

Während GF in den letzten 15 Jahren an der Spitze der SOI-Technologie-Innovation stand, liegt das Erbe und die Verantwortung für die Weiterentwicklung der SiGe-BiCMOS-Technologie seit über vier Jahrzehnten bei den Technologieentwicklern und Ingenieuren von GF (früher IBM Microelectronics). Verfolgen wir die Geschichte ein wenig weiter zurück, erleben wir sie noch einmal und sehen wir uns an, was als Nächstes in der Geschichte von SiGe ansteht, die die Vorväter zu Recht als "eine Geschichte der Beharrlichkeit" bezeichnet haben [1].  

GF SiGe Geschichte: Eine Geschichte, bei der die Summe der Teile größer ist als das Ganze 

"Ein nicht ganz so bescheidener Anfang" 

Der erste Teil einer Serie ist in der Regel derjenige, der einen bleibenden Eindruck hinterlässt, und die erste kommerziell erfolgreiche SiGe-Technologie von GF passt in dieses Bild. Vor mehr als einem Jahrzehnt wurde mit der 0,35um SiGe BiCMOS-Technologie [2] namens SiGe5PAe der Grundstein für den Eintritt von SiGe in den Bereich der Wi-Fi-Leistungsverstärker (PA) gelegt, gerade als die Smartphone-Ära ihren Siegeszug antrat. Diese Technologie half den PA-Designern, die beste Kombination aus technischen Leistungsmerkmalen wie hoher Ausgangsleistung, Linearität und Effizienz zu den niedrigsten Kosten zu liefern.  

Als die Nachfrage nach Wi-Fi stieg und neue Wi-Fi-Standards immer strengere Leistungsanforderungen stellten, hat GF die Basisplattform mit verschiedenen Varianten von SiGe5PAXe und SiGe5PA4 weiter verbessert, einschließlich der hochohmigen Substratoptionen, die vollständige Front-End-ICs mit integrierten HF-Schaltern und rauscharmen Verstärkern (LNA) mit einem PA ermöglichen. Mit jeder Variante wurden die Grenzen der Wi-Fi-PA-Leistung weiter verschoben, indem die PA-Leistung verbessert und gleichzeitig die PA-Zuverlässigkeit und -Robustheit für fortschrittliche WiFi-Standards erhöht wurde. Tabelle 1 zeigt die wichtigsten Merkmale der 350-nm-SiGe-BiCMOS-Technologien von GF, die die verschiedenen Anwendungen und Segmente ermöglichen. 

Was als bescheidenes Unterfangen begann, hat sich zu einem großen kommerziellen Erfolg entwickelt: Die 0,35um SiGe-Technologien von GF sorgen für nahtlose Wi-Fi-Erlebnisse auf High-End-Smartphones und Tablets. Heute dominieren diese Technologien weiterhin die PAs, die in Wi-Fi-Front-End-Modulen (FEM) in Smartphones eingesetzt werden, und haben auch bei Wireless-Infrastrukturanwendungen wie PA-Pre-Driver an Bedeutung gewonnen.  

"Ein großer Sprung in den Weltraum und darüber hinaus" 

Normalerweise sind Fortsetzungen selten besser als die ursprüngliche Geschichte oder Serie. Es gibt jedoch Ausnahmen, wie die 130-nm-SiGe-Technologien von GF, die den Beweis für verschiedene Produkte und Anwendungen im Bereich der drahtlosen und drahtgebundenen Kommunikation liefern [3] [4]. Die Hochfrequenz- und Hochspannungsfähigkeit der SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren (HBTs) in diesen Technologien ermöglicht vielfältige Anwendungen wie mmWave- und SATCOM-PAs und -LNAs, Kfz-Radare, Wireless Backhaul und analoge Hochgeschwindigkeits-Schnittstellentreiber.  Insbesondere die SiGe8WL-, SiGe8HP- und SiGe8XP-Technologien von GF leisteten Pionierarbeit bei der Integration von Hochleistungs-NPN-Transistoren mit hochwertigen mmWave- und verteilten Passiven wie Übertragungsleitungen und Mikrostreifen, die die oben genannten Anwendungen ermöglichten. 

"Wenn die Eroberung des Weltraums nicht genug ist"  

Im Jahr 2014 führte die bahnbrechende SiGe-Innovation von GF zur Einführung der weltweit ersten 90-nm-SiGe-BiCMOS-Technologie SiGe9HP [5], der mit SiGe9HP+ [6] eine weitere branchenführende NPN-Leistungsverbesserung folgte. Heute bilden diese beiden Technologien zusammen eine der umfassendsten und wettbewerbsfähigsten SiGe-Technologien, die auf dem Markt erhältlich sind. Mit fortschrittlicher CMOS-Integration und einer Vielzahl von Merkmalen wie verlustarmer Metallisierung und Hochspannungs-LDMOS ermöglichte die Technologie modernste Rechenzentrumsanwendungen wie Transimpedanzverstärker (TIA) und Treiber für optische Hochgeschwindigkeitskommunikation sowie andere analoge Hochleistungsanwendungen wie Analog-Digital-Wandler (ADCs) mit hoher Bandbreite und Terahertz-Bildgebung und -Erfassung. 

