算力功耗比mW/GigaHash：加密货币挖矿专用芯片转向22FDX June 13, 2018作者: Dave Lammers 我之前写的几篇博客探讨了在物联网和汽车雷达应用中使用22FDX®工艺技术，这些应用市场都要求实现高性能和低功耗。加密货币挖矿是另一个功耗性能举足轻重的市场，因此，挖矿机逐渐放弃GPU，改用专用芯片(ASIC)。 关于半导体行业，比较有趣的一点是：每种应用都需要不同的性能、功耗、成本，以及其他因素的组合。加密货币挖矿应用亦不例外，甚至主流货币——比特币、莱特币和以太坊——以及其挖矿方式也是如此。 Moor Insights & Strategy的助理分析员Anshel Sag在跟踪分析货币挖矿市场的状况后，表示矿工“不想购买任何额外的逻辑片上组件。他们希望尽可能降低功耗。每项都达到极简状态，因为很大程度上都归结于功耗问题。” Sag表示，每种不同的算法都代表“一种不同的瓶颈，因此需要按照不同的方式架构ASIC，尽可能减少瓶颈。”（Sag和Moor的首席分析师Patrick Moorhead撰写了一篇晶圆厂和加密货币挖矿机白皮书，就此进行了详细阐述。） “每天消耗的能源如此之多，挖矿行业和制造商一直都在研究其ASIC挖矿机的效率。大部分挖矿设备都以hash/watt为单元测量其‘性能’，而非测量其总体的hash功能。” 资料来源：Moor Insights & Strategy白皮书：“晶圆厂在加密挖矿行业的重要性” 架构差异 Sanjay Charagulla——格芯技术营销和业务开发部门的资深总监，概述了针对比特币、莱特币和以太坊而优化的挖矿机ASIC之间的差异。莱特币ASIC倾向于采用相对较少部分的逻辑晶体管，SRAM约占晶体管总数的三分之二。Charagulla认为格芯的22FDX工艺拥有“最高效的SRAM位单元之一”，并将其归为格芯“已为多位客户设计完成流片”的原因。 以太坊挖矿约占整个挖矿IC市场的10%，因此至今一直由图形处理器(GPU)主导市场。以太坊算法需要大量的外部存储器，且芯片尺寸也更大。Charagulla表示，他预测以太坊挖矿将增长到市场的25%，因为相对比特币而言，其整体商务技术能够提供更高的交易灵活性。 尽管新货币种类层出不穷，比特币仍是市场的主导加密货币——挖矿机一般具备多个PCB板，每块板上都包含50-100多个ASIC。这些微小的ASIC都是逻辑器件，每个芯片上都有数百个累加运算(MAC)电路，无需采用外部存储器或协处理器。而且，如果有几个内核不能正常工作，ASIC仍然能够正常运行。“比特币ASIC没有这么复杂，其布局和后端设计是影响效率的关键”，他表示。 对于挖矿机而言，功耗成本如此重要，因此在测量效率时，以mW/Gigahash为单位测量，而不只是测算总体的Hash算力。主流的挖矿供应商Bitmain采用98mW/GigaHash的比特币挖矿机，新竞争者们都尝试达到或超越该水平。“我们有多位客户参与，有几位已经进行流片，其结果相当不错”，Charagulla说道。 加密货币挖矿生态系统——垂直整合 资料来源：格芯 卓越的性能 我问过Charagulla，能否通过提高ASIC的频率和承担额外的功耗来加快挖矿机进入区块链下一板块的速度。他回复说，为了让挖矿机内部的热流保持最优水平并节省功率，明智的做法是“以最低的功率，按照合理的400-500 MHz频率”运行ASIC。 尽管有些比特币ASIC开始转而采用基于FinFET的工艺，Charagulla建议，最好是采用基于FD-SOI的FDX工艺，让制造成本和功耗保持较低水平，同时保持足够的性能。“可以按照某种频率，同时运行数千个内核，这样仍然能够解决问题。基本来说，内核一般包含多个XOR栅极和16位宽的数据路径，在有限空间内布局。我们相信，22FDX能够满足这一要求。FinFET的优势在于具备千兆赫时钟速度、更宽的总线和位加法逻辑。这种情况（比特币ASIC）下并不存在任何高速I/O，所以，如果您可以优化内核的布局，FD-SOI将可以媲美FinFET，且其成本更低。” 许多客户设计都采用FDX工艺，工作电压仅0.4V。Charagulla表示，“一家客户”正尝试将工作电压降低至0.3 Vdd，以便为挖矿机提供更低功耗的80毫瓦/Gigahash的ASIC，同时“仍然能够高效运行其算法”。