Ayar Labs stellt das weltweit erste optische UCIe-Chiplet für AI-Scale-Up-Architekturen vor 31. März 2025
GF Silicon Germanium Technologies: der unbesungene Held der modernen Kommunikation März 28, 2025 Von Arvind Narayanan Direktor, RF-Produktlinie In den späten 1980er und frühen 90er Jahren fand an den am wenigsten erwarteten Orten der Welt, in New York und Vermont, eine stille Revolution in der Halbleiterindustrie statt. Man kann nicht einmal dem nerdigsten aller Halbleiter-Enthusiasten einen Vorwurf machen, wenn er nicht aufpasst, denn das Mooresche Gesetz und die Schrumpfung der Silizium (Si)-CMOS-Transistoren beherrschten alle Nachrichten und Schlagzeilen. Eine Gruppe von Ingenieuren ritt still und leise auf der Innovationswelle und setzte Germanium (Ge) in Si-Bipolartransistoren ein, um deutlich verbesserte Bauelementeigenschaften zu erzielen, die eine überragende Leistung von HF- und Hochgeschwindigkeits-Analogtransistoren versprechen. Ihre Pionierarbeit unter Verwendung von SiGe-Basistransistoren mit abgestuftem Ge legte den Grundstein für den kommerziellen Erfolg der SiGe-BiCMOS-Technologien auf 8-Zoll-Wafern für verschiedene RF/Wireless- und mmWave-Kommunikationsanwendungen - die Art von Erfolg und breiter Akzeptanz, die nur von einer Handvoll Halbleitertechnologien wie Bulk-CMOS, Gallium-Arsenid (GaAs) und RF-Silicon-on-Insulator (SOI) übertroffen wird. Während GF in den letzten 15 Jahren an der Spitze der SOI-Technologie-Innovation stand, liegt das Erbe und die Verantwortung für die Weiterentwicklung der SiGe-BiCMOS-Technologie seit über vier Jahrzehnten bei den Technologieentwicklern und Ingenieuren von GF (früher IBM Microelectronics). Verfolgen wir die Geschichte ein wenig weiter zurück, erleben wir sie noch einmal und sehen wir uns an, was als Nächstes in der Geschichte von SiGe ansteht, die die Vorväter zu Recht als "eine Geschichte der Beharrlichkeit" bezeichnet haben [1]. GF SiGe Geschichte: Eine Geschichte, bei der die Summe der Teile größer ist als das Ganze "Ein nicht ganz so bescheidener Anfang" Der erste Teil einer Serie ist in der Regel derjenige, der einen bleibenden Eindruck hinterlässt, und die erste kommerziell erfolgreiche SiGe-Technologie von GF passt in dieses Bild. Vor mehr als einem Jahrzehnt wurde mit der 0,35um SiGe BiCMOS-Technologie [2] namens SiGe5PAe der Grundstein für den Eintritt von SiGe in den Bereich der Wi-Fi-Leistungsverstärker (PA) gelegt, gerade als die Smartphone-Ära ihren Siegeszug antrat. Diese Technologie half den PA-Designern, die beste Kombination aus technischen Leistungsmerkmalen wie hoher Ausgangsleistung, Linearität und Effizienz zu den niedrigsten Kosten zu liefern. Als die Nachfrage nach Wi-Fi stieg und neue Wi-Fi-Standards immer strengere Leistungsanforderungen stellten, hat GF die Basisplattform mit verschiedenen Varianten von SiGe5PAXe und SiGe5PA4 weiter verbessert, einschließlich der hochohmigen Substratoptionen, die vollständige Front-End-ICs mit integrierten HF-Schaltern und rauscharmen Verstärkern (LNA) mit einem PA ermöglichen. Mit jeder Variante wurden die Grenzen der Wi-Fi-PA-Leistung weiter verschoben, indem die PA-Leistung verbessert und gleichzeitig die PA-Zuverlässigkeit und -Robustheit für fortschrittliche WiFi-Standards erhöht wurde. Tabelle 1 zeigt die wichtigsten Merkmale der 350-nm-SiGe-BiCMOS-Technologien von GF, die die verschiedenen Anwendungen und Segmente ermöglichen. Was als bescheidenes Unterfangen begann, hat sich zu einem großen kommerziellen Erfolg entwickelt: Die 0,35um SiGe-Technologien von GF sorgen für nahtlose Wi-Fi-Erlebnisse auf High-End-Smartphones und Tablets. Heute dominieren diese Technologien weiterhin die PAs, die in Wi-Fi-Front-End-Modulen (FEM) in Smartphones eingesetzt werden, und haben auch bei Wireless-Infrastrukturanwendungen wie PA-Pre-Driver an Bedeutung gewonnen. "Ein großer Sprung in den Weltraum und darüber hinaus" Normalerweise sind Fortsetzungen selten besser als die ursprüngliche Geschichte oder Serie. Es gibt jedoch Ausnahmen, wie die 130-nm-SiGe-Technologien von GF, die den Beweis für verschiedene Produkte und Anwendungen im Bereich der drahtlosen und drahtgebundenen Kommunikation liefern [3] [4]. Die Hochfrequenz- und Hochspannungsfähigkeit der SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren (HBTs) in diesen Technologien ermöglicht vielfältige Anwendungen wie mmWave- und SATCOM-PAs und -LNAs, Kfz-Radare, Wireless Backhaul und analoge Hochgeschwindigkeits-Schnittstellentreiber. Insbesondere die SiGe8WL-, SiGe8HP- und SiGe8XP-Technologien von GF leisteten Pionierarbeit bei der Integration von Hochleistungs-NPN-Transistoren mit hochwertigen mmWave- und verteilten Passiven wie Übertragungsleitungen und Mikrostreifen, die die oben genannten Anwendungen ermöglichten. "Wenn die Eroberung des Weltraums nicht genug ist" Im Jahr 2014 führte die bahnbrechende SiGe-Innovation von GF zur Einführung der weltweit ersten 90-nm-SiGe-BiCMOS-Technologie SiGe9HP [5], der mit SiGe9HP+ [6] eine weitere branchenführende NPN-Leistungsverbesserung folgte. Heute bilden diese beiden Technologien zusammen eine der umfassendsten und wettbewerbsfähigsten SiGe-Technologien, die auf dem Markt erhältlich sind. Mit fortschrittlicher CMOS-Integration und einer Vielzahl von Merkmalen wie verlustarmer Metallisierung und Hochspannungs-LDMOS ermöglichte die Technologie modernste Rechenzentrumsanwendungen wie Transimpedanzverstärker (TIA) und Treiber für optische Hochgeschwindigkeitskommunikation sowie andere analoge Hochleistungsanwendungen wie Analog-Digital-Wandler (ADCs) mit hoher Bandbreite und Terahertz-Bildgebung und -Erfassung. "Es gibt kein Endspiel für die Revolution" Mit dem Aufkommen der generativen KI fehlt es nicht an Appetit auf höhere Bandbreiten, Datenraten oder größere Reichweiten für die Kommunikation. Nach vier Jahrzehnten konsequenter Innovation sind wir bei GF wieder bereit für die nächste Revolution bei SiGe-Technologien, die den modernen Kommunikationsanforderungen gerecht werden. Kürzlich hat GF den branchenweit leistungsfähigsten SiGe-HBT mit 415/600 GHz ft/fmax auf einer 45-nm-SOI-Plattform [7] veröffentlicht und arbeitet mit frühen Kunden aktiv an der branchenweit ersten komplementären 130-nm-SiGe-BiCMOS-Technologie 130CBIC im Rahmen des Globalshuttle Multi-Project Wafer (MPW)-Programms. Die wichtigsten Merkmale von 130CBIC, die eine breite Palette von Anwendungen ermöglichen, sind in Tabelle 4 aufgeführt. Mit Blick auf die Zukunft könnte ein Wachstumsvektor darin bestehen, die ft/fmax von HBTs weiter zu erhöhen, um die Anforderungen an fortschrittliche optische Transceiver für optische Netzwerke in Rechenzentren und generative KI-Anwendungen zu erfüllen. Mit dem Einzug der generativen KI in Smartphones besteht jedoch die logische Notwendigkeit, den Stromverbrauch zu senken oder die HF-Leistung (geringeres Rauschen und höhere Verstärkung) bei den bestehenden Leistungspegeln für HF-Frontend-Module oder verwandte Komponenten zu erhöhen. Da der Breitband-Internetzugang seinen Siegeszug bis in die entlegensten Winkel der Erde fortsetzt, können Leistung und Kosten von SiGe-HBTs für Verbraucher-Satelliten-Bodenterminalanwendungen optimiert werden, um die nächsten 4 Milliarden Nutzer mit dem Internet zu verbinden. Während CMOS mit dem Moore'schen Gesetz an seine Grenzen stößt, kann das wahre Potenzial von SiGe weiter erschlossen und in viel größerem Umfang für Anwendungen genutzt werden, die unnachgiebige HF-/Hochgeschwindigkeitsleistungen und -fähigkeiten erfordern. Wenn Sie mehr darüber erfahren möchten, wie die SiGe-Technologien von GF Ihre HF- und Hochleistungsanwendungen der nächsten Generation unterstützen können, können Sie uns jederzeit über gf.com kontaktieren . Arvind Narayanan ist Direktor des Produktmanagements für die RF-Produktlinie bei GlobalFoundries. Er ist verantwortlich für die strategische Roadmap für SiGe und RF GaN und verwaltet das entsprechende Produktportfolio. Er ist seit über sechs Jahren bei GlobalFoundries in verschiedenen Funktionen mit Kundenkontakt tätig. Referenzen: [1] D. L. Harame, B. S. Meyerson, "The Early History of IBM's SiGe Mixed Signal Technology," in IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 48, No. 11, November 2001. [2] A. Joseph et al., "A 0.35 gm SiGe BiCMOS Technology for Power Amplifier Applications", IEEE BCTM 2007. [3] B. A. Orner et al., "A 0.13 µm BiCMOS technology featuring a 200/280 GHz (fT/fmax) SiGe HBT," in Proc. IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technol. Meeting,2003, S. 203-206 [4] P. Candra et al., "A 130nm sige bicmos technology for mm-wave applications featuring hbt with fT / fMAX of 260/320 ghz," in IEEE RFIC Symposium, pp. 381-384, 2013 [5] J. J. Pekarik et al., "A 90nm SiGe BiCMOS technology for mm-wave and high-performance analog applications," 2014 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Coronado, CA, USA, 2014, pp. 92-95 [6] U. S. Raghunathan et al., "Performance Improvements of SiGe HBTs in 90nm BiCMOS Process with fT/fmax of 340/410 GHz," 2022 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Phoenix, AZ, USA, 2022, pp. 232-235 [7] V. Jain et al., "415/610GHz fT/fMAX SiGe HBTs Integrated in a 45nm PDSOI BiCMOS process", 2022 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), S. 266-268
GlobalFoundries zertifiziert Ansys Lumerical Photonic Design Tools für GF Fotonix™ Plattform März 27, 2025
GF Fotonix der nächsten Generation: Neudefinition von Flexibilität, Bandbreiten-Upgrades und schlüsselfertigem Support März 26, 2025 Von Kevin Soukup Senior Vice President, Produktlinie Silizium-Photonik GlobalFoundries (GF) stellte seine revolutionäre GF Fotonix™-Plattform erstmals im Jahr 2022 mit Schwerpunkt auf optischen Verbindungen vor. Die Plattform war für bis zu 100 Gigabit pro Sekunde pro Wellenlänge (100G/λ) über PAM4-Signalisierung ausgelegt. Mit einer extrem hohen Datenrate und einer bis zu 10.000-fachen Verbesserung der Systemfehlerrate war unsere GF Fotonix-Plattform der ersten Generation ein wichtiger Schritt auf dem Weg zu optischen Chiplets, die eine schnellere und effizientere Datenübertragung ermöglichen. Diese Errungenschaften haben sich als erfolgreich erwiesen und GF als führendes Unternehmen im Bereich der Silizium-Photonik etabliert ( ). Aber das war noch nicht alles. Werfen wir einen Blick auf einige der jüngsten Fortschritte, die wir auf unserer GF Fotonix-Plattform gemacht haben, einschließlich erhöhter Design-Flexibilität, Bandbreiten-Upgrades und vollständigem Turnkey-Support mit der Entwicklung unseres neu angekündigten Advanced Packaging and Photonics Center. Extreme Flexibilität Die GF Fotonix-Plattform wurde entwickelt, um den Kunden die größtmögliche Flexibilität zu bieten, damit sie die verschiedenen Anforderungen der Anwendungen und Marktsegmente erfüllen können: Prozess-Flexibilität: Der GF Fotonix-Prozess kann als integrierter Photonik + RF CMOS-Flow oder als reiner Photonik-Flow betrieben werden, je nach Anwendung und Systemanforderungen des Kunden. Freiform-Designs: Die Technologie ermöglicht das Design passiver Komponenten in freier Form, solange die kundenspezifischen Bauelemente die Designregeln erfüllen. Die Unterstützung für kundenspezifische photonische Bauelementedesigns erfolgt nativ im