"Es gibt kein Endspiel für die Revolution" 

Mit dem Aufkommen der generativen KI fehlt es nicht an Appetit auf höhere Bandbreiten, Datenraten oder größere Reichweiten für die Kommunikation. Nach vier Jahrzehnten konsequenter Innovation sind wir bei GF wieder bereit für die nächste Revolution bei SiGe-Technologien, die den modernen Kommunikationsanforderungen gerecht werden. Kürzlich hat GF den branchenweit leistungsfähigsten SiGe-HBT mit 415/600 GHz ft/fmax auf einer 45-nm-SOI-Plattform [7] veröffentlicht und arbeitet mit frühen Kunden aktiv an der branchenweit ersten komplementären 130-nm-SiGe-BiCMOS-Technologie 130CBIC im Rahmen des Globalshuttle Multi-Project Wafer (MPW)-Programms. Die wichtigsten Merkmale von 130CBIC, die eine breite Palette von Anwendungen ermöglichen, sind in Tabelle 4 aufgeführt. 

Mit Blick auf die Zukunft könnte ein Wachstumsvektor darin bestehen, die ft/fmax von HBTs weiter zu erhöhen, um die Anforderungen an fortschrittliche optische Transceiver für optische Netzwerke in Rechenzentren und generative KI-Anwendungen zu erfüllen. Mit dem Einzug der generativen KI in Smartphones besteht jedoch die logische Notwendigkeit, den Stromverbrauch zu senken oder die HF-Leistung (geringeres Rauschen und höhere Verstärkung) bei den bestehenden Leistungspegeln für HF-Frontend-Module oder verwandte Komponenten zu erhöhen. Da der Breitband-Internetzugang seinen Siegeszug bis in die entlegensten Winkel der Erde fortsetzt, können Leistung und Kosten von SiGe-HBTs für Verbraucher-Satelliten-Bodenterminalanwendungen optimiert werden, um die nächsten 4 Milliarden Nutzer mit dem Internet zu verbinden.  

Während CMOS mit dem Moore'schen Gesetz an seine Grenzen stößt, kann das wahre Potenzial von SiGe weiter erschlossen und in viel größerem Umfang für Anwendungen genutzt werden, die unnachgiebige HF-/Hochgeschwindigkeitsleistungen und -fähigkeiten erfordern. 

Wenn Sie mehr darüber erfahren möchten, wie die SiGe-Technologien von GF Ihre HF- und Hochleistungsanwendungen der nächsten Generation unterstützen können, können Sie uns jederzeit über gf.com kontaktieren .  

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Arvind Narayanan ist Direktor des Produktmanagements für die RF-Produktlinie bei GlobalFoundries. Er ist verantwortlich für die strategische Roadmap für SiGe und RF GaN und verwaltet das entsprechende Produktportfolio. Er ist seit über sechs Jahren bei GlobalFoundries in verschiedenen Funktionen mit Kundenkontakt tätig. 

Referenzen: 

[1] D. L. Harame, B. S. Meyerson, "The Early History of IBM's SiGe Mixed Signal Technology," in IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 48, No. 11, November 2001. 

[2] A. Joseph et al., "A 0.35 gm SiGe BiCMOS Technology for Power Amplifier Applications", IEEE BCTM 2007. 

[3] B. A. Orner et al., "A 0.13 µm BiCMOS technology featuring a 200/280 GHz (fT/fmax) SiGe HBT," in Proc. IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technol. Meeting,2003, S. 203-206 

[4] P. Candra et al., "A 130nm sige bicmos technology for mm-wave applications featuring hbt with fT / fMAX of 260/320 ghz," in IEEE RFIC Symposium, pp. 381-384, 2013 

[5] J. J. Pekarik et al., "A 90nm SiGe BiCMOS technology for mm-wave and high-performance analog applications," 2014 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Coronado, CA, USA, 2014, pp. 92-95 

[6] U. S. Raghunathan et al., "Performance Improvements of SiGe HBTs in 90nm BiCMOS Process with fT/fmax of 340/410 GHz," 2022 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Phoenix, AZ, USA, 2022, pp. 232-235 

[7] V. Jain et al., "415/610GHz fT/fMAX SiGe HBTs Integrated in a 45nm PDSOI BiCMOS process", 2022 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), S. 266-268