背栅偏置和正向偏置可用于满足性能和功率规格要求，他补充说道。 产能限制 Moor Insights的分析师Sag表示，虽然有些“高级”ASIC挖矿机将继续采用领先的FinFET工艺，其他挖矿机可能改变方式。“FinFETs在价格更加高昂的节点上能提供更高的性能，但需要支付更高成本。随着挖矿ASIC开始遵循更小巧的设计规则，晶圆的价格也随之增高。目前，人们希望降低挖矿机的成本，通过薄利多销的方式实现更多利润。最初采用领先的节点时，例如10nm或7nm，其产出并不是最高。采用领先节点时，其成本相对更高。” 此外，挖矿芯片设计公司在“争夺晶圆厂的产能，这是让成本走高的另一个原因”，Sag表示。 格芯位于马耳他、纽约的晶圆厂采用基于FinFETs的14nm和即将推出的7nm工艺几乎满负荷运行，Sag表示，挖矿公司都将德累斯顿提供的22FDX产能视作契机。此外，由于超过6家挖矿机设备制造商都位于中国，Sag表示“22FDX可能很快会在中国投入使用。” Sag表示“在为正确的客户选择正确的工艺方面，格芯表现出色，这对他们而言非常重要。并非每个芯片都需要数十亿个FinFET晶体管。就价格敏感性以及高能效需求而言，22FDX具有重要意义。” Moor Insights白皮书中指出“格芯的FDX路线图将于2019年和2020年实现扩展，涵盖12nm FDX，其功耗更低，性能更高，且更加节省成本。我们相信，这种工艺的扩展将让挖矿机大幅受益。芯片的制造成本对于最终能否成功越来越重要，尤其是当比特币和其他加密货币挖矿ASIC公司开始以尽可能加大产量为目标的时候。” Charagulla表示，德累斯顿工厂提供的产能正不断吸引新挖矿机公司采用22FDX。“马耳他晶圆厂几乎已达到全部产能，德累斯顿晶圆厂显然是面向22FDX，随后将是12FDX。在毫米波射频领域，我们面向基站、移动手持设备和毫米波雷达的设计正不断取胜。对于挖矿机ASIC，FDX能够提供附加价值，因此，更多的新客户会选择格芯。” 关于作者 Dave Lammers是固态技术特约撰稿人，也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章，彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times，定居东京，在之后的14年内，足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年，Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁，为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学，获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。
每千兆位毫瓦：加密矿机专用集成电路期待 22FDX 2018年6月7日作者： Dave Lammers戴夫-拉默斯 在过去的几篇博客中，我介绍了将 22FDX® 技术工艺用于物联网和汽车雷达应用的情况。加密货币挖矿是另一个以功耗为决定性特征的市场，这也是矿工逐渐从 GPU 转向ASIC 的原因之一。 半导体行业的一个有趣之处在于，每种应用都需要不同的性能、功耗、成本和其他因素组合。加密货币挖矿应用就是如此，甚至包括比特币、莱特币和以太坊等主要币种及其挖矿方式。 安谢尔-萨格Moor Insights & Strategy 公司负责跟踪挖币市场的副分析师说，矿工们 "不想在芯片上购买任何额外的逻辑。他们希望最大限度地降低功耗。一切都非常精简，因为大部分都归结为功耗。 萨格说，每种不同的算法都会带来 "不同的瓶颈，因此需要以不同的方式构建专用集成电路，以最大限度地减少瓶颈"。(萨格和摩尔首席分析师帕特里克-摩尔海德（Patrick Moorhead）撰写了一份关于晶圆厂和加密货币矿机的白皮书，提供了这方面的详细信息）。 "由于每天都要消耗大量能源，采矿业务和制造商一直在关注其 ASIC 矿机的效率。大多数挖矿设备的'性能'是以每瓦特哈希值而不是总哈希值能力来衡量的。"来源：Moor Insights & Strategy 白皮书Moor Insights & Strategy 白皮书，"晶圆厂在加密货币采矿中的重要性"。 