Prozessdesign-Kit (PDK) durch die Unterstützung von Technologiedateien für die führenden Bauelementesimulatoren der Branche. "Langsam und breit" vs. "Schnell und schmal": GF Fotonix bietet Design-Flexibilität, indem es die Implementierung sowohl von Course-Wave (CWDM) als auch von Dense-Wave-Division-Multiplexing (DWDM) zur Optimierung der Beachfront-Dichte (Bandbreitendichte entlang der Chipkante) unterstützt. Die für das Wellenmultiplexing erforderlichen Komponenten wie athermische Muxs/De-Muxs und Bänke mit Mikroringen und gekoppelten Ringresonatoren sind im PDK verfügbar. Von hochfrequentierten KI-Rechenzentren bis hin zu fortschrittlichen Fahrerassistenzsystemen der nächsten Generation arbeiten wir kontinuierlich mit unseren Kunden in allen Endmärkten zusammen, um ihre Designanforderungen zu verstehen und die Funktionen und Weiterentwicklungen hinzuzufügen, die ihre Chips auf die nächste Stufe bringen werden. Verdoppelung der Bandbreite Die zweite Generation von GF Fotonix unterstützt 200G/λ und verdoppelt damit die Bandbreitengeschwindigkeit gegenüber der vorherigen Generation, um "schnelle und schmale" Architekturen zu unterstützen. Wir haben auch alle aktiven photonischen Bauelemente wie Modulatoren (Mikro-Ring, Mach Zehnder und Ring Assisted Mach Zehnder), Photodioden und Transistoren verbessert, um die monolithische Integration zu unterstützen. Es wurden bahnbrechende Fortschritte bei der Ausbeute von Modulatorbänken erzielt, um "langsame und breite" Architekturen mit mehreren Lambdas zu unterstützen. Die IOSMF (auf V-Rillen basierende passive Faserkoppler) wurden in zweierlei Hinsicht aufgerüstet. Erstens wurde der Abstand der einzelnen V-Nuten von 250 μm auf 127 μm verringert, um die optische Strandfrontdichte um das Zweifache zu erhöhen. Zweitens haben wir Unterstützung für Siliziumnitrid (SiN)-Spot-Size-Wandler hinzugefügt, um die Belastbarkeit um das Vierfache zu verbessern. Mit Blick auf die Anforderungen des Co-Packaging haben wir mit mehreren Anbietern an Lösungen für abnehmbare Glasfaseranschlüsse auf Wafer- und Die-Ebene gearbeitet. Mehrere Demos dieser Lösungen werden auf der 2025 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition (OFC) in San Francisco im April dieses Jahres vorgestellt. Schließlich haben wir Unterstützung für Durchkontaktierungen (TSV) durch den photonischen IC (PIC) hinzugefügt. Diese Funktion ermöglicht die 2,5D/3D-Stapelung des elektrischen ICs auf dem PIC. Diese TSVs können für Hochgeschwindigkeits-Signalübertragung, Stromzufuhr und Wärmeabfuhr verwendet werden. Zentrum für fortgeschrittene Verpackung und Photonik Anfang des Jahres kündigte GF ein neues Zentrum für fortschrittliche Verpackungs- und Testverfahren in unserer Produktionsstätte in New York an, das seinesgleichen sucht. Dieses neue Zentrum wird es uns ermöglichen, die in unserem New Yorker Werk hergestellten Chips vollständig an Land in den USA zu verarbeiten, zu verpacken und zu testen. Dies hilft uns, die wachsende Nachfrage nach sicheren Lieferketten für unsere wichtigen Chips in kritischen Endmärkten wie der Automobilindustrie, der Kommunikationsinfrastruktur sowie der Luft- und Raumfahrt und Verteidigung zu erfüllen. Durch dieses neue Zentrum ist GF nun in der Lage, eine schlüsselfertige Lösung für unsere Silizium-Photonik-Chips anzubieten, mit fortschrittlichen Verpackungs-, Montage- und Testdienstleistungen, um die Chips in individuelle Gehäuse zu verwandeln, die für den Einsatz im Endprodukt bereit sind. Auf der IP-Seite bauen wir unser GlobalSolutions-Ökosystem mit verifizierten und siliziumerprobten IP-Lösungen von Branchenexperten weiter aus, die einfach in GF Fotonix integriert werden können, um Ihre hochmodernen, kundenspezifischen ICs zu bauen. Um mehr über GF Fotonix zu erfahren und darüber, wie unsere Silizium-Photonik-Prozesstechnologien Ihre Glasfaser-Kommunikationsdesigns der nächsten Generation unterstützen können, werden wir vom 1. bis 3. April in San Francisco an der OFC 2025 teilnehmen. Besuchen Sie uns am Stand Nr. 3220, um mit unseren technischen Vertretern zu sprechen und Muster von ICs zu sehen, die mit GF Fotonix gefertigt wurden. Wir hoffen, Sie dort zu sehen! Kevin Soukup ist Senior Vice President der Silizium-Photonik-Produktlinie von GF und leitet die Silizium-Photonik-Sparte des Unternehmens, die es Kunden ermöglicht, enorme Datenmengen mit Hilfe von schnellen und energieeffizienten elektro-optischen Systemen zu übertragen.
Innovationsförderung in Kommunikation und Navigation März 17, 2025 Von Ashish Shah Stellvertretender Direktor, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, GlobalFoundries Der Luft- und Raumfahrt- sowie der Verteidigungssektor erleben einen rasanten Fortschritt, der durch den Bedarf an anspruchsvolleren und zuverlässigeren Technologien angetrieben wird. Innerhalb dieses Endmarktes liegt meine besondere Leidenschaft und mein Schwerpunkt auf Kommunikation, Navigation und Identifikation (CNI). Die Hochfrequenz- und Millimeterwellen-Halbleiter von GlobalFoundries (GF) sind nach wie vor entscheidend für die Leistung und Zuverlässigkeit dieser Systeme und erfüllen die einzigartigen Anforderungen des A&D-Marktes. Lassen Sie mich Ihnen erklären, wie und warum dies der Fall ist. Von der Verteidigung bis zu den Ersthelfern Traditionell wurden Radarsysteme zur Identifizierung von Flugzeugen sowohl im kommerziellen Bereich als auch in der Luft- und Raumfahrt und im Verteidigungsbereich eingesetzt. Im Laufe der Jahre hat sich der Trend hin zur Phased-Array-Radartechnologie entwickelt. Phased-Array-Radargeräte ermöglichen es, mehrere Strahlen auszusenden und von derselben physischen Struktur zu empfangen, was genauere, energieeffizientere und kostengünstigere Systeme ermöglicht. Phased-Array-Radargeräte können nicht nur mehrere Signale gleichzeitig verfolgen, sondern auch elektronisch gesteuert werden, was eine größere Bandbreite an Möglichkeiten bietet als frühere Generationen von Radargeräten. Aufgrund dieser verbesserten Leistung sind Phased Arrays zur bevorzugten Technologie für diese Art der Strahlformung geworden. Die Chips von GF sind mit ihren HF- und mmWave-Fähigkeiten ein wichtiger Wegbereiter dieser Technologie und tragen dazu bei, Innovationen im Radarbereich sowohl für Verteidigungs- als auch für kommerzielle Kunden voranzutreiben. Unsere Chips stehen auch an der Spitze der Entwicklung von Multimode- und Multistandard-Funkgeräten, die agil sind, sehr breite Frequenzbereiche verarbeiten und nahtlos zwischen verschiedenen Kommunikationsdomänen wie 5G und proprietären Signalen wechseln können, ohne dass mehrere physische Funkdesigns erforderlich sind. Dies ist sowohl für Ersthelfer als auch für die Kommunikation im Verteidigungsbereich von entscheidender Bedeutung, um eine zuverlässige Zwei-Wege-Verbindung in einer Reihe sehr unterschiedlicher Umgebungen sicherzustellen. Das Funkgerät muss in der Lage sein, die Umgebung dynamisch zu durchsuchen und z. B. ein gutes 5G-Signal zu erkennen. Solange es verfügbar ist, wird es dieses Signal nutzen, aber wenn das 5G-Signal schwächer wird, schaltet das Radar nahtlos auf ein anderes Signal oder ein eigenes Signal um. Diese Funktion spielt auch eine wichtige Rolle bei der sicheren Kommunikation. Energieeffizient und kosteneffektiv Unsere Kunden können jetzt Frequenzen von etwa 100 Megahertz bis zu mehr als 15 Gigahertz nutzen, was einen sehr großen Bereich des elektromagnetischen Spektrums abdeckt. Dieser große Frequenzbereich ermöglicht effizientere und kostengünstigere Lösungen, da ein einziger Hardware-Entwurf für mehrere Anwendungen verwendet werden kann, während der Rest der Verarbeitung in der Software erfolgt. Dieser Ansatz reduziert den Bedarf an mehreren frequenzspezifischen Designs und macht sie energie- und kosteneffizienter. Die Bedeutung dieser Anwendung sowohl für Ersthelfer als auch für die nationale Sicherheit ist ein gutes Beispiel für die Dual-Use-Strategie von GF, bei der wir unsere Technologie sowohl für Verteidigungs- als auch für kommerzielle Anwendungen einsetzen. So können unsere Kunden aus der Luft- und Raumfahrt- sowie der Verteidigungsindustrie von den Skaleneffekten der Großserienfertigung von GF profitieren, aber auch von den zusätzlich erforderlichen Optimierungs-, Leistungs- und Sicherheitsmerkmalen. Bewährte RF- und SiGe-Lösungen Das Herzstück der von GF vorangetriebenen Innovation im Bereich CNI ist unsere RF-SOI-Produktlinie, zu der auch unsere 45RFSOI- und 45RFE-Lösungen gehören, die in Bezug auf den Frequenzgang eine höhere Leistung bieten. Das bedeutet, dass die Bauelemente im Vergleich zu anderen Technologien bei höchsten Frequenzen mit einem Minimum an Verlustleistung arbeiten können. Die Silizium-Germanium (SiGe)-Produktlinie von GF, einschließlich unserer 8XP- und 9HP-Plattformen, spielt ebenfalls eine wichtige Rolle bei CNI. Diese Technologien bieten ein Höchstmaß an HF-Leistung und ermöglichen es unseren Kunden, den Frequenzbereich zu erweitern und gleichzeitig den Stromverbrauch so gering wie möglich zu halten. Neben optimierter Leistung und Energieeffizienz ist unseren Kunden auch die Sicherheit wichtig. Die Produktionsstätten von GF in New York und Vermont sind als Trusted Foundry akkreditiert und stellen sichere Chips in Zusammenarbeit mit der US-Regierung her. Als Trusted Foundry mit jahrzehntelanger Erfahrung verfügt GF über unglaublich strenge Prozesse, Anlagen und Kontrollmechanismen, um geheime Informationen zu akzeptieren und geheime Chips so herzustellen, dass sie sicher und unversehrt sind. Und mit unserem neu angekündigten Advanced Packaging and Photonics Center wird diese Fähigkeit auf Post-Fab-Dienstleistungen ausgeweitet. Das erste Zentrum seiner Art wird schlüsselfertiges Advanced Packaging, Bump, Montage und Tests für Kunden aus der Luft- und Raumfahrt und dem Verteidigungssektor unter unserer Trusted Foundry anbieten, so dass Chips, die in sensiblen nationalen Sicherheitssystemen verwendet werden, die USA während der Produktion nicht verlassen. Verbinden Sie sich mit mir GF hat sich zum Ziel gesetzt, durch die Bereitstellung fortschrittlichster Lösungen, die den einzigartigen Anforderungen des A&D-Marktes gerecht werden, eine Vorreiterrolle zu übernehmen. Die von uns hergestellten Chips sind für unternehmenskritische Leistung und Zuverlässigkeit optimiert und werden in unseren akkreditierten Trusted-Einrichtungen in New York und Vermont sicher hergestellt. Es gibt so viele spannende Fortschritte in diesem Bereich. Ich lade Sie ein, den Stand von GF auf der GOMACTech 2025 zu besuchen, die vom 17. bis 20. März in Pasadena, Kalifornien, stattfindet, und sich mit mir und unserem Team auszutauschen, um mehr über die innovativen Lösungen von GF zu erfahren und darüber, wie wir Ihre A&D-Anforderungen unterstützen können. Für weitere Informationen kontaktieren Sie mich bitte unter [email protected]. Gemeinsam können wir die Zukunft von Halbleitern für die Luft- und Raumfahrt und die Verteidigung vorantreiben. Ashish Shah ist stellvertretender Direktor für Luft- und Raumfahrt und Verteidigung bei GlobalFoundries. Sein Schwerpunkt im Endmarkt Luft- und Raumfahrt und Verteidigung liegt auf HF- und mmWave-Technologien, die Kommunikations-, Navigations- und Radarplattformen der nächsten Generation ermöglichen.
Der unbesungene Held der Technik: Die Feier von Pi in der Halbleiterindustrie März 14, 2025 Von Viswas PurohitLeitender Ingenieur, Verfahrenstechnik, GlobalFoundries Wenn wir heute den Pi-Tag (3.14) begehen, ist dies nicht nur eine Gelegenheit, mathematische Wunder zu erleben, sondern auch ein Moment, um den tiefgreifenden Einfluss der Konstante Pi (π) auf den technologischen Fortschritt zu würdigen, insbesondere in der Halbleiter- und Chip-Herstellungsindustrie. Diese Branche, die für das digitale Zeitalter von grundlegender Bedeutung ist, stützt sich bei Präzision, Effizienz und Innovation stark auf Pi. Im Folgenden finden Sie einige Beispiele für Pi in der Halbleiterindustrie. 1. Schaltungsentwurf und Optimierung: Im Bereich des Schaltungsentwurfs ist Pi entscheidend für die Berechnung der elektrischen Eigenschaften, die die Funktionalität eines Chips bestimmen. Die Formel für die Impedanz Z einer Induktivität lautet zum Beispiel Z = 2πfL, wobei f die Frequenz und L die Induktivität ist. Die Entwickler verwenden Pi, um sicherzustellen, dass die Chips bei den gewünschten Frequenzen arbeiten können, die für Anwendungen von einfachen Rechenaufgaben bis hin zur komplexen Datenverarbeitung in Servern, deren Frequenzen oft mehrere Gigahertz überschreiten, unerlässlich sind. 2. Photolithographie Präzision: Die Photolithographie, das Verfahren zum Ätzen von Schaltkreismustern auf Silizium, hängt von Pi ab, um die Belichtungszeiten und die Abmessungen der Muster mit äußerster Genauigkeit zu berechnen. Die Auflösung R eines fotolithografischen Prozesses kann durch R = kλ/NA geschätzt werden, wobei λ die Wellenlänge des verwendeten Lichts, NA die numerische Apertur des Objektivs und k eine prozessabhängige Konstante ist. Bei der Bestimmung der NA kommt Pi ins Spiel, das den Brechungsindex und den Sinus des maximalen Winkels des in die Linse eintretenden Lichts einbezieht. Dies zeigt, wie Pi die Präzision bestimmt, die beim Ätzen von Schaltkreisen mit einer Breite von nur wenigen Nanometern erreicht werden kann. 3. Wellendynamik und Signalverarbeitung: Pi ist ein wesentlicher Bestandteil der Analyse der Ausbreitung elektromagnetischer Wellen in Chips, die für eine effiziente Datenkommunikation entscheidend ist. Die Gleichung λ = c/f, wobei c die Lichtgeschwindigkeit und λ die Wellenlänge ist, bezieht Pi in die Berechnung der Wellenlänge für HF-Komponenten ein, die im GHz-Bereich arbeiten. Diese Präzision ist für Chips in Smartphones und IoT-Geräten unerlässlich, bei denen eine genaue Signalverarbeitung und -übertragung der Schlüssel zu Leistung und Zuverlässigkeit ist. 4. Lösungen für das Wärmemanagement: Die Wärmeableitung ist ein wichtiger Aspekt bei der Chipentwicklung, wobei Pi in den Formeln zur Berechnung der Wärmeübertragung und -ableitung eine Rolle spielt. Die Gleichung für den Wärmewiderstand R_thermal eines zylindrischen Kühlkörpers lautet beispielsweise R_thermal = ln(ro/ri)/2πkL, wobei ro und ri die äußeren und inneren Radien, k die Wärmeleitfähigkeit und L die Länge des Zylinders sind. Das Vorhandensein von Pi in diesen Berechnungen hilft den Ingenieuren bei der Entwicklung von Chips, die die erzeugte Wärme effizient verwalten können, um Stabilität und Leistung auch bei hoher Rechenlast zu gewährleisten. 5. Qualitätskontrolle und Prüfalgorithmen: Bei der Qualitätskontrolle wird Pi zur Entwicklung von Algorithmen verwendet, die die Oberfläche des Chips und die Schaltkreismuster auf Fehler untersuchen. Beispielsweise verwenden Algorithmen, die die Fläche unregelmäßiger Formen auf der Chipoberfläche berechnen, um Abweichungen von den erwarteten Mustern zu erkennen, Pi in ihren Berechnungen. Diese Präzision ermöglicht die frühzeitige Erkennung von Defekten in Chips, die Milliarden von Transistoren enthalten können, und gewährleistet eine hohe Zuverlässigkeit in Geräten von der Unterhaltungselektronik bis zu kritischen Infrastruktursystemen. Abschließende Überlegungen: Pi Day und Halbleiterfertigung Am Pi-Tag, an dem wir diese mathematische Konstante feiern, wird deutlich, dass die Rolle von Pi über die abstrakte Mathematik hinaus in die konkrete Welt der Halbleitertechnologie reicht, wo sie jeden Schritt des Chip-Herstellungsprozesses untermauert. Von der Entwicklung von Schaltkreisen, die unsere alltäglichen Geräte antreiben, bis hin zur Gewährleistung der Zuverlässigkeit und Effizienz komplexer Computersysteme - die Anwendungen von Pi in der Halbleiterherstellung sind ein Beweis für seine grundlegende Bedeutung für den technologischen Fortschritt, der unsere moderne Welt bestimmt. Der Pi-Tag ist also nicht nur eine Feier für eine mathematische Konstante, sondern auch eine Anerkennung der Symbiose zwischen Mathematik, Wissenschaft und Technologie. Er unterstreicht, wie Pi, eine Zahl, die für ihre unendliche Folge bekannt ist, der Gesellschaft endliche, greifbare Vorteile bringt, indem sie die Innovationen im Herzen des digitalen Zeitalters vorantreibt. Viswas Purohit ist leitender Ingenieur in der Verfahrenstechnik des GF-Werks in Malta, NY.
Stärkung Ihrer Embedded AI mit 22FDX+ März 11, 2025 Von Anand RangarajanDirektor, Endmärkte, GlobalFoundries Ich gebe es zu: KI für Unternehmen ist ein spannender Thriller, der zu Recht die Aufmerksamkeit aller auf sich gezogen hat - auch meine. Hier bei GlobalFoundries (GF) haben wir jedoch eine stille KI-Revolution im Embedded-Bereich beobachtet, die sich auf alle Endmärkte auswirkt, vom Edge bis zum Endpunkt. Genau wie bei der Unternehmens-KI wird auch bei der eingebetteten KI eine horizontale Durchdringung aller Anwendungen vorgenommen, bei denen Entwickler versuchen, KI sinnvoll einzusetzen. Sie behalten schnellere Latenzzeiten und den Schutz von Daten und Vermögenswerten, die starke Verkaufsargumente für eingebettete KI sind, als Anker bei, während sie die Komplexität des KI-Modells so skalieren, dass es in den Energie-, Leistungs- und Speicherbereich des Anwendungsfalls passt. Die Ultra Low Power CMOS-Produktfamilien von GF sind ein hervorragender Baustein für die Entwicklung von Embedded AI-Anwendungen der nächsten Generation. Eingebettete Systeme im Edge-Bereich benötigen eine leistungsstarke Verarbeitung, um komplexere KI-Modelle auszuführen. Unsere 12LP+ FinFET-Plattform ist ideal für diese Anwendungen. Sie bietet klassenbeste Energie, Leistung und Fläche (PPA), um mehr Leistung in einen kleineren Chip mit verbesserter Effizienz zu packen. Da die Anwendungen immer weniger am Rande und immer mehr am Endpunkt arbeiten, besteht ein größerer Bedarf an SoCs (System on a Chip), die die Leistung maximieren, ohne die Energieeffizienz zu beeinträchtigen. Hier setzen unsere Kunden erfolgreich 22FDX® ein, unsere vollständig verarmte Silicon-on-Insulator (SOI)-Prozesstechnologie, die Leistung und Energieeffizienz der FinFET-Klasse in einer planaren Technologie bietet. Unsere 22FDX-Plattform wurde bereits erfolgreich in einer Vielzahl von batteriebetriebenen Geräten eingesetzt, die auf reaktionsschnelle und zuverlässige drahtlose Verbindungen und extreme Energieeffizienz angewiesen sind - von intelligenten Haussicherheitssystemen bis hin zu tragbaren Fitness- und medizinischen Geräten. Mit der 22FDX+-Plattform, unserer neuesten Generation der FD-SOI-Prozesstechnologie für die Massenproduktion, die speziell für die anspruchsvollen Anwendungen von heute entwickelt wurde, setzt GF neue Maßstäbe in Sachen Leistung und Effizienz. Das zeichnet die 22FDX+-Plattform für eingebettete KI-Anwendungen aus: Adaptive Body Biasing (ABB), eine Funktion, die in erfolgreicher Zusammenarbeit mit unseren Ökosystempartnern Synopsys, Racyics und Dolphin Semiconductor entwickelt wurde, passt die Schwellenspannung der Transistoren dynamisch an, um die Anwendung innerhalb des Leistungsrahmens zu halten oder bei Bedarf schrittweise mehr Rechenleistung hinzuzufügen. ABB unterstützt eine niedrigere Nennspannung (Vnom) von 0,4 V, wodurch die Gesamtleistung (mW/MHz) im Vergleich zur aktuellen Vnom von 0,5 V um 30 % reduziert wird. Der neue logikbasierte Bitcell-Speicher unterstützt Spannungsbereiche von 0,4 V bis 0,9 V mit einer einzigen Schiene und bietet bis zu 30 % Energieeinsparungen und eine 1,8- bis 2-fache Leistungsverbesserung im Vergleich zu foundry , die in der Regel auf 0,65 V auf einer einzigen Schiene begrenzt sind und eine Dual-Rail-Lösung benötigen, um eine niedrigere Spannung zu erreichen. Die Ermöglichung von Leistungsverbesserungen bei gleichzeitiger Energieeffizienz, wie z. B. mehr Inferenzen/Sekunde bei gleichem Stromverbrauch, hebt die 22FDX+-Bausteine auf die nächste Stufe der Bildverarbeitungsanwendungen*. Der 22FDX+ bietet eine Ultra-Low-Leakage (ULL) SRAM-Retentionsleckage von bis zu 0,35pA/Zelle (mit Source-Bias), was etwa 5x niedriger ist als bei einem 12nm-Prozess. Ein mit 22 FDX+ entwickelter "always on"-Block bietet im Vergleich zu anderen Technologien bis zu 50 % weniger Leckage. Die Senkung der Wirkleistung ist entscheidend für eine möglichst lange Lebensdauer bei batteriebetriebenen Anwendungen, insbesondere bei der Ortung von Vermögenswerten. 22 FDX+ bietet eine Vielzahl von Bibliotheksoptionen (ULP, HP, ULL), die Betriebsspannungen (VDD) von 0,4 bis 0,9 V und eine Vielzahl von Speicher-IPS unterstützen. Wenn Sie mehr darüber erfahren möchten, wie der 22FDX+ und unsere Ultra Low Power CMOS-Prozesstechnologien Ihre Embedded AI-Geräte der nächsten Generation unterstützen können, können Sie uns jederzeit über gf.com kontaktieren. *Bei Logic-Mem-Zellen arbeitet GF daran, eine exzellente Leistung bei gleichbleibender Fläche zu erreichen.