架构不同 GF 技术营销和业务开发高级总监Sanjay Charagulla 概述了为比特币、莱特币和以太坊优化的矿机 ASIC 的差异。莱特币 ASIC 的逻辑晶体管往往相对较少，而 SRAM 单元则占晶体管的三分之二左右。Charagulla认为，GLOBALFOUNDRIES的22FDX工艺拥有 "效率最高的SRAM位单元之一"，并将此作为GF "已经带出多个客户设计 "的原因。 以太坊挖矿约占整个挖矿集成电路市场的 10%，迄今为止一直由图形处理器（GPU）主导。以太坊算法需要相对较大的外部存储器，芯片尺寸也较大。Charagulla说，他认为以太坊挖矿的市场份额将增长到四分之一，因为与比特币相比，以太坊的整体商业技术提供了良好的交易灵活性。 对于比特币来说，尽管有大量新的加密货币涌入，但比特币仍然是最主要的加密货币，挖矿设备通常有多块 PCB 板，每块板上有 50-100 多个 ASIC。这些微小的 ASIC 是逻辑器件，每个芯片上都有数百个乘法和累加（MAC）电路，不需要外部存储器或协处理器。如果有几个内核不工作，ASIC 仍能继续工作。"比特币专用集成电路并不复杂。布局和后端设计是提高效率的关键。 由于电力成本对矿工来说非常重要，因此效率是以每千兆字节毫瓦来衡量的，而不是总的哈希能力。比特大陆（Bitmain）是一家占主导地位的矿机供应商，其比特币矿机的能效为每千兆字节 98 毫瓦，而新的竞争者正在努力追赶或提高这一能效。"Charagulla说："我们已经有多家客户参与其中，其中一些已经开始使用，并取得了良好的效果。 足够好的性能 我问查拉古拉，矿工是否可以通过提高ASIC的频率并支付额外的功耗来更快地进入区块链的下一个空间。他回答说，为了使矿机内部的热流保持在最佳水平并节约电能，明智的策略是以 "最低功率下 400-500 MHz 的合理频率 "运行 ASIC。 尽管一些比特币ASIC正在转向基于FinFET的工艺，但Charagulla认为，更好的策略是通过使用基于FD-SOI的FDX工艺来降低制造成本和功耗，同时保持足够的性能。"做到这一点的方法是在一定频率下并行运行数千个内核，这样它们仍然可以解谜。这些内核基本上是一堆具有 16 位宽数据通路的 XOR 门，采用封闭式布局。我们相信，22FDX 可以满足这方面的要求。FinFET 的闪光点在于千兆赫的时钟速度、更宽的总线和位梯形图逻辑。在这种情况下（比特币专用集成电路），没有任何高速 I/O，因此如果能优化内核的布局，FD-SOI 的性能可以与 FinFET 不相上下，而且成本更低。 许多使用 FDX 工艺的客户设计的工作电压仅为 0.4V。Charagulla 说，一家一级客户正在将电压降至 0.3 Vdd，以便为矿工提供功耗更低的 ASIC，每千兆字节 80 毫瓦，同时 "仍能高效运行算法"。他补充说，背向偏压和正向偏压可用于满足性能和功耗规格要求。 容量限制 Moor Insights 分析师萨格说，虽然一些 "优质 "ASIC 矿机将继续采用最先进的 FinFET 工艺制造，但其他矿机可能会采取不同的策略。"在更昂贵的节点上采用 FinFET 工艺可以提供更高的性能，但要付出代价。当挖矿专用集成电路采用更小的设计规则时，晶圆就会更贵。现在，人们希望降低矿机的成本，这样他们就能以更低的成本卖出更多的矿机，获得更多的利润。在 10 纳米或 7 纳米等前沿节点上，最初的产量并不是最高的。前沿节点的成本很高"。 此外，矿业公司正在 "争夺晶圆厂的产能，这也是成本上升的另一个原因"，Sag 说。 萨格说，随着 GF 位于纽约州马耳他的工厂在 14 纳米和即将推出的基于 FinFET 的 7 纳米工艺上几乎满负荷运转，矿业公司将德累斯顿的 22FDX 可用产能视为一个机会。此外，由于有一半以上的矿机设备制造商位于中国，萨格说："22FDX可能很快就会在中国使用。 Sag 指出："GF 在为合适的客户选择合适的工艺方面做得很好，因为这对他们很重要。并非每个芯片都需要数十亿个 FinFET 晶体管。从价格敏感性以及对高效率的需求来看，22FDX 是合理的。 Moor Insights 的白皮书指出："GLOBALFOUNDRIES 的 FDX 路线图将在 2019 年和 2020 年扩展到 12nm FDX，其运行功耗更低，性能更高，同时成本也更低。