indie Semiconductor und GlobalFoundries kündigen strategische Zusammenarbeit an, um die Einführung von Radargeräten in Fahrzeugen zu beschleunigen März 4, 2025 Innovationen in den Bereichen Silizium, Software und firmeneigenes Radarsystemdesign sorgen für eine schrittweise Verbesserung der Radarleistung und ermöglichen die branchenweit niedrigsten Lösungskosten bzw. BOM (Bill of Materials) bei kleinstem Platzbedarf ALISO VIEJO, Kalifornien, 4. März 2025 - indie Semiconductor (Nasdaq: INDI), ein innovativer Anbieter von Lösungen für die Automobilindustrie, hat eine strategische Zusammenarbeit mit GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) angekündigt, um sein Portfolio an Hochleistungs-Radar-Systemen (SoC) zu entwickeln. Diese SoCs, die auf der 22FDX®-Plattform von GF hergestellt werden, zielen auf 77-GHz- und 120-GHz-Radaranwendungen für fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und angrenzende industrielle Anwendungen. Die Einführung von Radargeräten in der Automobilindustrie wird durch die weltweiten Sicherheitsvorschriften für Fahrzeuge, die Bewertungsprogramme für Neuwagen und die Nachfrage der Verbraucher nach Komfortfunktionen beschleunigt. Infolgedessen werden neue Fahrzeuge mit mindestens vier Radarsensoren ausgestattet, und es wird erwartet, dass sich diese Zahl in den Plattformen der nächsten Generation verdoppelt, um die wachsenden Anwendungsfälle zu erfüllen. Die 77-GHz-SoCs von indie werden in Systemen für die Überwachung der Umgebung und die Erkennung von Hindernissen mit größerer Reichweite eingesetzt und ermöglichen Anwendungsfälle wie die Vorwärtskollisionswarnung (FCW) und die automatische Notbremsung (AEB) sowie Anwendungen mit kürzerer Reichweite wie die Erkennung des toten Winkels (BSD), die Querverkehrswarnung und das automatische Einparken. Die 77-GHz-Radarlösung befindet sich in der fortgeschrittenen Design-In-Phase bei einem Tier-1-Kunden, der mehrere Automobil-OEMs unterstützt. Die 120-GHz-Lösungen zielen auf Anwendungen in der Kabine ab, die eine höhere Auflösung und Präzision über kürzere Reichweiten erfordern, wie z.B. die Überwachung von Insassen und die Erkennung von Lebenszeichen wie Herzschlag und Atmung. Der 120-GHz-SoC von indie unterstützt Antennen-in-Package-Designs, wodurch kleinere Systeme entwickelt werden können, ohne dass die Leistung, die Kosten oder die Ästhetik in der Kabine beeinträchtigt werden. Erste Kundenmuster der 120-GHz-Lösung sind bereits verfügbar. Bei beiden Produktlinien bestand die größte Herausforderung für Tier-1-Integratoren und OEMs darin, eine hohe Leistung zu liefern, ohne Kompromisse bei Hardware, Software und Systemintegration einzugehen, um die Gesamtbetriebskosten so niedrig wie möglich zu halten. indie hat diese Herausforderungen gemeistert, indem es eine klassenführende Leistung liefert und gleichzeitig die Kosten und den Platzbedarf der Lösung im Vergleich zu konkurrierenden Lösungen deutlich senkt, wodurch diese wichtige Sicherheitstechnologie erschwinglicher und in Massenfahrzeugen allgegenwärtig wird. Das innovative Design und die funktionale Integration von Analog-, Digital-, RF-, Power-Management- und Speicherfunktionen in den Radarlösungen von indie werden durch die automotive-qualifizierte 22-nm-SOI (Silicon-on-Insulator)-Prozesstechnologie von GF ermöglicht. Für ADAS- und Verarbeitungsanwendungen im Automobilbereich, die auf reaktionsschnelle, stets verfügbare drahtlose Verbindungen angewiesen sind, bietet die 22FDX-Plattform von GF Leistung und Energieeffizienz der FinFET-Klasse in einer planaren Technologie mit modernster PPA- (Power, Performance, Area) und RF-Leistung. "indie arbeitet bereits seit mehreren Jahren eng mit GlobalFoundries zusammen. Diese strategische Zusammenarbeit für unser Hochleistungsradar-Portfolio baut auf dem Erfolg der bestehenden Beziehung auf", sagte Michael Wittmann, Chief Operating Officer bei indie. "Unser Ziel ist es, unsere Kunden im zunehmend wettbewerbsintensiven Automobilsektor an der Spitze der Technologie zu halten. Die Kombination der Design-Innovationen von indie und der führenden Fertigungskapazitäten von foundrywird es ermöglichen, dass sicherheitskritische radarbasierte ADAS-Technologien kosteneffizient in Automobil- und industriellen Mobilitätsanwendungen eingesetzt werden können. "Unsere strategische Zusammenarbeit mit indie bringt spannende und innovative Produktlösungen für den Automobil- und industriellen Mobilitätsmarkt hervor", so Ed Kaste, Senior Vice President der Ultra-Low-Power-CMOS-Produktlinie von GF. "Da GF weiterhin in die Kapazität und technologische Differenzierung unserer 22FDX-Plattform investiert und diese Partnerschaft für die Lösungen der nächsten Generation von indie ausbaut, werden die Kunden gegenseitig von den speziell für den Automobilbereich entwickelten Technologien von GF und den erstklassigen Radardesign-Innovationen von indie profitieren und letztlich die am besten integrierten Siliziumlösungen erhalten, die die Gesamtsystemkosten und den Stromverbrauch senken und so einen schnelleren und flächendeckenden Markteinsatz ermöglichen. Über Indie Mit Hauptsitz in Aliso Viejo, Kalifornien, trägt indie mit Halbleitern, Photonik und Software-Plattformen der nächsten Generation zur Revolutionierung der Automobilindustrie bei. Wir konzentrieren uns auf die Entwicklung innovativer, hochleistungsfähiger und energieeffizienter Technologien für ADAS-, In-Cabin-Benutzererfahrungs- und Elektrifizierungsanwendungen. Unsere Mixed-Signal-SoCs ermöglichen Edge-Sensoren für Radar, LiDAR, Ultraschall und Computer Vision, während unsere eingebetteten Systemsteuerungs-, Power-Management- und Schnittstellenlösungen das Fahrerlebnis in der Kabine verändern und die zunehmende Automatisierung und Elektrifizierung von Fahrzeugen beschleunigen. Als globaler Innovator sind wir ein zugelassener Anbieter für Tier-1-Partner und unsere Lösungen finden sich in führenden Automobil-OEMs weltweit. Bitte besuchen Sie uns unter www.indie.inc, um mehr zu erfahren. Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden in aller Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit.. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. Safe-Harbor-Erklärung Diese Mitteilung enthält "zukunftsgerichtete Aussagen" (auch im Sinne von Abschnitt 21E des United States Securities Exchange Act von 1934 in seiner geänderten Fassung und Abschnitt 27A des Securities Act von 1933 in seiner geänderten Fassung) über indie Semiconductor, z. B. über die Merkmale, Funktionalität, Leistung, Verfügbarkeit, Entwicklung, den Zeitplan und den erwarteten Nutzen der Produkte und Technologien von indie Semiconductor, einschließlich der Sicherheitslösung auf Systembasis. Solche Aussagen beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, Aussagen über unsere zukünftige geschäftliche und finanzielle Leistung und Aussichten, und andere Aussagen, die durch Wörter wie "wird wahrscheinlich resultieren", "erwarten", "antizipieren", "schätzen", "glauben", "beabsichtigen", "planen", "projizieren", "Ausblick", "sollte", "könnte", "kann" oder Wörter mit ähnlicher Bedeutung gekennzeichnet sind. Solche zukunftsgerichteten Aussagen beruhen auf den aktuellen Einschätzungen und Erwartungen unserer Geschäftsleitung und unterliegen naturgemäß erheblichen geschäftlichen, wirtschaftlichen und wettbewerbsbezogenen Unsicherheiten und Unwägbarkeiten, von denen viele schwer vorhersehbar sind und im Allgemeinen außerhalb unserer Kontrolle liegen. Die tatsächlichen Ergebnisse und der zeitliche Ablauf von Ereignissen können erheblich von den Ergebnissen abweichen, die in solchen vorausschauenden Aussagen enthalten sind. Zusätzlich zu den Faktoren, die bereits in unserem Jahresbericht auf Formblatt 10-K für das im Dezember abgeschlossene Geschäftsjahr offengelegt wurden 31. Februar 2024, die am 28. Februar 2025 bei der Securities and Exchange Commission (SEC) eingereicht wurde, und in unseren anderen bei der SEC eingereichten öffentlichen Berichten (einschließlich der dort unter "Risikofaktoren" genannten) können unter anderem die folgenden Faktoren dazu führen, dass die tatsächlichen Ergebnisse und der zeitliche Ablauf von Ereignissen erheblich von den erwarteten Ergebnissen oder anderen Erwartungen abweichen, die in den zukunftsgerichteten Aussagen zum Ausdruck gebracht wurden: makroökonomische Bedingungen, einschließlich Inflation, steigender Zinssätze und Volatilität auf den Kredit- und Finanzmärkten; die Auswirkungen der anhaltenden Konflikte in der Ukraine und im Nahen Osten; unsere Abhängigkeit von der Auftragsfertigung und der ausgelagerten Lieferkette sowie die Verfügbarkeit von Halbleitern und Fertigungskapazitäten; wettbewerbsfähige Produkte und Preisdruck; unsere Fähigkeit, wettbewerbsfähige Angebotsauswahlverfahren zu gewinnen und zusätzliche Design Wins zu erzielen; die Auswirkungen der kürzlich getätigten Akquisitionen und anderer Akquisitionen, die wir möglicherweise tätigen, einschließlich unserer Fähigkeit, erworbene Unternehmen erfolgreich zu integrieren, und des Risikos, dass die erwarteten Vorteile von Akquisitionen nicht in vollem Umfang realisiert werden oder es länger als erwartet dauert, bis sie realisiert werden; unsere Fähigkeit, neue und verbesserte Produkte zu entwickeln, zu vermarkten und deren Akzeptanz zu gewinnen und in neue Technologien und Märkte zu expandieren; Handelsbeschränkungen und Handelsspannungen; unsere Fähigkeit, neue Design-, Test-, Vertriebs- und Marketingeinrichtungen auf der ganzen Welt zu errichten, zu besetzen und zu integrieren; und politische und wirtschaftliche Instabilität in unseren Zielmärkten. Alle zukunftsgerichteten Aussagen in dieser Pressemitteilung werden in ihrer Gesamtheit ausdrücklich durch die vorgenannten Warnhinweise eingeschränkt. Investoren werden davor gewarnt, sich in unangemessener Weise auf die zukunftsgerichteten Aussagen in dieser Pressemitteilung zu verlassen, da die hierin enthaltenen Informationen nur zum Zeitpunkt der Veröffentlichung dieser Pressemitteilung Gültigkeit haben. Wir haben nicht die Absicht und lehnen ausdrücklich jede Verpflichtung ab, zukunftsgerichtete Aussagen in dieser Mitteilung oder in unseren anderen öffentlichen Einreichungen zu aktualisieren, sei es aufgrund neuer Informationen, zukünftiger Ereignisse oder aus anderen Gründen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist. Medienkontakt indie[email protected] GFStephanie Gonzalez, Unternehmenskommunikation[email protected]
GlobalFoundries und MIT arbeiten zusammen, um Forschung und Innovation bei essentiellen Chips für KI voranzutreiben 27. Februar 2025 Erweiterte Zusammenarbeit umfasst gemeinsame Forschung an den führenden Halbleiterplattformen von GF CAMBRIDGE, Mass. und MALTA, N.Y., 27. Februar 2025 - GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) und das Massachusetts Institute of Technology (MIT) gaben heute eine neue Rahmenforschungsvereinbarung bekannt, um gemeinsam Fortschritte und Innovationen zur Steigerung der Leistung und Effizienz kritischer Halbleitertechnologien zu verfolgen. Die Zusammenarbeit wird von den Microsystems Technology Laboratories (MTL) des MIT und dem Forschungs- und Entwicklungsteam von GF, GF Labs, geleitet. Die ersten Projekte, die sich zunächst auf KI und andere Anwendungen konzentrieren, werden voraussichtlich die differenzierte Silizium-Photonik-Technologie von GF nutzen, die RF SOI, CMOS und optische Funktionen monolithisch auf einem einzigen Chip integriert, um die Energieeffizienz von Rechenzentren zu steigern, sowie die 22FDX®-Plattform von GF, die einen extrem niedrigen Stromverbrauch für intelligente Geräte am Netzwerkrand bietet. "Die Zusammenarbeit zwischen dem MIT MTL und GF ist ein Beispiel für die Stärke der Kooperation zwischen Wissenschaft und Industrie bei der Bewältigung der dringendsten Herausforderungen in der Halbleiterforschung", sagte Tomás Palacios, Direktor des MTL und Clarence J. LeBel Professor für Elektrotechnik und Informatik. Palacios wird als MIT-Fakultätsleiter für diese Forschungsinitiative fungieren. "Indem wir die weltweit anerkannten Fähigkeiten des MIT mit den führenden Halbleiterplattformen von GF zusammenbringen, sind wir in der Lage, bedeutende Forschungsfortschritte in den für die KI wichtigen Chiptechnologien von GF voranzutreiben", so Gregg Bartlett, Chief Technology Officer bei GF. "Diese Zusammenarbeit unterstreicht unser Engagement für Innovation und unser Bestreben, die nächste Generation von Talenten in der Halbleiterindustrie zu fördern. Gemeinsam werden wir an transformativen Lösungen für die Branche forschen." "Integrierte Schaltkreistechnologien sind das Herzstück eines breiten Spektrums von Anwendungen, die von mobilen Computern und Kommunikationsgeräten bis hin zu Automobil-, Energie- und Cloud-Computing reichen", sagte Anantha P. Chandrakasan, Dekan der School of Engineering des MIT, Chief Innovation and Strategy Officer und Vannevar Bush Professor of Electrical Engineering and Computer Science. "Diese Zusammenarbeit ermöglicht es der außergewöhnlichen Forschungsgemeinschaft des MIT, das breite Spektrum an Branchenexperten und fortschrittlichen Prozesstechnologien von GlobalFoundries zu nutzen, um spannende Innovationen in der Mikroelektronik in allen Bereichen voranzutreiben und gleichzeitig unsere Studenten darauf vorzubereiten, führende Rollen in der Arbeitswelt der Zukunft zu übernehmen." Das neue Rahmenforschungsabkommen wurde im Rahmen einer Unterzeichnungszeremonie auf dem Campus des MIT offiziell besiegelt. Sie baut auf der erfolgreichen Zusammenarbeit von GF mit der Universität in der Vergangenheit und in der Gegenwart auf. GF ist Mitglied der Microsystems Industrial Group (MIG) des MTL, die Industrie und Hochschulen in der Forschung zusammenbringt. Die MIT-Fakultät nimmt aktiv am University Partnership Program von GF teil, das sich auf gemeinsame Halbleiterforschung und Prototyping konzentriert. Darüber hinaus arbeiten GF und MIT bei mehreren Initiativen zur Entwicklung von Arbeitskräften zusammen, unter anderem im Rahmen der Northeast Microelectronics Coalition, einem Microelectronics Commons Hub des US-Verteidigungsministeriums. Über MTL Die Microsystems Technology Laboratories (MTL) am MIT sind eine führende Forschungseinrichtung, die Fortschritte in der Mikroelektronik, Nanotechnologie und Halbleitertechnologie vorantreibt. MTL bietet eine hochmoderne Infrastruktur für interdisziplinäre Forschung und Innovation und fördert die Zusammenarbeit zwischen Wissenschaft, Industrie und Regierung. Mit dem Schwerpunkt, transformative Lösungen zu ermöglichen, unterstützt MTL ein breites Spektrum an Forschung, von der Grundlagenforschung bis hin zu fortschrittlichen Anwendungen in den Bereichen KI, Kommunikation und darüber hinaus. Weitere Informationen finden Sie unter mtl.mit.edu. Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden in aller Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes und vielfältiges Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. GlobalFoundries Inc., GF, GlobalFoundries, die GF-Logos und andere GF-Marken sind Marken von GlobalFoundries Inc. oder seinen Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber. Zukunftsorientierte Informationen Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen beziehen sich nur auf das Datum dieser Pressemitteilung. GF ist nicht verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umstände nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tatsächlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist. Medienkontakte: MIT | Meghan Melvin | [email protected] GlobalFoundries | Michael Mullaney [email protected]
GlobalFoundries meldet Finanzergebnisse für das vierte Quartal 2024 und das Geschäftsjahr 2024 11. Februar 2025 MALTA, N.Y., 11. Februar 2025 (GLOBE NEWSWIRE) - GlobalFoundries Inc. (GF) (Nasdaq: GFS) gab heute die vorläufigen Finanzergebnisse für das vierte Quartal und das Geschäftsjahr zum 31. Dezember 2024 bekannt. Finanzielle Höhepunkte im vierten Quartal Einnahmen von 1,830 Milliarden Dollar Bruttomarge von 24,5% und Non-IFRS-Bruttomarge(1) von 25,4% Operative Marge von (38,3)% und Non-IFRS-operative Marge(1) von 15,6% Nettoverlust von 729 Millionen US-Dollar und Non-IFRS-Nettogewinn(1) von 256 Millionen US-Dollar Verwässerter Verlust pro Aktie von $1,32 und verwässerter Non-IFRS-Gewinn pro Aktie von $0,46 Bereinigtes EBITDA (Non-IFRS)(1) von 661 Millionen US-Dollar Bargeld, Barmitteläquivalente und marktgängige Wertpapiere in Höhe von 4,2 Mrd. $ am Ende Nettomittelzufluss aus betrieblicher Tätigkeit von 457 Millionen US-Dollar und bereinigter freier Cashflow (Non-IFRS)(1) von 328 Millionen US-Dollar Finanzielle Höhepunkte für das Gesamtjahr 2024 Einnahmen von 6,750 Milliarden Dollar Bruttomarge von 24,5% und Non-IFRS-Bruttomarge(1) von 25,3% Nettoverlust von 262 Millionen US-Dollar und Non-IFRS-Nettogewinn(1) 870 Millionen US-Dollar Verwässerter Verlust pro Aktie von 0,48 US-Dollar und verwässerter Non-IFRS-Gewinn pro Aktie von 1,56 US-Dollar Bereinigtes EBITDA (Non-IFRS)(1) von 2,475 Milliarden US-Dollar Netto-Mittelzufluss aus betrieblicher Tätigkeit in Höhe von 1,722 Milliarden US-Dollar und bereinigter freier Cashflow (Non-IFRS)(1) in Höhe von 1,107 Milliarden US-Dollar im bisherigen Jahresverlauf "Im vierten Quartal hat das GF-Team solide Finanzergebnisse erzielt, die über dem Non-IFRS-Mittelwert der Prognosespannen liegen, die wir in unserer Gewinnmitteilung vom November angegeben haben", sagte Dr. Thomas Caulfield, Präsident und CEO von GF. "Das Jahr 2024 stellte unsere Branche vor einzigartige Herausforderungen, aber dank unserer Konzentration auf operative Spitzenleistungen konnten wir einen bereinigten freien Cashflow (Non-IFRS) von über 1 Milliarde US-Dollar(1) erzielen. Mit Blick auf das Jahr 2025 sehen wir uns ermutigt durch unsere starke Dynamik bei Design Wins in allen unseren Endmärkten und in unserem Produktportfolio, mit der wir GF für ein Wachstumsjahr positionieren." Im vierten Quartal 2024 verbuchte GF eine Wertminderung von 935 Millionen US-Dollar auf langlebige Vermögenswerte im Zusammenhang mit Altinvestitionen in Produktionskapazitäten in seinem Werk in Malta, New York. GF unternahm diese Massnahme aufgrund der Diversifizierung seiner langfristigen Produktionsplattform in Malta, die mit der zuvor kommunizierten Technologietransferstrategie des Unternehmens übereinstimmt, die zur Deckung der erwarteten langfristigen Kundennachfrage erforderlich ist. Da eine solche Wertminderung nicht als wiederkehrendes Ereignis erwartet wird, ist das Unternehmen der Ansicht, dass diese zusätzliche Anpassung der Non-IFRS(1) -Kennzahlen dem Management und den Anlegern einen aussagekräftigeren Vergleich der Ergebnisse des vierten Quartals 2024 mit früheren Zeiträumen ermöglicht. Jüngste geschäftliche Höhepunkte GF hat ein neues Zentrum für fortschrittliche Verpackungs- und Testverfahren angekündigt, das in seinem Werk in Malta, New York, entstehen soll. Unterstützt durch Zuschüsse des Staates New York und des US-Handelsministeriums wird das Advanced Packaging and Photonics Center von GF dazu beitragen, die wachsende Nachfrage nach in den USA hergestellten