我们相信，这一产品扩展将使矿工大大受益。制造芯片的成本正成为影响其成功与否的一个日益重要的因素，尤其是在比特币和其他altcoin ASIC挖矿公司都希望尽可能多地实现量产的情况下。" 查拉古拉说，德累斯顿的可用产能正在吸引新的矿业公司加入 22FDX。"马耳他工厂的大部分产能已满，德累斯顿工厂已明确定位为 22FDX 和未来的 12FDX。我们在毫米波射频（用于基站和移动手机以及毫米波雷达）领域的设计获胜。对于矿机专用集成电路来说，FDX 增加了价值，这就是新进入者来找我们的原因。 关于作者 戴夫-拉默斯 Dave Lammers 是 Solid State Technology 的特约撰稿人，也是 GF's Foundry Files 的特约博主。Dave 于 20 世纪 80 年代初在美联社东京分社工作时开始撰写有关半导体行业的文章，当时正值该行业快速发展时期。1985 年，他加入了《电子时报》，在东京工作的 14 年中，他报道了日本、韩国和台湾的情况。1998 年，戴夫和妻子美惠子以及四个孩子搬到奥斯汀，成立了《电子时报》德克萨斯分社。戴夫毕业于圣母大学，并在密苏里大学新闻学院获得新闻学硕士学位。
面向工业和电源应用的格芯超高压工艺技术进入量产阶段 June 1, 2018格芯公司的多功能高压技术可提供全套逻辑、模拟和电源器件 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月30日–格芯今日宣布，其180nm超高压(180UHV)技术平台已经进入量产阶段，适合各种客户应用，包括用于工业电源、无线充电、固态和LED照明的AC-DC控制器，以及用于消费电子和智能手机的AC适配器。 市场对成本效益高的系统需求旺盛，要求集成电路(IC)既能显著节省面积，又能将分立组件集成到同一芯片上，从而减少物料清单(BOM)和印刷电路板(PCB)尺寸。格芯180UHV平台采用3.3V低压CMOS基准值，具有HV18、HV30和700V UHV选项，与传统的5V双极CMOS DMOS (BCD)技术相比，可显著节省数字和模拟电路模块的面积。 AC-DC开关模式供电产品的市场领先企业昂宝电子(On-Bright)首席执行官陈志樑表示：“格芯公司可以提供领先的高压解决方案，正是昂宝电子电源技术的理想战略合作伙伴。格芯的新型180UHV工艺在设计中运用昂宝电子的专业技术，将UHV组件与180nm数字和模拟功能集成到同一IC中。该技术为昂宝电子的开关模式电源降低了成本，缩小了尺寸，给我们的AC-DC开关模式电源产品带来了更多系统级优势。” 格芯180UHV工艺技术属于采用格芯公司180nm工艺节点的模块化平台的一部分，为集成AC-DC转换提供的数字密度比前几代产品提高了10倍。对于AC-DC转换，该平台将高压晶体管与精密模拟和无源器件集成，用于控制AC-DC SMPS电路的高输入和输出电压。该工艺经过高达150°C认证，适用于电源和LED照明产品的高环境温度。 格芯业务部高级副总裁Bami Bastani博士表示：“格芯不断扩展UHV产品组合，提供具有竞争力的技术功能和精良的制造工艺，让我们的客户能够在实际应用新一代高集成度器件的过程中发挥关键作用。对于打算为新一代集成数字、模拟和高压应用开发高性能解决方案的客户来说，我们的180UHV是一项理想的技术。” 格芯公司为其模拟和电源平台提供各种类型的HV、BCD和UHV技术，帮助客户在广泛的电压范围内（5V至700V）集成电源和高压晶体管，以满足高低功率应用的不同需求。格芯位于新加坡的200mm和300mm生产线已成功实现了模拟和电源解决方案的生产。 如需了解更多有关格芯高压解决方案的信息，请联系您的格芯销售代表或访问 globalfoundries.com/cn。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。