Chips zu befriedigen, die in den Bereichen KI, Automobil, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Kommunikation eingesetzt werden. IDEMIA und GF haben eine Partnerschaft bekannt gegeben, um die Smartcard-Technologie der nächsten Generation mit verbesserter Datenspeicherung, geringerer Leselatenz und höherer Energieeffizienz zu entwickeln - und damit Kosten und Zeit zu sparen. Diese mehrjährige Zusammenarbeit wird zu 100 % in Europa auf der 28ESF3-Plattform von GF hergestellt und getestet, um eine zuverlässige Versorgung zu gewährleisten. Lightmatter hat bekannt gegeben, dass das Unternehmen die Fotonix™-Fertigungsplattform von GF nutzen wird, um die branchenweit robusteste und skalierbarste KI-Verbindungslösung zu entwickeln. Durch die Integration von Elektronik und Photonik auf einem einzigen CMOS-Wafer ermöglicht die einzigartige Lösung von GF die für künftige KI-Rechenzentren erforderliche Geschwindigkeit und Effizienz. (1) Siehe "Überleitung von IFRS zu Non-IFRS" für eine detaillierte Überleitung der Non-IFRS-Kennzahlen auf die am besten vergleichbare IFRS-Kennzahl. Siehe "Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS)" für weitere Erläuterungen zu diesen Non-IFRS-Kennzahlen und warum wir sie für nützlich halten. GlobalFoundries Inc. Zusammenfassung der Quartalsergebnisse (ungeprüft, in Millionen, außer Beträge pro Aktie und Waferlieferungen) Im Vergleich zum Vorjahr Sequentiell Q4'24 Q3'24 Q4'23 Q4'24 gegenüber Q4'23 Q4'24 gegenüber Q3'24 Nettoeinnahmen $ 1,830 $ 1,739 $ 1,854 $ (24 ) (1 )% $ 91 5 % Bruttogewinn $ 449 $ 414 $ 525 $ (76 ) (14 )% $ 35 8 % Bruttomarge 24.5 % 23.8 % 28.3 % (380)bps +70bps Bruttoergebnis (Non-IFRS)(1) $ 464 $ 429 $ 537 $ (73 ) (14 )% $ 35 8 % Non-IFRS-Bruttomarge(1) 25.4 % 24.7 % 29.0 % (360)bps +70bps Betriebsgewinn (-verlust) $ (701 ) $ 185 $ 303 $ (1,004 ) (331 )% $ (886 ) (479 )% Operative Marge (38.3 )% 10.6 % 16.3 % (5.460)bps (4.890)bps Nicht-IFRS-Betriebsergebnis(1) $ 285 $ 236 $ 383 $ (98 ) (26 )% $ 49 21 % Operative Marge (Non-IFRS)(1) 15.6 % 13.6 % 20.7 % (510)bps +200 Basispunkte Nettogewinn (-verlust) $ (729 ) $ 178 $ 278 $ (1,007 ) (362 )% $ (907 ) (510 )% Nettogewinn (-verlust) Marge (39.8 )% 10.2 % 15.0 % (5.480)bps (5.000)bps Non-IFRS-Reingewinn(1) $ 256 $ 229 $ 356 $ (100 ) (28 )% $ 27 12 % Non-IFRS-Nettogewinnmarge(1) 14.0 % 13.2 % 19.2 % (520)bps +80bps Verwässerter Gewinn (Verlust) pro Aktie ("EPS") $ (1.32 ) $ 0.32 $ 0.50 $ (1.82 ) (364 )% $ (1.64 ) (513 )% Verwässertes EPS (Non-IFRS)(1) $ 0.46 $ 0.41 $ 0.64 $ (0.18 ) (28 )% $ 0.05 12 % Bereinigtes EBITDA (Non-IFRS)(1) $ 661 $ 627 $ 773 $ (112 ) (14 )% $ 34 5 % Bereinigte EBITDA-Marge (Non-IFRS)(1) 36.1 % 36.1 % 41.7 % (560)bps 0bps Cashflow aus betrieblicher Tätigkeit $ 457 $ 375 $ 684 $ (227 ) (33 )% $ 82 22 % Wafer-Lieferungen (300-mm-Äquivalent) (in Tausend) 595 549 552 43 8 % 46 8 % (1) Siehe "Überleitung von IFRS zu Non-IFRS" für eine detaillierte Überleitung der Non-IFRS-Kennzahlen auf die am besten vergleichbare IFRS-Kennzahl. Siehe "Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS)" für weitere Erläuterungen zu diesen Non-IFRS-Kennzahlen und warum wir sie für nützlich halten. GlobalFoundries Inc. Zusammenfassung der Jahresergebnisse (ungeprüft, in Millionen, außer Beträge pro Aktie und Waferlieferungen) Im Vergleich zum Vorjahr GJ2024 GJ2023 GJ2024 gegenüber GJ2023 Nettoeinnahmen $ 6,750 $ 7,392 $ (642 ) (9 )% Bruttogewinn $ 1,651 $ 2,101 $ (450 ) (21 )% Bruttomarge 24.5 % 28.4 % (390)bps Bruttoergebnis (Non-IFRS)(1) $ 1,709 $ 2,149 $ (440 ) (20 )% Non-IFRS-Bruttomarge(1) 25.3 % 29.1 % (380)bps Betriebsgewinn (-verlust) $ (214 ) $ 1,129 $ (1,343 ) (119 )% Operative Marge (3.2 )% 15.3 % (1.850)bps Nicht-IFRS-Betriebsergebnis(1) $ 920 $ 1,369 $ (449 ) (33 )% Operative Marge (Non-IFRS)(1) 13.6 % 18.5 % (490)bps Nettogewinn (-verlust) $ (262 ) $ 1,018 $ (1,280 ) (126 )% Nettogewinn (-verlust) Marge (3.9 )% 13.8 % (1.770)bps Non-IFRS-Reingewinn(1) $ 870 $ 1,251 $ (381 ) (30 )% Non-IFRS-Nettogewinnmarge(1) 12.9 % 16.9 % (400)bps Verwässertes EPS $ (0.48 ) $ 1.83 $ (2.31 ) (126 )% Verwässertes EPS (Non-IFRS)(1) $ 1.56 $ 2.24 $ (0.68 ) (30 )% Bereinigtes EBITDA (Non-IFRS)(1) $ 2,475 $ 2,763 $ (288 ) (10 )% Bereinigte EBITDA-Marge (Non-IFRS)(1) 36.7 % 37.4 % (70)bps Cashflow aus betrieblicher Tätigkeit $ 1,722 $ 2,125 $ (403 ) (19 )% Waferlieferungen (300-mm-Äquivalent) (in Tausend) 2,124 2,211 (87 ) (4 )% (1) Siehe "Überleitung von IFRS zu Non-IFRS" für eine detaillierte Überleitung der Non-IFRS-Kennzahlen auf die am besten vergleichbare IFRS-Kennzahl. Siehe "Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS)" für weitere Erläuterungen zu diesen Non-IFRS-Kennzahlen und warum wir sie für nützlich halten. GlobalFoundries Inc. Zusammenfassung der Guidance für das erste Quartal 2025 (ungeprüft, in Millionen, außer Beträge pro Aktie)(1) IFRS Aktienbasierte Vergütung Nicht-IFRS (2) Nettoeinnahmen $1,550 - $1,600 Bruttogewinn $325 - $370 $14 - $16 $341 - $384 Bruttomarge(3) (Mitte) 22.1% 23.0% Betriebsergebnis $94 - $167 $47 - $57 $151 - $214 Operative Marge(3) (Mitte) 8.3% 11.6% Nettoeinkommen (4) $78 - $142 $47 - $57 $135 - $189 Nettogewinnmarge(3) (Mitte) 7.0% 10.3% Verwässertes EPS $0.14 - $0.26 $0.24 - $0.34 (1) Der vorliegende Leitfaden enthält zukunftsgerichtete Aussagen gemäß der Definition im U.S. Private Securities Litigation Act von 1995 und unterliegt den darin festgelegten Safe Harbors. Der Ausblick beinhaltet die Überzeugungen und Annahmen des Managements und basiert auf Informationen, die derzeit verfügbar sind. (2) Non-IFRS-Bruttogewinn, Non-IFRS-Betriebsaufwand, Non-IFRS-Betriebsgewinn, Non-IFRS-Nettogewinn und verwässerter Non-IFRS-Gewinn je Aktie sind Non-IFRS-Kennzahlen und werden nur für die Zwecke der Guidance als Bruttogewinn, Betriebsgewinn, Nettogewinn und Gewinn je Aktie vor aktienbasierter Vergütung definiert. Der Non-IFRS-Betriebsaufwand wird durch Subtraktion des Non-IFRS-Betriebsergebnisses vom Non-IFRS-Rohertrag berechnet. Weitere Informationen zu diesen Non-IFRS-Kennzahlen und warum wir sie für nützlich halten, finden Sie unter "Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS)". (3) Non-IFRS-Margen sind Non-IFRS-Kennzahlen und werden nur für die Zwecke des Leitfadens definiert als Non-IFRS-Rohertrag, Non-IFRS-Betriebsergebnis und Non-IFRS-Nettoergebnis, jeweils geteilt durch die Nettoumsatzerlöse (unter Verwendung der Definitionen von Non-IFRS-Rohertrag, Non-IFRS-Betriebsergebnis und Non-IFRS-Nettoergebnis in Fußnote (2) oben, soweit zutreffend). Siehe "Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS)" für weitere Informationen über diese Non-IFRS-Kennzahlen und warum wir sie für nützlich halten. (4) Im Nettogewinn enthalten sind Nettozinserträge und sonstige Erträge und Aufwendungen, die sich nach unserer Schätzung im ersten Quartal 2025 auf 0 bis 8 Mio. USD belaufen werden. Ebenfalls im Nettogewinn enthalten ist der Ertragsteueraufwand, der sich nach unserer Schätzung im ersten Quartal 2025 auf 16 bis 33 Mio. USD belaufen wird. GlobalFoundries Inc. Konsolidierte Gewinn- und Verlustrechnungen (ungeprüft, in Millionen, mit Ausnahme der Beträge je Aktie) Drei Monate zum Jahresende Abgeschlossenes Jahr 31. Dezember 2024 31. Dezember 2023 31. Dezember 2024 31. Dezember 2023 Nettoeinnahmen $ 1,830 $ 1,854 $ 6,750 $ 7,392 Kosten der Einnahmen 1,381 1,329 5,099 5,291 Bruttogewinn $ 449 $ 525 $ 1,651 $ 2,101 Betriebskosten: Forschung und Entwicklung 121 105 496 428 Vertrieb, Allgemeines und Verwaltung 93 87 427 473 Umstrukturierungskosten 1 30 7 71 Wertminderung von langlebigen Vermögenswerten 935 - 935 - Betriebskosten insgesamt $ 1,150 $ 222 $ 1,865 $ 972 Betriebsgewinn (-verlust) $ (701 ) $ 303 $ (214 ) $ 1,129 Finanzertrag (-aufwand), netto 15 8 56 12 Sonstige Erträge (Aufwendungen) (1 ) (12 ) (12 ) (57 ) Ertragsteueraufwand (42 ) (21 ) (92 ) (66 ) Nettogewinn (-verlust) $ (729 ) $ 278 $ (262 ) $ 1,018 Verantwortlich für: Aktionäre von GlobalFoundries (730 ) 277 (265 ) 1,020 Nicht-beherrschende Anteile 1 1 3 (2 ) EPS: Grundlegend $ (1.32 ) $ 0.50 $ (0.48 ) $ 1.85 Verwässert $ (1.32 ) $ 0.50 $ (0.48 ) $ 1.83 Für die Berechnung des EPS verwendete Aktien: Grundlegend 553 553 553 552 Verwässert 553 557 553 556 GlobalFoundries Inc. Verkürzte konsolidierte Bilanz (ungeprüft, in Millionen) 31. Dezember 2024 31. Dezember 2023 Vermögen: Zahlungsmittel und Zahlungsmitteläquivalente $ 2,192 $ 2,387 Marktgängige Wertpapiere 1,194 1,033 Forderungen, Vorauszahlungen und Sonstiges 1,406 1,420 Vorräte 1,624 1,487 Umlaufvermögen $ 6,416 $ 6,327 Latente Steueransprüche $ 188 $ 241 Sachanlagen, netto 7,762 9,829 Nutzungsrecht an Vermögenswerten 498 335 Marktgängige Wertpapiere 839 468 Sonstige Aktiva 1,096 844 Langfristige Vermögenswerte $ 10,383 $ 11,717 Gesamtvermögen $ 16,799 $ 18,044 Passiva und Eigenkapital: Kurzfristiger Anteil an langfristigen Verbindlichkeiten $ 753 $ 571 Sonstige kurzfristige Verbindlichkeiten 2,291 2,528 Kurzfristige Verbindlichkeiten $ 3,044 $ 3,099 Langfristiger Teil der langfristigen Schulden $ 1,053 $ 1,801 Langfristiger Teil der Leasingverpflichtungen 424 350 Sonstige Verbindlichkeiten 1,454 1,643 Langfristige Verbindlichkeiten $ 2,931 $ 3,794 Verbindlichkeiten insgesamt $ 5,975 $ 6,893 Das Eigenkapital: Stammaktien / Kapitalrücklagen $ 24,025 $ 24,038 Kumuliertes Defizit (13,266 ) (13,001 ) Kumuliertes sonstiges Gesamtergebnis 17 67 Nicht-beherrschende Anteile 48 47 Verbindlichkeiten und Eigenkapital insgesamt $ 16,799 $ 18,044 GlobalFoundries Inc. Verkürzte konsolidierte Kapitalflussrechnungen (ungeprüft, in Millionen) Drei