GLOBALFOUNDRIES开始批量生产用于工业和电力应用的超高压工艺技术 2018年5月29日 公司的多功能高电压 技术提供全套的逻辑、模拟和功率器件 加州圣克拉拉，2018年5月29日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，其180纳米超高压（180UHV）技术平台已进入批量生产，用于一系列客户应用，包括工业电源的AC-DC控制器、无线充电、固态和LED照明，以及消费电子产品和智能手机的AC适配器。 对高性价比系统的需求不断增加，这就要求集成电路（IC）通过在同一芯片上集成分立元件，在减少材料清单（BOM）和印刷电路板（PCB）占用面积的同时，实现大幅的面积节省。GF的180UHV平台具有3.3V低压CMOS基线，并有HV18、HV30和700V UHV选项，与传统的5V双极CMOS DMOS（BCD）技术相比，可大大节省数字和模拟电路块的面积。 "On-Bright公司首席执行官Julian Chen说："GF在提供高压解决方案方面的领导地位使该公司成为On-Bright公司电源技术的完美战略合作伙伴，该公司是AC-DC开关电源产品市场的领导者。"GF新的180UHV工艺通过在设计中加入On-Bright的技术诀窍，将UHV元件集成到180纳米数字和模拟的同一集成电路中。该技术降低了On-Bright的开关模式电源的成本和占地面积，使我们的AC-DC开关模式电源产品具有更多的系统级优势。" 作为基于公司180纳米工艺节点的模块化平台的一部分，GF的180UHV工艺技术与前几代相比，在集成AC-DC转换方面的数字密度提高了10倍。 对于AC-DC转换，该平台将高压晶体管与精密模拟和无源器件集成，以控制AC-DC SMPS电路的高输入和输出电压。该工艺的合格温度高达150℃，以适应电源和LED照明产品的高环境温度。 "GF继续扩大其特高压产品组合，以提供具有竞争力的技术能力和卓越的制造能力，使我们的客户在将新一代高度集成的设备带入实际环境中发挥关键作用，"GF业务部门高级副总裁Bami Bastani博士说。 "对于那些希望为新一代集成数字、模拟和高压应用开发最高性能解决方案的客户来说，我们的180UHV是一项理想的技术。" 作为公司模拟和电源平台的一部分，GF提供各种类型的HV、BCD和UHV技术，使客户能够在从5V到700V的广泛电压范围内集成功率和高压晶体管，以满足低功耗和高功率应用的不同需求。GF在新加坡的200毫米和300毫米生产线上都有制造模拟和电源解决方案的成功记录。 欲了解更多有关GF高压解决方案的信息，请联系您的GF销售代表或访问globalfoundries.com。 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问globalfoundries.com。 GF联系人。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
SiP 和 eNVM: 哪一个是最好的选择? May 24, 2018 作者: Yafeng Zhang 汽车电子和物联网应用的蓬勃发展，推动着市场对于MCU需求的增长。最新的预测表明，MCU在未来五年的年复合增长率会达到4%， 而汽车MCU的增长率会高达14%。 非挥发性存储器(NVM)是MCU芯片必不可少的组成部分，它不仅需要用来存储代码，而且需要用来存储使用过程中产生的数据。 两种方案 业界通常有两种MCU存储模块的解决方案：嵌入式存储器(eNVM)和系统级封装 (片外存储器–SIP)。eNVM工艺是在逻辑工艺平台的基础上开发的特殊工艺，通过这种工艺生产出带有非挥发存储器模块的的芯片。对于不同的eNVM工艺，需要增加不同层数的光罩，因此它的工艺成本相比于逻辑工艺有一定的增加。对于SIP解决方案，是通过封装的方法，把一颗NOR闪存芯片和逻辑芯片封装在一起，代码和数据存储在独立的、外挂的NOR闪存芯片上。 目前，世界领先的MCU厂商主要使用eNVM方案，但SIP方案对于新进入的公司很有吸引力，因为这种设计简单，设计周期短，从而使厂商降低设计成本，加快上市速度。然而，SIP解决方案无法满足特定应用场景的所有要求，综合考虑到成本、功耗、速度、安全性、稳定性和可靠性要求，很多应用场景下，使用eNVM是更好的解决方案。 综合评估 为了帮助MCU厂商选择最优的解决方案，我们从功耗、启动时间、速度、安全性、可靠性和成本等方面，结合客户目标的应用场景，比较一下两种方案。 功耗：eNVM的功耗会比SIP低30%以上，因为SIP采用外挂的Flash芯片，在读写操作的时候，需要驱动IO，造成功耗的增加。因此，对于用于电池供电的低功耗应用，格芯推荐使用eNVM。GF and eVaderis are co-developing a low power MCU using 22FDX and eMRAM 启动时间：eNVM的启动速度比SIP快20倍以上(Datasheet spec: 5us vs >100us)。而且，因为eNVM是XIP(eXecute In Place)，主芯片可以直接从NVM模块读数据进行启动，而SIP Flash，系统通常需要将数据从外部存储器下载到片上SRAM，需要更长的时间。因此，对于需要快速启动的常闭应用，格芯推荐eNVM。 速度：eNVM比SIP提供2X以上的更快的读取速度(10ns, x32的eFlash是400MB/s vs 最高端的SPI NOR， 400MHz, 8bit位宽速度是200 MB/s)。更进一步，eNVM模块的位宽可以很容易的扩展到X64，X128，甚至X256，所以，eNVM的速度更具优势。因此，对于需要高速/高带宽的应用，格芯推荐使用eNVM。 安全性：eNVM比SIP提供更高的安全性，因为eNVM模块可以被定制，同时，工艺可以使用诸如PUF之类的IP来增强安全性。相反，SIP Flash是市场上的标准产品，很难增加额外的安全性设计。因此，对于需要高安全性的应用，格芯推荐eNVM。 可靠性：eNVM提供了更高的可靠性。在嵌入式工艺开发的时候，eNVM和逻辑工艺作为一个整体，可以直接达到车规1级或者0级，因此对于严格可靠性要求的应用，格芯推荐eNVM。40nm Embedded Self-Aligned Split-Gate Flash Technology for High Density Automotive MCUCMOS Embedded STT-MRAM arrays in 2x nm Modes for GP-MCU applications 成本：成本是最难比较的部分，牵涉范围广，通常需要考虑以下一些因素： NVM的存储大小和整个芯片尺寸，它决定了每片晶圆上面的芯片颗粒的数量。 逻辑工艺和eNVM工艺的晶圆价格。 SIP方案中，片上SRAM的容量，用于在系统启动的时候，从外部存储中下载代码。 SIP方案的闪存KGD价格 晶圆测试成本 其他因素如晶圆良率(逻辑工艺和嵌入式工艺)，封装的良率损失，管理成本等 成本比较 我们选取了六个典型的NVM存储容量(2MB，4MB，8MB，16MB，32 MB，128MB)，在格芯的40nm LP逻辑工艺和嵌入式工艺，22FDX®（22nm FD-SOI）逻辑工艺和嵌入式工艺，一共4种工艺平台上，进行成本的比较。 同时，对于SIP方案，因为每个产品都有不同启动方法，会用到不同的片上SRAM容量来“映射”外部闪存。下面的比较选择了最理想的情况：SIP解决方案和eNVM解决方案利用完全相同的SRAM容量。实际情况是，大多数常见的SIP解决方案会采用更大的SRAM容量。 来源: 格芯 从上图可以看到，对于采用40nm平台的产品，当NVM容量小于16Mb时，选择eNVM(eFlash)的方案，成本较低，而当NVM容量等于或高于16Mb时，SIP解决方案成本较低。 对于采用22nm FDX技术的产品，当NVM容量小于32 Mb时，eNVM(eMRAM)解决方案的成本较低，而当NVM容量等于或高于32 Mb时，SIP解决方案成本较低。 比较这两个平台，22FDX eNVM解决方案在所有NVM容量条件下的成本都比40nm SIP方案更低。与此同时在功率、速度、安全性和可靠性方面均优于SIP解决方案。 更重要的一点，当SIP选用更大的SRAM容量时，eNVM解决方案的优势更加明显。 最优选择 总之，eNVM和SIP解决方案都是设计制造MCU的可行方法。然而，基于优越的功耗、速度、安全性和可靠性，eNVM往往是MCU的更好选择。在成本方面，对于小容量，eNVM通常比SIP更低。MCU厂商通常需要权衡各种方案的利弊，来赢得市场。而格芯提供了多种解决方案，来协助我们的客户取得成功。格芯的eNVM技术，使用从主流的130nm平台到领先的22nm FDX平台，以满足新兴市场的多样化需求。低功耗的FDX平台加上低功耗的eMRAM的解决方案，是IoT应用的最优选择，而eMRAM超快的存储速度和高容量，使它同样适用于计算和存储市场。