Monate zum Jahresende Abgeschlossenes Jahr 31. Dezember, 2024 31. Dezember, 2023 31. Dezember, 2024 31. Dezember, 2023 Operative Tätigkeiten: Nettogewinn (-verlust) $ (729 ) $ 278 $ (262 ) $ 1,018 Abschreibung und Amortisation 378 402 1,568 1,451 Finanz(ertrag)aufwand, netto und Sonstiges (28 ) (21 ) (38 ) (21 ) Wertminderung von langlebigen Vermögenswerten 935 - 935 - Sonstige nicht zahlungswirksame operative Tätigkeiten (8 ) 49 138 184 Nettoveränderung des Betriebskapitals (91 ) (24 ) (619 ) (507 ) Nettomittelzufluss aus betrieblicher Tätigkeit $ 457 $ 684 $ 1,722 $ 2,125 Investitionstätigkeit: Erwerb von Sachanlagen und immateriellen Vermögenswerten $ (135 ) $ (228 ) $ (625 ) $ (1,804 ) Akquisitionen, abzüglich der erworbenen Barmittel - - (69 ) - Nettokäufe von marktfähigen Wertpapieren 14 4 (496 ) 474 Sonstige Investitionstätigkeiten 29 129 65 (552 ) Nettomittelabfluss aus der Investitionstätigkeit $ (92 ) $ (95 ) $ (1,125 ) $ (1,882 ) Finanzierungstätigkeiten: Erlöse aus der Ausgabe von Eigenkapitalinstrumenten und sonstige $ - $ 1 $ 21 $ 47 Erwerb eigener Aktien - - (200 ) - Aufnahme (Rückzahlung) von Schulden, netto (452 ) (88 ) (606 ) (259 ) Nettomittelabfluss aus der Finanzierungstätigkeit $ (452 ) $ (87 ) $ (785 ) $ (212 ) Auswirkungen von Wechselkursänderungen (7 ) 5 (7 ) 4 Nettoveränderung der Zahlungsmittel und Zahlungsmitteläquivalente $ (94 ) $ 507 $ (195 ) $ 35 Zahlungsmittel und Zahlungsmitteläquivalente zu Beginn des Berichtszeitraums 2,286 1,880 2,387 2,352 Zahlungsmittel und Zahlungsmitteläquivalente am Ende des Berichtszeitraums $ 2,192 $ 2,387 $ 2,192 $ 2,387 GlobalFoundries Inc. Überleitung von IFRS zu Non-IFRS (ungeprüft, in Millionen, mit Ausnahme der Beträge je Aktie) Drei Monate zum Jahresende Abgeschlossenes Jahr 31. Dezember 2024 30. September 2024 31. Dezember 2023 31. Dezember 2024 31. Dezember 2023 Netto-Einnahmen $ 1,830 $ 1,739 $ 1,854 $ 6,750 $ 7,392 Bruttogewinn $ 449 $ 414 $ 525 $ 1,651 $ 2,101 Bruttomarge 24.5 % 23.8 % 28.3 % 24.5 % 28.4 % Aktienbasierte Vergütung 15 15 12 58 48 Bruttoergebnis (Non-IFRS)(1) $ 464 $ 429 $ 537 $ 1,709 $ 2,149 Non-IFRS-Bruttomarge(1) 25.4 % 24.7 % 29.0 % 25.3 % 29.1 % Vertrieb, Allgemeines und Verwaltung $ 93 $ 98 $ 87 $ 427 $ 473 Aktienbasierte Vergütung 22 27 30 98 96 Strukturelle Optimierung(2) 2 - - 2 - Non-IFRS-Vertriebs- und Verwaltungskosten(1) $ 69 $ 71 $ 57 $ 327 $ 377 Forschung und Entwicklung $ 121 $ 130 $ 105 $ 496 $ 428 Aktienbasierte Vergütung 8 8 8 31 25 Strukturelle Optimierung(2) 1 - - 1 - Abschreibungen auf erworbene immaterielle Vermögensgegenstände und andere akquisitionsbedingte Aufwendungen 2 - - 2 - Forschung und Entwicklung (Non-IFRS)(1) $ 110 $ 122 $ 97 $ 462 $ 403 Betriebsgewinn (-verlust) $ (701 ) $ 185 $ 303 $ (214 ) $ 1,129 Operative Marge (38.3 )% 10.6 % 16.3 % (3.2 )% 15.3 % Aktienbasierte Vergütung 45 50 50 187 169 Strukturelle Optimierung(2) 3 - - 3 - Abschreibungen auf erworbene immaterielle Vermögensgegenstände und andere akquisitionsbedingte Aufwendungen 2 - - 2 - Wertminderung von langlebigen Vermögenswerten 935 - - 935 - Umstrukturierungskosten 1 1 30 7 71 Nicht-IFRS-Betriebsergebnis(1) $ 285 $ 236 $ 383 $ 920 $ 1,369 Operative Marge (Non-IFRS)(1) 15.6 % 13.6 % 20.7 % 13.6 % 18.5 % Nettogewinn (-verlust) $ (729 ) $ 178 $ 278 $ (262 ) $ 1,018 Nettogewinn (-verlust) Marge (39.8 )% 10.2 % 15.0 % (3.9 )% 13.8 % Aktienbasierte Vergütung 45 50 50 187 169 Strukturelle Optimierung(2) 3 - - 3 - Abschreibungen auf erworbene immaterielle Vermögensgegenstände und andere akquisitionsbedingte Aufwendungen 2 - - 2 - Wertminderung von langlebigen Vermögenswerten 935 - - 935 - Umstrukturierungskosten 1 1 30 7 71 Ertragsteuerliche Auswirkungen(2) (1 ) - (2 ) (2 ) (7 ) Non-IFRS-Reingewinn(1) $ 256 $ 229 $ 356 $ 870 $ 1,251 Non-IFRS-Nettogewinnmarge(1) 14.0 % 13.2 % 19.2 % 12.9 % 16.9 % Verwässerter Gewinn (Verlust) pro Aktie $ (1.32 ) $ 0.32 $ 0.50 $ (0.48 ) $ 1.83 Aktienbasierte Vergütung 0.09 0.09 0.09 0.34 0.30 Strukturelle Optimierung(2) 0.01 - - 0.01 - Abschreibungen auf erworbene immaterielle Vermögensgegenstände und andere akquisitionsbedingte Aufwendungen - - - - - Wertminderung von langlebigen Vermögenswerten 1.68 - - 1.68 - Umstrukturierungskosten - - 0.05 0.01 0.13 Ertragsteuerliche Auswirkungen(3) - - - - (0.02 ) Verwässerte ausstehende Aktien 556 555 557 556 556 Verwässertes EPS (Non-IFRS)(1) $ 0.46 $ 0.41 $ 0.64 $ 1.56 $ 2.24 (1) Siehe "Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS)" für weitere Erläuterungen zu diesen Non-IFRS-Kennzahlen und warum wir sie für nützlich halten. (2)Strukturelle Optimierung bedeutet Kosten im Zusammenhang mit dem Personalabbau. (3) Bezieht sich auf Restrukturierungskosten, Strukturoptimierung und Abschreibungen auf erworbene immaterielle Vermögenswerte und andere akquisitionsbezogene Kosten. GlobalFoundries Inc. Überleitung von IFRS auf Non-IFRS Bereinigter freier Cashflow (Non-IFRS)(1) (ungeprüft, in Millionen) Drei Monate zum Jahresende Abgeschlossenes Jahr 31. Dezember 2024 30. September 2024 31. Dezember, 2023 31. Dezember, 2024 31. Dezember, 2023 Nettomittelzufluss aus betrieblicher Tätigkeit $ 457 $ 375 $ 684 $ 1,722 $ 2,125 Abzüglich: Erwerb von Sachanlagen und immateriellen Vermögenswerten (135 ) (162 ) (228 ) (625 ) (1,804 ) Hinzufügen: Einnahmen aus öffentlichen Zuschüssen(2) 6 3 - 10 - Bereinigter freier Cashflow (Non-IFRS) Fluss(1) $ 328 $ 216 $ 456 $ 1,107 $ 321 (1) Siehe "Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS)" für weitere Erläuterungen zu dieser Non-IFRS-Kennzahl und warum wir sie für nützlich halten. (2) Ab Q1 2024 enthält der Non-IFRS-bereinigte freie Cashflow Erlöse aus staatlichen Zuschüssen für Investitionen. Diese Änderung der Methodik erfolgt im Vorgriff auf zukünftig erwartete Erlöse aus staatlichen Zuschüssen für Investitionen, die im Rahmen des U.S. CHIPS and Science Act und des New York State Green CHIPS gewährt werden, und bringt unsere Non-IFRS-bereinigte Kennzahl für den freien Cashflow besser mit der internen Bewertung von Kapitalentscheidungen durch GF in Einklang. Daher wurden frühere Zeiträume nicht an diese neue Berechnungsmethode angepasst. Überleitung von IFRS zu Non-IFRS Bereinigtes EBITDA (Non-IFRS) (ungeprüft, in Millionen) Drei Monate zum Jahresende Abgeschlossenes Jahr 31. Dezember, 2024 30. September 2024 31. Dezember 2023 31. Dezember 2024 31. Dezember 2023 Nettoeinnahmen $ 1,830 $ 1,739 $ 1,854 $ 6,750 $ 7,392 Nettogewinn (-verlust) für den Berichtszeitraum (729 ) 178 278 (262 ) 1,018 Nettogewinn (-verlust) Marge (39.8 )% 10.2 % 15.0 % (3.9 )% 13.8 % Abschreibung und Amortisation 378 396 402 1,568 1,451 Finanzaufwand 34 37 35 145 137 Finanzielle Einnahmen (49 ) (52 ) (43 ) (201 ) (149 ) Ertragsteueraufwand (-ertrag) 42 17 21 92 66 Aktienbasierte Vergütung 45 50 50 187 169 Umstrukturierungskosten 1 1 30 7 71 Wertminderung von langlebigen Vermögenswerten 935 - - 935 - Strukturelle Optimierung 3 - - 3 - Sonstige akquisitionsbedingte Kosten 1 - - 1 - Non-IFRS bereinigtes EBITDA(1) $ 661 $ 627 $ 773 $ 2,475 $ 2,763 Bereinigte EBITDA-Marge (Non-IFRS)(1) 36.1 % 36.1 % 41.7 % 36.7 % 37.4 % (1) Siehe "Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS)" für weitere Erläuterungen zu dieser Non-IFRS-Kennzahl und warum wir sie für nützlich halten. GlobalFoundries Inc. Finanzielle Kennzahlen (Non-IFRS) Zusätzlich zu den Finanzinformationen, die in Übereinstimmung mit den International Financial Reporting Standards ("IFRS") dargestellt werden, enthält diese Pressemitteilung die folgenden Non-IFRS-Kennzahlen: Non-IFRS-Bruttogewinn, Non-IFRS-Betriebsgewinn, Non-IFRS-Betriebsaufwand, Non-IFRS-Nettogewinn, Non-IFRS-Vertriebs- und Verwaltungskosten, Non-IFRS-Forschungs- und Entwicklungskosten, Non-IFRS-verwässerter Gewinn je Aktie ("EPS"), Non-IFRS-bereinigtes EBITDA, Non-IFRS-bereinigter freier Cashflow und die entsprechenden Margen. Wir definieren Bruttoergebnis vom Umsatz (Non-IFRS), Vertriebs- und Verwaltungskosten (Non-IFRS), Forschungs- und Entwicklungskosten (Non-IFRS), Betriebsergebnis (Non-IFRS) und Jahresüberschuss (Non-IFRS) als Bruttoergebnis vom Umsatz (Non-IFRS), Vertriebs- und Verwaltungskosten (Non-IFRS), Forschungs- und Entwicklungskosten (Non-IFRS), Betriebsergebnis (Non-IFRS) und Jahresüberschuss (Non-IFRS), jeweils bereinigt um aktienbasierte Vergütungen, Strukturoptimierung, Abschreibungen auf erworbene immaterielle Vermögensgegenstände und andere akquisitionsbedingte Aufwendungen, Wertminderungen von langlebigen Vermögensgegenständen, Restrukturierungsaufwendungen und damit verbundene Ertragsteuereffekte. Wir definieren den Non-IFRS-Betriebsaufwand als Non-IFRS-Rohertrag abzüglich des Non-IFRS-Betriebsergebnisses. Wir definieren das verwässerte Ergebnis je Aktie (Non-IFRS) als Non-IFRS-Nettogewinn dividiert durch die im Umlauf befindlichen verwässerten Aktien. Wir definieren den bereinigten freien Cashflow (Non-IFRS) als Cashflow aus betrieblicher Tätigkeit abzüglich des Erwerbs von Sachanlagen und immateriellen Vermögenswerten sowie der Einnahmen aus öffentlichen Zuschüssen für Investitionen. Wir definieren das bereinigte EBITDA (Non-IFRS) als Nettoergebnis, bereinigt um die Auswirkungen von Finanzaufwendungen, Finanzerträgen, Ertragsteuern, Abschreibungen, aktienbasierten Vergütungen, Restrukturierungskosten, Wertminderungen von langlebigen Vermögenswerten, Strukturoptimierung und akquisitionsbedingten Aufwendungen. Wir definieren die Non-IFRS-Bruttomarge, die Non-IFRS-Betriebsmarge, die Non-IFRS-Nettogewinnmarge und die Non-IFRS-bereinigte EBITDA-Marge als