结合了RF和优越性能的LP + eFlash方案, 特别适用于汽车，工业，和消费类MCU市场。而格芯的成熟的SIP解决方案可以帮助客户加快产品面世的进程 请联系格芯为您的特定MCU架构提供更精确的的SIP与eNVM的比较分析。 关于作者 张亚峰 张亚峰在半导体行业有超过15年的经验，包括产品设计、应用和技术营销。他目前负责格芯eFlash产品的技术营销， 产品涵盖130 nm到40 nm，并专注于支持全球的MCU客户。在加入格芯之前，他曾任多个职务，包括在美光半导体(Micron SemSystems)负责45 nm NOR存储器设计和产品技术支持应用，以及在新思科技（Synopsys）和中芯国际担任了多个职务。张亚峰拥有复旦大学微电子硕士和材料科学学士学位。
GLOBALFOUNDRIES宣布推出业界最先进的汽车认证生产型FD-SOI工艺技术 2018年5月23日安全性、可靠性和坚固性的制造认证为客户提供了汽车应用的性能和功率效率 加州圣克拉拉，2018年5月23日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，其22纳米FD-SOI（22FDX®）技术平台已获得AEC-Q100 2级认证，可用于生产。作为业界最先进的汽车级FD-SOI工艺技术，GF的22FDX平台包括一套全面的技术和设计使能能力，专门用于提高汽车集成电路（IC）的性能和功率效率，同时严格遵守汽车安全和质量标准。 随着汽车电子内容的迅速扩散以及对能源效率和安全的规定，半导体器件的质量和可靠性比以往更加关键。作为AEC-Q100认证的一部分，器件必须在很宽的温度范围内成功地经受住长时间的可靠性压力测试，以获得2级认证。GF的22FDX工艺的认证体现了该公司为汽车行业提供高性能、高质量技术解决方案的承诺。 "VLSI Research首席执行官兼董事长Dan Hutcheson表示："对于那些在功率、性能和成本方面寻求实时权衡的公司来说，FD-SOI具有优势。"GF的汽车级22FDX技术正是汽车制造商和供应商所需要的，可以实现高度集成的汽车级IC的快速集成。" "GLOBALFOUNDRIES在为行业提供汽车解决方案方面已有10多年的经验。我们每年都通过一系列的认证和审核来证明我们对半导体质量和可靠性的承诺，"GF公司业务部门高级副总裁Bami Bastani博士说。"我们的22FDX技术的汽车认证再次证明了我们对扩大FD-SOI能力和产品组合以进入新市场和客户的承诺。我们现在有成熟的能力来制造我们的22FDX技术，以满足汽车市场严格的质量和性能要求。" 作为公司AutoPro™平台的一部分，22FDX允许客户轻松地将其汽车微控制器和ASSP迁移到更先进的技术，同时利用比竞争技术更显著的面积、性能和能效优势。此外，该优化平台为汽车雷达应用提供了高性能的射频和毫米波能力，并支持在MCU和高压器件中实现逻辑、闪存、非易失性存储器（NVM），以满足车载IC的独特要求。 GF的AutoPro平台包括广泛的汽车AEC-Q100合格技术解决方案组合，由强大的服务包支持，符合GF在新加坡的工厂和最近在德国德累斯顿的工厂1严格的ISO汽车质量标准，取得了ISO-9001/IATF-16949认证，现在能够满足汽车工业严格和不断发展的需求。 22FDX PDK和一系列经过硅验证的IP现在已经上市。客户现在可以开始优化他们的芯片设计，开发差异化的低功耗和高性能汽车解决方案。 欲了解更多信息，请访问： globalfoundries.com/market-solutions/automotive。 关于GF GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 GF联系人。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