Non-IFRS-Bruttogewinn, Non-IFRS-Betriebsgewinn, Non-IFRS-Nettogewinn bzw. Non-IFRS-bereinigtes EBITDA, geteilt durch den Nettoumsatz. Alle oben beschriebenen Anpassungen, die für eine bestimmte Periode null sind, sind in der Tabelle "Überleitung von IFRS zu Non-IFRS" nicht enthalten. Siehe Abschnitt "Überleitung von IFRS zu Non-IFRS" für eine detaillierte Überleitung der Non-IFRS-Kennzahlen auf die am ehesten vergleichbare IFRS-Kennzahl. Im vierten Quartal 2024 verbuchte GF eine Wertminderung von 935 Millionen US-Dollar auf langlebige Vermögenswerte im Zusammenhang mit Altinvestitionen in Produktionskapazitäten in seinem Werk in Malta, New York. GF unternahm diese Massnahme aufgrund der Diversifizierung seiner langfristigen Produktionsplattform in Malta, die mit der zuvor kommunizierten Technologietransferstrategie des Unternehmens übereinstimmt, die zur Deckung der erwarteten langfristigen Kundennachfrage erforderlich ist. Da eine solche Wertminderung nicht als wiederkehrendes Ereignis erwartet wird, ist das Unternehmen der Ansicht, dass diese zusätzliche Anpassung der Non-IFRS-Kennzahlen dem Management und den Anlegern einen aussagekräftigeren Vergleich der Ergebnisse des vierten Quartals 2024 mit früheren Zeiträumen ermöglicht. Wir sind der Ansicht, dass diese Non-IFRS-Kennzahlen zusätzlich zu den nach IFRS ermittelten Ergebnissen sowohl für das Management als auch für Investoren nützliche Informationen zur Messung unserer finanziellen Leistung liefern und Trends in unserem Geschäft aufzeigen, die bei einer ausschließlichen Verwendung von IFRS-Kennzahlen möglicherweise nicht ersichtlich wären. Diese Non-IFRS-Kennzahlen liefern zusätzliche Informationen über unsere operative Leistung, die bestimmte Gewinne, Verluste und nicht zahlungswirksame Aufwendungen ausschließen, die relativ selten auftreten und/oder die wir als nicht mit unserem Kerngeschäft verbunden betrachten. Die Geschäftsleitung ist der Ansicht, dass der bereinigte freie Cashflow als Non-IFRS-Kennzahl für Investoren hilfreich ist, da er einen Einblick in die Art und Höhe der vom Unternehmen im Berichtszeitraum erwirtschafteten Barmittel bietet. Non-IFRS-Finanzinformationen werden nur zu ergänzenden Informationszwecken dargestellt und sollten nicht isoliert oder als Ersatz für Finanzinformationen betrachtet werden, die gemäß IFRS dargestellt werden. Unsere Darstellung von Non-IFRS-Kennzahlen sollte nicht als Rückschluss darauf verstanden werden, dass unsere künftigen Ergebnisse von ungewöhnlichen oder einmaligen Posten unbeeinflusst bleiben. Andere Unternehmen in unserer Branche berechnen diese Kennzahlen möglicherweise anders, was ihre Nützlichkeit als Vergleichsmaßstab einschränken kann. Informationen zur Telefonkonferenz und zum Webcast GF wird am Dienstag, den 11. Februar 2025 um 8:30 Uhr Eastern Time (ET) eine Telefonkonferenz mit der Finanzwelt abhalten, um die Ergebnisse des vierten Quartals und des gesamten Jahres 2024 im Detail zu besprechen. Interessierte Parteien können an der geplanten Telefonkonferenz teilnehmen, indem sie sich unter https://register.vevent.com/register/BIe37b8e7058dd4737aeed44b03d7f527d. Die Telefonkonferenz wird als Webcast übertragen und kann über die GF Investor Relations Website https://investors.gf.com abgerufen werden. Eine Aufzeichnung der Telefonkonferenz wird innerhalb von 24 Stunden nach der eigentlichen Telefonkonferenz auf der GF Investor Relations Website zur Verfügung stehen. Über GlobalFoundries GlobalFoundries® (GF®) ist einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller. GF definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem es funktionsreiche Prozesstechnologielösungen entwickelt und liefert, die eine führende Leistung in allgegenwärtigen Märkten mit hohem Wachstum bieten. GF bietet eine einzigartige Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer talentierten und vielseitigen Belegschaft und einer Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige Technologiequelle für seine weltweiten Kunden. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. Zukunftsgerichtete Aussagen Diese Pressemitteilung enthält "zukunftsgerichtete Aussagen", die unsere derzeitigen Erwartungen und Ansichten über zukünftige Ereignisse widerspiegeln. Diese zukunftsgerichteten Aussagen werden im Rahmen der "Safe Harbor"-Bestimmungen des U.S. Private Securities Litigation Reform Act von 1995 gemacht und beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, Aussagen über unsere finanziellen Aussichten, zukünftige Prognosen, Produktentwicklung, Geschäftsstrategie und -pläne sowie Markttrends, Chancen und Positionierung. Diese Aussagen basieren auf aktuellen Erwartungen, Annahmen, Schätzungen, Prognosen, Projektionen und begrenzten Informationen, die zu dem Zeitpunkt, an dem sie gemacht werden, zur Verfügung stehen. Wörter wie "erwarten", "antizipieren", "sollten", "glauben", "hoffen", "anvisieren", "projizieren", "Ziele", "schätzen", "potenziell", "vorhersagen", "können", "werden", "könnten", "beabsichtigen", "sollen", "Ausblick", "auf dem Weg" und Abwandlungen dieser Begriffe oder die Verneinung dieser Begriffe und ähnliche Ausdrücke sollen diese zukunftsgerichteten Aussagen kennzeichnen, obwohl nicht alle zukunftsgerichteten Aussagen diese kennzeichnenden Wörter enthalten. Zukunftsgerichtete Aussagen unterliegen einer Vielzahl von bekannten und unbekannten Risiken und Unsicherheiten. Jede Ungenauigkeit unserer Annahmen und Schätzungen könnte die Realisierung der Erwartungen oder Prognosen in diesen zukunftsgerichteten Aussagen beeinträchtigen. Zum Beispiel könnte unser Geschäft durch geopolitische Bedingungen wie die anhaltenden politischen und handelspolitischen Spannungen mit China und die Fortsetzung der Konflikte in der Ukraine und in Israel sowie durch innenpolitische Entwicklungen nach dem Wechsel in der US-Regierung beeinträchtigt werden. Der Markt für unsere Produkte könnte sich langsamer entwickeln oder erholen als erwartet oder in der Vergangenheit; wir könnten die Vorteile unseres Restrukturierungsplans nicht in vollem Umfang nutzen; unsere Betriebsergebnisse könnten stärker schwanken als erwartet; es könnte zu erheblichen Schwankungen unserer Betriebsergebnisse und Cashflows im Zusammenhang mit unserer Umsatzrealisierung oder anderweitig kommen; ein Netzwerk- oder Datensicherheitsvorfall, der unbefugten Zugriff auf unser Netzwerk oder unsere Daten oder die Daten unserer Kunden ermöglicht, könnte zu einer Systemunterbrechung, einem Datenverlust oder einer Schädigung unseres Rufs führen; Wir könnten Unterbrechungen oder Leistungsprobleme im Zusammenhang mit unserer Technologie erleben, einschließlich eines Ausfalls von Dienstleistungen; die globalen wirtschaftlichen Bedingungen könnten sich verschlechtern, auch aufgrund steigender Inflation und einer möglichen Rezession; und unsere erwarteten Ergebnisse und geplanten Expansionen und Operationen könnten nicht wie geplant verlaufen, wenn die von uns erwarteten Finanzierungen (einschließlich der geplanten Auszeichnungen im Rahmen des U.S. CHIPS and Science Act und New York State Green CHIPS) aus irgendeinem Grund verzögert oder zurückgehalten werden. Es ist uns nicht möglich, alle Risiken vorherzusagen, noch können wir die Auswirkungen aller Faktoren auf unser Geschäft oder das Ausmaß abschätzen, in dem ein Faktor oder eine Kombination von Faktoren dazu führen kann, dass die tatsächlichen Ergebnisse oder Resultate wesentlich von denen abweichen, die in den von uns gemachten zukunftsgerichteten Aussagen enthalten sind. Darüber hinaus sind wir in einem wettbewerbsintensiven und sich schnell verändernden Markt tätig, und von Zeit zu Zeit können neue Risiken auftreten. Sie sollten sich nicht auf zukunftsgerichtete Aussagen als Vorhersagen zukünftiger Ereignisse verlassen. Diese Aussagen beruhen auf unserer historischen Leistung und auf unseren aktuellen Plänen, Schätzungen und Prognosen im Lichte der uns derzeit zur Verfügung stehenden Informationen, weshalb Sie sich nicht übermäßig auf sie verlassen sollten. Obwohl wir glauben, dass die Erwartungen, die sich in unseren Aussagen widerspiegeln, angemessen sind, können wir nicht garantieren, dass die zukünftigen Ergebnisse, Aktivitäten, Leistungen oder Ereignisse und Umstände, die in den zukunftsgerichteten Aussagen beschrieben sind, erreicht werden oder eintreten. Darüber hinaus übernehmen weder wir noch irgendeine andere Person die Verantwortung für die Richtigkeit und Vollständigkeit dieser Aussagen. Die Empfänger werden davor gewarnt, sich in unangemessener Weise auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen, da diese nur zu dem Zeitpunkt gelten, an dem sie gemacht werden, und nicht als Tatsachenbehauptungen ausgelegt werden sollten. Außer in dem Maße, wie es die Bundeswertpapiergesetze vorschreiben, übernehmen wir keine Verpflichtung, Informationen oder zukunftsgerichtete Aussagen aufgrund neuer Informationen, späterer Ereignisse oder anderer Umstände nach dem Datum dieses Dokuments zu aktualisieren oder um das Eintreten unvorhergesehener Ereignisse zu berücksichtigen. Für eine Erörterung potenzieller Risiken und Ungewissheiten verweisen wir auf die Risikofaktoren und Warnhinweise in unserem Jahresbericht 2023 auf Formblatt 20-F, den aktuellen Berichten auf Formblatt 6-K und anderen bei der Securities and Exchange Commission (SEC) eingereichten Berichten. Kopien unserer bei der SEC eingereichten Berichte sind auf unserer Investor Relations-Website, investors.gf.com, oder auf der SEC-Website, www.sec.gov, verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an: Investor Relations [email protected]