格芯宣布推出业内符合汽车标准的先进 FD-SOI工艺技术 May 23, 2018制造安全性、可靠性和鲁棒性认证为客户提供了汽车应用所需的性能和能效 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月23日–格芯今日宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100（2级）认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI工艺技术，格芯的22FDX平台融合全面的技术和设计实现能力，旨在提高汽车集成电路(IC)的性能和能效，同时仍然遵循严格的汽车安全和质量标准。 随着汽车电子器件产品的迅速普及，关于能效和安全性的法规不断增多，半导体器件组件的质量和可靠性变得比以往更加关键。作为AEC-Q100认证的组成部分，器件必须在一段时间和广泛的温度范围内，成功完成可靠性压力测试，以获得2级认证。对格芯22FDX工艺的认证体现了公司秉持的承诺：为汽车行业提供高性能、高品质的技术解决方案。 “对于那些寻求实时权衡功率、性能和成本的公司来说，FD-SOI颇具优势”，VLSI Research的首席执行官兼董事长Dan Hutcheson表示。“格芯符合汽车标准的22FDX技术正是汽车制造商和供应商实现高度集成的汽车级IC快速集成所需的技术。” “10多年以来，格芯一直为汽车行业提供解决方案。我们每年都会通过一系列的认证和审计证明我们对半导体质量和可靠性的承诺”，格芯业务部高级副总裁Bami Bastani表示。“我们22FDX技术所获的汽车认证再次确认了我们将FD-SOI功能和产品组合进一步扩展至新市场和客户的承诺。现在，我们制造22FDX技术的能力已经得到验证，能够满足汽车市场严格的质量和性能要求。” 作为公司AutoPro™平台的组成部分，22FDX让客户能够轻松将其汽车微控制器和ASSP迁移至更加先进的技术，同时充分利用显著超越竞争技术的尺寸、性能和能效优势。此外，这个经过优化的平台为汽车雷达应用提供高性能射频和毫米波功能，并支持在MCU中实施逻辑、Flash、非易失性存储器(NVM)，也支持高压器件，以满足车用IC的独特要求。 格芯的AutoPro平台由诸多符合AEC-Q100汽车标准的技术解决方案组成，并提供符合严格的ISO汽车质量标准的稳健服务包支持，格芯新加坡的晶圆厂和德国德累斯顿1号晶圆厂都遵循ISO汽车质量标准，后者刚刚通过ISO-9001/IATF-16949认证，现在能够满足汽车行业严格且不断变化的需求。 22FDX PDK现已上市，同时提供各种通过芯片验证的IP。客户现在可以开始优化其芯片设计，以开发低功耗、高性能的差异化汽车解决方案。 如需了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com/cn/market-solutions/automotive。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang) (021) 8029 6826 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
Presto Engineering加入格芯生态系统 成为格芯的新ASIC合作伙伴 2018年5月15日2018年5月15日，加州圣何塞--半导体产品工程和供应链管理的全球领导者Presto工程公司今天宣布加入GF的合作伙伴生态系统GLOBALSOLUTIONS®，提供从构思到生产的服务。作为生态系统的合作伙伴，Presto将基于GF的技术和服务为全球客户提供其硅片后工程和生产的交钥匙解决方案。
Presto工程公司作为ASIC合作伙伴加入GLOBALFOUNDRIES生态系统 2018年5月15日2018年5月15日，加州圣何塞--半导体产品工程和供应链管理的全球领导者Presto工程公司今天宣布加入GF的合作伙伴生态系统GLOBALSOLUTIONS®，提供从构思到生产的服务。作为生态系统的合作伙伴，Presto将基于GF的技术和服务为全球客户提供其硅片后工程和生产的交钥匙解决方案。
格芯认证Synopsys IC Validator用于核签物理验证 2018年5月14日Synopsys, Inc.(纳斯达克：SNPS）今天宣布，GLOBALFOUNDRIES（GF）已认证Synopsys IC Validator工具在GF 14LPP工艺技术上进行物理签收。通过这项签收认证，设计人员可以利用IC Validator的速度和可扩展性，同时确保高水平的可制造性和最大产量。经过认证的运行集，包括DRC、LVS和金属填充技术文件，今天可以从GF获得。
